CN105514252A - 发光二极管、封装件与制造方法 - Google Patents

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Abstract

发光二极管元件包括发光二极管芯片及萤光层。发光二极管芯片具有出光面且至少一接垫。萤光层形成于出光面上并露出至少一接垫，萤光层包括数个萤光粒子及基体，其中此些萤光粒子的至少一些具有第一部分及第二部分，第一部分埋设于基体内，而第二部分突出于基体的外表面。

Description

发光二极管、封装件与制造方法
本申请是申请人于2012年7月24日提交的、申请号为“201210258932.7”的、发明名称为“发光二极管、封装件与制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管、包含发光二极管的封装件及形成发光二极管封装件的方法。
背景技术
发光二极管或激光二极管广泛地使用在很多应用。一半导体发光装置包括具有一个或多个半导体层的一发光二极管。当此些层结构件接受能量时，可发射一致或非一致的光线。在制造过程中，多数的发光二极管半导体芯片形成于半导体晶圆中。晶圆被针探及测试，以精确地鉴定各芯片的颜色特性，如色温。然后，晶圆被切割，以切割晶圆成多个芯片。发光二极管芯片一般被封装以提供外部电性连接部、散热鳍片、透镜或导波器(waveguide)、环境保护及/或其它特征。传统形成发光二极管封装件的方法包括例如是芯片黏结、打线、包覆、测试等工艺。
结合一萤光剂到发光二极管封装件是有需求的，以提升在一特定频带的发射辐射(emittedradiation)及/或以转换至少一些辐射至另外频带。传统地，萤光剂被包含于发光二极管芯片的封装过程。在一技术中，萤光剂可悬浮于发光二极管封装件的封装胶体中。在另一技术中，于黏晶与打线接合的步骤后，萤光剂可经由点胶或喷射涂布直接地包覆于发光二极管芯片上。
然而，在点胶方法中，去控制萤光剂的厚度是困难的。萤光剂厚度的差异造成自发光二极管封装件输出的光线的非一致性。喷射涂布方法提供较佳的厚度控制，但因为萤光剂有时覆盖部分的工件而非需求部位，使得由于萤光剂的浪费而变得昂贵。
在萤光剂添加后，另一测试可以被执行以决定具有萤光剂的发光二极管芯片的发光是否符合所要的色彩特性，如色温。任何未获满意的封装件可被丢弃或重工。重工一般涉及到手动移除昂贵的萤光剂或手动增加额外的萤光剂以弥补一萤光剂的不足。手动过程明显地增加手工成本。
已有人提出通过一可图案化膜或网板印刷将一萤光涂层涂布于一半导体发光二极管晶圆上(同时露出各芯片的接合垫)。然而，可图案化膜需要一昂贵光罩。网板印刷无法选择性地提供涂布一非常薄的萤光层，一般在100微米以下，此萤光层包括具有直径5至15微米的萤光粒子。
发明内容
发光二极管、封装件及制造方法的多个实施例具有数个特征，各实施例并不受到本身揭露所限定。实施例的范围不受权利要求书所限，其突出的特征将简要地描述。在参照以下描述，特别是阅读”实施方式”后，应可了解本实施例的特征如何提供本文的效果。
本发明一实施例具有一简单且有效的方法，选择性地涂布一萤光涂层在一半导体晶圆，可在切割及芯片封装前提供进行晶圆级色彩测试。
根据本发明的一实施例，提出一种发光二极管元件。发光二极管元件包括发光二极管芯片，发光二极管芯片具有一出光面及至少一接垫。发光二极管元件更包括形成于出光面上并露出至少一接垫的一萤光层，萤光层包括数个萤光粒子及基体，其中此些萤光粒子的至少一些具有第一部分及第二部分，第一部分埋设于基体内，而第二部分突出于基体的外表面。
根据本发明的另一实施例，提出一种发光二极管封装件。发光二极管封装件包括一基板及置于基板上的一发光二极管元件。发光二极管元件包括一具有一出光面的发光二极管芯片及至少一接垫。发光二极管元件更包括一形成于出光面上并露出至少一接垫的萤光层。萤光层包括数个萤光粒子及一基体，其中此些萤光粒子的至少一些具有一第一部分及一第二部分，第一部分埋设于基体内，第二部分突出于基体的一外表面。发光二极管封装件更包括至少一电性元件电性连接发光二极管芯片的至少一接垫至基板。发光二极管封装件更包括一封装胶体包覆发光二极管芯片及至少一电性元件。
根据本发明的另一实施例，提出一种芯片的制造方法。芯片具有一第一面及数个接垫，此些接垫设于第一面上。制造方法包括以下步骤。提供一暂时基板，暂时基板包括一结合面及数个突出部，此些突出部设于结合面上，暂时基板上的此些突出部的位置对应于芯片的第一面上的此些接垫的位置；形成一黏贴层于各突出部；结合暂时基板至芯片，使此些突出部经由黏贴层连接于各别对应的接垫，其中暂时基板的结合面面向芯片的第一面，且一点胶空间形成于结合面与第一面之间；填入一胶体于点胶空间内，以形成一胶层包覆此些接垫、此些突出部及黏贴层；以及，移除暂时基板而将此些接垫与此些突出部及黏贴层分离，并于胶层内形成数个开孔，此些开孔露出各别对应的此些接垫。
附图说明
图1绘示依照本发明一实施例的发光二极管封装件的剖视图。
图2A至2I绘示图4的发光二极管封装件的制造步骤的剖视图。
图3A及3B绘示依照一实施例的形成萤光层的制造步骤的剖视图。
图4绘示依照另一实施例的发光二极管封装件的剖面侧视图。
图5A至5I绘示一实施例的点胶方法的步骤的剖视图。
图6A至6F绘示一实施例的点胶方法的步骤的剖视图。
相同标号用于所有图式中，且详细描述同相同元件。参酌附加图式及如上详细描述将使本发明更清楚。
主要元件符号说明：
10：点胶器
100：发光二极管封装件
102：封装件
110：基板
110u、1211u：上表面
111：电性接点
112、112a：结合面
113、113a：暂时基板
114：突出部
114a：结合区
131：黏贴层
120：发光二极管元件
121’：发光二极管晶圆
121：发光二极管芯片
121u：出光面
121s：第二边缘侧面
1211：接垫
122：萤光层
122’：萤光材料
122a：凹部
164：开孔
122s：外表面
122s1：上表面
122s2：侧面
122s3：第一边缘侧面
122p：边缘部
1221、162：萤光粒子
1221’、141：第一部分
1222：基体
1222’、142：第二部分
124：释放层
130、170：电性元件
140、180：封装胶体
144：接合垫
150：压印模具
150l：下表面
151：突块
152、204：接垫
160：胶层
160a：胶体
200：晶圆
202：顶面
210：芯片
250：载板
A：箭头
A’：局部
D：距离
D1：厚度
H：热量
S1、S2：切割狭缝
S、S’：点胶空间
α：脱模角
β：斜角
L：线
具体实施方式
请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的发光二极管封装件的剖视图。发光二极管封装件100包括一基板110、一发光二极管元件120、数个电性元件130及一封装胶体140。发光二极管元件120包括发光二极管芯片121及萤光层122。
发光二极管芯片121可包括一发光二极管、一激光二极管或另一包含一层或多层半导体层的装置。半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓或任何其它半导体材料。发光二极管芯片121更可包括一基板(未绘示)，其可以是蓝宝石(sapphire)、硅、碳化硅、氮化镓或其它材料。发光二极管芯片121更可包括一或更多接触层(未绘示)，其可包括金属或任何其它导电材料。
基板110包括一上表面110u，其具有至少一电性接点111。基板可以是硅中介层(siliconinterposer)、一陶瓷基板、一印刷电路板或其它种类基板。电性接点111可以是接垫或任何其它种类接点。
发光二极管芯片121设于基板110的上表面110u上。本实施例中，发光二极管芯片121以朝上(face-up)方位设于基板110上，且通过电性元件130，例如是导线，电性连接基板110。发光二极管芯片121具有出光面121u且包括数个接垫1211，各接垫1211具有上表面1211u(如图1的放大图A’)。
