CN105447555A - 用于制造组合防盗和跟踪标签的过程 - Google Patents

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松本武司
上水健一郎
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Abstract

本发明涉及一种用于制造组合防盗和跟踪标签的过程。通过以下操作制造双标签的天线：提供箔结构，其在第一金属层与第二金属层之间具有介电层；在所述第一金属层上沉积第一抗蚀剂以限定射频(RF)线圈和RF电容器的第一电极；在所述第二金属层上沉积所述第一抗蚀剂以限定所述RF电容器的第二电极；在所述第二金属层上沉积第二抗蚀剂以限定近场天线的连接衬垫，其中所述第二金属层上的所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂之一限定远场天线和所述近场天线；以及蚀刻所述第一和第二金属层以形成所述RF线圈、所述RF电容器的所述电极、所述远场天线、所述近场天线以及所述连接衬垫。

Description

用于制造组合防盗和跟踪标签的过程
技术领域
本发明的领域涉及用于制造安全标签(包括结合防盗特性和跟踪特性两者的安全标签)的过程。
背景技术
仓库和商店经理在商品流动方面的某些主要问题包括商品的防盗(包括销售点处的盗窃)和商品的可跟踪性(即，其标识、位置和移动)。
现今，在物品的制造或包装期间，基于源标记原则，将越来越多的防盗标签结合到物品中。在源头(即，在物品的制造或包装期间)应用防盗元件消除了在产品的商业保存期内的其它阶段应用防盗元件的需要。
市场上存在数种类型的EAS(电子物品监视)系统。全球两个最畅销的系统是射频(RF)防盗系统，其具有在5和8.2MHz之间工作的线圈或闭环天线；以及声磁(AM)系统，其具有在58KHz下工作的元件。两种类型的EAS系统都使用贴附到商品的EAS标签。
当EAS标签经过频率与天线谐振频率一致的交变磁场时，EAS标签传回通过天线谐振的信号。例如可以通过商店出口处的终端提供此类交变磁场。在当前技术水平下，EAS标签传回的信号不包括任何标识符。
对于物体的远程标识和位置，通过使用射频识别(RFID)系统可实现物体标识。这些系统包括读取器和应答器。读取器包括无线电波和磁场发射器，该磁场发射器与位于其读取场内的应答器(发射器-接收器)通信。应答器包括集成电路(具有或没有存储器)和天线。
越来越多地使用RFID以便确保适当地监视物体或消费品。为此，针对要跟踪的物品或物体应用包括天线和集成电路的应答器。设计天线以便其电感具有特定值，例如以便形成具有集成电路电容的谐振电路。应答器与接收器或读取器通信，接收器或读取器的发射功率和工作频率范围必须适合于在不同国家中有效的法律和法规的要求。
对于其中需要防盗和跟踪的许多商品，在源头仅应用EAS元件；在分销链中的随后阶段添加UHF元件。分销链中的显著节省可以由在源头向同一标签应用EAS元件和UHF元件产生。可以在双标签的制造过程中实现其它优点，如在此描述的那样。例如可以通过利用EAS和UHF天线的制造工艺之间的相似性，降低材料和人工成本。此外，可以通过制造大小减小的双标签实现成本节省。通过下面描述的制造工艺制造的双标签实现了同样保持高性能级别的小型标签。
发明内容
本发明涉及一种用于制造组合防盗和跟踪标签的过程。所述标签包括与防盗系统一起使用的RF天线以及与跟踪系统一起使用的天线。
在本发明的第一单独方面，一种用于制造双标签的天线的过程包括：提供箔结构(webstructure)，其在第一金属层与第二金属层之间具有介电层；在所述第一金属层上沉积第一抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第一金属层上的沉积限定了射频(RF)线圈和RF电容器的第一电极；在所述第二金属层上沉积所述第一抗蚀剂；在所述第二金属层上沉积第二抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了所述RF电容器的第二电极，所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂之一在所述第二金属层上的沉积限定了远场天线和近场天线，并且所述第二抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了所述近场天线的连接衬垫(pad)；蚀刻所述第一和第二金属层以形成所述RF线圈、所述RF电容器、所述远场天线、所述近场天线和所述连接衬垫；以及去除所述第二抗蚀剂。
在本发明的第二单独方面，一种用于制造双标签的过程包括：提供箔结构，其在第一金属层与第二金属层之间具有介电层；在所述第一金属层上沉积第一抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第一金属层上的沉积限定了RF线圈和RF电容器的第一电极；在所述第二金属层上沉积所述第一抗蚀剂；在所述第二金属层上沉积第二抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了所述RF电容器的第二电极，所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂之一在所述第二金属层上的沉积限定了远场天线和近场天线，并且所述第二抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了所述近场天线的连接衬垫；蚀刻所述第一和第二金属层以形成所述RF线圈、所述RF电容器的所述电极、所述远场天线、所述近场天线和所述连接衬垫；去除所述第二抗蚀剂；将所述RF电容器在操作上耦合到所述RF线圈；在所述箔结构的所述第一金属层侧上粘附基层；在所述RF电容器的所述第一和第二电极之间使所述介电质形成微凹；将射频识别(RFID)元件在操作上贴附到所述连接衬垫；在所形成的RF电容器周围部分地切割；将所述RF电容器折叠到所述箔结构的所述第二金属层侧上；以及在所述箔结构的所述第二金属层侧上粘附衬里(liner)。
