CN105513882A - 用于真空断续器的复合式电弧屏蔽件及其形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于真空断续器的复合式电弧屏蔽件及其形成方法，还涉及真空断续器。防电弧屏蔽件定位在陶瓷绝缘体之间。防电弧屏蔽件的每一端都被密闭地密封于陶瓷绝缘体。防电弧屏蔽件包括外表面和内表面。内表面包括防电弧材料。一对可分离以确立起弧的电极组件配置在防电弧屏蔽件内。在某些实施例中，防电弧材料为铜-铬合金。

Description

用于真空断续器的复合式电弧屏蔽件及其形成方法

技术领域

所公开的构思一般地涉及真空断路器以及其它类型的真空开关设备和相关构件，例如真空断续器(vacuuminterrupter)和防电弧屏蔽件(屏蔽装置)。特别地，所公开的构思涉及一种包含防电弧材料的屏蔽结构，该屏蔽结构被密闭地(气密地)密封于例如用在真空断路器中的真空断续器的陶瓷基底。

背景技术

真空断续器通常用于中断高电压交流电流。断续器包括包围具有对向的接触面的一对共轴地对准的可分离接触组件的大体圆筒形的真空封壳。接触面在闭合电路位置彼此靠接且为了断开电路而分离。每个电极组件都与伸出到真空封壳外部且与交流电路连接的带电接线柱连接。

电弧通常在触头向电路断开位置移动分开时在接触面之间形成。起弧(电弧形成)持续到电流被中断为止。被电弧气化的来自触头的金属在起弧期间形成中性等离子体并且在电流熄灭之后凝结回到触头上而且还凝结到安置在触头组件和真空封壳之间的蒸气凝结屏蔽件上。

断续器的真空封壳一般包括具有覆盖每一端的金属端帽或密封件的陶瓷管状绝缘外壳。真空断续器的电极穿过端帽进入真空封壳中。其中至少一个端帽与电极刚性连接且必须能够承受断续器工作期间的较高动态力。

断续器的各种设计在本领域中是已知的。存在全陶瓷设计，其中管状绝缘外壳完全由陶瓷材料构成。还已知一种设计，其包括由金属屏蔽件构成的中央部，陶瓷部位于金属屏蔽件的两端上。该设计通称为“腹带”式断续器。

真空断续器是真空型开关设备的关键构件。使用横向磁场触头的用于真空型断路器的断续器通常包括蒸气屏蔽件，例如，内部电弧屏蔽件或防电弧屏蔽件，其抵抗大的起弧以限制电弧的向外传播并保持断续器在阻断故障电流之后的高电压耐受性。

该屏蔽件通常由铜、不锈钢、铜-铬合金或其组合构成。在一些情况下，该屏蔽件可在起弧区域中由一种材料构成且可对屏蔽件的其余部分使用第二种材料。铜-铬合金材料可由于其耐电弧破坏性能和其在发生起弧之后抵挡高电压的能力而用于最高的故障电流等级。铜-铬合金通常包括按重量计约10％至25％的铬和余量的铜。

所公开的构思的一个目的是研发新的电弧屏蔽件设计，例如，该设计可容纳用于中断大电流的大型触头。此外，本发明的一个目的是设计一种电弧屏蔽件，该电弧屏蔽件能够密闭地密封于定位在真空断续器的两端处的陶瓷绝缘体。可认为屏蔽件的这种定位与完全安装在真空断续器的全陶瓷绝缘外壳内侧的电弧屏蔽件相比提供了用于使用大型触头的可用空间。

发明内容

这些和其它需求通过所公开的构思的实施例来满足，这些实施例提供了防电弧屏蔽件、制造屏蔽件的方法和包括屏蔽件的真空断续器。在一方面，所公开的构思提供了一种用于真空断续器的防电弧屏蔽件。该防电弧屏蔽件包括具有第一端部、相对的第二端部、内表面和外表面的屏蔽结构；以及设置在屏蔽结构的内表面上的防电弧材料。该防电弧屏蔽件定位在第一陶瓷绝缘体和第二陶瓷绝缘体之间。屏蔽结构的第一端部被密闭地密封于第一陶瓷绝缘体且屏蔽结构的相对的第二端部被密闭地密封于第二陶瓷绝缘体。该防电弧屏蔽件限定有内腔。第一和第二电极组件配置在所述腔中且可分离以确立起弧。

