CN105529286A - 带有自清洗功能的半导体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种半导体处理装置。该半导体处理装置具有一个密闭的工作室，除此之外该半导体处理装置还包括用于发射工艺用有机溶剂的发射端口、承载和固定晶圆的晶圆载台、以及输送清洗药剂的清洗管路，其中晶圆载台与发射端口的位置相对。在半导体处理装置对晶圆加工处理完成之后，向清洗管路中通入至少含有一种强氧化剂的清洗药剂，通过强氧化剂与剩余有机溶剂的相互反应，能够消耗残留的废液，实现自清洗功能。该半导体处理装置所使用的发射端口为圆形喷嘴、扇形喷嘴、线形喷嘴及半圆形喷嘴等，且该发射端口与晶圆载台不发生相对的水平位移。

Description

带有自清洗功能的半导体处理装置

技术领域

本发明涉及半导体生产和加工领域，更具体地说，涉及一种半导体处理装置，该装置具有自清洗功能。

背景技术

半导体晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产过程中，不仅要求未经处理的晶圆自身具有平整、超清洁的表面，在经过镀膜、涂敷等类似工艺后，同样需要保证处理后晶圆表面的平整度和清洁度，这就对加工晶圆的过程中有机溶剂接触晶圆表面的方式提出了严苛的要求。在加工过程中，不仅要保证晶圆的整个表面均能被有机溶剂覆盖并处理，还需要使各处所获取的有机溶剂的量非常均一，避免因局部区域的溶剂过多或过少而导致的晶圆损坏的情况出现。

现有技术通常使用喷嘴将外部有机溶剂输运并喷射至晶圆表面，与此同时，承载晶圆的晶圆夹带动晶圆高速旋转，将位于晶圆中心的溶剂甩开，利用离心力使有机溶剂铺平在晶圆表面。也有通过喷雾形式使有机溶剂附着于晶圆表面的方法，喷嘴喷射的同时还需要辅之以平移运动才能够涂满整个晶圆表面。但上述这两种方式都没有完全从喷嘴角度出发，去尝试解决处理晶圆过程中的均匀性问题和全局性问题。

困扰人们的另一个问题在于，对晶圆进行加工所使用的化学药液多为粘稠的有机溶剂，而这些有机溶剂在处理晶圆后并不会被完全消耗干净，往往存在一定量的残余药液，粘滞在加工晶圆的装置内壁，或者挥发为气体充斥在装置的内部空间，难以去除。长此以往的积累下来，恶劣的加工环境会导致晶圆的产品质量严重下降，加工处理的周期也会因为反应不畅而大幅度延迟，由此带来的恶果势必会对半导体厂家的效益造成难以估量的不利影响！

发明内容

发明人作为行业中的一员，对上述问题作了潜心的研究，提出一种半导体处理装置，能够兼顾晶圆加工过程中的均匀性和全局性，使有机溶剂均匀的涂布至晶圆表面，整个晶圆表面与有机溶剂充分接触并反应，明显改进了加工效果；该半导体处理装置同时还具有自清洗功能。

为了达成发明目的，发明人的技术贡献细化为下述具体方案：

一种半导体处理装置，具有密闭的工作室，所述处理装置还包括：

发射端口，所述发射端口向所述工作室内发射工艺用有机溶剂；

晶圆载台,所述晶圆载台与所述发射端口的位置相对，所述晶圆载台用于承载和固定晶圆；以及

清洗管路；

其中，所述发射端口在平行于所述晶圆载台的平面内不发生相对于晶圆载台的平移运动。

进一步地，所述清洗管路内通入至少含有一种强氧化剂的清洗药剂，所述强氧化剂与工艺完成后剩余的有机溶剂发生反应。

可选地，所述发射端口为扇形喷嘴。

进一步地，所述扇形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为扇形，其半径大于或等于待处理晶圆的半径，采用直下式喷射，喷出的液面形状与喷头自身的形状相同，扇形喷嘴的圆心对准待处理晶圆的圆心，随着晶圆载台的旋转，喷出的溶剂均匀完整地涂覆至整个晶圆表面。

