CN105487728A - 触控面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种触控面板，其包括多条沿第一方向上间距排列的第一纳米银线电极串，多条沿第二方向上间距排列的第二纳米银线电极串，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串相互绝缘，所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。本发明所提供的触控面板具有触控灵敏度高，光学表现佳等优点。本发明还提供了触控面板的制作方法，该方法具有成本低，制程简单等优点。

Description

触控面板及其制作方法

【技术领域】

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种触控灵敏度佳的触控面板及其制作方法。

【背景技术】

在传统智能手机，如iphone等的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控技术的进一步发展，用户对触控面板提出了更高的要求，ITO作为传统的触控材料其展现了如下不足：

1.触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，严重影响的触控面板的触控灵敏度；

2.在制造方法上，为制作出符合规格的触控电极图案，ITO需要采用高阶黄光工艺，高阶黄光工艺的设备成本高，制程复杂，其造成触控面板的制造成本无法有效降低，这与电子产品不断低价化的发展趋势背道而驰；

3.ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏。然而，在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为传统的触控导电材料已经因先天上缺点而有面临被其它替代ITO材料的新兴方案逐步取代的趋势；

ITO除了上述的缺点之外，由于铟为自然界的稀有金属，其价格昂贵，供应受限，且ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度来获得高传导性，工艺较为复杂，故，其在很大程度上提高了触控面板的材料成本，另外，ITO结构的导电膜还存在光学表现性能上的诸多问题，选择ITO作为主流的触控电极材料，其在一定程度上阻碍触控产业朝高性价比的低价化解决方案发展。

综上所述，要使触控面板产业更加快速的发展，那么，业界确实殷切地需要且必须寻找一种新的解决方案，藉以同时克服或解决前述ITO所存在的价格昂贵，电阻高，工艺复杂，抗损性能差，光学表现欠佳等缺点。

更进一步，在习知触控面板中存在的既有问题为：当用户在进行触控操作的时候，由于上下两层触控电极重叠区域并非十分平均，故，手指或触控笔尖端触碰在两电极的间距区之间的时候，会出现该区域内对应的两层触控电极叠合区域较少或者几乎没有重叠区域，致使触控感应失效并导致触控灵敏度较低，其影响了触控面板的整体触控效果，如何改善触控面板局部触控灵敏度的问题成为了触控产业的一大难题。

【发明内容】

为克服现有触控导电材料所存在电阻大，成本高，抗损性能差以及现有触控面板所存在的制程复杂，局部触控灵敏度低等问题，本发明提供了一种触控灵敏度佳的触控面板及其制作方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案是：提供一种触控面板，其包括多条沿第一方向上间距排列的第一纳米银线电极串，多条沿第二方向上间距排列的第二纳米银线电极串，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串相互绝缘，所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。

优选地，在所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串的交叠区域内设置有一个或多条断线区，所述各断线区设置在所述各第一纳米银线电极串或所述各第二纳米银线电极串上。

优选地，所述各断线区可为矩形条状、S形折回状、圆形或不规则形状中的其中一种或多种。

优选地，所述各第二纳米银线电极串包括多条第二纳米银线子电极串，所述多条第二纳米银线子电极串并联设置。

优选地，所述各第一纳米银线电极串为“U”形、“E”形、指叉形或“回”字形。

优选地，所述各第一纳米银线电极串包含一第一侧壁及一第二侧壁，所述两相邻第二侧壁界定的非导电区的宽幅为W，所述两相邻第一纳米银线电极串于所述两相邻第一侧壁之间的距离为H，位于最外侧的所述第一纳米银线电极串的一第一侧壁与所述第二纳米银线电极串边界的距离长度为T，所述各第一纳米银线电极串的所述多条分支具有相等宽度d1，W＝H或T＝W＝H或T＝W＝H＝d1或W与H之比为1：(0.5-2)。

优选地，所述各第二纳米银线子电极串的宽度为s2,位于所述非导电区两侧的所述两第一纳米银线电极串分支具有相等宽度d2，s2与d2比值为1：(1-2.5)。

优选地，所述第一纳米银线电极串的每一分支宽度为20-100μm，优选为40μm-80μm，所述第二纳米银线电极串宽度为180-360μm。

优选地，所述各第一纳米银线电极串和/或所述各第二纳米银线电极串边缘为粗糙毛边，其转角处为圆弧转角结构。

优选地，所述触控面板进一步包括多条接地电极串，所述多条接地电极串分别与所述多条第一纳米银线电极串和所述多条第二纳米银线电极串绝缘设置，并对应所述第二纳米银线电极串之间的间隙设置，所述各第一纳米银线电极串和/或所述各第二纳米银线电极串，和/或所述各接地电极串边缘为粗糙毛边且其转角处为圆弧转角结构。

优选地，所述触控面板进一步包括一上基板与一基材层，所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串分别形成于所述基材层的上表面与下表面，所述各第一纳米银线电极串设置在所述上基板与所述基材层之间，所述上基板与所述各第一纳米银线电极串间另设有一高折射率层。

优选地，所述触控面板进一步包括一上基板与一基材层，所述各第一纳米银线电极串设置在所述上基板表面，所述各第二纳米银线电极串设置在所述基材层表面，所述上基板与所述基材层间另设有一高折射率层。

优选地，所述触控面板进一步包括一上基板，一第一基材层与一第二基材层，所述第一基材层设置在所述上基板与所述第二基材层之间，所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串分别设置在所述第一基材层与所述第二基材层上，所述第一基材层或所述第二基材层或所述多条第一纳米银线电极串或所述多条第二纳米银线电极串表面设置有一高折射率层。

优选地，所述触控面板进一步依次包括一上基板，一上基材层，一上偏光片，一液晶层，一下偏光片以及一下基材层，所述上基板一侧为触控面，另一侧为组件安装面，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串设置在所述上基板的所述组件安装面、所述上基材层的上/下表面、所述上偏光片上/下表面、所述下偏光片上/下表面、所述下基材层的上/下表面的其中一组合中的两个表面上，所述上基板与所述下基材层间另设有一高折射率层。

本发明还提供一种触控面板的制作方法，该方法包括步骤：S1：提供至少一基材层；S2:在所述至少一基材层表面设置纳米银线导电层；及S3：激光以螺旋式行进方式扫射位于所述至少一基材层上的纳米银线导电层分别形成平行间距设置的多条第一纳米银线电极串与多条第二纳米银线电极串，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串分别设置在所述同一基材层的两侧或分别设置于所述两不同的基材层上，所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。

