CN105490668A - 电路装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电路装置以及电子设备，在具有对大电流进行驱动的驱动器的IC中，存在由于因大电流所引起的发热而致使特性恶化或遭到损坏的情况。具有多个传感器，通过将其中几个传感器以接近成为发热源的流通大电流的输出驱动器的方式进行配置，从而迅速地检测出IC的温度上升，并根据该检测结果而使过热保护功能高精度地动作，从而防止IC的特性的恶化。或者抑制IC的过热而防止损坏。

Description

电路装置以及电子设备

技术领域

本发明涉及一种电路装置以及电子设备等。

背景技术

在对直流电机等驱动对象进行驱动的电路装置中，设置有过热保护电路，所述过热保护电路防止电路装置等由构成H桥电路的晶体管的过电流所产生的过热而遭到损坏的情况。作为具备这样的过热保护电路的电路装置的现有技术，例如已知专利文献1、2中所公开的技术。在该现有技术中，在电路装置中配置温度传感器部，基于该温度传感器部的温度检测结果而检测由过电流所产生的过热，并通过使H桥电路的晶体管断开，从而实现过热保护功能。

但是，在上述现有技术中，对于电路装置的芯片上的温度传感器部的布局配置没有任何考虑。因此，即使在H桥电路的开关元件用的晶体管的源极和漏极间流通有过电流，从而在该晶体管的附近温度上升，该温度上升传递至温度传感器部也需要花费时间，从而存在过热保护动作延迟的可能。此外，过热保护动作的延迟会导致电路装置的损坏、可靠性降低等问题。

专利文献1：日本特开2005-347377号公报

专利文献2：日本特开2007-82365号公报

发明内容

根据本发明的几个方式，能够提供一种可提高过热保护的检测性能的电路装置以及电子设备等。

本发明的一个方式涉及一种电路装置，包括：桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管；至少一个温度传感器部；过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，所述温度传感器部与所述过热检测部相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。

根据本发明的一个方式，在具有桥接电路的电路装置中，过热检测部基于来自温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测。此外，实施温度检测的温度传感器部与过热检测部相比，被配置在距桥接电路较近的位置处。如此一来，在例如由于桥接电路中的过电流而成为了过热状态的情况下，能够利用被配置在距该桥接电路较近的位置处的温度传感器部，而在更短的时间内检测出过热状态的温度。因此，与在距桥接电路较远的位置处配置温度传感器部的情况相比，能够提高过热保护的检测性能。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。

如上文所述，如果将温度传感器部配置于桥接电路的配置区域中，则能够在更短的时间内检测出过热状态的温度，因此能够进一步改善过热保护的检测精度、检测时间等检测性能。

本发明的一个方式涉及一种电路装置，包括：桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管；至少一个温度传感器部；过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。

根据本发明的一个方式，在具有桥接电路的电路装置中，实施温度检测的温度传感器部被配置在桥接电路的配置区域中。如此一来，由于能够使温度传感器部与桥接电路的距离最短，因此能够在短时间内检测出过热状态的温度，从而能够提高过热保护的检测精度。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，在将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较远的第一端边的区域设为第一端边侧区域，并将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较近的第二端边的区域设为第二端边侧区域的情况下，所述温度传感器部被配置在所述第二端边侧区域中。

如此一来，温度传感器部被配置在距过热检测部较近的第二端边侧区域中，从而能够进一步提高过热保护的检测精度。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，包括被供给低电位侧电源的低电位侧电源衬垫，所述温度传感器部与所述桥接电路的所述低侧的晶体管相比，被配置在距所述低电位侧电源衬垫较近的位置处。

如此一来，能够以低阻抗向温度传感器部供给来自低电位侧电源衬垫的低电位侧电源，从而能够抑制由于噪声等而引起的过热检测的检测性能的降低。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，包括驱动电路，所述驱动电路向所述桥接电路的所述高侧的晶体管、所述低侧的晶体管输出驱动信号，所述温度传感器部与所述驱动电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。

如此一来，由于温度传感器部与桥接电路的驱动电路相比，被配置在距桥接电路较近的位置处，因此能够缩短温度传感器部与桥接电路的距离，从而能够提高过热检测的检测性能。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，包括控制电路，所述控制电路实施所述桥接电路的所述高侧的晶体管以及所述低侧的晶体管的导通、断开控制，所述温度传感器部与所述控制电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。

如此一来，由于温度传感器部与对桥接电路进行控制的控制电路相比，被配置在距桥接电路较近的位置处，因此能够缩短温度传感器部与桥接电路的距离，从而能够提高过热检测的检测性能。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，作为至少一个所述温度传感器部，配置多个温度传感器部。

如此一来，由于能够基于来自多个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，因此可实现过热检测的检测性能的进一步提高。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述高侧的晶体管的配置区域中，所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述低侧的晶体管的配置区域中。

如此一来，例如，关于由于桥接电路的高侧的晶体管中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第一温度传感器部而进行检测，关于由于桥接电路的低侧的晶体管中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第二温度传感器部而进行检测。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中，所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域的外侧区域。

如此一来，能够使用被配置在桥接电路的配置区域中的第一温度传感器部中的温度检测结果与被配置在桥接电路的配置区域的外侧区域中的第二温度传感器部中的温度检测结果，而实施过热检测。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，包括具有高侧的晶体管与低侧的晶体管的第二桥接电路，所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在作为所述桥接电路的第一桥接电路的配置区域中，所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述第二桥接电路的配置区域中。

如此一来，关于由于第一桥接电路中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第一温度传感器部而进行检测，关于由于第二桥接电路中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第二温度传感器部而进行检测。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述多个温度传感器部中的第三温度传感器部被配置在所述第一桥接电路与所述第二桥接电路之间。

如此一来，能够基于被分散配置于第一、第二桥接电路的配置区域中的第一、第二、第三温度传感器部中的温度检测结果，而实施过热检测。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述过热检测部基于来自所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部的第二温度检测信号，而实施过热检测。

如此一来，能够使用来自第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自第二温度传感器部的第二温度检测信号双方，而实施过热检测。因此，与基于来自一个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测的情况相比，能够提高过热检测的检测性能等。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述过热检测部基于所述第一温度检测信号与所述第二温度检测信号的比较结果，而实施过热检测。

如此一来，由于能够通过来自第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自第二温度传感器部的第二温度检测信号的比较处理而实施过热检测，因此能够实现利用电路装置的多个位置处的温度差等的过热检测。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述过热检测部基于从所述多个温度传感器部分时输入的温度检测信号，而实施过热检测。

如此一来，能够基于从多个温度传感器部分时输入的温度检测信号，而进行用于过热检测的各种判断处理，从而能够实现更高的检测性能的过热检测。

在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，所述高侧的晶体管与所述低侧的晶体管为DMOS结构的晶体管，所述温度传感器部通过DMOS结构的晶体管的体二极管而被形成。

如此一来，能够有效地活用构成桥接电路的晶体管的DMOS结构，而实现作为温度传感器部的温度检测元件的体二极管。

本发明的其他方式涉及一种包括上述任一方式所述的电路装置。

附图说明

图1为本实施方式的电路装置的结构例。

图2为本实施方式的比较例中的温度传感器部的配置例。

图3为温度传感器部的其他的配置例。

图4为本实施方式的电路装置的电路结构例。

图5中(A)、(B)为桥接电路的动作说明图。

图6为使用了检测电阻的斩波动作的控制方法的说明图。

图7为温度传感器部、过热检测部的结构例。

图8为表示温度检测电压与基准电压的关系的图。

图9为配置多个温度传感器部的情况下的配置例。

图10为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。

图11为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。

图12为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。

图13为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。

图14为基于来自多个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测的方法的说明图。

图15为基于来自多个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测的情况下的详细的结构例。

图16中的(A)、(B)为基于从多个温度传感器部分时输入的温度检测信号而实施过热检测的方法的说明图。

图17为DMOS结构的N型晶体管的剖视图。

图18为DMOS结构的P型晶体管的剖视图。

图19为利用了DMOS结构的温度传感器部的温度检测元件的实现例。

图20为电子设备的结构例。

具体实施方式

以下，对本发明的优选的实施方式进行详细说明。此外，以下所进行说明的本实施方式并非不当地对权利要求书中所记载的本发明的内容进行限定的方式，并且在本实施方式中所说明的全部结构并非都是作为本发明的解决方法所必须的。

