CN105479853B - 高分子无泄露自粘铝箔及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种既具有良好的耐折性、耐疲劳性，又具有强度高、屏蔽好、无回波损耗，同时具有高可靠性自粘强度的高分子无泄露自粘铝箔及制作方法，PET膜采用胶粘剂与铝箔一面复合，铝箔的另一面涂有一层改性PE胶层。优点：一是耐折、耐疲劳、强度高，是背景技术的数倍；二是包裹自粘接性能好，其粘接后所形成的剥离强度是背景技术的数倍；三是铝箔面气隙采用同属性纳米铝填充，不仅大大地提高了铝箔的密实度，而且实现了用低档次铝箔制作精品高分子无泄露自粘铝箔的目的，从而极大地降低了对铝箔轧制精度的要求，降低了铝箔制造成本；四是不仅绝缘强度高、屏蔽效果好、避免了回波损耗现象的发生，而且具有优秀的拉伸强度。
Description
技术领域
本发明涉及一种既具有良好的耐折性、耐疲劳性，又具有强度高、屏蔽好、无回波损耗，同时具有高可靠性自粘强度的高分子无泄露自粘铝箔及制作方法，属通信辅助材料制造领域。
背景技术
本申请人所有在先专利CN201489850U、名称“高强度双面自粘铝箔”，它包括铝箔，其特征是：铝箔两面与PET膜之间分别置有一层粘接胶层，PET膜(1)面上置有自粘膜。其需要提高的是：一般的铝箔在生产过程中，由于铝锭的纯度不足或含有杂质，轧辊的表面光泽度等因素而造成所轧铝箔含有微孔等缺陷，这些缺陷直接导致所包裹电缆通信信号衰减、回波损耗增大。
发明内容
设计目的：避免背景技术中的不足，设计一种既具有良好的耐折性、耐疲劳性，又具有强度高、屏蔽好、无回波损耗，同时具有高可靠性自粘强度的高分子无泄露自粘铝箔及制作方法。
设计方案：为实现上述设计目的。1、铝箔一面采用粘胶剂与PET膜复合的设计，是本发明的技术特征之一。这样设计的目的在于：PET 是乳白色或浅黄色、高度结晶的聚合物，表面平滑有光泽。在较宽的温度范围内具有优良的物理机械性能，长期使用温度可达120℃，电绝缘性优良，甚至既使在高温高频下，其电性能仍较好，并且抗蠕变性，耐疲劳性，耐摩擦性、尺寸稳定性都很好，冲击强度是其他薄膜的3～5倍，耐折性好。本发明将其置于铝箔一面，从根本上改善了铝箔的耐折性和强度。2、铝箔的一面或双面气隙采用纳米铝填充的设计，是本发明的技术特征之二。这样设计的目的在于：纳米铝的平均粒径为55nm，而铝箔轧制过程中所产生的孔隙及缝隙往往大于55nm，因而它能将铝箔轧制过程中所产生的通透或不通透的孔隙、缝隙彻底填充且不增加铝箔本身的厚度，使铝箔的屏蔽性得到了根本性的提高，避免了回波损耗现象的发生。3、采用改性PE的目的在于：它可以强力粘合线缆外护套，在外部高空作业或狭小空间作业的施工环境下，剥线钳剪断外护套PE或PVC塑料的同时，由于改性PE在电缆最后一道工序（成缆），铝箔对外护套塑料的强力附着力粘合，故铝箔同时脱落，加快施工进度和提高施工人员安全性。
技术方案1：一种高分子无泄露自粘铝箔， PET膜采用胶粘剂与铝箔一面复合，铝箔的另一面涂有一层改性PE胶层。
技术方案2：一种高分子无泄露自粘铝箔制备方法， 1）将铝箔的一面或二面分别采用同属性的纳米铝进行填充处理，使铝箔面无通透气隙；2）然后将PET膜采用粘胶剂复合在铝箔一面；3）将改性PE胶涂履在铝箔的非复合面、烘干得改性PE膜。
本发明与背景技术相比，一是耐折、耐疲劳、强度高，是背景技术的数倍；二是包裹自粘接性能好，其粘接后所形成的剥离强度是背景技术的数倍；三是铝箔面气隙采用同属性纳米铝填充，不仅大大地提高了铝箔的密实度，而且实现了用低档次铝箔制作精品高分子无泄露自粘铝箔的目的，从而极大地降低了对铝箔轧制精度的要求，降低了铝箔制造成本；四是不仅绝缘强度高、屏蔽效果好、避免了回波损耗现象的发生，而且具有优秀的拉伸强度。
附图说明
图1是高分子无泄露自粘铝箔的结构示意图。