优选地，所述第一纳米银线电极串边缘为粗糙毛边，其转角为圆弧转角设计。

本发明还提供另一种触控面板的制作方法，该方法包括步骤：T11：提供一基材层；T21：在所述基材层表面形成一纳米银线导电层；T31：形成(或设置)一干膜光阻层(或称干光阻层)，该干膜光阻层设置在纳米银线导电层表面；T41：提供一胶片光罩，其上设置有互补于第一纳米银线电极层之第一纳米银线电极串的镂空图案；T51：曝光显影；将胶片光罩设置在干膜光阻层上方，激光透过光罩的镂空图案照射在干膜光阻层局部，被照射的干膜光阻层部分曝光；T61：蚀刻；将干膜光阻层曝光部分以及其对应位置处的纳米银线导电层蚀刻掉形成平行间距设置的多条第一纳米银线电极串，所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布；T71：重复上述步骤T11-T61或采用激光镭射切划形成平行间距设置的多条第二纳米银线电极串，第一纳米银线电极串与第二纳米银线电极串分別位于所述基材层表面上及另一基材层表面上。

本发明还提供又一种触控面板的制作方法，该方法包括步骤：T12：提供一基材层；T22：形成两纳米银线导电层，该两纳米银线导电层分别设置于基材层两表面上；T32：形成(或设置)两干膜光阻层，该两干膜光阻层分别设置在两纳米银线导电层表面；T42：提供两胶片光罩，其上分别设置有互补于第一纳米银线电极串以及第二纳米银线电极串的镂空图案；T52：曝光显影；将胶片光罩设置在两干膜光阻层上方，激光透过光罩的镂空图案照射在光阻层局部，被照射的两干膜光阻层部分曝光；T62：蚀刻；将干膜光阻层曝光部分以及其对应位置处的两纳米银线导电层蚀刻掉，两基材层的两表面分别形成平行间距设置的多条第一纳米银线电极串与第二纳米银线电极串，所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。

与现有技术相比，本发明触控面板及其制作方法具有如下优点：

1.本发明中的触控电极图案是通过将纳米银线溶液涂布成纳米银线导电层后，经过图案化工艺(例如激光镭射制程或低阶黄光微影制程)处理所形成。纳米银线之间通过搭接形成传导网络，纳米银线作为触控电极导电材料具有价格低，电阻低，挠性好等优点，尤其是纳米银线导电层非常薄，其能以不同型材作为承载层，其在一定程度上使触控面板变得更薄成为可能。

2.本发明中第一纳米银线电极串分支间设置有非导电区，该非导电区的宽度W等于相邻第一纳米银线电极串之间的距离H，其使得第一纳米银线电极串在触控面板上空间排布均匀，因此在手指触碰触控面板的不同位置时，触控电极所产生的电容变化量趋于一致，其从整体上有效提升了触控面板的触控灵敏度。

3.由于在第一纳米银线电极串上分支间设置有非导电区，故，在同一尺寸的触控面板的生产过程中，第一纳米银线电极串的整体宽度可以做的比传统的触控电极串的宽度更宽，相邻第一纳米银线电极串之间的间隙宽度减小，其使得手指或触控笔等触控操作体能够有效地触碰到第一纳米银线电极串，从而提升触控效果；亦即，本新型电极串由于采用透光率绝佳的纳米银线薄，可以采用40μm-80μm线宽来提供优异的导电率，并能导入低价位的低阶黄光微影制程方案。

4.在触控面板中，在不同方向上的触控电极的交叠区域处，触控操作体不太容易带走交叠区域内的电容，但其容易带走触控交叠区域边缘的电容量，在本实施例中第一纳米银线电极串两两分支中部设置非导电区，即第一纳米银线电极串与第二纳米银线电极串的重叠区域内边缘增多，其进一步提升了触控面板的触控灵敏度。在触控笔尺寸半径小于等于2mm时，本发明所提供的触控面板比传统触控面板的触控灵敏度提高20～50％，其改善触控灵敏度的效果非常明显。

5.进一步，由于纳米银线存在一定的雾度问题，本实施例中，第一纳米银线电极串在触控面板上分布均匀，其能够有效地改善触控面板的光学表现。第一纳米银线电极串的等间距设置越严格，触控面板的触控灵敏度以及光学效果越佳。优选地，于采用激光镭射雷刻制程的图案化工艺方案中，非导电区内保留有基质，其使得非导电区内的材质与第一纳米银线电极串的材质较为接近，也因折射率相近故光学匹配效果较佳，其使得整个触控面板的光学效果表现较佳，克服了光线射入触控面板时，因为界面材质折射率差异大而引起的光线不均匀以及触控电极图案浮现的问题。

6.激光气化基质表面纳米银线后留下所述纳米级通道是属于人眼于宏观下所无法辨识到的尺度，因此，并不会引起视觉上的不良影响，又所述纳米级通道于基质上形成粗糙表面，可有效提高表面的漫反射。

7.实质上，于本新型中，优选地可运用激光镭射在非导电区133进行连续式螺旋轨迹光刻，此举并未全然气化非导电区133内的纳米银线，而仅仅将第一纳米银线电极串相连两分支之间的区域完成连续式螺旋电性切断动作；也因此，当只将非导电区与第一纳米银线电极串临界处的电性进行断开时，该非导电区中心区域仍然保留有纳米银线导电层，其使得非导电区中心区与第一纳米银线电极串材质相同，其折射率相同，触控面板的光学效果表现更佳。

8.Y方向上等间距排列设置的第二纳米银线电极串线宽达到了180-360μm,相邻第二纳米银线电极串之间紧密排列，故其能够有效地屏蔽来自触控面板下面的干扰信号。此外，由于触控电极图案的的宽幅较大，故，其制作工艺可以采用低阶黄光微影制程，其可以有效降低生产成本。综上所述，触控面板具有成本低，挠性好，触控灵敏度好，光学表现佳，抗干扰性能强等诸多优点。

9.本发明提供的触控面板的制作方法中采用螺旋式激光扫射形成触控电极图案，其使得采用该工艺制作的触控电极具有毛边设计以及圆弧转角结构，制造出来的触控面板光学表现较好。具体来说，螺旋式激光扫射系利用激光于每一第一纳米银线电极串两分支间的非导电区内进行由起点至终点的螺旋式轨迹扫描，而非导电区内的轨迹图类似习知弹簧侧视图般连续延伸的图形，藉此每一第一纳米银线电极串两分支间的电性连接得两分支间的电性连接得以有效阻断；再者，相对于习知折线式激光行进方式，螺旋式激光扫射轨迹更为流畅而不停滞，除了提供更均匀的激光扫射能量，避免纳米银线导电层与基材层于制程上遭遇不必要的制程损坏风险。

10.本发明中提供的触控面板的制作方法中采用了低价位的胶片光罩，其成本是传统石英光罩或者玻璃光罩的5％-10％，其制程简单，生产条件要求低，其大大地提高了生产的效率。尤其是生产商可调整光罩与基材层的对位精准度来调节电极图案精细度，灵活适用，本实施中所制成的触控面板为超薄型触控面板，其适应了现行的超薄化电子产品的发展趋势。

