KR101440722B1 - 광공간을 갖는 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치 - Google Patents
광공간을 갖는 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101440722B1 KR101440722B1 KR1020130026441A KR20130026441A KR101440722B1 KR 101440722 B1 KR101440722 B1 KR 101440722B1 KR 1020130026441 A KR1020130026441 A KR 1020130026441A KR 20130026441 A KR20130026441 A KR 20130026441A KR 101440722 B1 KR101440722 B1 KR 101440722B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin
- phosphor
- light emitting
- substrate
- phosphor sheet
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 11
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017625 MgSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 광공간부와 형광체층을 구비한 형광시트를 발광다이오드 칩 상에 부착하여 광효율을 높인 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치에 관한 것이다.
본 발명에서는 하부에 홀을 구비한 형광체 시트를 사용함에 따라 광변효율을 높일 수 있고, 또한, 좀 더 컨포멀하게 형광체 시트를 발광다이오드 주위에 위치시킬 수 있다.
본 발명에서는 제 1 기판에 홀을 형성시켜 하부에 광공간부를 구비하는 형광체 시트를 용이하게 제공할 수 있으므로 패키지 공정이 복잡해지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 형광체 혼합액의 수지로 비중이 다른 2개 이상의 수지를 사용하여 광 공간부와 형광체층의 굴절률 변화를 유도하여 광변 효과를 높일 수 있다.
본 발명에서는 하부에 홀을 구비한 형광체 시트를 사용함에 따라 광변효율을 높일 수 있고, 또한, 좀 더 컨포멀하게 형광체 시트를 발광다이오드 주위에 위치시킬 수 있다.
본 발명에서는 제 1 기판에 홀을 형성시켜 하부에 광공간부를 구비하는 형광체 시트를 용이하게 제공할 수 있으므로 패키지 공정이 복잡해지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 형광체 혼합액의 수지로 비중이 다른 2개 이상의 수지를 사용하여 광 공간부와 형광체층의 굴절률 변화를 유도하여 광변 효과를 높일 수 있다.
Description
본 발명은 광공간을 갖는 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 광공간부와 형광체층을 구비한 형광시트를 발광다이오드 칩 상에 부착하여 광효율을 높인 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드 등이 있다.
발광장치는 발광 다이오드 칩과 형광체를 결합하여 백색광을 구현할 수 있다. 예를 들어, 청색을 발광하는 발광다이오드 칩 상부에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색을 발광하는 형광체를 배치시켜 발광 다이오드 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻을 수 있다. 즉, 고휘도의 청색 LED에서 방출되는 충분히 높은 에너지를 갖는 광이 황색 YAG계 형광체를 여기시켜 황색영역의 광을 방출시킴으로써 LED의 청색 및 형광체의 황색의 조합으로 백색을 유도하는 방법을 이용하였다.
도 1은 종래의 청색 LED(2) 및 파우더 타입 황색 발광 YAG계열 형광체(1)를 적용한 백색 발광장치의 구조도이다. 그러나, 도 1과 같은 종래의 발광장치는 형광체가 균일하게 도포되지 않아 백색을 구현하였을 경우 가운데가 노랗게 변하는 나이테 현상 및 광변 효율의 저하가 발생하는 문제점이 있다.
최근에는, 이러한 문제점을 해결하기 위해 형광체와 수지를 배합하여 만든 슬러리를 이용하여 형광체 시트를 제조한 후 발광 다이오드 칩의 상부에 형성하는 기술이 시도되고 있다. 한국 등록특허 10-856834에는 형광체 시트 및 반사부재를 구비한 발광소자가 개시되어 있으나, 캐비티 측벽에 반사부재를 형성해야 하는 등 제조방법이 복잡하다는 문제점이 있다.
본 발명은 나이테 현상을 최소화하고, 광변 효율을 높일 수 있는 발광장치 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 발광다이오드 칩 상부에 형광체를 컨포멀(conformal)하게 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 제조방법이 간단하면서도 광변 효율을 높일 수 있는 발광장치 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 하나의 양상은 제 1 기판을 제공하는 단계 ; 상기 제 1 기판에 홀을 형성하는 단계 ; 형광체 혼합액을 상기 제 1 기판 상에 도포하여 형광체 시트를 제조하는 단계 ; 상기 형광체 시트를 상기 제 1 기판과 분리하는 단계 ; 및 상기 형광체 시트를 제 2 기판 상에 탑재된 발광다이오드 칩 상부에 부착하는 단계를 포함하는 발광장치 제조방법에 관계한다.