1、电路装置的结构

图1中图示了本实施方式的电路装置的结构例。图1为表示俯视观察本实施方式的电路装置时的电路配置例的图。具体而言，为表示沿与电路装置(半导体芯片)的基板正交的方向俯视观察时的电路的布局配置的图。

本实施方式的电路装置包括桥接电路10与模拟电路28。此外能够包括驱动电路18和控制电路20。另外，本实施方式的电路装置并不限定于图1的结构，能够实施省略其结构要素的一部分或者追加其他的结构要素等各种改变。

桥接电路10具有高侧的晶体管(例如后述的图4的Q1、Q3)与低侧的晶体管(Q2、Q4)。桥接电路10为向作为驱动对象的电机(例如直流电机)输出驱动电流的电路。另外，对于桥接电路10的详细的结构以及动作，将使用图4等在后文中叙述。另外，在后文中，虽然以电路装置为对电机进行驱动的电机驱动器的情况为例而进行说明，但本实施方式的电路装置的驱动对象并不局限于电机，能够将具有电感器(线圈)的各种元件、设备作为驱动对象。

驱动电路18为桥接电路10的预驱动器。具体而言，驱动电路18输出桥接电路10的高侧的晶体管、低侧的晶体管的驱动信号。例如，向桥接电路10的高侧的晶体管的栅极输出第一驱动信号，向低侧的晶体管的栅极输出第二驱动信号。

模拟电路28为本实施方式的电路装置中用于对模拟信号进行处理的电路。该模拟电路28包括后述的图4的检测电路30等。此外，可以包括基准电压生成电路、偏置电流生成电路、振荡电路等。

控制电路20为本实施方式的电路装置中对例如数字信号(逻辑信号)进行处理的电路。例如，控制电路20实施桥接电路10的高侧的晶体管以及低侧的晶体管的导通、断开控制。此外，实施用于电路装置的全体控制的处理等。

此外，在本实施方式中，电路装置包括桥接电路10、至少一个温度传感器部TS、过热检测部OHD。温度传感器部TS实施温度检测，并输出温度检测信号。例如，实施温度传感器部TS的配置位置处的温度的检测，例如将与温度相应地变化的电压信号作为温度检测信号而输出。过热检测部OHD基于来自温度传感器部TS的温度检测信号而实施过热检测。例如，对与温度检测信号相对应的温度是否达到了被判断为过热状态的温度进行判断。而且，在被判断为过热状态的情况下，实施例如将桥接电路10的高侧、低侧的晶体管断开的过热保护动作。例如在被判断为过热状态的情况下，过热检测部OHD向控制电路20输出关闭信号(过热检测信号)，接收到该信号的控制电路20实施将桥接电路10的高侧、低侧的晶体管置为断开的控制。

如上文所述，在本实施方式的电路装置中，通过设置温度传感器部TS与过热检测部OHD，从而能够在桥接电路10中流通有过电流的情况下，检测到该情况。而且，通过将桥接电路10的晶体管置为断开，而使桥接电路10对电机等驱动对象的驱动停止，从而实现过热保护动作。

然而，当由温度传感器部TS实施的温度的检测延迟时，有可能在实施过热保护动作之前，产生由于过热而使电路装置损坏等的情况。

例如，在图2中图示了本实施方式的比较例中的温度传感器部TS的配置例。在图2的比较例中，温度传感器部TS以及过热检测部OHD被配置在模拟电路28的配置区域中。即，温度传感器部TS以及过热检测部OHD为用于对模拟信号进行处理的电路，并通过被供给模拟电路用的电源而进行动作。因此，温度传感器部TS以及过热检测部OHD未被配置在控制电路20或驱动电路18的配置区域中，而是被配置在模拟电路28的配置区域中。此外，如后文叙述，构成桥接电路10的高侧、低侧的晶体管通过高耐压晶体管(DMOS)而被实现。另一方面，对于构成温度传感器部TS的温度检测元件(双极型晶体管、二极管等)并不要求高耐压。因此，到目前为止，不存在温度传感器部TS被配置在桥接电路10的配置区域中的情况。

另一方面，在对电机等驱动对象进行驱动的电路装置中，在由高耐压晶体管构成的桥接电路10中流通有较大的电流(例如数百mA～数A)。因此，当在桥接电路10的晶体管中产生不良情况而流通有过电流时，将由于因该过电流而引起的过热，产生晶体管的损坏或可靠性降低等问题。

然而，在图2的比较例的配置中，温度传感器部TS以距成为过热的发生源的可能性较高的桥接电路10较远的距离进行配置。因此，即使在桥接电路10中流通有过电流从而成为过热状态的情况下，温度传感器部TS的温度检测也会发生延迟。此外，当温度检测延迟时，由过热检测部OHD实施的过热保护动作的开始也会延迟，从而可能会由于因过电流而引起的过热，致使桥接电路10的晶体管损坏等。

因此，在本实施方式中，如图1所示，将温度传感器部TS配置(布局配置)在距桥接电路10较近的位置处。具体而言，将温度传感器部TS配置在与过热检测部OHD相比距桥接电路10较近的位置处。例如，在与电路装置的基板正交的俯视观察时，将温度传感器部TS配置在与过热检测部OHD相比距桥接电路10更近的位置处。换言之，将温度传感器部TS配置在与驱动电路18相比距桥接电路10较近的位置处。

例如，将温度传感器部TS与桥接电路10之间的距离设为LA1，将过热检测部OHD与桥接电路10之间的距离设为LA2。在这种情况下，在本实施方式中，在LA1＜LA2的位置处配置温度传感器部TS。此外，当将驱动电路18与桥接电路10之间的距离设为LA3的情况下，在LA1＜LA3的位置处配置温度传感器部TS。此外，电路间(模块间)的距离例如可以使用电路(模块)的中心位置间(代表位置间)的距离。在电路(模块)例如为四边形(多边形)的情况下，中心位置例如为4个顶点(多个顶点)的中心位置。

此外，在图1中，将从电路装置(半导体芯片)的第一端边SD1朝向对置的第二端边SD2的方向设为第一方向DR1，并将第一方向DR1的相反方向设为第二方向DR2。此外，将从电路装置的第三端边SD3朝向对置的第四端边SD4的方向设为第三方向DR3，并将第三方向DR3的相反方向设为第四方向DR4。第三方向DR3、第四方向DR4为与第一方向DR1、第二方向DR2交叉(正交)的方向。

在这种情况下，在图1中，在桥接电路10的第一方向DR1侧设置有驱动电路18，在驱动电路18的第一方向DR1侧设置有模拟电路28。另外，在模拟电路28的第一方向DR1侧设置有控制电路20。此外，温度传感器部TS在该第一方向DR1上，被配置在与过热检测部OHD相比距桥接电路10较近的位置处。

如上文所述，在本实施方式中，温度传感器部TS被配置在距桥接电路10较近的位置处。因此，当在桥接电路10中流通有过电流而成为过热状态的情况下，能够通过距桥接电路10较近的位置处的温度传感器部TS，而在短时间内检测出该过热状态的温度。然后，立即开始由过热检测部OHD实施的过热保护动作，例如将桥接电路10的晶体管置为断开，从而能够停止过电流的流通。其结果为，能够有效地抑制由于因在桥接电路10中流通有过电流所引起的过热而导致电路装置(IC)损坏或者可靠性降低等情况的发生。即，能够在短时间内使过热保护功能进行动作，从而防止致使电路装置发生损坏等程度的过热，由此实现电机等驱动对象的稳定的电机驱动控制。