【附图说明】

图1是本发明纳米银线导电薄膜的截面结构示意图。

图2是本发明纳米银线导电薄膜的平面示意图。

图3是本发明第一实施例触控面板的层状结构示意图，其包括一第一纳米银线电极层和一第二纳米银线电极层。

图4a是图3中第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图4b是图3中第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图4c是图3中第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图5图3中第一纳米银线电极层的变形结构示意图。

图6是本发明第二实施例触控面板之第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图7是本发明第三实施例触控面板之第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图8是本发明第四实施例触控面板之第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图9是本发明第五实施例触控面板之第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图10是本发明第六实施例触控面板之第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图11是本发明第七实施例触控面板的层状结构示意图，其包括一第一纳米银线电极层，一第二纳米银线电极层和一接地电极层。

图12是图11中第一纳米银线电极层与第二纳米银线电极层以及接地电极层正交平面结构示意图。

图13是本发明第八实施例触控面板之第一纳米银线电极层与第二纳米银线电极层以及接地电极层正交平面结构示意图。

图14是本发明第九实施例触控面板之第一纳米银线电极层和第二纳米银线电极层正交平面结构示意图。

图15是本发明第十实施例触控面板的层状结构示意图。

图16是本发明第十一实施例触控面板的层状结构示意图。

图17是本发明第十二实施例触控面板的层状结构示意图。

图18A是本发明第十三实施例触控面板的制作方法流程图。

图18B是本发明第十四实施例触控面板的制作方法流程图。

图18C是本发明第十五实施例触控面板的制作方法流程图。

【具体实施方式】

为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1与图2，图1系纳米银线导电薄膜800的剖切结构示意图，其包括衬底807和制作在衬底807上的纳米银线导电层805，纳米银线导电层805包括嵌入在基质803中的多根纳米银线801，纳米银线801排布在基质803中相互搭接形成导电网络。纳米银线801(silvernanowires，简称SNW)的线长为10-300μm，优选20-100μm，最好其长度20-50μm，纳米银线801的线径(或者说线宽)小于500nm或小于200nm，100nm，优选为小于50nm，且其长宽比(线长与线径之比)大于10，优选大于50，更优选大于100。

衬底807一般为透明绝缘材料，可以是玻璃、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，但并不以此为限。于本发明中，优选地，衬底807采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。

银在一般状态下为银白色金属，且为不透明材料，导电性极佳。而银制成纳米银线801时，纳米银线801具有良好的透光率和极佳的导电性，能够很好的运用于触控面板的触控电极。

基质803是指含纳米银线801的溶液在经过涂布等方法设置在衬底807上，经过加热烘干使得易挥发的物质挥发后，留在衬底807上的非纳米银线物质。纳米银线801散布或嵌入其中，形成导电网络，部分纳米银线801从基质803材料中突出。纳米银线801依靠基质803形成纳米银线导电层805，基质803可以保护纳米银线801免受腐蚀、磨损等外界环境的影响。

纳米银线导电层805的厚度约为10nm—5μm，优选为20nm—1μm，更优为50nm—200nm。在一些实施例中，纳米银线导电层805的折射率为1.3—2.5，更优为1.35—1.8。

含纳米银线801的溶液是指，纳米银线801分散在特定的溶剂里而形成的悬浮溶液，该溶剂可以是水、水溶液、有机溶剂、无机溶剂、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等，或是可用于均匀制备含纳米银线的溶液的任何溶剂。该溶剂里还可以依需求选择性含有其它添加剂，如分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂，但不以此为限。

此外，可通过选择适当的基质803材料来调整纳米银线导电层805的光学特性，特别是解决雾度问题。例如，可以将基质803调整为具有期望的折射率、组成元素和一定的厚度，都可以有效地减少反射损耗、眩光影响、雾度。

雾度是指由于纳米银线导电层805中的纳米银线801表面光漫射造成的云雾状或混浊的外观。屏幕的雾度问题会导致在室外场景光线照射的情况下，屏幕反射光强烈，严重的时候会使得用户看不清屏幕。

纳米银线导电层805的透光率或清晰度可由以下参数定量的限定：透光率和雾度。透光率是指通过介质传输的入射光的百分比，纳米银线801具备超高透光率(>98％)，而纳米银线导电层805的透光率至少为90％，甚至可以高达91％-98％。雾度是光漫射的指数，雾度是指入射光中分离出来并在传输的过程中散射的光的数量百分比。透光率在很大程度上是透光介质的性质，与之不同的是，雾度经常和产品有关，且典型地是由表面粗糙度和介质中的嵌入粒子或组份的不均匀性导致的。在本发明的实施例中雾度不会超过3％，甚至可以达到不超过1.5％。

请参阅图3，本发明第一实施例触控面板10从上至下(本发明所有实施例中所采用的上、下、左右等位置限定词，仅用于限定指定视图上的相对位置，而非绝对位置)依次包括一上基板11，一贴合层12，一第一纳米银线电极层13，一第一基材层14，一贴合层18，一第二纳米银线电极层15以及一第二基材层16，第一纳米银线电极层13与第二纳米银线电极层15分别成型于第一基材层14与第二基材层16上，即第一基材层14与第二基材层16分别作为第一纳米银线电极层13与第二纳米银线电极层15的附着层。上基板11与第一基材层14之间通过贴合层12实现两者之间的贴合，第一基材层14与第二基材层16之间通过贴合层18实现两者之间的贴合，贴合层12,18具有介电性。上基板11上表面可以是触控笔或手指的接触面，第二基材层16的下表面可以用于依附显示模组。

上基板11可以认定为我们传统触控面板上的触摸盖板，所谓的盖板包括一触控操作面11A与一组件安装面11B，其触控操作面11A用于手指或触控笔等进行触控操作，组件安装面11B则用于安装触控电极组件或显示模组等，上基板11的材质可以是玻璃，强化玻璃，蓝宝石，PEEK(polyetheretherketone聚醚醚酮),PI(Polyimide聚酰亚胺)，PET(polyethyleneterephthalate聚对苯二甲酸乙二醇酯),PC(聚碳酸酯聚碳酸酯),PES(聚丁二酸乙二醇酯,PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯polymethylmethacrylate)及其任意两者的复合物等材料。

第一纳米银线电极层13与第二纳米银线电极层15分别通过纳米银线导电层805图案化后制成。

贴合层12可以选用OCA(光学透明胶，OpticalClearAdhesive)或LOCA(液态光学透明胶，LiquidOpticalClearAdhesive)。特别地，为了优化触控面板10的光效果，贴合层12为一高折射率层，其折射率为1.52—1.79，优选为1.7以使采用纳米银线导电层805做成的第一纳米银线电极层13和/或第二纳米银线电极层15可以将雾度降低到5％以下，最佳可以降低到3％，2％，甚至1.5％以下。