进一步地，所述扇形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为扇形，其喷出的液体的横截面为扇形，且横截面所呈扇形的半径与待处理晶圆的半径相当，所述扇形喷嘴安装在直杆上，直杆正对待处理晶圆的中心，通过晶圆载台的旋转，喷出的溶剂均匀完整地涂覆至整个晶圆表面。

可选地，所述发射端口为半圆形喷头，以超声振动的形式激发喷出的溶剂以均匀的、半圆形截面形态逐渐地覆盖至晶圆表面。

可选地，所述发射端口为圆形喷嘴或线形喷嘴。

可选地，所述圆形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为圆形，所述喷头喷出液体的横截面呈圆形。

可选地，所述线形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为长条形，所述喷头喷出液体的横截面呈一条线段，所述线形喷嘴的长度略长于待处理晶圆的半径，且所述线形喷嘴的一端正好位于晶圆圆心的正上方，随着晶圆载台的旋转，所述线形喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。

可选地，所述线形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为长条形，所述喷头喷出液体的横截面呈圆形或半圆形。

可选地，所述发射端口为安装有多个集束型喷嘴的喷射板，所述喷射板覆盖了位于其下方的半个晶圆，随着晶圆载台的旋转，所述喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。

可选地，所述发射端口为多个集束型喷嘴离散排布在沿着喷射杆的直线上，所述发射端口发射的液面范围为长条形，整个喷射杆的长度略长于晶圆的直径，喷射杆的中心对准晶圆的中心，随着晶圆载台的旋转，所述喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。

优选地，所述处理装置具有抽气泵，所述抽气泵在处理工艺开始之前将所述工作室抽至真空。

可选地，所述强氧化剂为等离子态的O2。

可选地，所述处理装置包括安装在所述清洗管路和所述工作室之间的等离子发生器。

可选地，所述清洗药剂中掺杂有空气、氩气或氦气三者中的一种或几种。

可选地，所述等离子发生器为射频等离子发生器、变压器耦合等离子发生器、感应耦合等离子发生器或远程等离子发生器。

可选地，所述强氧化剂为O3。

可选地，所述清洗药剂中掺杂有SF6。

优选地，所述半导体处理装置具有排放系统，将反应生成物排除出工作室。

本发明提出的半导体处理装置，通过多样的喷嘴设计，能够使喷嘴和晶圆载台在不发生相对平移的情况下即可将反应药液均匀、全面的发射至晶圆表面，从而改善了加工效果，同时节省下来运动空间能够缩小整个半导体处理装置的体积；该半导体处理装置自带的清洗功能为装置的维护提供了极大的方便。

附图说明

图1是本发明所述处理装置第一实施例的结构示意图；

图2是本发明所述处理装置第一实施例所使用的喷嘴的示意图；

图3是本发明所述处理装置第二实施例的结构示意图；

图4是本发明所述处理装置第二实施例所使用的喷嘴及其喷出液体横截面的示意图；

图5是本发明所述处理装置其他实施例中所使用的一种集束线形喷嘴及其喷出液体横截面的示意图；

图6是本发明所述处理装置其他实施例中所使用的一种扇形喷嘴及其喷出液体横截面的示意图；

图7是本发明所述处理装置其他实施例中所使用的一种半圆形喷嘴及其喷出液体横截面的示意图；

图8是本发明所述处理装置其他实施例中所使用的一种圆形喷嘴及其喷出液体横截面的示意图；

图9是本发明所述处理装置其他实施例中所使用的一种圆板形喷嘴及其喷出液体横截面的示意图；

图10是本发明所述处理装置其他实施例中所使用的一种线形喷嘴及其喷出液体横截面的示意图；

图11是本发明所述处理装置其他实施例中所使用的由一种线形喷嘴及其喷出液体横截面的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的上述目的、特征及效果能够更为清晰、明确地为本领域技术人员及公众所知悉，下面将结合附图和具体实施例对本发明进行进一步地阐释：

请参考图1、图2理解本发明的第一实施例。图1、图2分别对本发明第一实施例的整体结构和喷嘴特征进行了展示。图1中所展示的半导体处理装置，提供了一个密闭的工作室101，将处理晶圆的加工环境与外界相互隔离。处理晶圆所使用的化学药液根据工艺的不同有所区别，比如如果是显影工艺需要的药液可能是显影液；而如果是光刻工艺需要的药液可能是光刻胶。但不管是什么工艺，通常这些药液都是有机溶剂。以光刻工艺为例，光刻胶通过输运管路109输送至发射端口，更具体地说，是一块安装有多个集束喷嘴201的喷射板102，如图2中的图(a)、(b)所示，喷射板102将光刻胶喷涂至工作室101内的基板表面。喷射板102设置在工作室101顶部的一侧，在整个工艺过程中并不发生移动。喷射板102所使用的集束喷嘴201为压缩式喷嘴，喷出的液体为一条细长的小圆柱状，圆柱的直径约2mm左右。

工作室101内设置有用于承载和固定晶圆的晶圆载台104，该晶圆载台104能够带动基板一起旋转，但不能也无需在水平方向移动。多个集束喷嘴201规则地以n*n的形式阵列排布于喷射板102的板面上，直下式地将光刻胶涂覆至晶圆表面。喷射板102覆盖了位于其下方的半个晶圆，通过晶圆载台104的旋转，即可源源不断地将光刻胶涂布至整个晶圆表面。

该实施例中的半导体处理装置，其作为发射端口的喷射板102固定在工作室101内的顶部，而夹持晶圆的晶圆载台104仅能够带动晶圆旋转，而不能水平移动。虽然喷射板102和晶圆载台104均没有发生相对的水平运动，但仍然能够完成将光刻胶均匀地涂满晶圆整个表面的任务，很好的解决了晶圆的处理过程中的均匀性问题和全局性问题。采用这种喷射板102和晶圆载台104不发生相对水平位移的设计，不仅能够简化控制程序，无需操控喷射板102和晶圆载台104的运动模式，而且大幅度减省该处理装置的体积和占地面积，因为如果喷射板102和晶圆载台104需要运动的话，必然需要拓宽该处理装置内部的空间，留出供喷射板102或晶圆载台104运动的区域。额外地，从节能减排的角度讲，该装置通过合理的设计，无需使喷射板102和晶圆载台104发生相对水平位移，即可实现对晶圆均匀、全局地处理，使处理装置消耗的能量有所下降，达到了一劳永逸的效果。

由于半导体工艺中，工艺处理所使用的药液，通常来讲是有机溶剂，而这些有机溶剂在反应过程中并不会被全部消耗掉，所以该实施例中的半导体处理装置在工艺完成后，必然会在工作室101内残留许多剩余的光刻胶。这些光刻胶本身通常会具有一定的粘滞性，加之晶圆载台104的旋转，容易使残留的光刻胶甩至工作室101的内壁并紧紧的贴附，难以除去。还有一部分光刻胶，会由于有机溶剂的挥发性缘故，以气相的形态充斥在工作室101内，对未来涂胶工艺的顺利进行造成影响。因此，在对晶圆加工处理完成后，有必要想办法将残留的有机溶剂处理干净，排出工作室101，而这对于一般的处理装置来说，通常是非常困难的。

而面对这一问题，该实施例给出的解决方案是为涂胶设备增加了一条清洗管路103，在涂敷工艺完成后由清洗管路103向涂胶设备的工作室101内通入清洗药剂，清洗药剂中的氧化剂成分与残留的有机溶剂发生反应，最终转化为二氧化碳和水，由处理装置的排放系统一并排放至外界。整个排放系统主要由排放口110、APC装置107以及气泵108组成。

具体到上述的第一实施例，清洗管路103中所通的清洗药剂为氧气和氩气的混合气体。为了达到强氧化剂的目的，有必要在该清洗药剂进入工作室101之前，首先对清洗药剂进行等离子处理，使作为氧化剂成分的氧气分子转化为氧化性更强的氧气的等离子态。所以，在图1中可以看到，清洗管路103和工作室101之间加装了一台离子发生器，这个离子发生器是通过射频的方式激发离子态的，所以是一台射频离子发生器105，射频离子发生器105的功率可以人为调节，从而有助于工作人员控制反应的进程和速率。清洗过程中光刻胶与强氧化剂的反应机理可以用如下的方程式进行表示：