另外，在图1中，温度传感器部TS被配置在桥接电路10的配置区域中。在此，温度传感器部TS被配置在桥接电路10的配置区域中是指，例如，在温度传感器部TS的温度检测元件(双极型晶体管、二极管等)的周围的至少两方(或者三方、四方)的相邻区域中，配置有构成桥接电路10的高侧或低侧的晶体管。即，在温度传感器部TS的配置位置处未形成有桥接电路10的高侧和低侧的晶体管，而是形成有温度检测元件。此外，在该温度检测元件的周围(相邻区域)形成有桥接电路10的晶体管。例如在图1中，在温度传感器部TS的配置区域中形成有温度检测元件，在该温度检测元件的例如第二方向DR2侧、第三方向DR3侧、第四方向DR4侧的相邻区域中形成有桥接电路10的晶体管。

如果以此方式将温度传感器部TS配置在桥接电路10的配置区域中，则能够在最短的时间内检测出由于桥接电路10的晶体管的过电流而引起的过热。即，能够立即检测出该过热状态的温度，并在最短的时间内开始进行过热保护动作。因此，能够更加有效地抑制因过热而导致的晶体管的损坏和可靠性降低。

此外，桥接电路10的高侧和低侧的晶体管由与构成控制电路20等的晶体管相比具有高耐压的晶体管形成。具体而言，桥接电路10的晶体管成为DMOS(Double-diffusedMetalOxideSemiconductor，双扩散金属氧化物半导体)结构的晶体管。此外，在通过该高耐压晶体管的工艺(DMOS工艺)来形成温度传感器部TS的情况下，在温度传感器部TS的配置区域中形成利用该高耐压晶体管的工艺而获得的温度检测元件。例如，如后述的图19所示，温度传感器部TS通过DMOS结构的晶体管的体二极管DB而形成该温度检测元件。

此外，虽然在图1中，在桥接电路10的配置区域的内侧配置了温度传感器部TS，但也可以如图3所示那样，在桥接电路10的配置区域的外侧(配置区域的周围)配置温度传感器部TS。例如，在图3中，在与后述的低电位侧的电源VSS的衬垫PD1、PD2相连接的电源线的下方配置有温度传感器部TS。如上所述，即使在桥接电路10的外侧配置了温度传感器部TS，只要以距桥接电路10较近的距离配置温度传感器部TS，便能够在较短时间内检测出因桥接电路10的过电流而引起的过热，从而能够抑制因过热而导致的晶体管的损坏和可靠性降低。此外，在图3中，在电源VSS的下方配置有温度传感器部TS。因此，由于能够相对于温度传感器部TS而以低阻抗供给电源VSS，因此如后文叙述，能够有效地抑制因噪声而导致的过热检测的检测精度的降低。

此外，在图1中，将桥接电路10的配置区域中的沿着距过热检测部OHD(驱动电路、控制电路)较远的第一端边SB1的区域设为第一端边侧区域AR1。另外，将沿着距过热检测部OHD(驱动电路、控制电路)较近的第二端边SB2的区域设为第二端边侧区域AR2。第一端边侧区域AR1为以桥接电路10的中心位置为基准的第一方向DR1侧的端边区域。第二端边侧区域AR2为以桥接电路10的中心位置为基准的第二方向DR2侧的端边区域。上述第一端边侧区域AR1、第二各端边侧区域AR2为各端边的内侧的预定宽度的区域。

在这种情况下，在图1中，温度传感器部TS被配置在第二端边侧区域AR2中。即，相对于桥接电路10的中心位置(代表位置)，而在第一方向DR1侧的区域中配置有温度传感器部TS。

此外，如图1所示，电路装置具有被供给低电位侧的电源VSS(例如GND)的低电位侧电源的衬垫PD1、PD2。例如，衬垫PD1被配置在电路装置(半导体芯片)的沿着第三端边SD3的I/O区域中。衬垫PD2被配置在电路装置的沿着与第三端边SD3对置的第四端边SD4的I/O区域中。例如在图1中，衬垫PD3为用于与后述的图4的检测电阻RS的一端电连接的衬垫，并与低侧的晶体管Q2、Q4的源极连接，且被设定为电压VS。因此，在电路装置的沿着第一端边SD1的I/O区域中未配置有电源VSS的衬垫，而是配置有检测电阻RS用的衬垫PD3。此外，电源VSS的衬垫PD1、PD2被配置在电路装置的沿着第三、第四端边SD3、SD4的I/O区域中。

另外，衬垫PD1、PD2通过供给低电位侧的电源VSS的电源线而被连接。该VSS的电源线被布线在桥接电路10与驱动电路18之间的区域中。可以在该电源线的下方形成用于将电路装置的基板设定为基板电位(例如VSS＝GND)的保护区域。

此外，在图1中，温度传感器部TS与桥接电路10的低侧的晶体管相比，被配置在距低电位侧电源VSS的衬垫PD1、PD2较近的位置处。例如，在将温度传感器部TS与衬垫PD1(PD2)的距离设为LB1，将桥接电路10与衬垫PD1(PD2)的距离设为LB2的情况下，在LB1＜LB2的位置处配置温度传感器部TS。另外，虽然在图1中，温度传感器部TS被配置在距衬垫PD1与PD2为等距离(大致等距离)的位置处，但也可以将温度传感器部TS配置在距衬垫PD1与衬垫PD2中的衬垫PD1较近的位置处，或者配置在距衬垫PD1与衬垫PD2中的衬垫PD2较近的位置处。

如后述的图4～图6所示，在桥接电路10中，在充电期间与衰减期间的切换期间内，会产生较大的噪声。而且，当产生这样的噪声时，将会降低过热的检测精度。虽然在例如后述的图7、图8中，温度传感器部TS的温度检测电压VTD与基准电压VREF相交的点作为过热状态的温度而被判断，但在桥接电路10中产生较大的噪声时，将会降低过热判断的检测精度。例如，当温度传感器部TS的温度检测电压VTD因桥接电路10的噪声而摆动时，过热判断的检测精度将降低。因此，优选为，相对于温度传感器部TS尽量以低阻抗供给电源VSS(GND)。此外，在桥接电路10中，与高侧的晶体管相比，低侧的晶体管成为更大的噪声的发生源。因此，优选为，尽可能避免低侧的晶体管的噪声向温度传感器部TS传递的情况。

对此，在图1中，温度传感器部TS被配置在桥接电路10的第二端边侧区域AR2中。即，被配置在距电源VSS的衬垫PD1、PD2较近的位置处。因此，对于温度传感器部TS，能够以低阻抗供给电源VSS(GND)。其结果为，即使在桥接电路10中产生了较大的噪声的情况下，也能够将因该噪声而引起的过热判断的检测精度的降低抑制在最小限度内，从而能够提高过热保护的检测性能。另外，在图1中，温度传感器部TS被配置在桥接电路10的第二端边侧区域AR2中。即，与高侧的晶体管相比，被配置在距低侧的晶体管较远的位置处。因此，即使在低侧的晶体管中产生了较大的噪声，也由于温度传感器部TS被配置距该噪声的发生源较远的位置处，因此能够将该噪声向温度传感器部TS的传递抑制在最小限度内。其结果为，即使在低侧的晶体管中产生了较大的噪声的情况下，也能够将因该噪声而导致的过热判断的检测精度的降低抑制在最小限度内，从而能够提高过热保护的检测性能。

例如，如上所述，虽然在距低侧的晶体管较近的沿着电路装置的第一端边SD1的I/O区域中配置有用于与检测电阻RS的一端电连接的衬垫PD3，但未配置有电源VSS的衬垫。因此，虽然当将温度传感器部TS配置在第一端边侧区域AR1中时，存在难以以低阻抗供给电源VSS的问题，但通过将温度传感器部TS配置在第二端边侧区域AR2中，从而能够消除该问题。

此外，本实施方式的电路装置具有向桥接电路10的高侧和低侧的晶体管输出驱动信号的驱动电路18。还具有实施桥接电路10的高侧和低侧的晶体管的导通、断开控制的控制电路20。此外，温度传感器部TS与驱动电路18相比被配置在距桥接电路10较近的位置处。此外温度传感器部TS与控制电路20相比被配置在距桥接电路10较近的位置处。即，温度传感器部TS以温度传感器部TS与桥接电路10的距离短于驱动电路18与桥接电路10的距离及控制电路20与桥接电路10的距离的方式而被配置。通过采用此种方式，在与驱动电路18和控制电路20相比距桥接电路10较近的一侧亦即第二方向DR2侧配置有温度传感器部TS，从而能够缩短温度传感器部TS与桥接电路10的距离。因此，由于在产生因桥接电路10中的过电流而引起的过热状态时，能够通过处于较近的距离的温度传感器部TS来检测温度，因此能够提高过热保护的检测性能，从而能够实现恰当的过热保护动作。

