CN105514239B - 一种发光二极管 - Google Patents
一种发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105514239B CN105514239B CN201610098089.9A CN201610098089A CN105514239B CN 105514239 B CN105514239 B CN 105514239B CN 201610098089 A CN201610098089 A CN 201610098089A CN 105514239 B CN105514239 B CN 105514239B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- quantum well
- buffer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，其依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层的晶格常数与第二缓冲层的晶格常数相同。本发明通过设计晶格常数相同的第一缓冲层和第二缓冲层，使缓冲层内无极化效应，进而改善N型层与量子阱层、P型层与量子阱层之间的晶格失配，减少量子阱层的极化效应。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管。
背景技术
发光二极管（Light-emitting diode，LED）是一种注入电致发光器件，在节能和智能控制方面受到广泛关注和应用。特别是GaN基材料的LED，由于其波长覆盖了整个可见光波段和紫外波段，而成为目前LED发展的主流方向。因此如何提高载流子的注入效率进而提高LED的发光性能是本领域技术人员研究的热点。
中国专利文献CN102157656公开了一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法，其在量子阱有源层前后分别插入电子注入加强量子阱层和空穴注入加强量子阱层，提高电子和空穴载流子隧穿注入到有源层的效率，从而增加发光二极管的发光效率。
但是，GaN基材料是离子晶体，由于正负电荷不重合，易形成自发极化；另外，由于InGaN材料和GaN材料之间的晶格失配，又会引起压电极化，进而形成压电极化场。极化场的存在一方面使得量子阱的等效带隙能级减小，发光波长出现蓝移；另一方面电子和空穴波函数的交替会减小，降低其辐射复合机率。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种发光二极管，其包括：衬底，及依次沉积于所述衬底上的缓冲层、N型层、量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层的晶格常数与第二缓冲层的晶格常数相同。
优选的，所述缓冲层为含In氮化物，调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度，使所述缓冲层内无极化效应。
优选的，所述第一缓冲层的材料为InaGa1-aN，所述第二缓冲层的材料为InbAl1-bN，其中a>0、b>0。
所述第一缓冲层的In组份为15%~25%，所述第二缓冲层的In组份为14%~35%。
优选的，所述缓冲层与所述量子阱层晶格常数相匹配。
优选的，所述缓冲层的晶格常数为3.20~3.30。
优选的，当所述缓冲层位于量子阱层与电子阻挡层之间时，其带隙能级大于所量子阱层的带隙能级。
优选的，所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，在所述缓冲层与P型层之间还设有电子阻挡层，所述缓冲层与所述电子阻挡层构成双阻挡层结构。
优选的，所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，作为电子-空穴有效复合辐射层。
优选的，所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，其中第二缓冲层的厚度大于所述量子阱层之垒层的厚度，以减小电子的迁移率。
优选的，所述缓冲层位于量子阱层与N型层之间，第一缓冲层为未掺杂层，第二缓冲层的N型掺杂，增加电子的横向扩展能力。
优选的，所述缓冲层为第一缓冲层与第二缓冲层交替堆叠的周期性结构。
与现有技术相比本发明至少具有以下有益效果：1）在量子阱一侧或者两侧插入与量子阱层晶格相匹配的缓冲层，用于改善N型层与量子阱层或者P型层与量子阱层之间的晶格失配，降低量子阱层的极化效应；2）调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度，使其晶格常数相等，使过渡层内无极化效应，增大量子阱的等效带隙能级，减少波长蓝移；同时提升电子与空穴的有效复合机率；3）当所述缓冲层位于量子阱层与电子阻挡层之间时，其带隙能级大于所述量子阱层的带隙能级，有效防止电子溢流现象，改善Droop效应与内量子效率。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
图1 本发明实施例一之发光二极管结构示意图；
图2 本发明实施例二之发光二极管结构示意图；
图3 本发明实施例三之发光二极管结构示意图；
附图标注：10：衬底；20：成核层；30：N型层；40、40'缓冲层；41、41'：第一缓冲层；42、42'：第二缓冲层；50：量子阱层；60：电子阻挡层；70：P型层；80：P型接触层。
具体实施方式
实施例1
参看附图1，本发明提供的一种发光二极管，至少包括一衬底10，以及依次沉积于衬底10上的成核层20、N型层30、量子阱层50、电子阻挡层60、P型层70和P型接触层80，并且在量子阱层50一侧或者两侧还插入一由晶格常数相同的第一缓冲层41和第二缓冲层42组成的双层或多层超晶格结构的缓冲层40。其中，衬底10材质为蓝宝石、氮化镓、硅等中的任意一种，本实施例优选蓝宝石。成核层20的材料为氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≦x＜1，0≦y＜1。量子阱层50为3~20个周期的InGaN/GaN结构，电子阻挡层60为P型AlGaN，P型接触层80为P型InGaN、P型InN层或者P型GaN层。
继续参看附图1，本实施例中，为减小N型层30与量子阱层50之间的极化效应，设置缓冲层40位于N型层30与量子阱层50之间，并且缓冲层40与量子阱层50的晶格常数相匹配，即接近甚至相同。缓冲层40由晶格常数相同的第一缓冲层41和第二缓冲层42形成周期性超晶格结构，其周期数为1~10，本实施例中优选周期数为8。第一缓冲层41的厚度为5~500Å，第二缓冲层42的厚度为5~500 Å，本实施例优选第一缓冲层41与第二缓冲层42的厚度均为30Å，使缓冲层40内的应力在第一缓冲层41与第二缓冲层42的界面处逐层释放。
缓冲层40中的第一缓冲层41和第二缓冲层42的晶格常数相同，保证了缓冲层40内无极化效应的累积，更有效的减小N型层30与量子阱层50之间的晶格失配，改善量子阱斯塔克效应。本实施例中第一缓冲层41和第二缓冲层42分别优选为InaGa1-aN层和InbAl1-bN层，其中a>0，b>0，通过调节In组份的浓度，实现第一缓冲层41和第二缓冲层42的晶格常数相同。同时调节缓冲层40的晶格常数与量子阱层50中InGaN势阱层的晶格常数，使两者相同，降低晶格失配，减少缓冲层40与量子阱层50之间的极化效应，从而提高发光效率。