第一基材层14和/或第二基材层16的材质较佳可以选用柔性基材例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，当然也可以是刚性基材，如玻璃，强化玻璃，蓝宝石玻璃，PI(聚酰亚胺)，PC(聚碳酸酯),聚醚砜(PES),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、压克力、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚酰亚胺、聚乙烯(PE)、PET、聚苯乙烯(PS)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)等。

请参阅图4a、4b、4c，以图4a为例，第一纳米银线电极层13包括多条在第一方向上(以下简称X方向)平行等间距排列的第一纳米银线电极串131。第一纳米银线电极串131呈长条状，该长条状上设置有一绝缘区域：非导电区133，该非导电区133为长方形，其使得第一纳米银线电极串131呈“U”字形。该第一纳米银线电极串131包括一第一侧壁131a与第二侧壁131b，该第一侧壁131a朝向第一纳米银线电极串131外部，该第二侧壁131b朝向第一纳米银线电极串131内部，非导电区133具有一定宽度W，即第二侧壁131b界定宽度为W，任意两相邻的第一纳米银线电极串131之间的距离为H，即两相邻的第一纳米银线电极串131之第一侧壁131a之间的距离为H，宽度W等于任意两第一纳米银线电极串131之间的距离H。

非导电区133内只剩余纳米银线导电层805中的基质803，该区域内的纳米银线801在制作工艺中被激光镭射汽化掉。当然该非导电区133也可以完全镂空，即该区域内的基质803和纳米银线801均被完全移除，例如使用低价黄光微影蚀刻掉。亦即是，该非导电区133也可以通过移除其与第一纳米银线电极串131临界处的纳米银线801仅留下基质803，或将该临界处的基质803和纳米银线801完全移除使得非导电区133与第一纳米银线电极串131电性隔离，该非导电区133中心区域仍然保留有纳米银线导电层805，其与第一纳米银线电极串131彼此独立，无电性连接。

第二纳米银线电极层15包括多条在第二方向上(以下简称Y方向)平行等间距排列的第二纳米银线电极串151，第二纳米银线电极串151为矩形状，其宽度为180-360μm。第二方向与第一方向正交，从触控面板10的正面看过去，第一纳米银线电极串131与第二纳米银线电极串151正交。当然，X和Y夹角角度不作限定。

以图4a所示，仅以第一纳米银线电极串131设置一非导电区133形成两条分支结构为例来进行说明，在本实施例及其变形实施例中，第一纳米银线电极串131的非导电区133可以是多条，即第一纳米银线电极串131被非导电区133分为两条或两条以上的分支，至于两条以上的分支可参如图4b、4c所绘示之三分支或四分支,对应于三分支或四分支的第一纳米银线电极串131分别为“E”字形与指叉形。第一纳米银线电极串131的每一分支宽度为20-100μm，优选为40μm-80μm，最佳地，第二纳米银线电极串151宽度与第一纳米银线电极串131分支宽度比为4:1，满足该参数的状况下，触控面板10可以取得较好的触控灵敏度。

本实施例中以三条第一纳米银线电极串131和三条第二纳米银线电极串151为例来进行说明，其可以是往任意方向延展的多条第一纳米银线电极串131和/或第二纳米银线电极串151。第二纳米银线电极串151的形状不限定为长条状，其还可以是多条菱形单元串接形成或其他不规则形状。第一纳米银线电极层13可设置在第一基材层14的上表面，第二纳米银线电极层15可设置在第二基材层16的上表面。

与现有技术相比，本发明触控面板10的触控电极图案是通过将纳米银线801溶液涂布成纳米银线导电层805后，经过图案化工艺(例如激光镭射制程或低阶黄光微影制程)处理所形成。纳米银线801之间通过搭接形成传导网络，纳米银线801作为触控电极导电材料具有价格低，电阻低，挠性好等优点，尤其是纳米银线导电层805非常薄，其能以不同型材作为承载层，其在一定程度上使触控面板10变得更薄成为可能。其次，本发明中第一纳米银线电极串131设置有非导电区133，该非导电区133的宽度W等于相邻第一纳米银线电极串131之间的距离H，其使得第一纳米银线电极串131在触控面板10上分布均匀，因此在手指触碰触控面板10的不同位置时，触控电极所产生的电容变化量趋于一致，其从整体上有效提升了触控面板10的触控灵敏度。

由于在第一纳米银线电极串131上设置有非导电区133，故，在同一尺寸的触控面板10的生产过程中，第一纳米银线电极串131的整体宽度可以做的比传统的触控电极串的宽度更宽，相邻第一纳米银线电极串131之间的间隙宽度减小，其使得手指或触控笔等触控操作体能够有效地触碰到第一纳米银线电极串131，从而提升触控效果；亦即，本新型电极串由于采用透光率绝佳的纳米银线导电层805，可以采用40μm-80μm线宽来提供优异的导电率，并能导入低价位的低阶黄光微影制程方案。

在触控面板10中，在不同方向上的触控电极的交叠区域处，触控操作体不太容易带走交叠区域内的电容，但其容易带走触控交叠区域边缘的电容量，在本实施例中第一纳米银线电极串131中部界定有一非导电区133，即第一纳米银线电极串131与第二纳米银线电极串151的重叠区域内边缘增多，其进一步提升了触控面板10的触控灵敏度。在触控笔尺寸半径小于等于2mm时，本发明所提供的触控面板10比传统触控面板的触控灵敏度提高20～50％，其改善触控灵敏度的效果非常明显。

进一步，由于纳米银线801存在一定的雾度问题，本实施例中，第一纳米银线电极串131在触控面板10上空间排布均匀，其能够有效地改善触控面板10的光学表现。第一纳米银线电极串131的等间距设置越严格，触控面板10的触控灵敏度以及光学效果越佳。优选地，于采用激光镭射制程的图案化工艺方案中，非导电区133内保留有基质803，其使得非导电区133内的材质与第一纳米银线电极串131的材质较为接近，也因折射率相近，故光学匹配效果较佳，故，其使得整个触控面板10的光学效果表现较佳，克服了光线射入触控面板10时，因为界面材质折射率差异大而引起的光线不均匀以及触控电极图案浮现的问题。

此处需要说明的是，激光气化基质803表面纳米银线801后留下所述纳米级通道是属于人眼于宏观下所无法辨识到的尺度，因此，并不会引起视觉上的不良影响，又所述纳米级通道于基质803上形成粗糙表面，可有效提高表面的漫反射。实质上，于本新型中，优选地可运用激光镭射在非导电区133进行连续式螺旋轨迹光刻，此举并未全然气化非导电区133内的纳米银线801，而仅仅将第一纳米银线电极串131相连两分支之间的区域完成连续式螺旋电性切断动作；