2、详细的电路结构例

图4中图示了本实施方式的电路装置的详细的电路结构例。图4的电路装置包括桥接电路10、驱动电路18、控制电路20、检测电路30、过热保护电路40。此外，本实施方式的电路装置并不局限于图4的结构，可以实施省略其结构要素的一部分或者追加其他的结构要素等各种改变。

桥接电路10具有高侧的晶体管Q1、Q3与低侧的晶体管Q2、Q4。桥接电路10为向电机100(例如直流电机)输出驱动电流的电路，在图4中，为H桥的电路结构。高侧的晶体管Q1、Q3例如为P型(广义为第一导电型)的晶体管，低侧的晶体管Q2、Q4例如为N型(广义为第二导电型)的晶体管。高侧的晶体管是指，与低侧的晶体管相比被连接于高电位电源侧的晶体管。低侧的晶体管是指，与高侧的晶体管相比被连接于低电位电源侧的晶体管。此外，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4可以全部为N型的晶体管。另外，在Q1、Q2、Q3、Q4的源极和漏极间存在未图示的体二极管(寄生二极管)。

高侧的晶体管Q1、Q3的源极被连接于高电位侧的电源VBB(第一电源)的节点。低侧的晶体管Q2、Q4的源极被连接于与检测电阻RS的一端连接的节点N3。节点N3例如经由电路装置的端子而与作为外设部件的检测电阻RS的一端连接。

晶体管Q1的漏极与晶体管Q2的漏极被连接于与外部的电机100(广义为驱动对象)的一端连接的节点N1。节点N1经由电路装置的端子而连接于外部的电机100的一端。

晶体管Q3的漏极与晶体管Q4的漏极被连接于与电机100的另一端连接的节点N2。节点N2经由电路装置的端子而连接于电机100的另一端。

检测电路30对在桥接电路10中流通的电流进行检测。例如，通过对检测电阻RS的一端的电压VS进行检测，从而检测充电期间内的充电电流。例如通过对电压VS与低电位侧的电源VSS(例如GND)的电压的电压差(检测电阻RS的一端的电压与另一端的电压的电压差)进行检测从而检测充电电流。此外，作为检测电路30，可以采用如下的结构，即，设置有对电压VS与VSS的电压之间的电压差进行检测的第一检测电路和对电压VS进行检测的第二检测电路。

检测电路30包括基准电压生成电路32、D/A转换电路DAC和比较电路CP(比较器)。基准电压生成电路32生成恒定电压的基准电压VRF。D/A转换电路DAC接收基准电压VRF，并生成基于设定数据而可变地变化的基准电压VR。比较电路CP在第一输入端子(同相输入端子)输入有基准电压VR，在第二输入端子(反相输入端子)输入有作为检测电阻RS的一端的电压的电压VS，并且比较电路CP输出检测结果信号RQ。例如，如后文叙述，由于斩波电流由在被输入至比较电路CP中的基准电压VR来决定，因此通过使用D/A转换电路DAC而使基准电压VR发生变化，从而能够对电机100的转矩进行控制。

控制电路20基于检测电路30的检测结果，而实施高侧的晶体管Q1、Q3以及低侧的晶体管Q2、Q4的导通、断开控制。具体而言，基于来自检测电路30的检测结果信号RQ，而生成作为PWM(PulseWidthModulation，脉宽调制)信号的控制信号IN1、IN2、IN3、IN4。利用这些控制信号IN1、IN2、IN3、IN4而对充电期间的长度进行控制。

驱动电路18对来自控制电路20的控制信号IN1、IN2、IN3、IN4进行缓冲，并将驱动信号DG1、DG2、DG3、DG4向晶体管Q1、Q2、Q3、Q4的栅极输出。驱动电路18具有对控制信号IN1、IN2、IN3、IN4进行缓冲并输出驱动信号DG1、DG2、DG3、DG4的预驱动器PR1、PR2、PR3、PR4。

过热保护电路40具有温度传感器部TS与过热检测部OHD，并实施过热保护动作。例如过热保护电路40在基于温度传感器部TS的温度检测结果而判断为温度达到了过热保护开始(过热检测)的设定温度(例如150度)的情况下，向控制电路20输出关闭信号STD。然后，接收到关闭信号STD的控制电路20实施例如将桥接电路10的晶体管Q1～Q4置为断开的控制，从而将桥接电路10关闭，由此实现过热保护。如此一来，能够在由于某种事由而使桥接电路10等中的发热变得异常高的情况下，适当地关闭桥接电路10。此外，也可以在桥接电路10的Q1～Q4的各晶体管的栅极和源极间设置过热保护用晶体管，在判断为达到了过热保护开始的设定温度的情况下，通过将这些过热保护用晶体管置为导通，从而实现过热保护动作。

接下来，使用图5(A)、图5(B)而对本实施方式的电路装置的桥接电路10的动作进行说明。

如图5(A)所示，在充电期间内，晶体管Q1、Q4成为导通。由此，从高电位侧的电源VBB经由晶体管Q1、电机100(电机线圈)、晶体管Q4而向低电位侧的电源VSS(GND)流通有充电电流IC。

另一方面，在衰减期间内，如图5(B)所示，晶体管Q2、Q3成为导通，由此从电源VSS经由晶体管Q2、电机100、晶体管Q3而向电源VBB流通有衰减电流ID。上述充电电流IC、衰减电流ID均从电机100的正极侧端子向负极侧端子流通。

此外，如图4所示，在与晶体管Q2、Q4的源极连接的节点N3和电源VSS的节点之间设置有检测电阻RS，比较电路CP对节点N3的电压VS与基准电压VR进行比较。此外，如图6所示，控制电路20实施将流通于桥接电路10中的斩波电流ICP保持为恒定的斩波动作的控制。具体而言，控制电路20以使斩波电流ICP成为恒定的方式对PWM信号(IN1～IN4)的脉冲宽度进行控制，并基于该PWM信号而对晶体管Q1～Q4的导通、断开进行控制。

例如，当在图6的时间点t0开始进行电机100的驱动时，将成为图5(A)所示的充电期间，晶体管Q1、Q4成为导通，晶体管Q2、Q3成为断开。由此，从电源VBB经由晶体管Q1、电机100、晶体管Q4而向电源VSS流通有驱动电流(充电电流IC)。然后，当在时间点t1电机100的驱动电流达到斩波电流ICP时，将切换为衰减期间TD1。具体而言，当驱动电流变大，节点N3的电压VS超出基准电压VR时，比较电路CP的比较结果信号RQ将从低电平变为高电平，从而在时间点t1切换为衰减期间TD1。该时间点t1的电机100的驱动电流为斩波电流ICP，会通过电压VS的检测而检测出斩波电流ICP。

当切换为衰减期间TD1时，将如图5(B)所示，晶体管Q2、Q3成为导通，晶体管Q1、Q4成为断开。由此，从电源VSS经由晶体管Q2、电机100、晶体管Q3而向电源VBB流通有驱动电流(衰减电流ID)。在该衰减期间TD1内，如图6所示，电机100的驱动电流随时间的经过而不断减少。

而且，控制电路20例如使用计时器(计数器电路)等而对从衰减期间TD1的开始起经过了预定时间的情况进行检测，并从衰减期间TD1切换为充电期间TC1。当在充电期间TC1内，电机100的驱动电流增加并达到斩波电流ICP时，再次切换至衰减期间TD2。以后，通过反复上述动作，从而实施使作为驱动电流的峰值电流的斩波电流ICP成为恒定的控制，由此电机100的转速被保持为恒定。