氧气分子在激活能量的作用下产生含有活性氧原子的等离子：

O₂＝2O+e^-

之后是这些活性氧原子与光刻胶发生反应生成二氧化碳和水

O+Organic(PR)＝CO₂+H₂O，PR是光刻胶(PhotoResist)的缩写。

由于等离子状态下的粒子通常需要真空环境才能更好的保持，也为了使涂胶过程更加顺畅，该涂胶设备在工艺开始之前最好首先将工作室101内抽至真空，此处所指真空指在给定空间内低于一个大气压力且满足涂胶工艺顺利进行的状态。涂胶和清洗过程中，温度和压强对反应的速率会有所影响，所以在工作室101的各个侧壁都安装有加热器106对室内进行加热。同时，工作室101内还安装了作为压力控制系统的APC装置107，APC装置107检测工作室101内的压强，并连接位于APC装置末端的气泵108，通过控制气泵108来调节工作室101内的压强，或将工作室101抽至真空。

在清洗过程中，将工作室101内的温度和压强控制在下述条件之下，有利于氧化剂与残留的光刻胶反应地更为充分，室内环境条件例如可以是：工作室101内的压力值控制在500mtorr到100torr之间；工作室101和晶圆载台104的温度在25度到150度之间；清洗管路103内氧气的流量在5sccm到1000sccm之间。

图3-4展示的是本发明第二实施例中的处理装置以及该实施例所使用的喷嘴的示意图。该半导体处理装置相比于第一实施例省去了离子发生器。第二实施例中的处理装置同样包括工作室301、发射端口以及晶圆载台304等装置。其所使用的发射端口，更具体地说是一种线形喷嘴302，该线形喷嘴302采用超声波方式激发，能够在一定范围内聚拢。该线形喷嘴302的喷射孔401紧密地、间隔地沿着线形喷嘴302的径向排布，如图4中(a)图所示的，即为该线形喷嘴302的仰视图。由于线形喷嘴302本身呈一细长的条形，加上其自身的聚拢效应，所以其喷出的液体的横截面也呈一体均匀性良好的线段，如图4中(b)图所示。为了能够全局性的处理晶圆，该线形喷嘴302的长度需要略长于待处理晶圆的半径，并且该线形喷嘴302的一端应该正好位于晶圆圆心的正上方。这样，通过晶圆载台304的旋转作用，即可将有机溶剂均匀涂布与晶圆表面。当然地，如果将两个这样的线形喷嘴302拼接在一起，或者使该线形喷嘴302的长度略长于晶圆的直径，也能实现晶圆的全局涂敷，但这样设计不是很经济。

该实施例中的晶圆载台304仅带动基板一起旋转，而不会在水平方向发生平移；与此相同地，线形喷嘴302也不需要运动。

而第二实施例中之所以能够省去离子发生器，是因为清洗管路303内通入的清洗药剂有所不同。该实施例中所使用的清洗药剂为O₃和SF₆。其中O₃是清洗药剂的强氧化剂成分，能够与残留的有机溶剂反应；而SF₆则是清洗药剂中的惰性成分，相当于第一实施例所用清洗药剂中氩气。而O₂和SF₆在某些情况下能够发生反应，生成有毒气体，所以通常不会相互混合一起构成涂胶设备中的清洗药剂。O₃自身的氧化性非常强，且具有很高的活性，所以已经足以直接与光刻胶发生反应，所以无需再进行等离子处理，从而省去了离子发生器。其与光刻胶反应后的产物同样为二氧化碳和水，通过排放系统排放至外界。整个排放系统主要由排放口309、APC装置306以及气泵307组成。

第二实施例中半导体处理装置同样具有加热器305、APC装置306和气泵307，光刻胶通过输运308输送至线形喷嘴302。在工艺开始之前，同样地，最好是将工作室301内抽至真空状态。