萤光层122形成于出光面121u上。萤光层122具有数个凹部122a，其分别露出数个接垫1211。本实施例中，萤光层122突出于接垫1211的上表面1211u(如图1的局部A’的放大图所示)。萤光层122包括数个萤光粒子(phosphorparticle)1221及基体1222，萤光粒子1221悬浮于一基体1222中。基体1222的材料可以是透明树脂，例如透明硅胶。较佳地，萤光粒子1221实质上均匀地分布于基体1222，使发光二极管封装件100具有优良的色彩一致性。
许多萤光粒子1221完全地埋设于基体1222内。然而，如图1的局部A’的放大示意图所示，一些位于基体1222的一外边缘的萤光粒子1221仅部分地埋设。此些部分埋设的萤光粒子1221的一部分埋设于基体1222内，而另一部分突出于基体1222的外表面122s，藉以使外表面122s形成一粗糙结构，在特定封装种类(例如气腔封装(aircavitypackage))只具有空气或气体填充于萤光层与出光面(例如是一透明盖的表面)之间，此粗糙结构可增加整体出光效率，以降低在萤光层与空气或气体间的介面的内部的反射。
萤光粒子1221可提升发光二极管芯片121在一特定频带的发射辐射及/或转换至少一些发射辐射(emittedradiation)至另外频带。在一实施例中，发光二极管芯片121可发射蓝光，且萤光粒子1221可包含铈掺杂钇铝石榴石(YAG：Ce)(例如是(YGdTb)3(AlGa)5O12：Ce)，其可转换部分蓝光为黄光，而产生白光。
或者，萤光粒子1221可包括(SrBaCaMg)2SiO4:Eu、(Sr,Ba,CaMg)3SiO5:Eu、CaAlSiN3:Eu、CaScO4:Ce、Ca10(PO4)FCl:SbMn、M5(PO4)3Cl:Eu、BaBg2Al16O27:Eu、Ba、MgAl16O27:Eu、Mn、3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn、Y2O2S:Eu、Mg6As2O11:Mn、Sr4Al14O25:Eu、(Zn,Cd)S:Cu、SrAl2O4:Eu、Ca10(PO4)6ClBr:Mn、Eu、Zn2GeO4:Mn、Gd2O2S:Eu或La2O2S:Eu，其中，M碱土金属(AlkalineEarthMetals)，例如是锶(Sr)、钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)及其组合构成的群组。在一实施例中，萤光粒子1221的尺寸可介于约5微米(μm)至20微米(μm)之间。
如图1的放大图A’所示，萤光层122的外表面包括一上表面122s1及一侧面122s2。侧面122s2延伸于上表面122s1与接垫1211之间。本实施例中，侧面122s2斜面，使各凹部122a于上表面122s1具有一顶开口，且顶开口大于对应的接垫的表面。在其它实施例中，侧面122s2可以是垂直的，使各凹部122a的宽度沿其高度的变化常数。
如图1所示，萤光层122的一边缘部122p具有一第一边缘侧面122s3，且发光二极管芯片121具有一第二边缘侧面121s。第一边缘侧面122s3及第二边缘侧面121s共同定义发光二极管芯片121的边缘表面。本实施例中，第一边缘侧面122s3及第二边缘侧面121s共平面，然其它实施例不受此限。
如图1所示，封装胶体140包覆发光二极管芯片121及电性元件130。封装胶体140包括第一部分141及第二部分142。第一部分141覆盖基板110的上表面110u，且其外形如环形。第二部分142从第一部分141往内且往上延伸，其外形为圆盖形。其它实施例中，第一部分141及第二部分142可具有其它外形。特别地，第二部分142可具有角度。
基体1222及封装胶体140可以是相同材料或不同材料，例如，其一或二者可以是透明聚合物或半透明聚合物，如环氧基树脂、其混合物或任何其它合适包覆剂。在一实施例，基体1222或封装胶体140可包括一有机填料或一非有机填料，如二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、三氧化二钇、碳黑(CarbonBlack)、烧结钻石粉末、石棉、玻璃或其组合。