第一和第二陶瓷绝缘体以及防电弧屏蔽件可呈圆筒形成形以形成管状结构。

该真空断续器还可包括与第一陶瓷绝缘体连接的第一端部密封件和与第二陶瓷绝缘体连接的第二端部密封件。

第一陶瓷绝缘体可具有第一端部和第二端部，第一陶瓷绝缘体的第一端部定位在屏蔽结构的第一端部上，且第一陶瓷绝缘体的第二端部定位在真空断续器的第一端部密封件上。第二陶瓷绝缘体可具有第一端部和第二端部，第二陶瓷绝缘体的第一端部定位在屏蔽结构的相对的第二端部上，且第二陶瓷绝缘体的第二端部定位在真空断续器的第二端部密封件上。屏蔽结构的第一端部被密闭地密封于第一陶瓷绝缘体的第一端部，且屏蔽结构的第二端部被密闭地密封于第二陶瓷绝缘体的第一端部。

防电弧材料可包括铜-铬合金。铜-铬合金基于合金的总重量可包括约10至约60重量％的铬和余量的铜。

该屏蔽结构可由从包括不锈钢、铜、钢、镍-铁(合金)、白铜及它们的混合物的组中选择的材料构成。

在某些实施例中，防电弧材料在屏蔽结构内共同形成(一起形成，co-form)。在其它实施例中，防电弧材料呈涂层形式且沉积在屏蔽结构的内表面上以在其上形成一层。

在另一方面，所公开的构思提供了一种真空断续器，该真空断续器包括由第一陶瓷部、与第一陶瓷部连接的第一端部密封件、第二陶瓷部、与第二陶瓷部连接的第二端部密封件以及定位在第一和第二陶瓷部之间的防电弧屏蔽件限定出的管状腔。防电弧屏蔽件包括具有内表面、外表面、第一端部和相对的第二端部的屏蔽结构；以及设置在屏蔽结构的至少一部分上的防电弧材料。屏蔽结构的第一端部被密闭地密封于第一陶瓷部且屏蔽结构的相对的第二端部被密闭地密封于第二陶瓷部。真空断续器还包括第一电极组件和第二电极组件。第一和第二电极组件配置在所述腔的由防电弧屏蔽件限定出的一部分内，所述第一和第二电极组件可分离以确立起弧。

在又一方面，所公开的构思提供了一种用于制作真空断续器的方法。该方法包括形成包括第一陶瓷部、第二陶瓷部和防电弧屏蔽件的管状真空腔。该防电弧屏蔽件包括具有内表面、外表面、第一端部和相对的第二端部的屏蔽结构；以及设置在屏蔽结构的内表面的至少一部分上的防电弧材料。该管状真空腔还包括第一电极组件和第二电极组件。该方法还包括：将防电弧屏蔽件定位在第一和第二陶瓷部之间；将屏蔽结构的第一端部密闭地密封于第一陶瓷部；将屏蔽结构的相对的第二端部密闭地密封于第二陶瓷部；以及将第一和第二电极组件定位在所述腔的由防电弧屏蔽件限定出的一部分内。第一和第二电极组件可分离以建立起弧。

所述密闭地密封可包括硬焊或熔焊(焊接，welding)。

在某些实施例中，防电弧材料与屏蔽结构共同形成。例如，防电弧材料和屏蔽结构可利用选自等静压机(isostaticpress)和单轴压机的压机靠着心轴共同形成。

在其它实施例中，防电弧材料施加于屏蔽结构的内表面以在其上形成一层。例如，防电弧材料可呈粉末合金形式，与适当的粘合剂混合以形成涂层，并且涂层施加于屏蔽结构的内表面，或者呈粉末合金形式的防电弧材料可与适当的粘合剂混合以形成条带且条带施加于屏蔽结构的内表面。