다른 양상에서, 본 발명은 기판 ; 상기 기판 상에 실장된 발광다이오드 칩; 및 상기 발광다이오드 칩 상에 형성되는 형광체 시트를 포함하고, 상기 형광체 시트는 광 공간부와 그 위에 위치하는 형광체층을 구비하는 발광장치에 관계한다.
본 발명에서는 하부에 홀을 구비한 형광체 시트를 사용함에 따라 광변효율을 높일 수 있고, 또한, 좀 더 컨포멀하게 형광체 시트를 발광다이오드 주위에 위치시킬 수 있다.
본 발명에서는 제 1 기판에 홀을 형성시켜 하부에 광공간부를 구비하는 형광체 시트를 용이하게 제공할 수 있으므로 패키지 공정이 복잡해지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 형광체 혼합액의 수지로 비중이 다른 2개 이상의 수지를 사용하여 광 공간부와 형광체층의 굴절률 변화를 유도하여 광변 효과를 높일 수 있다.
본 발명에서 사용되는 형광체 시트는 칩의 측면 부에서는 쉽게 변형이 가능하므로 형광체의 컨포멀 효과를 증대시킬 수 있다. 추가로, 웨이퍼 단위 형광체 형성 공정이 용이해진다,
도 1은 종래의 발광장치 단면도이다.
도 2는 본 발명의 발광장치를 제조하는 방법을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 발광장치를 나타내는 개략도이다.
도 4는 형광체 시트가 발광다이오드 칩에 소정 깊이로 삽입된 발광장치를 보여준다
도 5는 웨이퍼 상에 다수의 발광다이오드 칩을 실장하고 여기에 형광체 시트를 부착한 것을 보여준다.
도 2는 본 발명의 발광장치를 제조하는 방법을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 발광장치를 나타내는 개략도이다.
도 4는 형광체 시트가 발광다이오드 칩에 소정 깊이로 삽입된 발광장치를 보여준다
도 5는 웨이퍼 상에 다수의 발광다이오드 칩을 실장하고 여기에 형광체 시트를 부착한 것을 보여준다.
이하, 도면을 참고하여 본 발명을 상술하도록 한다.
도 2는 본 발명의 발광장치를 제조하는 방법을 나타낸다. 도 2를 참고하면, 본 발명의 제조방법은 제 1 기판을 제공하는 단계(a), 제 1 기판에 홀을 형성하는 단계(b), 형광체 시트를 제조하는 단계(c), 형광체 시트를 제 1 기판과 분리하는 단계(d), 형광체 시트를 제 2 기판 상에 탑재된 발광다이오드 칩 상부에 부착하는 단계(e)를 포함한다.
본 발명에서 사용되는 제 1 기판(10)은 형광체 시트를 제조하기 위한 용도로 사용된다. 이러한 제 1 기판으로는 플라스틱, 금속 (metals), 유기 박막(organic thin film) 등 다양한 소재가 사용될 수 있으며, 바람직하게는 홀을 형성하기 용이한 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 왁스, 올레핀계 고분자, PVC 등을 사용할 수 있다.
상기 제 1 기판(10)에 홀(11)을 형성하는 방법은 공지된 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 제 1 기판 위에 감광성 포토레지스트 조성물을 코팅하고, 상기 구조체 부분을 선택적으로 노광하고 및 상기 노광된 부분을 에칭하여 구조체를 형성할 수 있다. 이때 사용가능한 포토레지스트 조성물, 노광 조건 등은 특별히 제한되지 않는다.
또한, 상기 제 1 기판으로 음각 패턴(음각 홀)이 형성된 마스터 몰드를 사용할 수 있다.
상기 홀(11)은 형광체 입자보다 직경이 작도록 형성한다. 상기 홀에는 형광체가 삽입되지 않고 수지만이 삽입될 수 있다. 통상적인 형광체 직경은 수 nm ~ 수십 ㎛이므로, 상기 홀의 직경은 0.01 ~ 100㎛범위일 수 있다.
상기 홀(11)은 상기 제 1 기판 표면에서 아래로 0.01~500㎛ 길이로 형성될 수 있으나, 이러한 홀의 길이는 LED 칩의 두께 사이즈 등에 영향을 받을 수 있으므로 상기 길이에 반드시 제한되는 것은 아니다.