图5-图11是本发明为了实现对晶圆处理的均匀性以及全局性在不同实施例中所使用到的喷嘴的示意图，以及相应喷嘴喷出液体的横截面的示意图。

图5中(a)图展示了一种长条形的喷射杆501，在喷射杆501的下侧安装了若干个集束型喷嘴502，(b)图为(a)中的喷射杆501及集束型喷嘴502的仰视图。多个集束型喷嘴502离散的排布在沿着喷射杆501的直线上，每个集束型喷嘴502向下喷出一定的液柱，最终构成如图5中(c)图所示的长条形的液面范围。整个喷射杆501的长度略长于晶圆的直径，喷射杆501的中心对准晶圆的中心，固定于工作室的顶部，晶圆载台带动晶圆旋转，喷射杆501即可将相应的药液均匀地布满整个晶圆。

图6中展示的是两种扇形喷嘴。其中图6中的(a)-(c)展示的是第一种扇形喷嘴601a。扇形喷嘴601a具有一个扇形喷头602a，扇形喷嘴601a具有扩散效应，能够将液体以扇形喷头602a的形状扩散式的、且均匀地喷洒出去，其喷出液体的横截面也呈扇形，横截面所呈扇形的半径与待处理晶圆的半径相当，且横截面所成扇形相似于扇形喷头602a的扇形形状。本领域技术人员应知地，半圆形是一种特殊的扇形，但也属于扇形的一种。将上述扇形喷嘴601a按图6中(b)图的形式安装在一个直杆603a上，再将该直杆603a正对待处理晶圆的中心安装固定在半导体处理装置的工作室内，通过晶圆载台的旋转运动，即能保证晶圆处理过程中的全局性和均匀性。使用该直杆603a与扇形喷嘴601a形成的液面形状如图6中的(c)图所示。当然，同样可以达到均匀和全局处理晶圆的目的地，扇形喷嘴601a的数目以及安装在直杆603a上的形式是可以变化的，例如扇形喷嘴601a的个数可以是一个或四个，扇形喷嘴601a关于直杆603a对称排布。

图6中的(d)展示的是另外一种扇形喷嘴604d。这种扇形喷嘴604d本身就可看作一个扇形喷头，其半径大于或等于待处理晶圆的半径。这种扇形喷嘴604d采用直下式喷射，各点的流量一致。其喷出的液面形状与扇形喷头自身的形状相同。将该扇形喷嘴604d的圆心对准待处理晶圆的圆心，固定安装在工作室内的顶部，随着晶圆载台的旋转，即能均匀地、完整地将反应需要的有机溶剂涂敷至整个晶圆表面。实现上述过程所使用的扇形喷嘴604d的数目可以为一个或多个。

图7是一种半圆形喷嘴701，如图7中的(a)图。该半圆形喷嘴701具有一个半圆形喷头702，能够以超声振动的形式激发喷出的液体以一种均匀的、半圆形截面形态逐渐地覆盖至晶圆表面，液体横截面如图7中(b)图所示。这种半圆形喷头702在行业内通常被称作Megpie，其工作的模式以及喷出的液体扩散的形式与市场上贩售的加湿器的原理有点相似。使用这种半圆形喷头702的好处在于该喷头能够很好的控制液面横截面的形状并保证其喷出的液体在横截面各点均匀分布。另外，需要说明的是，这种Megpie喷头之所以能够控制液面形状，主要取决于其是由超声激发的，而并不是因为喷头是半圆形的缘故。所以，即使半圆形喷头702被替换为其他形状，例如可以是方形或三角形，只要是使用这种Megpie喷头，同样可以保证液面为半圆形，当然也可以将液面改变为其他相应的形状。

图8和图9是实施例中可选用的另外两种圆形喷嘴。图8中(a)图所示的是一种圆形喷嘴801，该圆形喷嘴801具有一个圆形喷头802，能够扩散式的将液面喷射至晶圆表面，形成如图8中(b)图所示的圆形液面。图9中(a)图展示的也是一种圆形喷嘴901，该圆形喷嘴901相对于圆形喷嘴801更加扁平化，具有一个大小与晶圆相当的圆形喷头902，采用直下式的方式直接对准晶圆喷射液体，形成均匀的圆形液面，如图9中(b)图所示。