附图说明

当结合附图阅读时可从下文对优选实施例的描述充分理解所公开的构思，在附图中：

图1是根据所公开的构思的特定实施例的包括防电弧屏蔽结构的真空断续器的剖视图；以及

图2是根据所公开的构思的特定实施例的防电弧屏蔽结构的剖视图。

具体实施方式

所公开的构思包括防电弧屏蔽件、用于制作屏蔽件的方法和包含屏蔽件的真空断续器。真空断路器是诸如真空断路器的真空开关设备的关键内部构件。真空断续器通常包括由适当绝缘材料的外壳形成的高真空封壳，和用于封闭外壳端部的一对金属端帽。一对可相对移动的触头或电极位于封壳内。当触头分离时，存在位于其间的起弧间隙。当电极断开时，以及当它们闭合时，跨电极之间的间隙形成电弧。电弧使一部分触头材料气化且蒸气从起弧间隙朝向封壳散开。防电弧屏蔽件通常定位在真空断续器内并用于拦截和凝结电弧产生的蒸气。

真空断续器的各种设计在本领域中是已知的。为方便说明，所公开的构思被描述为用于通常称为“腹带”的设计。术语“腹带”指的是具有由陶瓷绝缘材料形成的外壳、防电弧屏蔽件和端帽的真空断续器。陶瓷绝缘材料可包括由防电弧屏蔽件分开的两个陶瓷部。亦即，防电弧屏蔽件定位在第一陶瓷部和第二陶瓷部之间。屏蔽件和陶瓷部被密闭地密封。在该设计中，防电弧屏蔽件不定位在真空断续器的封壳的内侧。而是，防电弧屏蔽件构成外壳或真空断续器的外表面的一部分。腹带式断续器通常是具有圆筒形的陶瓷管部和圆筒形的防电弧屏蔽管的管状结构。然而，应理解，所公开的构思不限于该类型的真空断续器设计。

陶瓷绝缘材料由陶瓷或含陶瓷材料如氧化铝、氧化锆或其它陶瓷氧化物构成，但也可以是玻璃。

防电弧屏蔽件包括屏蔽结构和防电弧材料。屏蔽结构可由本领域中已知的用于构建用于真空断续器的屏蔽结构的材料或材料组合构成，并且能够与陶瓷绝缘体材料形成密闭的密封。适当的材料包括但不限于不锈钢、铜、钢、镍-铁、白铜及其混合物。优选但非必要地，屏蔽结构的形式为单个连续的板片。

防电弧材料包括本领域中已知的用于形成防电弧材料的化合物或化合物的组合。一般而言，防电弧材料是能够展示耐电弧破坏性能并抵挡起弧之后的高电压的合金合成物。铜-铬合金由于它们抵抗大的起弧的性能和它们保持在已发生起弧之后断续器承受的高电压的能力而是供最高故障电流等级使用的已知材料。优选的铜-铬合金基于合金合成物的总重量包括从约10至约60重量％的铬或从约10至约25重量％的铬和余量的铜。纯铬是很贵的元素，因此可能优选的是它在合金合成物中的存在量与合金合成物中的铜的存在量相比在可行的情况下尽可能低以降低成本。用于所公开的构思中的适当的防电弧材料包括但不限于铜、铜-铬合金、铜-铁合金、铜-铬铁合金及其混合物。

在某些实施例中，防电弧材料包括例如呈纯铜和/或铜合金形式的铜，和铬合金，其中该铬合金为铬铁合金。这些成分中的每种成分的量可变化。基于合成物的总重量，铬铁合金可构成约5至约60重量％。所述铜可构成余量。铬铁合金成分是这样的铬-铁合金，其中铬和铁各者的量可变化。基于铬铁合金成分的总重量，铬可构成约70重量％且铁可构成约30重量％。

在某些实施例中，防电弧材料是基于合金合成物的总重量包括约25重量％的铬和余量的铜的铜-铬合金。铜-铬合金的各种形式和用于制造铜-铬合金的方法在本领域中是已知的。铜-铬合金的形式和用于制造合金的方法对本发明来说不是关键的，且因此用于本发明中的适当的铜-铬合金可以从本领域中已知且可商购到的合金中选择。例如，Eaton公司使用粉末金属工艺来制造铜-铬合金。其它已知的铜-铬合金包括通过包括真空感应熔炼、挤出、真空感应熔炼和挤出、熔渗、熔渗和挤出在内的工艺而制造的呈圆筒形的合金，通常最终机加工成形。其它工艺方法可包括粘合剂辅助的粉末金属挤出。