형광체 시트(20)를 제조하는 방법은 먼저 수지(21)와 형광체(22)를 혼합하여 형광체 혼합액을 제조하고, 이를 홀이 형성된 상기 제 1 기판(10)상에 도포한다.
상기 수지로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 글래스, 글래스 세라믹(glass ceramic), 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 나일론 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 테프론 수지, 폴리스틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리올레핀 수지 중 적어도 하나 이상을 사용할 수 있다.
본 발명에서는 비중이 서로 다른 수지를 섞어 사용할 수 있는데, 특히, 상대적으로 비중이 큰 수지는 홀에 침투되고(광공간부 형성함), 비중이 작은 수지는 제 1 기판 상에서 형광체층을 형성할 수 있다.
한편, 상기 홀에 먼저 수지를 채운 후에 홀에 채워진 수지와 비중이 다른 수지를 형광체와 혼합한 후 이를 제 1 기판상에 도포할 수 있다.
본 발명에서는 수지의 비중 차이에 따라 광 공간부와 형광체층의 굴절률 변화를 유도하여 광변 효과를 높일 수 있다.
상기 형광체로는 예를 들어, (Ba, Sr, Ca)2SiO4:Eu2 +, YAG((Y, Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce3 +)계열 형광체, TAG((Tb,Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce3 +)계열 형광체, (Ba, Sr, Ca)3SiO5:Eu2 +, (Ba, Sr, Ca)MgSi2O6: Eu2 +, Mn2 +, (Ba, Sr,Ca)3MgSi2O8: Eu2 +, Mn2 + 및 (Ba, Sr, Ca)MgSiO4: Eu2 +, Mn2 +로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 사용할 수 있다.
상기 형광체 혼합액이 제 1 기판 상에 도포되면, 상기 수지가 중력 침강하여 상기 홀을 채우고, 상기 형광체는 홀에 삽입되지 않고 기판 상에 위치할 수 있다.
형광체가 제 1 기판 상에 도포되면 소정 시간 동안 형광체 시트를 건조시킨 후 이를 제 1 기판과 분리시킨다(d).
도 2를 참고하면, 분리된 형광체 시트 하부에는 다수의 홀(231)을 가진 광공간부(23)가 형성된다. 상기 홀(231)은 제 1 기판에 형성된 돌출부(12)와 대응되고, 광공간부에 형성된 돌출부(232)는 제 1 기판의 홀(11)에 대응된다.
본 발명에서는 상기 홀(231) 패턴의 밀도(density)를 조절하여 발광패턴을 제어할 수 있다. 즉, 상기 형광체 시트 중앙과 에지(edge)에 형성된 홀 밀도를 다르게 하여 발광패턴을 조절할 수 있다. 예를 들면, 발광다이오드 칩의 센터에 대응되는 형광체 시트 중앙부에서는 홀의 밀도(density) 를 높이고, 형광체 시트 양 측면 에지 부분은 홀의 밀도를 줄여 발광 패턴을 조절할 수 있다.
본 발명에서는 분리된 상기 형광체 시트(20)를 제 2 기판(30) 상에 탑재된 발광다이오드 칩(40) 상부에 부착한다(e). 상기 형광체 시트(20)의 광공간부(23)는 발광다이오드칩(40)과 형광체(21) 사이에 공간을 제공하여 광변환 효율을 높일 수 있다.
제 2 기판(30)은 발광 다이오드 칩(40)을 고밀도로 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어, 이러한 기판으로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(low temperature co-fired ceramic) 등을 사용할 수 있으며, 또한, 폴리이미드(polyimide) 수지 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 등의 유연성 플라스틱을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에서 사용가능한 발광 다이오드 칩(40)은 430 내지 480nm의 파장을 가지는 청색 발광 LED 칩을 사용할 수 있으며, 또한, 청색 외의 다른 컬러를 나타내는 LED 칩도 사용할 수도 있다.
본 발명의 발광장치는 형광체가 시트 하부로 침강 적층되더라도, 그 아래에 형성된 구조물(광공간부)에 의해 중간에 떠있는 형태가 됨으로서 종래 장치에 비해 형광체와 발광다이오드 칩 사이에 충분한 갭(gap)을 확보할 수 있다.
다른 양상에서, 본 발명은 광공간을 가지는 발광장치에 관계한다. 도 3은 본 발명의 발광장치를 나타내는 개략도이다. 도 3을 참고하면, 본 발명의 발광장치는 기판(30), 발광다이오드 칩(40) 및 그 위에 부착된 형광체 시트(20)을 포함한다.
상기 기판(30)과 발광다이오드 칩(40)은 앞에서 상술한 내용을 참고할 수 있다.
상기 형광체 시트(20)는 광 공간부(23)와 그 위에 위치하는 형광체층을 구비한다. 상기 형광체층은 수지(21)와 형광체(22)를 포함한다.
상기 광 공간부(23)는 형광체 시트 하부에 홀(231)을 구비한 음각 구조물층일 수 있다. 상기 광공간부(23)는 홀(231)과 돌출구조물(232)를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 광공간부(23)에 형성된 홀과 홀 사이 간격은 상기 형광체 직경보다 작다.
상기 광 공간부는 높이가 0.01~500㎛일 수 있다.
본 발명의 발광장치는 상기 홀(231) 패턴의 밀도(density)에 따라 발광패턴이 제어될 수 있다. 즉, 상기 형광체 시트 중앙과 에지(edge)에 형성된 홀 밀도를 다르게 하여 발광패턴을 조절 할 수 있다. 예를 들면, 상기 광 공간부는 시트 에지(edge) 영역보다 중앙 영역에서 홀의 밀도가 더 높을 수 있으며, 또한, 시트 에지 영역에서부터 중앙으로 점차 홀의 밀도가 증가할 수 있다.
상기 발광장치는 상기 발광다이오드 칩 및 형광체 시트가 부착된 기판의 일면을 밀봉하는 봉지부재를 포함한다. 상기 봉지부재는 상기 형광체 혼합액 수지를 사용할 수 있다.
도 4는 형광체 시트가 발광다이오드 칩에 소정 깊이로 삽입된 발광장치를 보여준다. 도 4를 참고하면, 상기 형광체 시트(120)의 광공간부(123)는 다수의 홀(1231)을 구비하고, 플렉시블한 수지로 형성되므로, 상기 형광체 시트가 발광다이오드 칩(140) 상에 압착되면 소정 깊이로 압착될 수 있다.
도 4의 발광장치는 발광다이오드 칩 상부에만 위치하는 종래 발광소자에 비해 형광체를 좀 더 컨포멀(conformal)하게 위치시킬 수 있다.
도 5는 웨이퍼 상(230)에 다수의 발광다이오드 칩(240)을 실장하고 여기에 형광체 시트(220)를 부착한 것을 보여준다. 도 5를 참고하면, 본 발명의 발광장치는 다수의 발광 다이오드 칩 위에 광공간부(223)를 가지는 형광체 시트를 제공함으로서 간단한 제조방법으로 광변환 효율을 더욱 높일 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 제 1 기판 11 : 홀
20, 120, 220 : 형광체 시트 21 : 수지
22 : 형광체 23, 123 223 : 광공간부
30 : 제 2 기판 40, 140, 240 : 발광다이오드칩
230 : 웨이퍼
20, 120, 220 : 형광체 시트 21 : 수지
22 : 형광체 23, 123 223 : 광공간부
30 : 제 2 기판 40, 140, 240 : 발광다이오드칩
230 : 웨이퍼
Claims (12)
- 제 1 기판을 제공하는 단계 ;
상기 제 1 기판에 홀을 형성하는 단계 ;
형광체 혼합액을 상기 제 1 기판 상에 도포하여 형광체 시트를 제조하는 단계 ;
상기 형광체 시트를 상기 제 1 기판과 분리하는 단계 ; 및
상기 형광체 시트를 제 2 기판 상에 탑재된 발광다이오드 칩 상부에 부착하는 단계를 포함하고,
상기 형광체 혼합액은 비중이 서로 다른 2 이상의 수지를 포함하되, 상대적으로 비중이 큰 수지가 홀에 침투되어 시트의 광공간부를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치 제조방법. - 제 1항에 있어서, 상기 홀은 상기 형광체 보다 직경이 작은 것을 특징으로 하는 발광장치 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 형광체 혼합액은 형광체를 수지에 넣어 혼합한 것을 특징으로 하는 발광장치 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 글래스, 글래스 세라믹(glass ceramic), 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 나일론 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 테프론 수지, 폴리스틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지 및 폴리올레핀 수지의 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 발광장치 제조방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 방법은 제 1 기판에 홀을 형성한 후 상기 홀에 수지를 채우는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 형광체 시트를 제조하는 단계는
형광체 혼합액을 도포하는 단계 ; 및
상대적으로 비중이 큰 상기 수지가 중력 침강하여 상기 홀을 채우고, 상기 형광체는 제 1 기판 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광장치 제조방법. - 기판 ;
상기 기판 상에 실장된 발광다이오드 칩; 및
상기 발광다이오드 칩 상에 형성되는 형광체 시트를 포함하고, 상기 형광체 시트는 광 공간부와 그 위에 위치하는 형광체층을 구비하고,
상기 광 공간부는 상기 형광체 시트 하부에 다수의 홀이 소정 높이로 형성된 층으로서, 상기 홀과 홀 사이 간격이 상기 형광체 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 발광장치. - 제 8항에 있어서, 상기 광 공간부는 상기 형광체 시트 하부에 홀을 구비한 음각 구조물층인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 삭제
- 제 9항에 있어서, 상기 형광체 시트 중앙과 에지(edge)에 형성된 홀 밀도를 다르게 하여 발광패턴을 제어하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 8항에 있어서, 상기 발광장치는 상기 발광다이오드 칩 및 형광체 시트가 부착된 기판의 일면을 밀봉하는 봉지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130026441A KR101440722B1 (ko) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 광공간을 갖는 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130026441A KR101440722B1 (ko) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 광공간을 갖는 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101440722B1 true KR101440722B1 (ko) | 2014-09-17 |