此外，虽然在上文中，对桥接电路10为H桥型的情况进行了说明，但本实施方式并不局限于此，桥接电路10也可以是半桥型。在这种情况下，作为桥接电路10，不设置晶体管Q3、Q4，而设置晶体管Q1、Q2。另外，虽然在上文中，以电路装置为对电机100进行驱动的电机驱动器的情况为例而进行了说明，但本实施方式的电路装置的驱动对象并不局限于电机100，可以将具有电感器(线圈)的各种元件、设备作为驱动对象。另外，虽然在图4中，对通过对检测电阻RS的一端的电压VS进行检测从而实施桥接电路10的晶体管Q1～Q4的导通、断开控制的示例进行了说明，但本实施方式并不局限于此。例如，可以在不使用检测电阻RS的条件下对流通于桥接电路10中的电流进行检测，并实施晶体管Q1～Q4的导通、断开控制。

在图4的电路装置中，在桥接电路10通过斩波电流而对电机100进行驱动时，在构成桥接电路10的晶体管Q1～Q4的漏极中将流通有大电流。由于该大电流通过斩波动作而导通、断开或者使其流向进行反转，因此桥接电路10的晶体管Q1～Q4的漏极电压会较大程度地发生电位变动。当发生这样的电位变动时，该电位变动将成为噪声，从而可能在过热保护电路40的过热保护动作中发生不良。

例如，在图5(B)的衰减期间内，衰减电流ID从低电位侧的电源VSS经由晶体管Q2、电机100、晶体管Q3而向高电位侧的电源VBB流通。因此，向低侧的晶体管Q2的漏极(节点N1)而施加有相对于电源VSS(GND)而成为负侧的电位的负电压。因此，被形成在N型的晶体管Q2的区域中的寄生二极管将成为正向偏置状态，从而产生基板的电位大幅度地变动的噪声。由于该噪声，例如温度传感器部TS会受到恶劣影响，从而无法实现恰当的过热的温度检测。即，可能存在尽管达到了过热保护开始的设定温度(例如150度)，但却无法开始进行过热保护动作，从而导致桥接电路10的晶体管的损坏和可靠性降低等问题。

对此，在图1中，在距电源VSS的衬垫PD1、PD2较近的位置且距作为大的噪声源的低侧的晶体管Q2、Q4较远的位置处配置有温度传感器部TS。因此，即便在低侧的晶体管Q2、Q4中产生了较大的噪声的情况下，也能够将由此而产生的温度检测的精度的降低等抑制在最小限度内，从而能够实现恰当的过热保护动作。

3、过热保护电路

图7中图示出过热保护电路40的详细的结构例。另外，过热保护电路40并不局限于图7的结构，能够实施省略其结构要素的一部分或者追加其他结构要素等各种改变。例如，虽然在图7中，使用双极型晶体管来实施温度检测，但也可以使用二极管等其他温度检测元件来实施温度检测。

如图7所示，过热保护电路40包括温度传感器部TS与过热检测部OHD。温度传感器部TS包括电流源IS(电流源电路)和双极型晶体管BP1、BP2。电流源IS被设置在高电位侧的电源VDD的节点与温度传感器部TS的输出节点NB1之间。双极型晶体管BP1、BP2以串联的方式被设置在温度传感器部TS的输出节点NB1与低电位侧的电源VSS的节点之间。双极型晶体管BP1、BP2形成其集电极与基极被连接的二极管连接，例如可通过CMOS的横向双极来实现。此外，电流源IS既可以是温度传感器部TS的结构要素，也可以是过热检测部OHD的结构要素。即，在图7中，温度传感器部TS只需至少包含双极型晶体管BP1、BP2(广义为温度检测元件)即可。

过热检测部OHD包括比较电路CPB(比较器)与基准电压生成电路50。比较电路CPB在其第一输入端子(+：同相输入端子)输入有来自温度传感器部TS的温度检测电压VTD，在其第二输入端子(-：反相输入端子)输入有来自基准电压生成电路50的基准电压VREF。

基准电压生成电路50包括恒定电压源52与电阻RB1、RB2、RB3以及晶体管TB1。恒定电压源52生成恒定电压VRB。电阻RB1、RB2、RB3以串联的方式被设置在恒定电压VRB的供给节点NB3与电源VSS的节点NB6之间。此外，在电阻RB1与RB2之间的节点NB4处所生成的基准电压VREF被输入至比较电路CPB的第二输入端子(-)。

N型的晶体管TB1被设置在电阻RB3的两端的节点NB5、NB6之间，在其栅极上输入有来自比较电路CPB的关闭信号STD。在关闭信号STD为L电平的情况下，晶体管TB1成为断开，在节点NB4处生成有基准电压VREF＝VREFH＝VRB×{(RB2+RB3)/(RB1+RB2+RB3)}。在关闭信号STD为H电平的情况下，晶体管TB1成为导通，从而电阻RB3被旁通，在节点NB4处生成有基准电压VREF＝VREFL＝VRB×{(RB2/(RB1+RB2)}。在此，以VREFH＞VREFL的方式来设定电阻RB1、RB2、RB3的电阻值。

图8为表示温度传感器部TS的温度检测电压VTD与基准电压VREF的关系的图。如图8所示，温度检测电压VTD随着温度上升而减小，具有负的温度特性。双极型晶体管BP1、BP2成为其集电极与基极被连接的二极管连接，其基极和发射极间电压Ebe具有负的温度特性。而且，由于温度检测电压被表示为VTD＝2×Ebe，因此温度检测电压VTD也具有负的温度特性。另一方面，基准电压VREF具有即使温度上升也成为恒定的平坦(平缓)的温度特性。

此外，在图8中，过热保护开始的设定温度例如被设定为150度，在低于设定温度＝150度的温度下，温度检测电压为VTD＞VREF，因此关闭信号STD成为非激活(例如H电平)。而且，当温度超过设定温度＝150度时，成为VTD＜VREF，关闭信号STD成为激活(例如L电平)。当关闭信号STD成为激活时，控制电路20执行将桥接电路10的全部的晶体管Q1～Q4置为断开的关闭动作。由此实现过热保护动作。

此外，在关闭信号STD为非激活(H电平)的情况下，如上所述通过使晶体管TB1成为导通，从而成为VREF＝VREFL。另一方面，当关闭信号STD由非激活变为激活(L电平)时，通过使晶体管TB1成为断开，从而成为VREF＝VREFH＞VREFL。以此方式，在图7的电路中，当温度超过了过热保护开始的设定温度，关闭信号STD由非激活变为激活的情况下，基准电压VREF由VREFL上升至VREFH。由此，能够使过热保护的检测具有滞后现象特性。由于带有这样的滞后现象特性，从而即使在暂时超过了设定温度之后，因噪声等而使关闭信号STD的电压电平上升的情况下，关闭信号STD也不会从激活变化为非激活，因此能够提高噪声耐性。

4、多个温度传感器部的配置

虽然在图1中，配置了一个温度传感器部，但在本实施方式中，可以在电路装置中配置多个温度传感器部。例如，在图9中，多个温度传感器部中的第一温度传感器部TS1被配置在桥接电路10的高侧的晶体管(Q1、Q3)的配置区域中。另一方面，第二温度传感器部TS2被配置在桥接电路10的低侧的晶体管(Q2、Q4)的配置区域中。

如此一来，例如在由于高侧的晶体管的过电流而成为过热状态的情况下，能够通过被配置在距高侧的晶体管较近的位置处的温度传感器部TS1，而在短时间内检测出该过热状态。另一方面，在由于低侧的晶体管的过电流而成为过热状态的情况下，能够通过被配置在距低侧的晶体管较近的位置处的温度传感器部TS2，而在短时间内检测出该过热状态。

例如在图1的配置结构中，在因低侧的晶体管的过电流而成为过热状态的情况下，需要通过被配置在距低侧的晶体管较远的位置处的温度传感器部TS来对过热状态进行检测，因此可能发生过热状态的检测延迟的情况。对此，根据图9的配置结构，由于能够通过以更近距离被配置的温度传感器部TS2来对低侧的晶体管中的过热进行检测，因此能够抑制上述的情况的发生。