也因此，当只将非导电区133与第一纳米银线电极串131临界处的电性进行断开时，该非导电区133中心区域仍然保留有纳米银线导电层805，其使得非导电区133中心区与第一纳米银线电极串131材质相同，其折射率相同，触控面板10的光学效果表现更佳。Y方向上等间距排列设置的第二纳米银线电极串151线宽达到了180-360μm,相邻第二纳米银线电极串151之间紧密排列，故其能够有效地屏蔽来自触控面板10下面的干扰信号。此外，由于触控电极图案的的宽幅较大，若有需要，其制作工艺可以选择性采用低阶黄光微影制程，其可以有效降低生产成本。综上所述，触控面板10具有成本低，挠性好，触控灵敏度好，光学表现佳，抗干扰性能强等诸多优点。

第一纳米银线电极串131的设置可具有如下变形实施方式：

变形实施方式一：从第一纳米银线电极串131与第二纳米银线电极串151的叠加效果来看，位于最外侧第一纳米银线电极串131的第一侧壁131a与所述第二纳米银线电极串151边界的距离长度为T，T＝W＝H，即从Y方向上看，第一纳米银线电极串131在整个触控面板10上等间距设置，在满足该参数的情况下，触控面板10的触控灵敏度可以得到进一步提升。

变形实施方式二：非导电区133宽度W等于两第一纳米银线电极串131之间的距离H，非导电区133设置在第一纳米银线电极串131的中部，即位于非导电区133两侧的第一纳米银线电极串131具有等宽度d1。最佳地，W＝H＝d1，即从Y方向上看，第一纳米银线电极串131在整个触控面板10上严格等间距设置，在满足该参数的情况下，触控面板10的触控灵敏度可以得到大幅提升。

变形实施方式三：上述参数T＝d1＝W＝H,即从Y方向上看，第一纳米银线电极串在整个触控面板上完全严格等间距设置。在满足该参数的情况下，触控面板的触控灵敏度最佳。

变形实施方式四：非导电区133宽度W与任意两第一纳米银线电极串131之间的距离H之比为1：(0.5-2)，从Y方向上看去，第一纳米银线电极串131在整个触控面板10上按一定规则均匀排布，在满足该参数的情况下，同样可以提升触控面板10的触控灵敏度。

本实施例及其变形中，第一纳米银线电极串131不限定于“U”形状，其还可以是近似“回”字形，而回字形上下两端可外接讯号处理电路，如图5所示，第一纳米银线电极串1310中间设置有一绝缘的非导电区1330，该非导电区1330完全形成于第一纳米银线电极串1310区域内，其使得第一纳米银线电极串1310呈“回”字形，该非导电区1330的数量不作限定，其可以是一个或多条，将第一纳米银线电极串1310分成多条分支。近似“回”字形的第一纳米银线电极串1310两端封闭，在其一端线路受损时，整条第一纳米银线电极串1310仍然可以正常工作，其提高了整个触控面板10的抗损性能。本发明中主要以“U”形状的第一纳米银线电极串131为例来进行说明，然“回”形状的第一纳米银线电极串1310同样适用于其他实施例。

请参阅图6，本发明的第二实施例触控面板20与第一实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：第二纳米银线电极串251包括四条相互平行间距设置的第二纳米银线子电极串2511，该四条第二纳米银线子电极串2511一侧设置有走线259，该走线259将四条第二纳米银线子电极串2511并联。第二纳米银线子电极串2511的宽度为s2,位于非导电区233两侧的第一纳米银线电极串231具有等宽度d2，s2≤d2，最佳地，s2比d2为1：(1-2.5)，更佳地s2＝0.5d2，在满足此参数的状况下，可以有效地增加第一纳米银线电极串231与第二纳米银线电极串251交叠区域的边缘数量。一第二纳米银线电极串251所包括的第二纳米银线子电极串2511的数量不作限定，其可以是两条，三条或多条。

与现有技术相比，本实施例触控面板20比实施例一触控面板10更优之处在于其一第二纳米银线电极串251包括多条第二纳米银线子电极串2511，第一纳米银线电极串231与第二纳米银线电极串251交叠区域的边缘增加，其进一步提升了触控面板20的触控灵敏度。另外，多条第二纳米银线子电极串2511并联设置，当其中一条断裂时，第二纳米银线电极串251仍然能够正常工作，其提升了触控面板20的抗损性能。

请参阅图7，本发明的第三实施例触控面板30与第一实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：第二纳米银线电极串351在与第一纳米银线电极串331的交叠区域内设置有四个绝缘的断线区3511，该断线区3511为矩形条状，其并排平行设置。该断线区3511的宽度为s3，位于非导电区333两侧的第一纳米银线电极串331具有等宽度d3，s3≤d3，最佳地，s3与d3比值为1：(1-2.5)，更佳地s3＝0.5d3，在满足此参数的状况下，可以有效地保证第二纳米银线电极串351导电性并增加第一纳米银线电极串331与第二纳米银线电极串351交叠区域的边缘数量。断线区3511的数量不作限定，生产商可以根据第二纳米银线电极串351的宽度来设置。

与现有技术相比，本实施例触控面板30比实施例一触控面板10更优之处在于第二纳米银线电极串351在其与第一纳米银线电极串331的交叠区域内边缘增加，其有效提升了触控面板30的触控灵敏度。

请参阅图8，本发明的第四实施例触控面板40与第一实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：第二纳米银线电极串451在与第一纳米银线电极串431的交叠区域内设置有绝缘的断线区4511，该断线区4511为S形折回状，该断线区4511宽度为s4，位于非导电区433两侧的第一纳米银线电极串431具有等宽度d4，s4≤d4，最佳地，s4与d4比值为1：(1-2.5)，更佳地s4＝0.5d4，在满足此参数的状况下，可以有效地保证第二纳米银线电极串451导电性并增加第一纳米银线电极串431与第二纳米银线电极串451交叠区域的边缘数量。提升了触控面板40的触控灵敏度。断线区4511的具体形状不作限定。

请参阅图9，本发明的第五实施例触控面板50与第一实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：第二纳米银线电极串551在与第一纳米银线电极串531的交叠区域内设置有多条绝缘且以孔形式存在的断线区5511，该断线区5511为圆形，其直径为s5,位于非导电区533两侧的第一纳米银线电极串531具有等宽度d4，s4≤d4，最佳地，s4与d4比值为1：(1-2.5)，更佳地s4＝0.5d4，在满足此参数的状况下，可以有效地保证第二纳米银线电极串551导电性并增加第一纳米银线电极串531与第二纳米银线电极串551交叠区域的边缘数量，有效提升了触控面板40的触控灵敏度。