根据本发明一实施例的萤光层形成方法描述于后，如图2A至2E所示。图2A绘示发光二极管晶圆121’其包括数个未切割的发光二极管芯片121。各发光二极管芯片121包括上出光面121u及至少一接垫1211。如图2B所示，一萤光材料122’形成于各发光二极管芯片121的出光面121u及接垫1211上。萤光材料122’可采用例如是点胶(dispensing)、印刷(printing)或任何其它技术形成。
然后，如图2C所示，以一压印模具(micro-imprintmold)150压印萤光材料122’，以形成一压印图案。特别地，压印模具150包括数个突块151，突块151突出于压印模具150下表面150l。该些突块151的位置对应于该些接垫1211。在压印后，萤光材料122’的第一部分1221’于突块151与接垫1211之间的厚度D1小于第二部分1222’位于接垫1211侧向的厚度。因此，于后续蚀刻工艺中，于无光罩的需求下，萤光材料122’的第一部分1221’可以完全地移除，而保留第二部分1222’。此蚀刻工艺于后图2D中描述。
一实施例中，于压印过程中，可固化萤光材料122’，以避免因为萤光材料122’内的该些萤光粒子1221沉降而导致萤光材料122’内的萤光粒子1221的分布比例不均。如上所述，萤光材料122’内的该些萤光粒子1221的一均匀分布促使发光二极管封装件100的出光光色落于CIE座标中预期的区域内。
固化萤光材料122’的方式例如是加热压印模具150，以产生热量H通过压印模具150传导至萤光材料122’，藉以固化萤光材料122’。或者，压印模具150可包括一加热元件(未绘示)，加热元件可提供热量H给萤光材料122’。
如图2D所示，一蚀刻工艺去除萤光材料122’的第一部分1221’(图2C)。蚀刻工艺可在无光罩覆盖第二部分1222’下进行。即使无光罩，第一部分1221’完全地被移除，以形成凹部122a，其露出接垫1211，且第二部分1222’被保留在发光二极管晶圆121’上。如图2C所示，此结果是由于第二部分1222’的厚度D1大于第一部分1221’的厚度所导致。由于不需准备光罩，因此不需要光罩的蚀刻降低了工艺成本。
一实施例中，移除第一部分1221’的步骤可包括一蚀刻工艺及一残留粒子清洗工艺。蚀刻工艺可以是一反应离子蚀刻(reactiveionetching,RIE)。一些实施例中，萤光材料122’可通过一湿蚀刻或其它合适的蚀刻工艺而被蚀刻。此外，一实施例中，适用于蚀刻工艺的一等离子气氛下可以是氧气混合三氟甲烷(O2+CHF3)或氧气混合四氟化碳(O2+CF4)。一残留粒子清洗工艺可包括以例如是去离子水洗涤萤光层122，以移除任何脱落萤光粒子1221及任何残留蚀刻剂。
如图1A’所示，在蚀刻工艺中，在萤光层122’的最外面的范围的基体材料1222’被移除，使一些萤光粒子1221部分曝露出来。部分曝露的萤光粒子1221形成上述粗糙外表面122s。经由例如是蚀刻工艺中等离子气体的比例，外表面122s可达到不同程度的粗糙度。
如上所述，蚀刻后，萤光材料122’的侧面122s2倾斜，然亦可实质上垂直于接垫1211的上表面1211u。经由适当地控制工艺，或采用其它蚀刻工艺，萤光材料122’的侧面122s2可形成所需求的方位。
如图2E所示，切割发光二极管晶圆121’以及萤光层122，以形成数个形成有萤光层122及发光二极管芯片121的发光二极管元件120。切割产生的狭缝S1形成基体1222的第一边缘侧面122s3及发光二极管芯片121第二边缘侧面121s，此外，第一边缘侧面122s3与第二边缘侧面121s实质上共平面。一实施例中，切割狭缝S1例如是以激光或切割刀具形成。