现有技术中，InGaN/GaN结构的量子阱层50的晶格常数通常为3.2~3.3，为使缓冲层40的晶格常数与量子阱层50相匹配，缓冲层40的晶格常数也为3.2~3.3，从而推导出InaGa1-aN第一缓冲层41和InbAl1-bN第二缓冲层42中In组份分别为15%~25%和14%~35%。本实施例中调节第一缓冲层41和第二缓冲层42中In组份分别为20%和30%，使缓冲层40和量子阱层50的晶格常数均为3.26。
在N型层30和量子阱层50之间插入一缓冲层40，并且其晶格常数与量子阱层50相同，改善了N型层30与量子阱层50之间的晶格失配，降低了量子阱层50的极化效应。同时，调节缓冲层40中第一缓冲层41和第二缓冲层42中In组份浓度，使两者晶格常数相等，实现缓冲层40内无极化效应，增大量子阱的等效带隙能级，减少波长蓝移；同时提升电子与空穴的有效复合机率。
实施例2
参看附图2，本实施例与实施例1的区别在于，缓冲层40'位于量子阱层50与电子阻挡层60之间，用于减少量子阱层50与电子阻挡层60之间的晶格失配，且缓冲层40'与量子阱层50的晶格常数相同。缓冲层40'为由晶格常数相同的第一缓冲层41'和第二缓冲层42'组成的双层结构，且第二缓冲层42'位于第一缓冲层41'上，同时缓冲层40'的带隙能级高于量子阱层50。
具体地，先在InGaN/GaN量子阱层50上生长材料为InaGa1-aN的第一缓冲层41'，后生长材料为InbAl1-bN的第二缓冲层42'，其中，第一缓冲层41'的生长条件与量子阱层50中InGaN阱层的生长条件相同，缓冲层40'的晶格常数与InGaN阱层的相等，减小量子阱层50与后续生长的P型层70的晶格失配，同时第二缓冲层42'的带隙能级大于第一缓冲层41'的带隙能级，与电子阻挡层60同时起到双层阻挡作用。
在本实施例中，InGaN阱层的厚度为28~38Å，GaN垒层的厚度为60~180Å，优选第一缓冲层的厚度与InGaN阱层的厚度相同，作为电子-空穴有效复合辐射层；第二缓冲层的厚度大于GaN垒层的厚度为300Å，用于减小电子的迁移率；量子阱层50的晶格常数为优选3.25，调节第一缓冲层41'和第二缓冲层42'中In组份分别为17.8%、32.2%，使缓冲层40'与量子阱层50的晶格常数相同，低量子阱层60与后续生长的P型层70之间的极化效应。
现有发光二极管中，由于p型杂质的活化效率较低，使得p型层内活化空穴的浓度远远低于n型层内电子浓度，且由于空穴的迁移率较小，为480cm2/Vs（仅为电子迁移率的1/3~1/2)，如此，导致活化空穴主要集中在靠近P型层附近的量子阱内，而电子的迁移速率（1500cm2/Vs）远远高于空穴，发光区域主要集中在靠近P型层附近的量子阱内，造成发光效率低的现象。本实施例于量子阱50层与电子阻挡层60之间插入一缓冲层，一方面增加量子阱层50的有效发光区域，提升LED的内量子效率。一方面阻挡电子的迁移，防止电子溢流现象，改善Droop效应；
实施例3
参看附图3，本实施例与实施例1、2的区别在于：缓冲层40和缓冲层40'分别位于量子阱层50的两侧（即N型层30与量子阱层50之间的缓冲层40、电子阻挡层60与量子阱层50之间的缓冲层40'）。其中，缓冲层40为晶格常数相同的第一缓冲层41和第二缓冲层42交替形成的超晶格结构，其周期数为1~10；缓冲层40'为双层结构，且第二缓冲层42'位于第一缓冲层41'之上；缓冲层40为n型掺杂层或未掺杂层，n型掺杂杂质为Si、Sn、S、Se、Te中的任意一种，用于调节N型层30与量子阱层50之间的应力；缓冲层40'为p型掺杂或未掺杂层，p型掺杂杂质为Be、Mg、Zn、Cd、C中的任意中一种，优选缓冲层40中，其第一缓冲层41为未掺杂层，第二缓冲层42的掺杂杂质为Si，增加电子的横向扩展能力；而缓冲层40'的掺杂杂质均为Mg，提供空穴。
当然，作为本实施例的变形实施方式缓冲层40'也可以是晶格常数相同的第一缓冲层41'和第二缓冲层42'交替形成的超晶格结构，其周期数为1~10。通过超晶格结构的缓冲层40、40'逐步释放量子阱层60与N型层30及P型层70因晶格失配而产生的应力，减小量子阱极化效应。
通过在量子阱层50两侧分别插入与其晶格常数相同的缓冲层40和缓冲层40'，减小量子阱层50与N型层30、P型层70的晶格失配，改善量子阱层50两端的极化效应，提升LED器件的出光效率。
应当理解的是，上述具体实施方案为本发明的优选实施例，本发明的范围不限于该实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管，依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述缓冲层为含In氮化物，所述第一缓冲层的In组份为15%~25%，所述第二缓冲层的In组份为14%~35%，调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度，使所述第一缓冲层的晶格常数与所述第二缓冲层的晶格常数相同，缓冲层内无极化效应。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一缓冲层的材料为InaGa1-aN，所述第二缓冲层的材料为InbAl1-bN，其中a>0、b>0。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层与所述量子阱层的晶格常数相匹配。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层的晶格常数为3.20~3.30。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，其带隙能级大于所量子阱层的带隙能级。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，在所述缓冲层与P型层之间还设有电子阻挡层，所述缓冲层与所述电子阻挡层构成双阻挡层结构。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，作为电子-空穴有效复合辐射层。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，其中第二缓冲层的厚度大于所述量子阱层之垒层的厚度，以减小电子的迁移率。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与N型层之间，第一缓冲层为未掺杂层，第二缓冲层的N型掺杂，增加电子的横向扩展能力。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层为第一缓冲层与第二缓冲层交替堆叠的周期性结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610098089.9A CN105514239B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610098089.9A CN105514239B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种发光二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105514239A CN105514239A (zh) | 2016-04-20 |