请参阅图10，本发明的第六实施例触控面板60与第一实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：第一纳米银线电极串631围绕出非导电区633且其上设置有多条绝缘的断线区6311，该断线区6311为条状体，该断线区6311的形状和数量不作限定，其可以是S形折回结构或圆孔或其他不规则形状中的一种或多种。断线区6311的设计增加第一纳米银线电极串631与第二纳米银线电极串651交叠区域的边缘数量。提升了触控面板60的触控灵敏度，且断线区6311设计在第一纳米银线电极串631上时，其靠近触控操作面，相对于第二纳米银线电极串651远离触控面板60下方的触控显示模组，故，断线区6311的设计不会影响到第二纳米银线电极串651的屏蔽效果。

请参阅图11，本发明的第七实施例触控面板70与第二实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：触控面板70增设了一接地电极层77与一第三基材层79，该接地电极层77形成于第三基材层79上，第三基材层79作为其附着层。触控面板70从上至下一次设置有一上基板71，一贴合层72，一第一纳米银线电极层73，一第一基材层74，一贴合层78，一第二纳米银线电极层75，一第二基材层76，一贴合层710，一接地电极层77以及一第三基材层79，第三基材层79与第二基材层76通过贴合层710贴合。第三基材层77为绝缘材质，其材质一般与第一基材层74和/或第二基材层76材质保持一致。

请参阅图12，接地电极层77上设置有多条接地电极串771，该接地电极串771成栅栏形状设置，其匹配于第二纳米银线电极层75的绝缘区域，即其位置对应于第二纳米银线子电极串7511之间的间隙区域，接地电极串771之间按一定规则间距设计，优选地，接地电极771等间距设计。接地电极串7511同一侧设置有走线779，该走线779一端连接于所有的接地电极串771，另一端接地。接地电极层77通过纳米银线导电层805图案化所形成。接地电极层77不限定于设置在第二纳米银线电极层75的下方，其可以设置在第一基材层74或第二基材层76的上表面或下表面均可。第一纳米银线电极串731围绕出非导电区733。

接地电极串771之间按一定规则间距设置，从触控面板70的可视面正面看过去，接地电极串771与第二纳米银线电极串751的叠加效果相当于在整个触控面板上平铺满了一层纳米银线导电层805，故接地电极层77的设置使触控面板70可以有效地屏蔽来自触控模组下方的干扰信号，提升整个触控面板70的显示效果，增加互电容感应量改善触控灵敏度。

请参阅图13，本发明的第八实施例触控面板80与第七实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：该接地电极串871匹配于第二纳米银线子电极串8511之间的空隙方式不一样，本实施例中接地电极串871为长条状，其与第二纳米银线子电极串8511并排平行设置。

本发明的第九实施例触控面板与第一实施例至第八实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于其触控电极图案上，请参阅图14，该触控面板90之第一纳米银线电极层93包括多条第一纳米银线电极串931，该第一纳米银线电极串931以及第二纳米银线电极串951的边缘为粗糙毛边958，其转角处为圆弧转角结构959而非锋利的直角结构，其效果近似于转角处设置有倒圆角。其他尺寸参数与实施例一以及变形实施方式保持一致。本实施例仅以图14中触控面板90与第一实施例触控电极图案的不同之处为例来进行说明，也就是本实施例中可以采用第一实施例至第八实施例等任意触控面板结构，但其第一纳米银线电极串和/或第二纳米银线电极串和/或接地电极串的边缘为粗糙毛边，转角处为圆弧结构。

与现有技术相比，本实施例触控面板90比实施例一至第八实施例中触控面板更优之处在于：具有粗糙毛边以及圆弧转角结构的第一纳米银线电极串和/或第二纳米银线电极串和/或接地电极串边缘相对柔和，而非锐利的直线或直角，其能够有效的优化过于直线化的轮廓边缘线问题进而提升触控面板的显示效果，尤其是采用纳米银线导电层805制作形成的触控电极图案，该毛边与圆弧转角设计使得图案的边缘轮廓柔和，其在一定程度上减缓了表面光漫射造成的云雾状或混浊的外观，即该粗糙毛边以及圆弧转角设计可以有效降低纳米银线801所存在的雾度问题。

请参阅图15，本发明的第十实施例触控面板100与第一实施例至第六实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：该触控面板100的第一纳米银线电极层1013与第二纳米银线电极层1015设置在第一基材层1014的上下表面，故该触控面板100从上至下一次包括一上基板1011，一贴合层1012，一第一纳米银线电极层1013，一第一基材层1014，一第二纳米银线电极层1015。进一步，生产商可根据需要在第一纳米银线电极层1013或第二纳米银线电极层1015表面设置接地电极层(图未视)。

请参阅图16，本发明的第十一实施例触控面板200与第一实施例至第六实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：该触控面板200的第一纳米银线电极层2013设置在上基板2011上，故该触控面板200从上至下一次包括一上基板2011，一第一纳米银线电极层2013，一贴合层2012，一第一基材层2014，一第二纳米银线电极层2015。第二纳米银线电极层2015可设置在第一基材层2014的上表面。进一步，生产商可根据需要在第一纳米银线电极层2013或第二纳米银线电极层2015表面或第一基材层2014上表面设置接地电极层(图未视)。

请参阅图17，本发明的第十二实施例触控面板300与第一实施例至第六实施例，第九实施例及其变形实施方式的不同之处仅在于：第一纳米银线电极层3013设置在上基板3011上，第二纳米银线电极层3015设置在上基材3012的下表面，至此，触控面板300从上至下依次包括一上基板3011，一第一纳米银线电极层3013，一上基材层3012，一第二纳米银线电极层3015，一上偏光片3014，一液晶层3018，一下偏光片3016以及一下基材层3017，液晶层3015，夹持在上偏光片3014与下偏光片3016之间。上基板3011的上表面为触控面3011A，其下表面为组件安装面3011B，第一纳米银线电极层3013与第二纳米银线电极层3015可设置在上基板3011的组件安装面3011B、上基材层3012的上/下表面、上偏光片3014上/下表面、下偏光片3016上/下表面、下基材层3017的上/下表面的其中两个表面上。

请参阅图18A，本发明第十三实施例提供了第九实施例触控面板90的制作方法，该方法包括以下步骤：

S1：提供至少一基材层；

S2：形成纳米银线导电层805；在基材层的上表面上形成纳米银线导电层805，并调节一定温度烘干使之固化；

S3：激光镭射形成第一纳米银线电极串931；激光镭射以螺旋式行进方式扫射位于所述基材层上的纳米银线导电层805形成第一纳米银线电极串931(即作法上，优选地可运用激光镭射在非导电区进行连续式螺旋轨迹光刻，此举并未全然气化非导电区933内的纳米银线801，而仅仅将第一纳米银线电极串931相连两分支之间的区域完成连续式螺旋电性切断动作)，具体地，提供一激光设备，该激光设备出光，激光照射位于基材层上的纳米银线导电层805，由于纳米银线导电层805为透明基质803中嵌入了许多的纳米银线801，部分纳米银线801一端位于基质803内部，另一端凸起于基质803表层，激光照射在纳米银线导电层805上，由于激光完全穿透基质803，而无法穿透非完全透明的纳米银线801，凸起于基质803表面的纳米银线801在接收到激光照射的能量后被气化，仅剩余基质803。激光将非导电区933和多条第一纳米银线电极串931之间的区域进行激光照射后形成第一纳米银线电极层93，第一纳米银线电极层93上的第一纳米银线电极串931具有粗糙毛边958以及圆弧转角结构959；