另外，当如图9所示这样在高侧的晶体管的配置区域中配置温度传感器部TS1，并在低侧的晶体管的配置区域中配置温度传感器部TS2时，能够分别独立地对各配置区域内的温度进行检测、保存等。例如，将各温度传感器部TS1、TS2所检测出的过热状态的检测结果保存于电路装置的未图示的存储部中。如此一来，能够在事后对在高侧与低侧的晶体管的哪个配置区域中产生了过电流进行确定，从而能够实现可靠性的提高等。

此外，在图9中，温度传感器部TS1与图1相同，被配置在第二端边侧区域AR2中，温度传感器部TS2被配置在距高侧的晶体管的配置区域较近的区域AR3中，而未被配置在第一端边侧区域AR1中。如此一来，由于能够以更低的阻抗向温度传感器部TS1、TS2供给电源VSS，因此能够有效地抑制因噪声而导致的过热的检测精度的降低。即，在图8中，在温度处于过热保护开始的设定温度附近时，如果在图7的向温度传感器部TS供给电源VSS的供给节点上伴有噪声时，则温度检测电压VTD会在设定温度附近摆动，从而可能存在过热的检测精度降低的问题。对此，如上所述，如果以低阻抗向温度传感器部TS供给电源VSS，则能够抑制这样的问题的发生。

图10为表示多个温度传感器部的其他配置例的图。在图10中，多个温度传感器部中的第一温度传感器部TS1被配置在桥接电路10的配置区域中，另一方面，第二温度传感器部TS2被配置在桥接电路10的配置区域的外侧区域中。具体而言，温度传感器部TS2被配置在模拟电路28的配置区域中。

例如，当欲如图8所示那样仅通过绝对的温度来检测过热状态时，存在检测速度变慢或检测精度产生误差的可能。

对此，在图10中，能够基于温度传感器部TS1的检测温度与温度传感器部TS2的检测温度的温度差，来实施过热状态的检测。例如，能够基于来自温度传感器部TS1的第一温度检测信号与来自温度传感器部TS2的第二温度检测信号来实施过热检测。即，当在桥接电路10的晶体管中产生了过电流的情况下，首先在桥接电路10的配置区域中温度上升，在此之后，在模拟电路28的配置区域中温度将逐渐上升。因此，通过对温度传感器部TS1的检测温度与温度传感器部TS2的检测温度的温度差进行检测，从而能够实现有效的过热检测。即，能够基于来自温度传感器部TS1的第一温度检测信号与来自温度传感器部TS2的第二温度检测信号的比较结果来实施过热检测。此外，如果以此方式基于电路装置的多个位置处的温度差来实施过热检测，则能够期待检测速度、检测精度等的提高，从而能够实现更智能的过热检测。即使在例如检测出绝对的温度需要花费时间的情况下，通过对相对的温度差进行检测，也会实现检测速度等的提高。

图11中图示了其他配置例。在图11中，电路装置除了第一桥接电路10之外，还具备具有高侧的晶体管与低侧的晶体管的第二桥接电路12。第一桥接电路10为第一通道用的桥接电路，第二桥接电路12为第二通道用的桥接电路。在图11中，配置有用于连接第一桥接电路10的低侧的晶体管的源极与外部的检测电阻的衬垫PD3、用于连接第二桥接电路12的低侧的晶体管的源极与外部的检测电阻的衬垫PD4。当以此方式设置双通道的桥接电路10、12时，能够使用一个电路装置同时驱动两个电机，从而能够实现电子设备的小型化、低成本化。另外，通过设置双通道的桥接电路10、12，从而能够实现步进电机的单相驱动、微步驱动等。

此外，在图11中，多个温度传感器部中的第一温度传感器部TS1被配置在第一桥接电路10的配置区域中，第二温度传感器部TS2被配置在第二桥接电路12的配置区域中。具体而言，温度传感器部TS1被配置在桥接电路10的第二端边SB2侧的区域中，温度传感器部TS2被配置在桥接电路12的第二端边SC2侧的区域中。

根据图11的配置例，例如在由于桥接电路10的过电流而成为了热状态的情况下，能够通过被配置在桥接电路10的配置区域中的温度传感器部TS1，而在短时间内检测出该过热状态。另一方面，在由于桥接电路12的过电流而成为了过热状态的情况下，能够通过被配置在桥接电路12的配置区域中的温度传感器部TS2，而在短时间内检测出该过热状态。另外，根据图11的配置例，能够分别独立地对各桥接电路10、12的配置区域内的温度进行检测、保存等。例如，将由各温度传感器部TS1、TS2所检测出的过热状态的检测结果保存于电路装置的未图示的存储部中。如此一来，在事后能够对在第一通道的桥接电路10与第二通道的桥接电路12的哪个配置区域中产生了过电流进行确定，从而实现可靠性的提高等。

图12中图示了另外的配置例。在图12中，多个温度传感器部中的第三温度传感器部TS3被配置在第一桥接电路10与第二桥接电路12之间。如上文所述，当将多个温度传感器TS1、TS2、TS3分散配置在桥接电路10、12的配置区域中时，能够对桥接电路10、12的配置区域的整体的平均温度等进行测量。例如实施温度传感器部TS1、TS2、TS3中的温度检测电压的平均化处理等，也能够实施过热检测。

另外，在图12的配置例中，多个温度传感器部中的第四温度传感器部TS4被配置在模拟电路28的区域中。即，温度传感器部TS1、TS2、TS3被配置在桥接电路10、12的附近的位置处，与此相对，温度传感器部TS4被配置在远离桥接电路10、12的位置处。通过如此设置，能够使用温度传感器部TS4的检测温度与温度传感器部TS1、TS2、TS3各自的检测温度的温度差等来实施过热检测，从而能够实现检测精度和可靠性更高的过热检测。

图13中图示了另外的配置例。在图13中，温度传感器部TS1、TS2、TS3、TS4被配置在与图12相同的位置处。此外，温度传感器部TS5被配置在桥接电路10的低侧的晶体管的配置区域中，温度传感器部TS6被配置在桥接电路12的低侧的晶体管的配置区域中。

如此一来，在桥接电路10中，在由于高侧的晶体管(QB1、QB3)的过电流而成为了过热状态的情况下，能够通过温度传感器部TS1而在短时间内检测出过热状态。另外，在由于低侧的晶体管(QB2、QB4)的过电流而成为了过热状态的情况下，能够通过温度传感器部TS5而在短时间内检测出过热状态。

另外，在桥接电路12中，在由于高侧的晶体管(QC1、QC3)的过电流而成为了过热状态的情况下，能够通过温度传感器部TS2而在短时间内检测出过热状态。在由于低侧的晶体管(QC2、QC4)的过电流而成为了过热状态的情况下，能够通过温度传感器部TS6而在短时间内检测出过热状态。

另外，在图13中，在桥接电路10、12的配置区域中，温度传感器部TS1、TS2、TS3、TS5、TS6被进一步均匀地分散配置。因此，通过实施上述温度传感器部TS1、TS2、TS3、TS5、TS6的温度检测结果的平均化处理等，从而可实现检测精度等的进一步提高。

图14为表示将多个温度传感器部TS1～TSn(n为2以上的整数)配置在电路装置中的情况下的过热保护电路40的结构例的图。

来自温度传感器部TS1～TSn的温度检测电压VTD1～VTDn经由开关元件SW1～SWn而被输入至比较电路CPB的第一输入端子(+)。具体而言，当开关控制电路60将开关元件SW1～SWn中的任意开关元件置为导通时，来自与成为导通的开关元件连接的温度传感器部的温度检测电压将被输入至比较电路CPB的第一输入端子(+)。例如当开关元件SW1成为导通状态时，来自温度传感器部TS1的VTD1将作为温度检测电压VTD而被输入至比较电路CPB的第一输入端子，并被实施与基准电压VREF的比较处理。此外，当开关元件SW2成为导通时，来自温度传感器部TS2的VTD2作为温度检测电压VTD而被输入至比较电路CPB的第一输入端子，并且被实施与基准电压VREF的比较处理。即，在图14中，过热检测部OHD(比较电路)基于来自多个温度传感器部中的第一温度传感器部(TS1)的第一温度检测信号(VTD1)与来自第二温度传感器部(TS2)的第二温度检测信号(VTD2)，而实施过热检测。通过如此设置，能够对各温度传感器部(TS1～TSn)的检测温度是否超过了图8的过热保护开始的设定温度(150度)进行判断。