在某些实施例中，防电弧材料结合在屏蔽结构中(例如，与屏蔽结构共同形成)以形成复合体，而在其它实施例中，防电弧材料施加至或沉积在屏蔽结构的表面上以在其上形成一层或涂层，例如薄膜。形成防电弧屏蔽件的非限制性的示例包括：

·利用等静压机靠着心轴共同形成防电弧材料和屏蔽结构；

·使用具有横向(侧向)作用模具的单轴压机靠着心轴共同形成防电弧材料和屏蔽结构；

·通过压缩弹性体来使防电弧材料膨胀以配合于屏蔽结构或在防电弧材料内进行膨胀液压成形并迫使它顺循屏蔽结构的形状；

·形成包括适当粘合剂的防电弧材料的粉末金属混合物并且将该混合物施加于屏蔽结构的表面并同时烧结防电弧材料和将防电弧材料烧结结合至屏蔽结构，其中施加步骤可通过(i)将混合物摊铺在所述表面上或(ii)形成条带并且将条带施加于所述表面来执行；

·制备防电弧材料，将屏蔽结构形成为两部分，并将防电弧材料附着于屏蔽结构的表面且例如通过硬焊将两个屏蔽件部分密闭地密封在一起；和

·制备防电弧材料，将它安置在心轴上，然后通过金属旋压而在防电弧材料周围形成屏蔽结构。

图1示出具有第一圆筒形陶瓷绝缘管12a、第二圆筒形陶瓷绝缘管12b和定位在其间的圆筒形防电弧屏蔽件40的真空断续器10。屏蔽件40包括金属面41和形成在金属面41的内表面上的防电弧材料42。金属面41被密闭地密封于第一和第二陶瓷绝缘管12a、12b。亦即，在屏蔽件40的一端，金属面41与第一陶瓷绝缘管12a的一端密闭地密封，而在屏蔽件40的相对端，金属面41与第二陶瓷绝缘管12b的一端密闭地密封。可使用本领域中已知的各种通常的设备和技术来提供密闭的密封。例如，可通过熔焊或硬焊来提供密闭的密封。第一和第二陶瓷绝缘管12a、12b各者分别与端部密封件51和52联接。亦即，第一和第二陶瓷绝缘管12a、12b的未与屏蔽件40密封的各端分别与端部密封件51和52联接。在真空断续器10的腔内形成有真空封壳50。

在替代实施例中，防电弧材料42可以或者可以不遍及金属面41的整个表面延伸。亦即，例如，金属面41的为了密闭密封的目的而与第一和第二陶瓷绝缘管12a、12b接触的部分可以如图1所示不包括防电弧材料42。在其它实施例中，防电弧材料42可以存在于金属面41的整个表面上。

第一电极组件20和第二电极组件22在由屏蔽件40形成的内部管状腔内纵向地对准。第一和第二电极组件20、22具有对向的接触面且可相对于彼此轴向移动以断开和闭合交流电路。接触面在电路闭合位置彼此靠接且为了断开电路而分离。电弧在触头向电路断开位置移动分开时在接触面之间形成。起弧持续到电流被中断为止。

在不打算受任何具体理论约束的情况下，可认为由于屏蔽件40延伸至真空断续器10的外表面(而不是如其它设计中常见的那样形成在真空断续器的腔内)，所以存在可容纳更大的电极组件20、22的由屏蔽件40形成的更大绝缘区域。

第一电极组件20与大体圆柱形的第一接线柱31连接，该第一接线柱穿过端部密封件51中的孔从真空封壳50伸出，与交流电路(未示出)连接。此外，第一电极组件20包括安装在其上的波状部28，该波状部密封真空封壳50的内部，同时容许第一电极组件20从如图1所示的闭合位置移动到电路断开位置(未示出)。第一蒸气凝结屏蔽件32安装在第一接线柱31上。