值得注意的是，切割前，图2D所示的晶圆121’被针探及测试，以精确地鉴定各芯片的色彩特性。一般来说，色图(colorchart)用来关联二参数(X及Y)与色彩特性(例如，色温)，且一些包含X及Y数值范围的区域(bin)被定义于色图中。色图提供了一可经由使用X及Y值以精确地鉴定特定的色彩的机制，该精确鉴定特定色彩的目的为对具有上述萤光涂层的芯片分组(binning)及分类的机制。在针探过程中，探针装置包括的接触点被定位以接触各芯片的接垫1211。接垫1211通过凹部122a而露出且可被接触到。一旦芯片收到能量，探针装置量测色温、流明输出、电压、电流及任何其它关于各芯片的合适参数。一实施例中，各芯片被量测的参数基于色图而对映至X及Y值。因此，在切割前，各芯片与自身的X及Y值是具有关联性。因此，当各芯片在切割工艺中与晶圆分离时，各芯片关联的X及Y值可用来将其分类至一适当的区域(bin)。具有萤光涂层的芯片可采用任何封装方法受到封装，以形成具有优良色彩一致性的发光二极管封装件。
根据多个实施例的其一的具有萤光层122的发光二极管芯片121的一种封装方法如图2F至2I所示。如图2F所示，具有萤光层122的发光二极管芯片121设于一基板110上。基板110包括数个电性接点111，例如是接垫。如图2G所示，发光二极管芯片121的接垫1211及基板110的电性接点111通过数个电性元件130电性连接。此实施例中，发光二极管芯片121以朝上方位设于基板110上，且电性元件130，例如是焊线，连接于发光二极管芯片121与基板110。
如图2H所示，发光二极管芯片121及电性元件130被一封装胶体140包覆，其也覆盖基板110的上表面110u。如图2I所示，形成切割狭缝S2并穿过封装胶体140及基板110，以形成数个如图1所示的发光二极管封装件100。一实施例中，切割狭缝S1例如是以激光或切割刀具形成。
上述实施例中，萤光材料122’(图2B)于压印(图2C)前形成于发光二极管晶圆121’上。然而，萤光材料122’可于压印前形成于压印模具150上，如下所述
根据多个实施例的另一形成一萤光层的方法如图3A至3B所示。如图3A所示，萤光材料122’可直接形成于压印模具150上，使萤光材料122’覆盖突块151。如图3B所示，以压印模具150将萤光材料122’压印于发光二极管芯片121的出光面121u上。本实施例中，形成萤光层的方式如同转印(transferprinting)方式。
如图4所示，其绘示依据另一实施例的一发光二极管封装件102的剖视图。封装件102包括发光二极管芯片121及一胶层160，其中发光二极管芯片121设于一基板110，而胶层160设于发光二极管芯片121上。基板例如是一硅基板、一陶瓷基板或一印刷电路板。
发光二极管芯片121包括一第一出光面121u及数个接合垫144，接合垫144设于第一出光面121u上。发光二极管芯片121的接合垫144通过电性元件170连接于基板的接垫152，电性元件170例如是接合线。胶层160覆盖第一出光面121u，且包括数个开孔164，其露出对应的接合垫144。各开孔164包括一脱模角(draftangle)α，其于一形成封装件102的工艺中的脱模过程所导致，如下所述。脱模角α可介于约3度与约20度之间，以提升易脱模性，其可保持胶层160的实质上的均匀厚度。一实施例中，脱模角α可介于约5度与约10度之间。
形成胶层160的材料未限定地包括透明树脂，例如是透明硅化物。此外，胶层160可包括数个萤光粒子162。萤光粒子162的直径可介于约5微米至20微米之间。萤光粒子162可提升发光二极管芯片121在一特定频带的发射辐射及/或转换至少一些发射辐射(emittedradiation)至另外频带。形成萤光粒子162的材料可包括任何上述关于萤光粒子1221的材料或其它材料。
如图4所示，一封装胶体180包覆发光二极管芯片121及电性元件170。封装胶体180的绘示轮廓外形仅为举例，其可为任意外形。封装胶体180可包括透明聚合物或半透明聚合物，例如玻璃黏合剂(glasscement)、弹性体(elastomer)或树脂，其中树脂包括环氧基树脂、硅基树脂、环氧基树脂与硅基树脂的混合或其它材料。一实施例中，封装胶体180可与有机或无机填充剂混合，例如是与二氧化硅(silicondioxide)、钛、氧化铝、氧化铱、黑碳(blackcarbon)、烧结钻石粉末(sintereddiamondpowder)、石棉(asbestos)、玻璃及/或其组合。