图2是铝箔孔隙、缝隙填充生产线的示意图。
具体实施方式
实施例1：参照附图1和图2。一种高分子无泄露自粘铝箔，PET膜1采用胶粘剂2与铝箔3一面复合，铝箔3的另一面涂有一层改性PE胶层4。铝箔3的面为无通透气隙面。铝箔3的一面或双面的气隙被纳米铝填充。气隙是指微小孔和缝隙，即铝箔轧制过程中其本身由于杂质及轧辊本身所导致的微小透孔、缝隙被纳米铝填充，从而使得铝箔的密实度得到了进上步提高。
其铝箔面气隙填充生产线，包括PLC控制器06，放卷辊08和收卷辊01间依据设有铝箔气隙检测装置07、纳米铝喷涂装置05及纳米铝碾压成型装置03；铝箔气隙检测装置07光电信号输出端接PLC控制器06的信号输入端，PLC控制器06的信号输出端一路接纳米铝喷涂装置05的信号输入端，一路接伺服电机的信号输入端，伺服电机驱动收卷辊01传动。铝箔气隙检测装置07由暗箱、发光源及光敏传感器06构成；暗箱开有铝箔进出口，发光源位于暗箱内下部且位于铝箔下方，光敏传感器06位于暗箱内上部且光敏传感器06信号输出端接PLC控制器的信号输入端。纳米铝喷涂装置05由纳米铝存储箱、纳米铝喷涂喷嘴及纳米喷涂封闭箱构成；纳米喷涂封闭箱开有铝箔进出口，纳米铝喷涂喷嘴直对铝箔面且纳米铝喷涂喷嘴的工作与否受控于PLC控制器。纳米铝碾压成型装置03由封闭箱、对辊碾压辊04和净面刷02构成；对辊碾压辊04分布在封闭箱内铝箔进口部且对辊碾压辊04由伺服电机驱动转动，伺服电机的工作与否受控于PLC控制器，净面刷02分布在封闭箱内对辊碾压辊04出口一侧。对辊碾压辊04中两辊之间的间隙可调，即通过调节对辊碾压辊04中的上辊的升或降即可达到调节对辊之间间隙大小的目的。纳米铝碾压成型装置03中封闭箱底部开有排泄口且排泄口采用螺盖09旋接密封。
其铝箔面气隙填充生产线的填充方法，工作时PLC控制器06指令伺服电机驱动收卷辊01和纳米铝碾压成型装置03中的对辊碾压辊04转动，被检测铝箔在收卷辊01的牵引下由放卷辊08进入铝箔气隙检测装置07的暗箱内，当被检测的铝箔面透光时，位于暗箱内的光敏传感器06被触发将检测到的铝箔气隙的位置信号传递到PLC控制器，当有气隙的铝箔在通过纳米铝喷涂装置05中的纳米铝喷涂喷嘴瞬间，PLC控制器指令纳米铝喷涂装置05纳米铝喷涂喷嘴将纳米铝喷向铝箔面的气隙部，被喷涂纳米铝的铝箔在通过纳米铝碾压成型装置03中的对辊碾压辊04时，其纳米铝被对辊碾压辊压实后，经过净面刷02将铝箔面多余的纳米铝清除（净面刷02的刷头为毛刷头，或绒刷头，或布刷头），最后被收卷辊01收卷。
实施例2：在实施例1的基础上，一种高分子无泄露自粘铝箔制备方法，1）将铝箔3的一面或二面分别采用同属性的纳米铝进行填充处理，使铝箔面无通透气隙；2）然后将PET膜1采用粘胶剂2复合在铝箔3一面；3）将改性PE胶涂履在铝箔3的非复合面、烘干得改性PE膜。
需要理解到的是：上述实施例虽然对本发明的设计思路作了比较详细的文字描述，但是这些文字描述，只是对本发明设计思路的简单文字描述，而不是对本发明设计思路的限制，任何不超出本发明设计思路的组合、增加或修改，均落入本发明的保护范围内。
Claims (3)
1.一种高分子无泄露自粘铝箔，其特征是：PET膜（1）采用胶粘剂（2）与铝箔（3）一面复合，铝箔（3）的另一面涂有一层改性PE胶层（4），铝箔（3）的一面或双面的气隙被纳米铝填充，铝箔（3）的面为无通透气隙面。
2.根据权利要求1所述的高分子无泄露自粘铝箔，其特征是：气隙是指微小孔和缝隙。
3.一种高分子无泄露自粘铝箔制备方法，其特征是：1）将铝箔（3）的一面或二面分别采用同属性的纳米铝进行填充处理，使铝箔面无通透气隙；2）然后将PET膜（1）采用粘胶剂（2）复合在铝箔（3）一面；3）将改性PE胶涂履在铝箔（3）的非复合面、烘干得改性PE膜。
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