第二电极组件22与穿过端部密封件52延伸的大体圆柱形的第二接线柱35连接。第二蒸气凝结屏蔽件36安装在第二接线柱35上。第二接线柱35借助于例如但不限于熔焊或硬焊而与端部密封件52刚性和密闭地密封。

被电弧气化的来自第一和第二电极组件20、22的接触面的金属在起弧期间形成中性等离子体并且凝结回到第一和第二电极组件20、22的接触面上而且还分别凝结到第一和第二蒸气凝结屏蔽件32和36各者上。

虽然图1中所示的真空封壳50是真空断续器10的一部分，但应理解的是，如本文中所用的术语“真空封壳”意在包括形成基本上气密的包封区域的、具有陶瓷与金属密封的任何密封构件。此类密封的包封区域在工作期间可维持在低于大气压、大气压或高于大气压的压力下。

根据所公开的构思的防电弧屏蔽件可利用各种已知的工艺方法形成，例如但不限于粉末冶金、挤出、锻造和铸造工艺。传统的粉末冶金技术包括但不限于挤压和烧结、挤出(例如，粘合剂辅助的挤出)、粉末注射成形和粉末锻造。挤出包括热挤出或冷挤出，而锻造包括热锻造或冷成形。铸造包括真空感应熔炼、砂铸和其它通常的铸造方法。

根据所公开的构思的某些实施例，获得了屏蔽结构并且防电弧材料结合在屏蔽结构的组成体中或施加至屏蔽结构的表面。

在某些实施例中，防电弧材料包括铜-铬合金。铜和铬成分可以呈干形式，例如粉末。铜和铬粉末混合在一起以形成合金混合物。在某些实施例中，铬粉末可以是构成预合金化的铬-铁粉末的铬铁合金粉末。铜和铬粉末可被雾化、化学还原、电解形成、研磨或通过任何其它已知的粉末生产工艺形成。粉末形态可以是球形、针状或不规则的。铜-铬合金粉末混合物被压制成形并烧结。可根据本领域中已知的通常的成形和烧结设备和工艺来进行成形和烧结。被成形的、烧结的物件形成防电弧屏蔽件。可选地，可能需要对被成形的、烧结的物件进行机加工以最终确定屏蔽件的形状。