根据多个实施例的其一的形成胶层160于发光二极管芯片121的一方法如图5F至5I所示。图5A绘示一暂时基板113。暂时基板包括一结合面112及数个突出部114(图5A仅绘示二个)，突出部114设于结合面上。此实施例中，各突出部114的侧壁具有一斜角β，其介于2度至19度之间。一实施例中，斜角β可介于4度至9度之间。突出部114的材料可以是金属。
如图5B所示，一释放层124提供于暂时基板113上。释放层覆盖结合面112及突出部114，且提升后续工艺中暂时基板113的易脱模性。释放层124可包含氟聚合物(fluoropolymer)，其例如以喷涂(spraying)或浸泡(dipping)形成。
如图5C所示，覆盖各突出部114的一结合区114a的部分释放层124被移除，以露出结合区114a。然后，如图5D所示，一黏贴层131形成于各突出部114的结合区114a。黏贴层131例如是一紫外光可固化黏贴层(ultraviolet-curableadhesive)或一双面胶。为了提升暂时基板113的脱模性，于移除暂时基板113前可通过一紫外光的固化，降低紫外光可固化黏贴层的结合强度。双面胶的第一面比第二面具有较佳的结合强度，其中第一面黏合暂时基板113，而第二面黏合突出部114。
接着，如图5E所示，暂时基板113位于发光二极管芯片121之上，发光二极管芯片121设于基板110上。此步骤可采用例如是取放机械(pickandplacemachine)执行。暂时基板113的突出部114的位置对应于发光二极管芯片121的接合垫144的位置。
接着，如图5F所示，暂时基板113结合于发光二极管芯片121上，使突出部114通过黏贴层131连接于发光二极管芯片121的对应的接合垫144。在此情况下，暂时基板113的结合面112面向发光二极管芯片121的第一面121u，且一点胶空间S形成于结合面112与第一面121u之间。若黏贴层131双面胶，双面胶与暂时基板113的突出部114间的结合强度较佳地大于双面胶与发光二极管芯片121的接合垫144间的结合强度。一实施例中，暂时基板113的结合面112与发光二极管芯片121的第一面121u间的距离例如是大于50微米或小于100微米。
接着，如图5G及5H所示，点胶空间S填满一胶体160a。暂时基板113与突出部114及黏贴层131共同作为一模件(mold)而塑形胶体，使没有胶体接触到接合垫144，藉以提升打线接合品质(描述于后)。胶体160a可经由一点胶器(dispenser)10或一喷嘴(未绘示)提供至点胶空间S的一边缘。由于暂时基板113的结合面112与发光二极管芯片121的第一面121u间的小间距，毛细现象吸引胶体160a沿箭头A进入点胶空间S。一胶体160a的黏性可介于3000厘泊(cP)与20000厘泊之间。
接着，如图5H及5I所示，暂时基板113与突出部114及黏贴层131一起从接合垫144分离，藉以形成数个开孔164于胶层160。释放层124存在于暂时基板113可提升突出部114与黏贴层131自接合垫144的易分离性。若黏贴层131为紫外光可固化黏贴层，于移除暂时基板110前，紫外光可作用于黏贴层131上，以降低黏贴层131与接合垫144之间的结合强度。
填满点胶空间S后，胶体160a被固化而形成胶层160。固化工艺可包括：当暂时基板113设于芯片121时，可执行一预固化步骤，在暂时基板113分离自芯片121后，可执行一后固化步骤。固化工艺可经由任何技术完成，如使用一加热元件(未绘示)提供热量给胶体160a。
开孔164露出对应的发光二极管芯片121的接合垫144。因为胶体160a在固化过程中些微收缩，因此各开孔164的一脱模角α些微地大于对应的突出部114的侧壁的倾斜角β。在此情况下，点胶方法形成胶层160于发光二极管芯片121上。
本实施例中，因为一实质常数距离D分离暂时基板的结合面112与发光二极管芯片121的第一面121u，胶层160的厚度可严密地控制。此外，因为胶层160可容易地局限在结合面112与第一面121u之间的间隙，几乎没有胶体材料160a被浪费。在传统喷射涂布方法中，因为胶体除了沉积在发光二极管芯片外还沉积于基板，故大量的胶体被浪费。