S4：激光镭射形成第二纳米银线电极串951；重复步骤S1-S3,将第二纳米银线电极串951形成于基材层上；其中该步骤选择包括以下两种情况之一：

S41：将第二纳米银线电极串951形成于第一纳米银线电极串931所在基材层的另一侧；即步骤S4系分别将第一纳米银线电极层931与第二纳米银线电极层951分别形成于同一基材层的上表面及下表面,形成触控面板90。

S42：将第二纳米银线电极串951形成于另一基材层上；即步骤S4系分别将第一纳米银线电极层931与第二纳米银线电极层951分别形成于基材层的表面及另一基材层的表面；而于S42后，可再将两基材层未形成第一纳米银线电极串931及第二纳米银线电极串951的两表面进行贴合等工艺形成触控面板90。

在步骤S2中，纳米银线导电层805以纳米银线801溶液的形式涂覆。所述涂覆的方法包括：喷墨，撒播，凹版印刷，凸版印刷，柔印，纳米压印，丝网印刷，Meyer杆或刮刀涂布，旋转涂布、针绘(stylusplotting)，夹缝式涂布，流涂；优选地，夹缝式涂布最适于步骤S2来使用。具体实施时，以夹缝式涂布为例，先配置好纳米银线801溶液，后将纳米银线801溶液涂布在基材上，通过调整夹缝的宽度、喷嘴与辊筒的距离、传送速度以及泵进料来获得湿的纳米银线导电层805。涂覆纳米银线导电层805后，调节温度至100-180℃，最佳温度为140℃，待纳米银线导电电极层805完全固化。

在步骤S3中，优选但并不限定为激光以螺旋式行进方式扫射位于基材层上的纳米银线导电层805(即除螺旋式行进方式的优选外，任何往复且利于扫射出纳米银线电极串的行进方式均可适用)。

本工艺适用于其他实施例中不同触控图案或接地电极层的制作。

与现有技术相比，本实施例中采用螺旋式激光扫射形成触控电极图案，其使得采用该工艺制作的触控电极具有毛边设计以及圆弧转角结构，制造出来的触控面板90光学表现较好。具体来说，螺旋式激光扫射系利用激光于每一第一纳米银线电极串931两分支间的非导电区933内进行由起点至终点的螺旋式轨迹扫描，而非导电区933内的轨迹图类似习知弹簧侧视图般连续延伸的图形，藉此每一第一纳米银线电极串931两分支间的电性连接得两分支间的电性连接得以有效阻断；再者，相对于习知折线式激光行进方式，螺旋式激光扫射轨迹更为流畅而不停滞，除了提供更均匀的激光扫射能量，避免纳米银线导电层805与基材层于制程上遭遇不必要的制程损坏风险。

请参阅图18B，本发明第十四实施例提供了第一实施例触控面板10的制作方法，该方法包括以下步骤：

T11：提供一基材层；

T21：在基材层表面形成一纳米银线导电层805；在两基材层一表面上形成纳米银线导电层805，并调节一定温度烘干使之固化；

T31：形成(或设置)一干膜光阻层；在纳米银线导电层805表面覆盖一干膜光阻层；

T41：提供一胶片光罩；提供一胶片光罩，其上设置有互补于第一纳米银线电极层13之第一纳米银线电极串131的镂空图案；

T51：曝光显影；将胶片光罩设置在干膜光阻层上方，激光透过胶片光罩的镂空图案照射在干膜光阻层局部，被照射的干膜光阻层部分曝光並发生反应；

T61：蚀刻；将干膜光阻层曝光部分以及其对应位置处的纳米银线导电层805蚀刻掉形成平行间距设置的多条第一纳米银线电极串131；

T71：形成第二纳米银线电极层15；重复步骤T11-T61,分别将第一纳米银线电极层13与第二纳米银线电极层151形成于不同的基材层上，再将基材层进行贴合等工艺形成触控面板10；选择性地，若欲将第二纳米银线电极层15形成如具有较宽幅且呈条状的第二纳米银线电极串151(如图4a所绘示)，则此时T71可以不必重复步骤T11-T61，而可改用激光镭射切划做法来形成第二纳米银线电极层15，接着再将基材层进行贴合等工艺形成触控面板10。

易言之，T71係重复上述步骤T11-T61或采用激光镭射切划形成平行间距设置的多条第二纳米银线电极串，第一纳米银线电极串与第二纳米银线电极串分別位于基材层表面上及另一基材层表面上。

此外，请参阅图18C，本发明第十五实施例还提供触控超薄GF2结构(即于基材层的两上下表面制作纳米银线导电层805)的制作方法流程图，该触控超薄GF2结构中触控电极图案与本发明第一实施例触控面板10中的触控电极图案相同，该方法包括以下步骤：

T12：提供一基材层；

T22：形成两纳米银线导电层805；在基材层的上下表面上分别形成纳米银线导电层805，并调节一定温度烘干使之固化；

T32：形成(或设置)两干膜光阻层；在两纳米银线导电层805表面分别覆盖第一及第二干膜光阻层；

T42：提供两胶片光罩；提供第一及第二胶片光罩该第一及第二胶片光罩上分别设置有互补于第一纳米银线电极层13之多个第一纳米银线电极串131及互补于第二纳米银线电极层15之多个第二纳米银线电极串151的镂空图案；

T52：曝光显影；将第一及第二胶片光罩分别设置在第一及第二干膜光阻层上方，激光透过该等光罩的镂空图案分别照射在第一及第二光阻层局部，被照射的第一及第二干膜光阻层发生反应；

T62：蚀刻；将曝光部分的第一及第二干膜光阻层以及该等干膜光阻层下面的该等纳米银线导电层分805别蚀刻掉以形成多个第一纳米银线电极串131及多个第二纳米银线电极串151。

于前述制作方法中，可以设计将胶片光罩镂空图案的边缘设计为粗糙毛边，其转角处设计为圆弧转角结构，这样使得触控电极图案具有实施例九中所示的电极图案结构，即第一纳米银线电极串931具有粗糙毛边958以及圆弧转角结构959。