示例

下面提供了根据所公开的构思的某些实施例的防电弧屏蔽件的制造和用途的非限制性的示例。

示例1

1.通过粉末金属工艺形成铜-铬屏蔽套。

2.将铜-铬屏蔽套组装在刚性的心轴上，紧密地配合，其中将心轴按照复合式防电弧屏蔽件的最终几何形状成形。

3.将金属管安置在心轴和铜-铬屏蔽套周围。

4.将组件封装在橡胶袋中。

5.将袋装组件安置在等静压机中并且施加16,000psi的压力以迫使金属管成形并将铜-铬屏蔽件锁定在屏蔽件上。

6.从压机移除袋装组件并从心轴移除所形成的屏蔽件。

7.将所形成的复合式防电弧屏蔽件的端部机加工成最终形状。

8.通过将密闭的外屏蔽件硬焊在真空断续器的绝缘陶瓷上来组装真空断续器。

示例2

1.通过粉末金属工艺形成铜-铬屏蔽套。

2.将铜-铬屏蔽套组装在刚性的心轴上，紧密地配合，其中将心轴按照复合式防电弧屏蔽件的最终几何形状成形。

3.将金属管安置在心轴和铜-铬屏蔽套周围。

4.将由心轴、铜-铬屏蔽套和金属管构成的组件安置在具有横向作用构件的压模内，所述压模将管成形为屏蔽件的最终几何形状并且将铜-铬套锁定就位。

5.在单轴压机上在模具中形成复合式屏蔽件。

6.排出复合式屏蔽件而使其与心轴分离，并且将所形成的屏蔽件的端部机加工成最终形状。

7.通过将密闭的外屏蔽件硬焊在真空断续器的绝缘陶瓷上来组装真空断续器。

示例3

1.通过粉末金属工艺形成圆筒形的铜-铬屏蔽套。

2.将铜-铬屏蔽套组装在要形成密闭的外屏蔽构件的金属管的内侧。

3.使用作用于安置在内部的弹性体插塞上的单轴压机迫使铜-铬套膨胀到密闭外的屏蔽构件中。

4.将密闭的外屏蔽件的端部挤压、成形并且机加工成最终的几何形状。

5.通过将密闭的外屏蔽件硬焊在真空断续器的绝缘陶瓷上来组装真空断续器。

示例4

1.由无氧铜管通过传统装置形成密闭的外屏蔽构件。

2.形成按重量计由75％的铜和25％的铬的金属粉末构成的干粉末混合物，其中铜和铬粉末尺寸均为-140目，并且混合到均匀为止。

3.以按重量计约86％的金属粉末、10％的水、2％的聚乙烯醇(PVAC)和2％的甲醇的比例向粉末混合物添加水、基于PVAC的粘合剂和甲醇，并且混合到形成均匀浆料为止。

4.将铜-铬浆料作为涂层施加于铜屏蔽构件的内径并且干燥到硬化为止。

5.将外屏蔽件/内涂层组件在75％/25％的氢/氮气氛中在600℃下解除结合并且预烧结30分钟。

6.将外屏蔽件/内涂层组件在3E-4托的最大压力在1000℃下真空烧结6小时以同时烧结铜-铬涂层和使涂层与密闭的外屏蔽件结合。

7.将内侧铜-铬涂层和外侧铜屏蔽件的端部机加工成最终几何形状。

8.通过将密闭的外屏蔽件硬焊在真空断续器的绝缘陶瓷上来组装真空断续器。

示例5

1.使用粉末金属工艺形成如图1和2所示的铜-铬防电弧材料42。

2.根据图2，使端帽43和端帽44形成匹配的端部特征结构，以使得两个部件配合在一起并形成接合部45。

3.将端帽43、44组装在铜-铬防电弧材料42周围。

4.使用硬焊或熔焊工艺使端帽43、44在接合部45处永久接合并密闭地密封，从而将铜-铬屏蔽件锁定在组装好的圆柱体内并形成如图1和2所示的防电弧屏蔽件40。

5.通过将密闭的外屏蔽件硬焊在真空断续器的绝缘陶瓷上来组装真空断续器(未示出)。

示例6

1.通过粉末金属工艺形成铜-铬屏蔽套。

2.将铜-铬屏蔽套组装在刚性的心轴上，紧密地配合，其中将心轴按照复合式防电弧屏蔽件的最终几何形状成形。

3.将金属管安置在心轴和铜-铬屏蔽套周围。

4.将心轴、铜-铬套和金属管安置在适于金属旋压的机床上。

5.使用旋压工具将密闭的外屏蔽件形成为最终的几何形状并且将铜-铬屏蔽件靠着密闭的外金属屏蔽件锁定。

6.从心轴移除成形的屏蔽组件。

7.通过将密闭的外屏蔽件硬焊在真空断续器的绝缘陶瓷上来组装真空断续器。

虽然已通过描述示例而说明了示例性的系统、方法等，并且已经相当详细地说明了示例，但申请人并非意图将所附权利要求的范围约束或以任何方式限制为这样的细节。当然，不可能为了描述本文中描述的系统、方法等的目的而描述各构件或方法的每一种可想到的组合。因此，所公开的构思不限于所示出和描述的具体细节、代表性的设备和说明性的示例。因而，本申请意图涵盖处于所附权利要求的范围内的各种变型、改型和变化。

Claims (20)

1.一种用于真空断续器的防电弧屏蔽件，所述防电弧屏蔽件包括：

屏蔽结构，所述屏蔽结构具有第一端部、相对的第二端部、内表面和外表面；以及

设置在所述屏蔽结构的内表面上的防电弧材料，

其中，所述防电弧屏蔽件定位在第一陶瓷绝缘体和第二陶瓷绝缘体之间，所述屏蔽结构的第一端部被密闭地密封于所述第一陶瓷绝缘体，且所述屏蔽结构的相对的第二端部被密闭地密封于所述第二陶瓷绝缘体，所述电弧屏蔽件限定有内腔，第一和第二电极组件配置在所述腔中并且能分离以确立起弧。