Family
ID=51760215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130026441A KR101440722B1 (ko) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 광공간을 갖는 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101440722B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110070120A (ko) * | 2009-12-18 | 2011-06-24 | 서울반도체 주식회사 | 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법 |
KR101173251B1 (ko) * | 2011-07-01 | 2012-08-10 | 한국광기술원 | 프리폼 형광체 시트가 사용된 백색 엘이디 소자 제조 방법 |
KR101191359B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2012-10-15 | 주식회사 루멘스 | 형광체 광학소자 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
KR20120138562A (ko) * | 2011-06-15 | 2012-12-26 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-03-13 KR KR1020130026441A patent/KR101440722B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110070120A (ko) * | 2009-12-18 | 2011-06-24 | 서울반도체 주식회사 | 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법 |
KR101191359B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2012-10-15 | 주식회사 루멘스 | 형광체 광학소자 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
KR20120138562A (ko) * | 2011-06-15 | 2012-12-26 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
KR101173251B1 (ko) * | 2011-07-01 | 2012-08-10 | 한국광기술원 | 프리폼 형광체 시트가 사용된 백색 엘이디 소자 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6010583B2 (ja) | 蛍光体変換led | |
JP5290368B2 (ja) | ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子およびその製造方法、led照明装置、光源 | |
KR101501020B1 (ko) | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 | |
US20120305970A1 (en) | Light emitting device package and manufacturing method thereof | |
US20130208442A1 (en) | Lighting device including multiple wavelength conversion material layers | |
US8900892B2 (en) | Printing phosphor on LED wafer using dry film lithography | |
KR101719655B1 (ko) | 형광체 시트, 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조 방법 | |
KR20160037964A (ko) | 파장-변환 재료를 포함하는 발광 다이 및 관련된 방법 | |
CN104380464A (zh) | 包含波长转换材料的发光管芯及相关方法 | |
US8399268B1 (en) | Deposition of phosphor on die top using dry film photoresist | |
CN105514252B (zh) | 发光二极管、封装件与制造方法 | |
KR20120128962A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
KR101575366B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR101055761B1 (ko) | 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법 | |
KR101504168B1 (ko) | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛 및 조명 장치 | |
KR100837847B1 (ko) | 형광체를 이용한 파장 변환형 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
KR101440722B1 (ko) | 광공간을 갖는 발광장치의 제조방법 및 이에 의한 발광장치 | |
KR101724703B1 (ko) | 렌즈 패턴이 형성된 화이트 발광용 칩 패키지 | |
KR101106177B1 (ko) | 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법 | |
WO2014150263A1 (en) | Printing phosphor on led wafer using dry film lithography | |
KR101701746B1 (ko) | 패키지를 갖지 않는 led 조명 | |
KR101701740B1 (ko) | 형광몰딩층을 갖지 않는 led 모듈 | |
KR101689395B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
TWM544123U (zh) | 發光二極體封裝結構 | |
TWI619269B (zh) | 發光二極體封裝結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170823 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180828 Year of fee payment: 5 |