CN105449514A - 基于rc电路的高重频短脉冲激光调制电路及其工作过程 - Google Patents

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Abstract

基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路及其工作过程,该电路包括两个高压电源、四路脉冲信号、四个受脉冲信号控制的高速模拟开关、两个钳位二极管、两个储能元件、两个去耦电容、两个充电限流电阻、一个放电限流电阻以及一个激光二极管;设控制信号频率均为f,但左右两路的信号相位差为π;在控制信号作用下,两个储能元件交替放电,放电间隔T/2,使激光二极管发射频率为2f的激光脉冲;本发明的创新之处在于:一是在脉冲功率不变的前提下,频率实现了加倍提高;二是采用多个开关,避免了两个充放电电路间的互相影响;三是与传统方案相比,所需元件性能指标基本不变,易于实现。

Description

基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路及其工作过程
技术领域
本发明属于激光发射技术领域,具体涉及一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路及其工作过程。
背景技术
半导体激光器(SemiconductorLaser),也称作激光二极管(LaserDiode),简称LD,是利用半导体中的电子跃迁,引起光子受激发射,而产生的光振荡和光放大等器件的总称。
半导体激光器与其它类型的激光器相比,具有以下优点:转换的效率高;频率范围广;调制方便;驱动电源电压比较低。
半导体激光器在很多领域都得到广泛应用。半导体激光器广泛应用在激光通讯、激光制导跟踪、激光雷达、激光测距、激光武器模拟、激光瞄准与告警、激光探潜、激光制自武器等军事领域;在工业生产过程中,大功率半导体激光器可用于激光打孔、切割、焊接、钎焊、划片、打标、激光材料表面硬化处理、激光烧结、热压成型等方面;此外,半导体激光器在矿业、建筑业、基础学科研究、宇航等方面也有广泛的应用。半导体激光器的功率与电流和温度有关。如果要提高半导体激光器的性能,主要有两个途径:一是采用新的半导体技术,二是提高半导体激光电源的性能指标。
半导体激光电源是半导体激光器的重要组成部分,它随着激光器的发展而不断发展。固体激光器最初采用直流电源经过限流电阻给储能电容器充电,即RC充电方式。其缺点是只适用于低频率及电源充电效率不高的场合。随着新型激光装置的不断发展,对激光器提出了高效率、高重复频率、低成本和高可靠性的要求。LC恒流充电电路能够满足在低频大能量工作条件下的激光装置,其特点是以恒定电流给储能电容器充电,既提高了充电效率又提高了电源稳定性。为了满足高重复频率的激光装置,研制出了直流LC谐振充电电路。它有效地解决了激光电源在高频下工作的充电效率问题,缺点是体积和重量不能明显地减少。为了进一步减小体积和重量并提高充电效率,人们又把开关电源技术引入激光器电源中。随着电子技术的发展,电子开关的电路从快速晶体管,到自行关断的功率场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管电路,激光电源的性能也不断提高,适应领域也不断扩大。
发明内容
针对原有激光脉冲电路频率和功率难以同时提升,脉宽不易进一步降低的问题,本发明的目的在于提供一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路及其工作过程,本发明在传统RC充放电电路的基础上,采用多重信号下两个储能电路联合供电的方案,并采用了高速模拟开关,例如高速开关mos管等,在保证原有方案功率不变的前提下,既能实现频率加倍,又能降低脉宽和上升时间,从而提高了激光脉冲发射电路的性能。
为了达到上述目的,本发明是通过以下技术方案来实现的:
一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路,包括第一高压电源1和第二高压电源2,两者电压相等;第一高压电源1负极接地,正极分别与第一去耦电容3正极板和第一限流电阻7一端相连;第一去耦电容3负极板接地,第一限流电阻7另一端分别与第一储能元件5一端和第一模拟开关11一端相连;第一模拟开关11另一端接地,开关状态受第一脉冲信号13的控制;第一储能元件5另一端分别与第一钳位二极管8的正极和第二模拟开关12的一端相连,第二模拟开关12的开关状态受第二脉冲信号14的控制;第二高压电源2负极接地,正极分别与第二去耦电容4正极板和第二限流电阻9一端相连;第二去耦电容4负极板接地,第二限流电阻9另一端分别与第二储能元件6一端和第三模拟开关15一端相连;第三模拟开关15另一端接地,开关状态受第三脉冲信号17的控制;第二储能元件6另一端分别与第二钳位二极管10的正极和第四模拟开关16的一端相连,第四模拟开关16的开关状态受第四脉冲信号18的控制;第二模拟开关12的另一端和第四模拟开关16的另一端分别与激光二极管20的负极和第三限流电阻19的一端依次相连,第三限流电阻19的另一端接地;
第一储能元件5的充电回路由第一高压电源1、第一限流电阻7、第一储能元件5和第一钳位二极管8组成;第二储能元件6的充电回路由第二高压电源2、第二限流电阻9、第二储能元件6和第二钳位二极管10组成;第一储能元件5的放电回路由第一储能元件5、第一模拟开关11、第三限流电阻19、激光二极管20和第二模拟开关12组成;第二储能元件6的放电回路由第二储能元件6、第三模拟开关15、第三限流电阻19、激光二极管20、第四模拟开关16组成。
所述第三限流电阻19的电阻值远小于第一限流电阻7和第二限流电阻9的电阻值。
上述一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路,其工作过程如下:
步骤1:初始化系统,打开第一高压电源1和第二高压电源2,此时第一脉冲信号13、第二脉冲信号14、第三脉冲信号17和第四脉冲信号18尚未输入,第一模拟开关11、第二模拟开关12、第三模拟开关15和第四模拟开关16均处于断开状态,第一储能元件5和第二储能元件6完成充电过程;
步骤2:加载第一脉冲信号13和第二脉冲信号14,使第一模拟开关11和第二模拟开关12闭合,所在支路接通,依次经过第一储能元件5、第一模拟开关11、第三限流电阻19、激光二极管20和第二模拟开关12,第一储能元件5快速放电,使得激光二极管20发射一个窄脉宽大功率的激光脉冲;因为此时第三脉冲信号17和第四脉冲信号18为低电平,第三模拟开关15和第四模拟开关16是断开状态,因此第一储能元件5放电不受第二储能元件6的影响;
步骤3:第一储能元件5完成第一次放电后,第一模拟开关11和第二模拟开关12随之断开,两个相邻的第一脉冲信号13时间间隔为T,在下一个第一脉冲信号13到达之前,第一储能元件5在时间T内完成充电,且不受第二储能元件6的影响,第一储能元件5和第二储能元件6充电过程也是独立的;
步骤4:第三脉冲信号17和第四脉冲信号18比第一脉冲信号13和第二脉冲信号14滞后T/2到达,此时,第三模拟开关15和第四模拟开关16闭合,所在支路接通,依次经过第二储能元件6、第三模拟开关15、第三限流电阻19、激光二极管20和第四模拟开关16,第二储能元件6快速放电,使得激光二极管20发射一个窄脉宽大功率的激光脉冲;在此过程中,第一脉冲信号13和第二脉冲信号14为低电平,第一模拟开关11和第二模拟开关12是断开状态,因此第二储能元件6放电也不受第一储能元件5的影响;
步骤5:由以上分析可知,第一储能元件5、第二储能元件6的充放电是独立的;不断重复步骤2、3和4的充放电过程,第一储能元件5、第二储能元件6交替循环完成充放电;对激光二极管而言,每隔T/2就释放出激光脉冲,实现了脉冲周期减半,频率加倍。
本发明提出的一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路的设计方案,充分兼顾了功率、频率和脉宽等因素,对于已有电路所存在的问题进行了针对性的解决;其创新之处在于:一是克服了传统方案频率和功率不能兼顾的矛盾,引入两路充放电电路分别作用于激光二极管,在保证脉冲功率不变的情况下,激光脉冲的频率实现了加倍提高;二是采用了四路信号分别控制四个高速模拟开关,从原理上消除了两个充放电电路间的互相影响,使得两路电源能够按照既定方案,既互相协调,同时又独立工作;三是与传统方案相比,所需元件性能指标基本不变,易于实现,有很高的实用价值。
附图说明
图1是本发明电路原理图。
图2是本发明控制信号示意图。
图3是本发明电路工作流程图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细描述:
本发明在原有RC充放电电路的基础上,采用多重信号下两个储能电路联合供电的方案,在不降低功率的前提下,实现激光脉冲频率的加倍。
如图1所示,本发明一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路,包括第一高压电源1和第二高压电源2,两者电压相等;第一高压电源1负极接地,正极分别与第一去耦电容3正极板和第一限流电阻7一端相连;第一去耦电容3负极板接地,第一限流电阻7另一端分别与第一储能元件5一端和第一模拟开关11一端相连;第一模拟开关11另一端接地,开关状态受第一脉冲信号13的控制;第一储能元件5另一端分别与第一钳位二极管8的正极和第二模拟开关12的一端相连,第二模拟开关12的开关状态受第二脉冲信号14的控制;第二高压电源2负极接地,正极分别与第二去耦电容4正极板和第二限流电阻9一端相连;第二去耦电容4负极板接地,第二限流电阻9另一端分别与第二储能元件6一端和第三模拟开关15一端相连;第三模拟开关15另一端接地,开关状态受第三脉冲信号17的控制;第二储能元件6另一端分别与第二钳位二极管10的正极和第四模拟开关16的一端相连,第四模拟开关16的开关状态受第四脉冲信号18的控制;第二模拟开关12的另一端和第四模拟开关16的另一端分别与激光二极管20的负极和第三限流电阻19的一端依次相连,第三限流电阻19的另一端接地;
第一储能元件5的充电回路由第一高压电源1、第一限流电阻7、第一储能元件5和第一钳位二极管8组成;第二储能元件6的充电回路由第二高压电源2、第二限流电阻9、第二储能元件6和第二钳位二极管10组成;第一储能元件5的放电回路由第一储能元件5、第一模拟开关11、第三限流电阻19、激光二极管20和第二模拟开关12组成;第二储能元件6的放电回路由第二储能元件6、第三模拟开关15、第三限流电阻19、激光二极管20和第四模拟开关16组成。
本发明一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路的工作过程,包括如下步骤:
步骤1:初始化系统
打开第一高压电源1和第二高压电源2,此时第一脉冲信号13、第二脉冲信号14、第三脉冲信号17和第四脉冲信号18尚未输入,第一模拟开关11、第二模拟开关12、第三模拟开关15和第四模拟开关16均处于断开状态,第一储能元件5经第一高压电源1、第一限流电阻7、第一储能元件5和第一钳位二极管8回路完成充电,第二储能元件6经第二高压电源2、第二限流电阻9、第二储能元件6和第二钳位二极管10回路完成充电;对于充电电流而言,激光二极管20处于反向截止状态,因此没有电流通过激光二极管20所在支路;
步骤2:第一储能元件5放电
加载第一脉冲信号13和第二脉冲信号14,使第一模拟开关11和第二模拟开关12闭合,所在支路接通,依次经过第一储能元件5、第一模拟开关11、第三限流电阻19、激光二极管20和第二模拟开关12,第一储能元件5放电;又因为第三限流电阻19远小于第一限流电阻7的值,因此第一储能元件5放电速度要比充电速度快得多,使得激光二极管20发射一个窄脉宽大功率的激光脉冲;因为此时第三脉冲信号17和第四脉冲信号18为低电平,第三模拟开关15和第四模拟开关16是断开状态,因此第一储能元件5放电不受第二储能元件6的影响;
实际电路中,考虑到高速模拟开关的闭合仍需要一定时间,以及同一型号器件之间参数的偏差,第二脉冲信号14和第四脉冲信号18的脉宽均要略大于第一脉冲信号13和第三脉冲信号17,也即第二模拟开关12和第四模拟开关16要分别比第一模拟开关11和第三模拟开关15提前闭合,目的是保证在放电开始时,激光二极管20所在支路已经处于充分闭合的状态,以避免第二模拟开关12和第四模拟开关16的闭合滞后对储能元件的放电造成影响,进而影响到脉冲的波形;
步骤3:第一储能元件5充电
第一储能元件5完成第一次放电后,第一模拟开关11和第二模拟开关12随之断开,两个相邻的第一脉冲信号13时间间隔为T,在下一个第一脉冲信号13到达之前,第一储能元件5在时间T内完成充电,充电方式和步骤1中的描述相同;第一模拟开关11和第二模拟开关12的断开,保证了两个充放电电路的相互隔离,使第一储能元件5充电不受第二储能元件6的影响;
步骤4:第二储能元件6放电
第三脉冲信号17和第四脉冲信号18比第一脉冲信号13和第二脉冲信号14滞后T/2到达,此时,第三模拟开关15和第四模拟开关16闭合,所在支路接通,依次经过第二储能元件6、第三模拟开关15、第三限流电阻19、激光二极管20和第四模拟开关16,第二储能元件6反向放电;又因为第三限流电阻19远小于第二限流电阻9的值,因此第二储能元件6放电速度要比充电速度快得多,使得激光二极管20发射一个窄脉宽大功率的激光脉冲;在此过程中,第一脉冲信号13和第二脉冲信号14为低电平,第一模拟开关11和第二模拟开关12是断开状态,因此第二储能元件6放电也不受第一储能元件5的影响;
步骤5:第二储能元件6充电
第二储能元件6完成第一次放电后,第三模拟开关15和第四模拟开关16随之断开,两个相邻的第三脉冲信号17时间间隔为T,在下一个第三脉冲信号17到达之前,第二储能元件6在时间T内完成充电,充电方式和步骤1中的描述相同;由步骤3的分析可知,第二储能元件6充电也不受第一储能元件5影响;
步骤6:循环交替充放电
由以上分析可知,第一储能元件5和第二储能元件6的充放电是独立的;不断重复步骤2、3、4和5的充放电过程,第一储能元件5和第二储能元件6交替循环完成充放电;对激光二极管20而言,每隔T/2就释放出激光脉冲,在保证单次放电的峰值功率不变的前提下,实现了脉冲的周期减半,频率加倍。

Claims (3)

1.一种基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路,其特征在于:包括第一高压电源(1)和第二高压电源(2),两者电压相等;第一高压电源(1)负极接地,正极分别与第一去耦电容(3)正极板和第一限流电阻(7)一端相连;第一去耦电容(3)负极板接地,第一限流电阻(7)另一端分别与第一储能元件(5)一端和第一模拟开关(11)一端相连;第一模拟开关(11)另一端接地,开关状态受第一脉冲信号(13)的控制;第一储能元件(5)另一端分别与第一钳位二极管(8)的正极和第二模拟开关(12)的一端相连,第二模拟开关(12)的开关状态受第二脉冲信号(14)的控制;第二高压电源(2)负极接地,正极分别与第二去耦电容(4)正极板和第二限流电阻(9)一端相连;第二去耦电容(4)负极板接地,第二限流电阻(9)另一端分别与第二储能元件(6)一端和第三模拟开关(15)一端相连;第三模拟开关(15)另一端接地,开关状态受第三脉冲信号(17)的控制;第二储能元件(6)另一端分别与第二钳位二极管(10)的正极和第四模拟开关(16)的一端相连,第四模拟开关(16)的开关状态受第四脉冲信号(18)的控制;第二模拟开关(12)的另一端和第四模拟开关(16)的另一端分别与激光二极管(20)的负极和第三限流电阻(19)的一端依次相连,第三限流电阻(19)的另一端接地;
第一储能元件(5)的充电回路由第一高压电源(1)、第一限流电阻(7)、第一储能元件(5)和第一钳位二极管(8)组成;第二储能元件(6)的充电回路由第二高压电源(2)、第二限流电阻(9)、第二储能元件(6)和第二钳位二极管(10)组成;第一储能元件(5)的放电回路由第一储能元件(5)、第一模拟开关(11)、第三限流电阻(19)、激光二极管(20)和第二模拟开关(12)组成;第二储能元件(6)的放电回路由第二储能元件(6)、第三模拟开关(15)、第三限流电阻(19)、激光二极管(20)和第四模拟开关(16)组成。
2.根据权利要求1所述的基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路,其特征在于:所述第三限流电阻(19)的电阻值远小于第一限流电阻(7)和第二限流电阻(9)的电阻值。
3.权利要求1所述基于RC电路的高重频短脉冲激光调制电路的工作过程,其特征在于:包括如下步骤:
步骤1:初始化系统,打开第一高压电源(1)和第二高压电源(2),此时第一脉冲信号(13)、第二脉冲信号(14)、第三脉冲信号(17)和第四脉冲信号(18)尚未输入,第一模拟开关(11)、第二模拟开关(12)、第三模拟开关(15)和第四模拟开关(16)均处于断开状态,第一储能元件(5)和第二储能元件(6)完成充电过程;
步骤2:加载第一脉冲信号(13)和第二脉冲信号(14),使第一模拟开关(11)和第二模拟开关(12)闭合,所在支路接通,依次经过第一储能元件(5)、第一模拟开关(11)、第三限流电阻(19)、激光二极管(20)和第二模拟开关(12),第一储能元件(5)快速放电,使得激光二极管(20)发射一个窄脉宽大功率的激光脉冲;因为此时第三脉冲信号(17)和第四脉冲信号(18)为低电平,第三模拟开关(15)和第四模拟开关(16)是断开状态,因此第一储能元件(5)放电不受第二储能元件(6)的影响;
步骤3:第一储能元件(5)完成第一次放电后,第一模拟开关(11)和第二模拟开关(12)随之断开,两个相邻的第一脉冲信号(13)时间间隔为T,在下一个第一脉冲信号(13)到达之前,第一储能元件(5)在时间T内完成充电,且不受第二储能元件(6)的影响,第一储能元件(5)和第二储能元件(6)充电过程也是独立的;
步骤4:第三脉冲信号(17)和第四脉冲信号(18)比第一脉冲信号(13)和第二脉冲信号(14)滞后T/2到达,此时,第三模拟开关(15)和第四模拟开关(16)闭合,所在支路接通,依次经过第二储能元件(6)、第三模拟开关(15)、第三限流电阻(19)、激光二极管(20)和第四模拟开关(16),第二储能元件(6)快速放电,使得激光二极管(20)发射一个窄脉宽大功率的激光脉冲;在此过程中,第一脉冲信号(13)和第二脉冲信号(14)为低电平,第一模拟开关(11)和第二模拟开关(12)是断开状态,因此第二储能元件(6)放电也不受第一储能元件(5)的影响;
步骤5:由以上分析可知,第一储能元件(5)、第二储能元件(6)的充放电是独立的;不断重复步骤2、3和4的充放电过程,第一储能元件(5)、第二储能元件(6)交替循环完成充放电;对激光二极管(20)而言,每隔T/2就释放出激光脉冲,实现了脉冲周期减半,频率加倍。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110421247A (zh) * 2019-06-25 2019-11-08 上海柏楚电子科技股份有限公司 一种用于薄脆材料的超快激光等距离打点加工方法
WO2020182132A1 (zh) * 2019-03-14 2020-09-17 深圳市镭神智能系统有限公司 一种激光器的驱动电路、驱动方法及激光雷达系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4813045A (en) * 1986-07-28 1989-03-14 Tektronix, Inc. Laser driver
CN1055093A (zh) * 1990-03-20 1991-10-02 中国科学院上海光学精密机械研究所 高重复率合成脉冲电源
WO2001097377A2 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 Lambda Emi Very high repetition rate power supply system and method
CN101630952A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种高重复频率超宽带电脉冲实现方法
CN102739201A (zh) * 2012-06-29 2012-10-17 西北核技术研究所 基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器
CN203554404U (zh) * 2013-11-20 2014-04-16 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种高压光导开关同步触发器
CN204858269U (zh) * 2015-07-29 2015-12-09 武汉万集信息技术有限公司 一种纳秒延时多脉冲发光的半导体激光器驱动电路

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4813045A (en) * 1986-07-28 1989-03-14 Tektronix, Inc. Laser driver
CN1055093A (zh) * 1990-03-20 1991-10-02 中国科学院上海光学精密机械研究所 高重复率合成脉冲电源
WO2001097377A2 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 Lambda Emi Very high repetition rate power supply system and method
CN101630952A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种高重复频率超宽带电脉冲实现方法
CN102739201A (zh) * 2012-06-29 2012-10-17 西北核技术研究所 基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器
CN203554404U (zh) * 2013-11-20 2014-04-16 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种高压光导开关同步触发器
CN204858269U (zh) * 2015-07-29 2015-12-09 武汉万集信息技术有限公司 一种纳秒延时多脉冲发光的半导体激光器驱动电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HU CHUNSHENG等: "An Extremely Fast and High-power Laser Diode Driver Module", 《PROCEEDINGS OF SPIE》 *
陈祚海等: "高速窄脉冲激光器驱动电路设计", 《科技信息》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020182132A1 (zh) * 2019-03-14 2020-09-17 深圳市镭神智能系统有限公司 一种激光器的驱动电路、驱动方法及激光雷达系统
CN110421247A (zh) * 2019-06-25 2019-11-08 上海柏楚电子科技股份有限公司 一种用于薄脆材料的超快激光等距离打点加工方法
CN110421247B (zh) * 2019-06-25 2021-02-12 上海柏楚电子科技股份有限公司 一种用于薄脆材料的超快激光等距离打点加工方法

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