如图6A所示，任何或所有前述点胶方法的步骤可被执行于一包含数个芯片210的晶圆200。例如，如图6A所示，其绘示一暂时基板113a，其对应于晶圆200来说，例如是一晶圆级基板。暂时基板113a包括一结合面112a及数个突出部114位于结合面112a上。一黏贴层131形成于各突出部114的一结合区114a。接着，暂时基板113a结合于设于一载板250上的晶圆200，使突出部114通过黏贴层131连接于对应的晶圆200的接垫204。在此情况下，暂时基板113a的结合面112a面向晶圆200的顶面202，及一点胶空间S’形成于结合面112a与顶面202。接着，如图6B及6C所示，点胶空间S’填满胶体160a。胶体160a可由一点胶器10或一喷嘴(未绘示)提供至点胶空间S’的一边缘。由于暂时基板113a的结合面112a与晶圆200的顶面202间的小间隙，毛细现象吸引胶体160a沿箭头A进入点胶空间S，以形成胶层160。胶层160包覆接垫204、突出部114及黏贴层131。此外，胶体160a可包括数个萤光粒子162。
接着，如图6C及6D所示，移除暂时基板113a，使突出部114及黏贴层131自接垫204分离，以形成数个开孔164于胶层160。开孔164露出晶圆200的对应的接垫204。接着，如图6E所示，移除暂时基板113a之后，晶圆200及胶层160沿线L被切割，以形成多个独立芯片210。如图6F所示，胶层160的一侧壁及芯片210的一侧壁实质上共平面。在此情况下，胶层160形成于包含多个芯片210的晶圆200上。
综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装件，其特征在于，包括：
一发光二极管芯片，具有一出光面；以及
一萤光层，形成于所述出光面上，所述萤光层包括数个萤光粒子及一基体，其中所述萤光粒子包含一第一部分及一第二部分，所述第一部分完全埋设于所述基体内，而所述第二部分的至少一荧光粒子部分突出于所述基体的一外表面且部分埋设于所述基体内。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其特征在于，所述发光二极管芯片更包含至少一接垫。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其特征在于，所述至少一接垫具有一上表面，且所述萤光层突出于并包覆所述至少一接垫的所述上表面之上。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其特征在于，所述至少一接垫具有一上表面，通过至少一电性组件连接。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装件，其特征在于，所述至少一电性组件为焊线。
6.如权利要求4所述的发光二极管封装件，其特征在于，更包含一基板，所述至少一电性组件连接所述接垫与所述基板。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装件，其特征在于，更包含一封装胶体，所述封装胶体包覆所述发光二极管芯片及所述至少一电性组件。
8.一种芯片的制造方法，所述芯片具有数个接垫，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一发光二极管芯片，具有一出光面；
形成一萤光层，形成于所述出光面上，所述萤光层包括数个萤光粒子及一基体；以及
移除部分所述荧光层；
其中所述萤光层包括数个萤光粒子及一基体，其中所述萤光粒子包含一第一部分及一第二部分，所述第一部分完全埋设于所述基体内，而所述第二部分的至少一荧光粒子部分突出于所述基体的一外表面且部分埋设于所述基体内。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，更包含形成一电性组件连接所述接垫。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述电性组件形成于所述接垫之上。
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