图10和图11介绍的是用于其他实施例的另外两种线形喷嘴。图10中(a)图所示的线形喷嘴1001仅在该线形喷嘴1001的一个侧边开有喷射孔1002，能够形成如图10中(b)图所示的半圆形液面，并保证喷洒的均匀度。通过晶圆载台的旋转，可以将液体喷洒至晶圆的整个表面。而图11中(a)图同样展示了一种线形喷嘴1101，其不同之处在于该线形喷嘴1101的两个侧边对称的分别开有一排喷射口1102，相应的，其形成的液面为如图11中(b)图所展示的圆形液面。

本发明的保护范围并不仅限于上述说明书中描述的技术方案，还应包含有在此基础上不偏离本发明所述技术方案设计思路作出的相应变式。

Claims (20)

1.一种半导体处理装置，具有密闭的工作室，其特征在于，所述处理装置还包括：

发射端口，所述发射端口向所述工作室内发射工艺用有机溶剂；

晶圆载台,所述晶圆载台与所述发射端口的位置相对，所述晶圆载台用于承载和固定晶圆；以及

清洗管路；

其中，所述发射端口在平行于所述晶圆载台的平面内不发生相对于晶圆载台的平移运动。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述清洗管路内通入至少含有一种强氧化剂的清洗药剂，所述强氧化剂与工艺完成后剩余的有机溶剂发生反应。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为扇形喷嘴。

4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述扇形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为扇形，其半径大于或等于待处理晶圆的半径，采用直下式喷射，喷出的液面形状与喷头自身的形状相同，扇形喷嘴的圆心对准待处理晶圆的圆心，随着晶圆载台的旋转，喷出的溶剂均匀完整地涂覆至整个晶圆表面。

5.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述扇形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为扇形，其喷出的液体的横截面为扇形，且横截面所呈扇形的半径与待处理晶圆的半径相当，所述扇形喷嘴安装在直杆上，直杆正对待处理晶圆的中心，通过晶圆载台的旋转，喷出的溶剂均匀完整地涂覆至整个晶圆表面。

6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为半圆形喷头，以超声振动的形式激发喷出的溶剂以均匀的、半圆形截面形态逐渐地覆盖至晶圆表面。

7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为圆形喷嘴或线形喷嘴。

8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述圆形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为圆形，所述喷头喷出液体的横截面呈圆形。

9.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述线形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为长条形，所述喷头喷出液体的横截面呈一条线段，所述线形喷嘴的长度略长于待处理晶圆的半径，且所述线形喷嘴的一端正好位于晶圆圆心的正上方，随着晶圆载台的旋转，所述线形喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。

10.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述线形喷嘴具有一个喷头，所述喷头的形状为长条形，所述喷头喷出液体的横截面呈圆形或半圆形。

11.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为安装有多个集束型喷嘴的喷射板，所述喷射板覆盖了位于其下方的半个晶圆，随着晶圆载台的旋转，所述喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。

12.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射端口为多个集束型喷嘴离散排布在沿着喷射杆的直线上，所述发射端口发射的液面范围为长条形，整个喷射杆的长度略长于晶圆的直径，喷射杆的中心对准晶圆的中心，随着晶圆载台的旋转，所述喷嘴喷出的溶剂均匀完整地覆盖晶圆的整个区域。

13.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理装置具有抽气泵，所述抽气泵在处理工艺开始之前将所述工作室抽至真空。

14.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述强氧化剂为等离子态的O₂。

15.根据权利要求14所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理装置包括安装在所述清洗管路和所述工作室之间的等离子发生器。

16.根据权利要求14所述的半导体处理装置，其特征在于，所述清洗药剂中掺杂有空气、氩气或氦气三者中的一种或几种。

17.根据权利要求15所述的半导体处理装置，其特征在于，所述等离子发生器为射频等离子发生器、变压器耦合等离子发生器、感应耦合等离子发生器或远程等离子发生器。

18.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述强氧化剂为O₃。

19.根据权利要求18所述的半导体处理装置，其特征在于，所述清洗药剂中掺杂有SF₆。

20.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置具有排放系统，将反应生成物排除出工作室。