| CN105514239B true CN105514239B (zh) | 2018-12-04 |
Family
ID=55722069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610098089.9A Active CN105514239B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105514239B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107134515A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-05 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制备方法 |
| CN110635004A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-31 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | GaN基发光二极管外延结构 |
| CN115020559A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-06 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种发光二极管及其外延结构 |
| CN117393667B (zh) * | 2023-12-13 | 2024-03-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、led |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000058999A2 (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor structures having a strain compensated layer and method of fabrication |
| JP5477685B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-04-23 | サンケン電気株式会社 | 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法 |
| CN102760808B (zh) * | 2012-07-12 | 2015-09-23 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 |
| CN103151435B (zh) * | 2013-01-30 | 2015-05-06 | 东南大学 | 一种具有复合势垒的氮化镓基发光二极管 |
| CN103996766B (zh) * | 2014-03-21 | 2017-10-20 | 安徽三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制备方法 |
| CN104485404B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-07-28 | 北京大学 | 一种高亮度近紫外led及其外延生长方法 |
-
2016
- 2016-02-23 CN CN201610098089.9A patent/CN105514239B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105514239A (zh) | 2016-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI436495B (zh) | 以氮化物為主之發光裝置 | |
| TWI555225B (zh) | 三族氮化物半導體發光裝置 | |
| CN102157656B (zh) | 一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法 | |
| KR101228983B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
| WO2012089003A1 (zh) | 具有复合式双电流扩展层的氮化物发光二极管 | |
| KR20160014416A (ko) | 자외선 발광 다이오드 | |
| CN105514239B (zh) | 一种发光二极管 | |
| TW201421734A (zh) | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 | |
| TWI445204B (zh) | 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件 | |
| US8759815B2 (en) | Nitride based semiconductor light emitting device | |
| CN104205367A (zh) | 近紫外发光装置 | |
| WO2016065884A1 (zh) | 发光二极管 | |
| TWI528582B (zh) | 發光結構及包含其之半導體發光元件 | |
| CN107833956B (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 | |
| CN103985799B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN111326626A (zh) | 一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件 | |
| CN210805811U (zh) | 一种抗静电外延结构 | |
| CN204760413U (zh) | 多量子阱结构及包含该多量子阱结构的氮化物发光二极管 | |
| CN107968138B (zh) | 一种氮化物发光二极管 | |
| CN102185053A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN109671825B (zh) | 一种极性半导体发光二极管 | |
| KR20160072914A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
| CN111640829A (zh) | 一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法 | |
| CN110635006A (zh) | GaN基发光二极管外延结构 | |
| CN111326616A (zh) | 一种半导体发光元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |