CN105467746A - Opc前期对版图的处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种OPC前期对版图的处理方法。该方法包括:添加一辅助单元,将版图中的图形容纳在一起;利用辅助单元对较小单元和非重复单元进行合并;对所述辅助单元及重复单元进行分割,形成多个分割部分;分割后,重复单元中含有与辅助单元相重叠的分割部分作为辅助单元的分割部分;对各个分割部分进行分布式并行处理。通过分割后实现分布式并行处理,简化了处理过程,提高了处理效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种OPC前期对版图的处理方法。
背景技术
集成电路的生产制造是一个非常复杂的过程,其中,光刻技术是最复杂的技术之一,也是推动集成电路工艺发展的重要动力,光刻技术的强大与否直接决定着芯片的性能。
光刻工艺通常是将需要制造的电路结构设计在掩膜版上,之后通过光刻机台将掩膜版上的电路结构放大,复制到硅片上。但是,由于光波的性质和实际投影曝光系统的问题,会有衍射受限或者成像系统的非线性滤波造成严重的能量损失,即光学近似效应(OpticalProximityEffect,OPE),从而不可避免的就会使得在将电路结构放大复制的过程中,会产生失真,尤其是对于180微米以下工艺阶段,这种失真的影响将非常巨大,完全能够让整个制程失败。为了避免这种情况发生,业界采用光学近似修正(OpticalProximityCorrection,OPC)方法,对电路结构进行预先的修正,使得修正后能够补偿OPE效应所带来的缺失部分。
OPC过程通常包括前期版图处理,OPC修正及后期良率分析反馈。由于光学临近干涉衍射效应,版图层次结构需要针对OPC优化以达到:识别复用单元库,以减少重复运算时间。目前这一点还是比较容易达到的,但是版图中通常存在各式各样的图形及单元,并且相互交叠,因此在处理上就很复杂。那么若能够实现各个单元的分割,达到能够使用多机分布式运算,将会大大提高效率。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种OPC前期对版图的处理方法,实现图形和单元的分割,提高生产效率。
为解决上述技术问题,本发明提供一种OPC前期对版图的处理方法,所述版图包括图形及引用单元,所述引用单元包括较小单元、非重复单元及重复单元,该方法包括:
添加一辅助单元,将版图中的图形容纳在一起;
利用辅助单元对较小单元和非重复单元进行合并;
对所述辅助单元及重复单元进行分割,形成多个分割部分;
分割后,重复单元中含有与辅助单元相重叠的分割部分作为辅助单元的分割部分;
对各个分割部分进行分布式并行处理。
可选的,对于所述的OPC前期对版图的处理方法,所述辅助单元为一矩形或圆角矩形,按照图形的分布形成覆盖所述图形的辅助单元。
可选的,对于所述的OPC前期对版图的处理方法,利用至少对边同时延伸的方法合并较小单元和非重复单元。
可选的,对于所述的OPC前期对版图的处理方法,所述较小单元为能被一设定矩形完全覆盖的单元。
可选的,对于所述的OPC前期对版图的处理方法,所述设定矩形的边长是光刻机中所用光的衍射距离的2.5倍。
可选的,对于所述的OPC前期对版图的处理方法,进行分割时分割的大小是光刻机中所用光的衍射距离的10倍。
与现有技术相比,本发明提供的OPC前期对版图的处理方法中,先对图形和单元进行合并分割,最终形成的分割部分不存在相互重叠的情况,避免了现有技术中各种图形或单元存在重叠而只能单机处理的情况,简化了处理过程,通过对各个分割部分进行分布式并行处理,显著提高了处理效率。
附图说明
图1为本发明实施例中OPC前期对版图的处理方法的流程图;
图2~图7为本发明实施例中OPC前期对版图的处理方法的过程中版图的示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的OPC前期对版图的处理方法进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。
为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于,提供一种OPC前期对版图的处理方法,所述版图包括图形及引用单元,所述引用单元包括较小单元、非重复单元及重复单元,该方法包括:
步骤S101,添加一辅助单元,将版图中的图形容纳在一起;
步骤S102,利用辅助单元对较小单元和非重复单元进行合并;
步骤S103,对所述辅助单元及重复单元进行分割,形成多个分割部分;
步骤S104,分割后,重复单元中含有与辅助单元相重叠的分割部分作为辅助单元的分割部分;
步骤S105,对各个分割部分进行分布式并行处理。
以下列举所述OPC前期对版图的处理方法及测试方法的较优实施例,以清楚说明本发明的内容,应当明确的是,本发明的内容并不限制于以下实施例,其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。
基于上述思想,下面提供OPC前期对版图的处理方法的较优实施例,请参考图1~图7,图1为本发明实施例中OPC前期对版图的处理方法的流程图;图2~图7为本发明实施例中OPC前期对版图的处理方法的过程中版图的示意图。
如图1所示,在本实施例中,所述OPC前期对版图的处理方法包括:
步骤S101,添加一辅助单元,将版图中的图形容纳在一起。请结合图2,例如在版图A中,包括有图形10、单元B、单元C及单元D。其中单元B和单元C不止一个,即为重复单元,单元D为一个,是非重复单元。
如图3所示,添加一辅助单元Group,简称辅助单元G。较佳的,所述辅助单元G为一矩形或圆角矩形,在本实施例中,采用圆角矩形,按照图形10的分布形成覆盖所述图形10的辅助单元G,在辅助单元G形成后,去除图形10。在本实施例中,所述图形10分布在版图A的左上角,则辅助单元G就形成在版图A的左上角。在其他实施例中,例如在版图A的右下角(也是单元B右下角)也存在图形,则辅助单元G占据所有单元和图形的位置,然后将图形去除。通常,以辅助单元G恰好覆盖图形10为佳,也可以是覆盖图形10后有着较小的盈余。
在图2中还可以看出,辅助单元G与单元D是层叠的。
步骤S102,利用辅助单元G对较小单元和非重复单元进行合并。所述较小单元是指能被一设定矩形完全覆盖的单元。较佳的,所述设定矩形的边长是光刻机中所用光的衍射距离的2.5倍。所述衍射距离在本发明中理解为光学成像系统中的最大相干距离,和光刻机的景深、镜头孔径以及波长有关。因此这一矩形的大小并不固定,而是需要依据进行光刻工艺的设备进行调整。举例而言,可以是5μm*5μm的矩形。可以理解为,大于这个光学特征距离(即设定矩形的边长)的图形之间相互近似独立,可以单独分析处理,而小于这个光学特征距离的图形之间要计算复杂的干涉衍射关系。
如图4所示,在本实施例中,单元C符合标准,因此被辅助单元G合并。被合并后,就避免了需要对单元C进行复杂的计算过程。
优选的,采用至少对边同时延伸的方法合并所述单元C。在本实施例中,两个单元C所占据的横向(单元C的排列方向)宽度小于辅助单元G在该方向的边长,因此,只需要辅助单元G在竖直方向上的两边向下延伸,覆盖单元C即可。同样的,在进行合并时,所述辅助单元G以恰好覆盖住所述单元C为佳,也可以有较小的盈余。
请参考图5,单元D为非重复第一,因此对单元D进行合并,基于合并单元C的相同方法,采用横向边长延伸的方法将单元D合并。
由图5还可看出,重复单元B与单元D的重叠部分并未因单元D被合并而丢失。
上述对较小单元和非重复单元的合并可以先进行其中任意一个。
步骤S103,对所述辅助单元及重复单元进行分割,形成多个分割部分。请参考图6,辅助单元G和重复单元B被分割。较佳的,进行分割时分割的大小是光刻机中所用光的衍射距离的10倍。例如按照25μm进行分割,即每个小格子的边长为25μm。同样的,该分割大小与光刻工艺的设备相关,因此并不限于25μm。在分割时,可以选择从辅助单元G和重复单元B的任一边处开始,最后可以剩余小于分割大小的格子,而由于重复单元B的宽度较小,因此,只分割成3个小格子。
步骤S104,分割后,重复单元中含有与辅助单元相重叠的分割部分作为辅助单元的分割部分。请继续参考图6,分割后,在辅助单元G中存在着分割部分G1和G2,以及单元B的分割部分B1,这三个分割部分存在重叠,那么首先将这三个分割部分合并,请参考图7,合并后形成新的分割部分G',并将之归为辅助单元G的分割部分。
经过上述步骤,从图7中可以看出,版图A中已经不存在相互层叠交错的图形及单元,那么在此基础上对各个分割部分进行计算分析,就变得简单,不变担心各个图形及单元相互影响的情况。
步骤S105,对各个分割部分进行分布式并行处理。利用分布式并行处理,可以采用多台处理器同时进行分析处理,而不是仅限于一台,因此能够很好的提高处理效率。进一步的,对于光学环境相同的部分可以跳过处理,例如对于3个单元B,只需进行一个单元B的分割部分的处理,其他两个单元B的分割部分由于光学环境相同,省略处理过程,从而以提高效率。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (6)
1.一种OPC前期对版图的处理方法,所述版图包括图形及引用单元,所述引用单元包括较小单元、非重复单元及重复单元,该方法包括:
添加一辅助单元,将版图中的图形容纳在一起;
利用辅助单元对较小单元和非重复单元进行合并;
对所述辅助单元及重复单元进行分割,形成多个分割部分;
分割后,重复单元中含有与辅助单元相重叠的分割部分作为辅助单元的分割部分;
对各个分割部分进行分布式并行处理。
2.如权利要求1所述的OPC前期对版图的处理方法,其特征在于,所述辅助单元为一矩形或圆角矩形,按照图形的分布形成覆盖所述图形的辅助单元。
3.如权利要求2所述的OPC前期对版图的处理方法,其特征在于,利用至少对边同时延伸的方法合并较小单元和非重复单元。
4.如权利要求1所述的OPC前期对版图的处理方法,其特征在于,所述较小单元为能被一设定矩形完全覆盖的单元。
5.如权利要求4所述的OPC前期对版图的处理方法,其特征在于,所述设定矩形的边长是光刻机中所用光的衍射距离的2.5倍。
6.如权利要求1所述的OPC前期对版图的处理方法,其特征在于,进行分割时分割的大小是光刻机中所用光的衍射距离的10倍。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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CN105467746A true CN105467746A (zh) | 2016-04-06 |
CN105467746B CN105467746B (zh) | 2019-09-17 |
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