图15为表示图14的详细的实现结构例的图。在图15中，图14的温度传感器部TS1、TS2…TSn分别通过双极型晶体管BP11以及BP21、BP12以及BP22…BP1n以及BP2n来实现。而且，双极型晶体管BP11、BP12…BP1n的集电极经由开关元件SW1、SW2…SWn而连接于电流源IS。即，电流源IS被这些双极型晶体管BP11以及BP21、BP12以及BP22…BP1n以及BP2n共用。在这种情况下，电流源IS例如被配置在模拟电路28的配置区域中，例如能够作为过热检测部OHD的结构要素。

图16(A)为表示在将多个温度传感器部TS1～TSn配置于电路装置中的情况下的过热保护电路40的其他结构例的图。

开关电路62通过开关控制电路60的开关控制，而选择来自温度传感器部TS1～TSn中的任意两个的温度检测电压作为温度检测电压VTDA、VTDB而输出。

此外，在实施用于过热检测的相对的温度差的检测的第一检测模式中，开关元件SWB成为导通，开关元件SWC、SWOF成为断开。此外，比较电路CPB对温度检测电压VTDA与在温度检测电压VTDB上加上偏移电压VOF而得出的电压进行比较。通过如此设置，在与温度检测电压VTDA对应的检测温度和与温度检测电压VTDB对应的检测温度的差成为预定的温度差(与偏移电压VOF对应的温度差)的情况下，能够检测出该情况。

例如，通过开关电路62而使温度传感器部TS1、TS2的温度检测电压VTD1、VTD2作为温度检测电压VTDA、VTDB被选择。在这种情况下，在第一检测模式中，能够对温度传感器部TS1的检测温度与温度传感器部TS2的检测温度的差是否成为了预定的温度差进行检测。由此，能够实现基于温度差而进行的过热检测，从而能够实现检测速度、检测精度的提高等。

另一方面，在实施过热的绝对的温度检测的第二检测模式中，开关元件SWC、SWOF成为导通，并且开关元件SWB成为断开。另外，开关电路62选择来自温度传感器部TS1～TSn中的任意一个的温度检测电压作为温度检测电压VTDA而输出。此外，比较电路CPB实施温度检测电压VTDA与从基准电压生成电路50经由开关元件SWC、SWOF而被输入的基准电压VREF的比较处理。通过如此设置，能够实现在图8中进行了说明的绝对的过热的温度检测。即，能够检测出各温度传感器部TS1～TSn的检测温度是否达到了过热保护开始的设定温度。

如上所述，根据使用了图16(A)的结构例的方法，过热检测部OHD能够基于来自第一温度传感器部(例如TS1)的第一温度检测信号(例如VTD1)与来自第二温度传感器部(例如TS2)的第二温度检测信号(例如VTD2)的比较结果，来实施过热检测。即，能够实现进行相对的温度差的检测的第一检测模式中的过热检测，从而能够实现检测速度、检测精度的提高等。

在这种情况下，如图16(B)的C1、C2、C3所示，优选为，过热检测部OHD基于从多个温度传感器部TS1～TSn分时输入的温度检测信号，而实施过热检测。

例如在图16(B)的C1中，开关电路62将来自温度传感器部TS4、TS1的温度检测电压(广义为温度检测信号)VTD4、VTD1分别作为温度检测电压VTDA、VTDB而选择。由此，在过热检测部OHD的比较电路CPB的第一输入端子(+)中输入有VTDA＝VTD4，在第二输入端子(-)中输入有VTDB＝VTD1+VOF。而且，通过实施这些温度检测电压VTDA、VTDB的比较处理，从而实施过热检测。即，对温度传感器部TS4的检测温度与温度传感器部TS1的检测温度的温度差是否超过了与偏移电压VOF对应的温度差进行判断，在超过了的情况下判断为处于过热状态。例如在图13中，对被配置在距桥接电路10较远的模拟电路28的区域中的温度传感器部TS4的检测温度与被配置在桥接电路10的高侧晶体管的区域中的温度传感器部TS1的检测温度的温度差是否超过了预定的温度差进行判断。而且，在桥接电路10的高侧的晶体管中流通有过电流的情况下，温度传感器部TS1的检测温度与温度传感器部TS4的检测温度相比，在时间上率先上升，因此两者的检测温度产生温度差。过热检测部OHD通过对该温度差进行检测，从而能够检测出由于桥接电路10的高侧的晶体管的过电流而产生的过热状态。

接下来，在图16(B)的C2中，开关电路62将来自温度传感器部TS4、TS2的温度检测电压VTD4、VTD2分别作为温度检测电压VTDA、VTDB而选择。由此，在过热检测部OHD的比较电路CPB的第一输入端子中输入有VTDA＝VTD4，在第二输入端子中输入有VTDB＝VTD2+VOF。而且，通过实施这些温度检测电压VTDA、VTDB的比较处理，从而实施过热检测。例如在图13中，对被配置在模拟电路28的区域中的温度传感器部TS4的检测温度与被配置在桥接电路12的高侧晶体管的区域中的温度传感器部TS2的检测温度的温度差是否超过了预定的温度差进行判断。此外，在桥接电路12的高侧的晶体管中流通有过电流的情况下，温度传感器部TS2的检测温度与温度传感器部TS4的检测温度相比，在时间上率先上升，因此两者的检测温度产生温度差。过热检测部OHD通过对该温度差进行检测，从而能够检测出由于桥接电路12的高侧的晶体管的过电流而产生的过热状态。

接下来，在图16(B)的C3中，开关电路62将来自温度传感器部TS4、TS5的温度检测电压VTD4、VTD5分别作为温度检测电压VTDA、VTDB而选择。由此，在过热检测部OHD的比较电路CPB的第一输入端子中输入有VTDA＝VTD4，在第二输入端子中输入有VTDB＝VTD5+VOF。此外，通过实施这些温度检测电压VTDA、VTDB的比较处理，从而实施过热检测。例如在图13中，对被配置在模拟电路28的区域中的温度传感器部TS4的检测温度与被配置在桥接电路10的低侧晶体管的区域中的温度传感器部TS5的检测温度的温度差是否超过了预定的温度差进行判断。此外，在桥接电路10的低侧的晶体管中流通有过电流的情况下，温度传感器部TS5的检测温度与温度传感器部TS4的检测温度相比，在时间上率先上升，因此两者的检测温度产生温度差。过热检测部OHD通过对该温度差进行检测，从而能够检测出由于桥接电路10的低侧的晶体管的过电流而产生的过热状态。

如上所述，通过在电路装置中配置多个温度传感器部，并且实施从这些温度传感器部分时输入的温度检测信号的比较处理，从而能够实施基于电路装置的不同位置处的温度差等而进行的过热检测，由此实现过热检测的检测精度、检测速度的提高。

5、DMOS

在本实施方式中，作为构成桥接电路10的晶体管Q1～Q4而使用了DMOS(Double-diffusedMetalOxideSemiconductor)结构的晶体管。另外，作为构成逻辑电路20、模拟电路28等的晶体管而使用了CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补型金属氧化物半导体)结构的晶体管。

图17中图示了低侧的晶体管(Q2、Q4)的截面结构的示例。在该示例中，在P型的硅基板上，作为低侧的晶体管而形成有DMOS结构的N型晶体管。

具体而言，在P型基板(Psub)中形成N型埋入层(NBLA)，并在该埋入层之上形成P型外延层，在该外延层中形成N型阱(NWLC)。在N型阱之上形成N型扩散层，从而形成DMOS结构的N型晶体管的漏极。此外，在N型阱之上形成P型阱(PBDA)，在该P型阱之上形成N型扩散层，从而形成DMOS结构的N型晶体管的源极。在此，P型阱(PBDA)通过连接于源极的P型扩散层而被设定为与源极电压相同的电位。

另外，P型基板(Psub)被设定为VSS的电压(GND)。DMOS结构的N型晶体管的漏极被连接于N型区域(N型扩散层)，并经由其下方的N型层(NWLC、NBLA)而被连接于P型基板，因此，在漏极与P型基板之间产生了寄生二极管Dp1。