在步骤T22中，纳米银线导电层805以纳米银线801溶液的形式涂覆。所述涂覆的方法包括：喷墨，撒播，凹版印刷，凸版印刷，柔印，纳米压印，丝网印刷，Meyer杆或刮刀涂布，旋转涂布、双面滚轮涂布、针绘(stylusplotting)，夹缝式涂布，流涂。优选地，双面滚轮涂布或夹缝式涂布皆较适于步骤T22来使用。具体实施时，以夹缝式涂布为例，先配置好纳米银线801溶液，后将纳米银线801溶液涂布在基材上，通过调整夹缝的宽度、喷嘴与辊筒的距离、传送速度以及泵进料来获得湿的纳米银线导电层805。涂覆纳米银线导电层805后，调节温度至100-180℃，最佳温度为140℃，待纳米银线导电电极层805完全固化。

与现有技术相比，本实施例中采用低价位的胶片光罩，其成本是传统石英光罩或者玻璃光罩的5％-10％，其制程简单，生产条件要求低，其大大地提高了生产的效率。尤其是生产商可调整光罩与基材层的对位精准度来调节电极图案精细度，灵活适用，本实施中所制成的触控面板10为超薄型触控面板，其适应了现行的超薄化电子产品的发展趋势。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种触控面板，其包括多条沿第一方向上间距排列的第一纳米银线电极串，多条沿第二方向上间距排列的第二纳米银线电极串，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串相互绝缘，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：在所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串的交叠区域内设置有一个或多条断线区，所述各断线区设置在所述各第一纳米银线电极串或所述各第二纳米银线电极串上。

3.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于：所述各断线区可为矩形条状、S形折回状、圆形或不规则形状中的其中一种或多种。

4.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述各第二纳米银线电极串包括多条第二纳米银线子电极串，所述多条第二纳米银线子电极串并联设置。

5.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串为“U”形、“E”形、指叉形或“回”字形。

6.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串包含一第一侧壁及一第二侧壁，所述两相邻第二侧壁界定的非导电区的宽幅为W，所述两相邻第一纳米银线电极串于所述两相邻第一侧壁之间的距离为H，位于最外侧的所述第一纳米银线电极串的一第一侧壁与所述第二纳米银线电极串边界的距离长度为T，所述各第一纳米银线电极串的所述多条分支具有相等宽度d1，W＝H或T＝W＝H或T＝W＝H＝d1或W与H之比为1：(0.5-2)。

7.如权利要求4所述的触控面板，其特征在于所述各第二纳米银线子电极串的宽度为s2,位于所述非导电区两侧的所述两第一纳米银线电极串分支具有相等宽度d2，s2与d2比值为1：(1-2.5)。

8.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述第一纳米银线电极串的每一分支宽度为20-100μm，优选为40μm-80μm，所述第二纳米银线电极串宽度为180-360μm。

9.如权利要求1-8任一项所述的触控面板，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串和/或所述各第二纳米银线电极串边缘为粗糙毛边，其转角处为圆弧转角结构。

10.如权利要求1-8任一项所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括多条接地电极串，所述多条接地电极串分别与所述多条第一纳米银线电极串和所述多条第二纳米银线电极串绝缘设置，并对应所述第二纳米银线电极串之间的间隙设置，所述各第一纳米银线电极串和/或所述各第二纳米银线电极串，和/或所述各接地电极串边缘为粗糙毛边且其转角处为圆弧转角结构。

11.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括一上基板与一基材层，所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串分别形成于所述基材层的上表面与下表面，所述各第一纳米银线电极串设置在所述上基板与所述基材层之间，所述上基板与所述各第一纳米银线电极串间另设有一高折射率层。

12.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括一上基板与一基材层，所述各第一纳米银线电极串设置在所述上基板表面，所述各第二纳米银线电极串设置在所述基材层表面，所述上基板与所述基材层间另设有一高折射率层。

13.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括一上基板，一第一基材层与一第二基材层，所述第一基材层设置在所述上基板与所述第二基材层之间，所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串分别设置在所述第一基材层与所述第二基材层上，所述第一基材层或所述第二基材层或所述多条第一纳米银线电极串或所述多条第二纳米银线电极串表面设置有一高折射率层。

14.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步依次包括一上基板，一上基材层，一上偏光片，一液晶层，一下偏光片以及一下基材层，所述上基板一侧为触控面，另一侧为组件安装面，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串设置在所述上基板的所述组件安装面、所述上基材层的上/下表面、所述上偏光片上/下表面、所述下偏光片上/下表面、所述下基材层的上/下表面的其中一组合中的两个表面上，所述上基板与所述下基材层间另设有一高折射率层。

15.一种触控面板的制作方法，其特征在于：该方法包括步骤：

S1：提供至少一基材层；

S2:在所述至少一基材层表面设置纳米银线导电层；及

S3：激光以螺旋式行进方式扫射位于所述至少一基材层上的纳米银线导电层分别形成平行间距设置的多条第一纳米银线电极串与多条第二纳米银线电极串，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串分别设置在所述同一基材层的两侧或分别设置于所述两不同的基材层上，所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。

16.如权利要求15所述的触控面板的制作方法，其特征在于：所述第一纳米银线电极串边缘为粗糙毛边，其转角为圆弧转角设计。

17.一种触控面板的制作方法，其特征在于：该方法包括步骤：

T11：提供一基材层；

T21：在所述基材层表面形成一纳米银线导电层；

T31：形成一干膜光阻层，所述干膜光阻层设置在所述纳米银线导电层表面；

T41：提供一胶片光罩，其上设置有互补于第一纳米银线电极层之第一纳米银线电极串的镂空图案；

T51：曝光显影；将所述胶片光罩设置在所述干膜光阻层上方，激光透过所述胶片光罩的镂空图案照射在所述干膜光阻层局部，被照射的所述干膜光阻层部分曝光；

T61：蚀刻；将所述干膜光阻层曝光部分以及其对应位置处的所述纳米银线导电层蚀刻掉形成平行间距设置的多条第一纳米银线电极串；

T71：重复上述步骤T11-T61或采用激光镭射切划形成平行间距设置的多条第二纳米银线电极串，所述第一纳米银线电极串与所述第二纳米银线电极串分別位于所述基材层表面上及另一基材层表面上。

18.一种触控面板的制作方法，其特征在于：该方法包括步骤：

T12：提供一基材层；

T22：形成两纳米银线导电层，所述两纳米银线导电层分别设置于所述基材层两表面上；

T32：形成两干膜光阻层，所述两干膜光阻层分别设置在两纳米银线导电层表面；

T42：提供两胶片光罩，其上分别设置有互补于第一纳米银线电极串以及第二纳米银线电极串的镂空图案；

T52：曝光显影；将所述胶片光罩设置在所述两干膜光阻层上方，激光透过光罩的镂空图案照射在光阻层局部，被照射的所述两干膜光阻层部分曝光；

T62：蚀刻；将所述两干膜光阻层曝光部分以及其对应位置处的所述两纳米银线导电层蚀刻掉，所述两基材层的两表面分别形成平行间距设置的多条第一纳米银线电极串与第二纳米银线电极串，所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。