2.根据权利要求1所述的防电弧屏蔽件，其中，所述第一和第二陶瓷绝缘体以及所述防电弧屏蔽件呈圆筒形成形以形成管状结构。

3.根据权利要求1所述的防电弧屏蔽件，其中，所述真空断续器还包括与所述第一陶瓷绝缘体连接的第一端部密封件和与所述第二陶瓷绝缘体连接的第二端部密封件。

4.根据权利要求1所述的防电弧屏蔽件，其中，所述防电弧材料包括铜-铬合金。

5.根据权利要求4所述的防电弧屏蔽件，其中，所述铜-铬合金基于所述合金的总重量包含约10至约60重量％的铬和余量的铜。

6.根据权利要求1所述的防电弧屏蔽件，其中，所述屏蔽结构由从包括不锈钢、铜、钢、镍-铁、白铜及它们的混合物的组中选择的材料构成。

7.根据权利要求1所述的防电弧屏蔽件，其中，所述防电弧材料在所述屏蔽结构内共同形成。

8.根据权利要求1所述的防电弧屏蔽件，其中，所述防电弧材料呈涂层形式并沉积在所述屏蔽结构的内表面上以在其上形成一层。

9.一种真空断续器，包括：

由以下各者限定出的管状腔：

第一陶瓷部；

与所述第一陶瓷部连接的第一端部密封件；

第二陶瓷部；

与所述第二陶瓷部连接的第二端部密封件；

定位在所述第一和第二陶瓷部之间的防电弧屏蔽件，所述防电弧屏蔽件包括：

屏蔽结构，所述屏蔽结构具有内表面、外表面、第一端部和相对的第二端部；以及

设置在所述屏蔽结构的至少一部分上的防电弧材料，

其中，所述屏蔽结构的第一端部被密闭地密封于所述第一陶瓷部且所述屏蔽结构的相对的第二端部被密闭地密封于所述第二陶瓷部；

第一电极组件；和

第二电极组件，

其中，所述第一和第二电极组件配置在所述腔的由所述防电弧屏蔽件限定出的一部分内，所述第一和第二电极组件能分离以确立起弧。

10.一种用于制作真空断续器的方法，包括：

形成管状真空腔，所述管状真空腔包括：

第一陶瓷部；

第二陶瓷部；

防电弧屏蔽件，所述防电弧屏蔽件包括：

屏蔽结构，所述屏蔽结构具有内表面、外表面、第一端部和相对的第二端部；以及

设置在所述屏蔽结构的内表面的至少一部分上的防电弧材料；

第一电极组件；和

第二电极组件；

将所述防电弧屏蔽件定位在所述第一和第二陶瓷部之间；

将所述屏蔽结构的第一端部密闭地密封于所述第一陶瓷部；

将所述屏蔽结构的相对的第二端部密闭地密封于所述第二陶瓷部；以及

将所述第一和第二电极组件配置在所述腔的由所述防电弧屏蔽件限定出的一部分内，所述第一和第二电极组件能分离以确立起弧。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述密闭地密封包括硬焊或熔焊。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述防电弧材料与所述屏蔽结构共同形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，利用从包括等静压机、单轴压机和金属旋压的组中选择的技术将所述防电弧材料和屏蔽结构靠着心轴共同形成。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述防电弧材料施加于所述屏蔽结构的内表面以在其上形成一层。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，利用作用于安置在内部的弹性体插塞上的单轴压机使所述防电弧材料膨胀到所述屏蔽结构中。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，使呈粉末合金形式的防电弧材料与适当的粘合剂混合以形成涂层并将所述涂层施加于所述屏蔽结构的内表面。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括烧结所述防电弧材料并使所述防电弧材料与所述屏蔽结构烧结结合。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，使呈粉末合金形式的防电弧材料与适当的粘合剂混合以形成条带并将所述条带施加于所述屏蔽结构的内表面。

19.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述防电弧材料封装在多件式屏蔽结构内。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述封装过程包括硬焊或熔焊。