图18中图示了高侧的晶体管(Q1、Q3)的截面结构的例。在该示例中，在P型的硅基板上，作为高侧的晶体管而形成有DMOS结构的P型晶体管。

具体而言，在P型基板(Psub)中形成N型埋入层(NBLA)，在该埋入层之上形成P型外延层，在该外延层中形成N型阱(NWLC)。在N型阱之上形成P型阱(PDPM)，在该P型阱之上形成P型扩散层，从而形成DMOS结构的P型晶体管的漏极。此外，在N型阱(NWLC)之上进一步形成N型阱(NWLB)，在该N型阱之上形成N型扩散层与P型扩散层，从而形成DMOS结构的P型晶体管的源极。在此，N型阱(NWLB)通过连接于源极的N型扩散层而被设定为与源极电压相同的电位。

另外，P型基板(Psub)被设定为VSS的电压(GND)。其上方的N型区域(N型层NWLC、NBLA)经由源极的N型阱(NWLB)而被设定为电源电压VBB。漏极被连接于P型区域(P型扩散层)，并经由其下方的P型层(PDPM)而与N型区域连接，因此在漏极与N型区域之间产生了寄生二极管Dp2。

如上所述，在本实施方式中，如图17、图18所示，作为桥接电路10(12)的高侧的晶体管与低侧的晶体管，使用了DMOS结构的晶体管。在这种情况下，在本实施方式中，能够通过DMOS结构的晶体管的体二极管来形成温度传感器部TS。即，通过DMOS结构的晶体管的体二极管来实现温度传感器部TS的温度检测元件。

例如，图19与图17相同，相当于DMOS结构的N型的晶体管的剖视图。此外，如图19的A1所示，连接该晶体管TR的栅极与源极，并将形成在晶体管TR的源极与漏极之间的体二极管DB作为温度传感器部TS的温度检测元件而使用。

即，在图19中，通过连接晶体管TR的栅极与源极，从而该晶体管TR的沟道不会被形成，该源极以及栅极成为体二极管DB的阳极(A)。另一方面，晶体管TR的漏极成为体二极管DB的阴极(K)，形成从阳极朝向阴极的方向为正向的体二极管DB。换言之，形成经由P型扩散层而与源极电连接的P型区域(PBDA)成为阳极，经由N型扩散层而与漏极电连接的N型区域(NWLC、NBLA)成为阴极的体二极管DB。

该体二极管DB与图8相同，具有负的温度特性。因此，通过代替图7的双极型晶体管BP1、BP2而使用DMOS结构的晶体管TR的体二极管DB，从而能够实现用于过热检测的温度传感器部TS的温度检测元件。

6、电子设备

图20中图示了应用了本实施方式的电路装置200(电机驱动器)的电子设备的结构例。电子设备包括处理部300、存储部310、操作部320、输入输出部330、电路装置200、连接上述各部的总线340、电机280。以下，虽然以通过电机驱动来控制头或送纸的打印机为例而进行说明，但本实施方式并不局限于此，能够应用于各种电子设备。

输入输出部330例如通过USB连接器或无线LAN等接口而被构成，输入图像数据和文书数据。被输入的数据例如被存储在DRAM等作为内部存储装置的存储部310中。当由操作部320受理印刷指示时，处理部300开始进行被存储在存储部310中的数据的印刷动作。处理部300根据数据的印刷布局而向电路装置200(电机驱动器)发送指示，电路装置200基于该指示而使电机280旋转，从而实施头的移动或送纸。

此外，虽然如上所述对本实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员应该能够容易理解如下内容，即，能够进行实质上不脱离本发明的新颖事项以及效果的诸多改变。因此，这样的改变例全部应包含在本发明的范围中。例如，在说明书或者附图中，至少一次与更广义或同义的不同用语(第一导电型、第二导电型、驱动对象、温度检测元件、温度检测信号等)一起记载的用语(P型、N型、电机、双极型晶体管、温度检测电压等)，在说明书或者附图的任意位置都能够替换为该不同的用语。另外，本实施方式以及改变例的全部的组合也被包含于本发明的范围中。另外，电路装置的结构、动作以及配置结构等也不局限于在本实施方式中说明的情况，能够实施各种改变。

符号说明

Q1、Q3高侧晶体管，Q2、Q4低侧晶体管，PR1～PR4预驱动器，DACD/A转换电路，CP比较电路，DG1～DG4驱动信号，IN1～IN4控制信号，RS检测电阻，PD1～PD3衬垫，TS、TS1～TS6温度传感器部，OHD过热检测部，SD1～SD4、SB1～SB4、SC1～SC4端边，BP1、BP2、BP11～BP2n双极型晶体管，IS电流源，CPB比较电路，TS1～TSn温度传感器部，SW1～SWn、SWB、SWC、SWOF开关元件，TB1、TR晶体管，DB体二极管，10、12桥接电路，18驱动电路，20控制电路，28模拟电路，30检测电路，32基准电压生成电路，40过热保护电路，50基准电压生成电路，52恒定电压源，60开关控制电路，100电机，200电路装置，300处理部，310存储部，320操作部，330输入输出部。

Claims (17)

1.一种电路装置，其特征在于，包括：

桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管；

至少一个温度传感器部；

过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，

所述温度传感器部与所述过热检测部相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。

2.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，

所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。

3.一种电路装置，其特征在于，包括：

桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管；

至少一个温度传感器部；

过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，

所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。

4.如权利要求2或3所述的电路装置，其特征在于，

在将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较远的第一端边的区域设为第一端边侧区域，并将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较近的第二端边的区域设为第二端边侧区域的情况下，

所述温度传感器部被配置在所述第二端边侧区域中。

5.如权利要求1至4中任一项所述的电路装置，其特征在于，

包括被供给低电位侧电源的低电位侧电源衬垫，

所述温度传感器部与所述桥接电路的所述低侧的晶体管相比，被配置在距所述低电位侧电源衬垫较近的位置处。

6.如权利要求1至5中任一项所述的电路装置，其特征在于，

包括驱动电路，所述驱动电路向所述桥接电路的所述高侧的晶体管、所述低侧的晶体管输出驱动信号，

所述温度传感器部与所述驱动电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。

7.如权利要求1至6中任一项所述的电路装置，其特征在于，

包括控制电路，所述控制电路实施所述桥接电路的所述高侧的晶体管以及所述低侧的晶体管的导通、断开控制，

所述温度传感器部与所述控制电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。

8.如权利要求1至7中任一项所述的电路装置，其特征在于，

作为至少一个所述温度传感器部，配置有多个温度传感器部。

9.如权利要求8所述的电路装置，其特征在于，

所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述高侧的晶体管的配置区域中，

所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述低侧的晶体管的配置区域中。

10.如权利要求8所述的电路装置，其特征在于，

所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中，

所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域的外侧区域中。

11.如权利要求8所述的电路装置，其特征在于，

包括第二桥接电路，所述第二桥接电路具有高侧的晶体管与低侧的晶体管，

所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在作为所述桥接电路的第一桥接电路的配置区域中，

所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述第二桥接电路的配置区域中。

12.如权利要求11所述的电路装置，其特征在于，

所述多个温度传感器部中的第三温度传感器部被配置在所述第一桥接电路与所述第二桥接电路之间。

13.如权利要求8至12中任一项所述的电路装置，其特征在于，

所述过热检测部基于来自所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部的第二温度检测信号，而实施过热检测。

14.如权利要求13所述的电路装置，其特征在于，

所述过热检测部基于所述第一温度检测信号与所述第二温度检测信号的比较结果，而实施过热检测。

15.如权利要求8至14中任一项所述的电路装置，其特征在于，

所述过热检测部基于从所述多个温度传感器部分时输入的温度检测信号，而实施过热检测。

16.如权利要求1至15中任一项所述的电路装置，其特征在于，

所述高侧的晶体管与所述低侧的晶体管为DMOS结构的晶体管，

所述温度传感器部通过DMOS结构的晶体管的体二极管而被形成。

17.一种电子设备，其特征在于，

包括权利要求1至16中任一项所述的电路装置。