在本发明的第三单独方面，一种用于制造双标签的天线的过程包括：提供箔结构，其在第一金属层与第二金属层之间具有介电层；限定跨所述箔结构的多个标签区域，每个标签区域通过箔基质区域与其它标签区域相分离，并且在每个标签区域内：在所述第一金属层上沉积第一抗蚀剂，其中所述抗蚀剂在所述第一金属层上的沉积限定了射频(RF)线圈和RF电容器的第一电极；在所述第二金属层上沉积所述第一抗蚀剂；以及在所述第二金属层上沉积比所述第一抗蚀剂更容易去除的第二抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了所述RF电容器的第二电极，所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂之一在所述第二金属层上的沉积限定了远场天线和近场天线，并且所述第二抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了所述近场天线的连接衬垫；在所述箔基质区域的多个部分上沉积所述第一抗蚀剂以限定围绕每个所述标签区域的外围结构，其中形成分离线而在所述箔基质区域上没有所述第一抗蚀剂，所述分离线界定所述标签区域的相邻标签区域；蚀刻所述第一和第二金属层以形成个体标签，每个个体标签包括所述RF线圈、所述RF电容器、所述远场天线、所述近场天线、所述连接衬垫和所述外围结构；以及去除所述可去除抗蚀剂。
因此，公开一种用于制造组合防盗和跟踪标签的改进过程。从附图和优选实施例的描述，改进的优点将显而易见。
附图说明
当结合附图阅读时，将更好地理解上述概要以及示例性实施例的以下详细描述。但是，应该理解，本发明并不限于以下附图中所示的精确布置和手段，这些附图是：
图1是示出制造双标签的天线的过程中的步骤的流程图；
图2A示出箔结构的横截面；
图2B示出在向金属层涂敷抗蚀剂之后的图2A的箔结构的横截面；
图3A示出在其上形成天线的中间箔结构的第一实施例的顶部正视图；
图3B示出图3A的中间箔结构的横截面；
图4示出在其上形成多个标签区域的箔结构的顶部正视图，每个标签区域具有天线；
图5示出在其上形成天线的中间箔结构的第二实施例的顶部正视图；
图6示出在其上形成天线的中间箔结构的第三实施例的顶部正视图；
图7示出在其上形成天线的中间箔结构的第四实施例的顶部正视图；
图8示出在其上形成天线的中间箔结构的第五实施例的顶部正视图；
图9示出在其上形成天线的中间箔结构的第六实施例的顶部正视图；以及
图10是示出制造双标签的过程中的步骤的流程图。
具体实施方式
根据本发明原理的示例性实施例的描述是为了结合附图阅读，这些附图被视为整个书面描述的一部分。在此处公开的本发明实施例的描述中，对方向或方位的任何引用仅为了描述方便，并非旨在以任何方式限制本发明的范围。诸如“下部”、“上部”、“水平”、“垂直”、“上面”、“下面”、“上”、“下”、“左”、“右”、“顶部”和“底部”以及其派生词(例如，“水平地”、“向下”、“向上”等)之类的相对术语应该被解释为指如随后描述或者如所讨论的附图中示出的方位。这些相对术语仅为了描述方便，并非要求以特定方位构造或操作装置，除非明确地如此指示。
诸如“粘贴”、“贴附”、“连接”、“耦合”、“互连”之类的术语指其中直接或者通过中间结构间接将结构固定或附着到彼此，以及可移动或刚性附接或关系，除非另外明确地描述。此外，通过参考优选实施例例示本发明的特性和优点。因此，本发明显然不应该限于此类优选实施例，这些优选实施例示出可以单独存在或者以其它特性组合存在的某些可能的非限制性特性组合；本发明的范围由所附权利要求限定。
图1是示出根据一个示例性实施例的用于制造双标签的天线的步骤的流程图101。结合图2A-B中所示的结构描述图1中列出的步骤。在第一步骤103，提供或制造箔结构151(图2A中所示)。箔结构151包括位于第一金属层155和第二金属层157之间的介电层153。在所示的实施例中，第一金属层155具有第一厚度并且第二金属层157具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。但是，第一和第二金属层155、157的实际厚度以及它们之间的任何厚度差异可以有所变化。此类变化例如可以取决于以下因素，这些因素包括要从箔结构形成的天线的频率要求、双标签的所需刚度、针对标签进行的设计选择、影响双标签制造工艺的后续步骤的设计选择，以及其它因素。进一步，在某些实施例中，第一和第二金属层的厚度可以相同。
在某些实施例中，可以从以下项形成介电层153：流延聚丙烯(CPP)、聚乙烯(PE)、定向聚丙烯(OPP)，或者适合于双标签的特定实现的另一种类型的介电材料。可以从铝形成第一和第二金属层155、157。可以针对相应层使用其它材料，但是，应理解金属-介电质-金属箔的一部分将用于形成电容器，并且每个金属层的多个部分将用于形成天线。在其中针对双标签形成这些元件的实施例中，针对箔结构选择的材料需要针对得到的双标签实现这些元件的功能。
介电层153的厚度可以有所变化。在某些实施例中，介电层的厚度可以是从双标签的箔结构151形成的RF电容器的工作频率中的一个因素。在某些实施例中，例如介电层153可以非常薄。薄介电层153允许制造非常小的RF电路，这些电路在8.2MHz下工作。介电层的材料选择和介电层的厚度选择是两个示例性因素，此外还有其它因素，这些因素促成得到的RF电路的工作频率。
如果在第一步骤103中提供箔结构151，或者在某些实施例中在第一步骤103中制造箔结构151，则可以通过在第一金属层155和/或第二金属层157上沉积一种或多种类型的抗蚀剂材料来继续天线的制造。可以以任何所需顺序执行这些抗蚀剂沉积步骤。进一步，例如如果在两个或更多沉积步骤中使用相同的抗蚀剂材料，则可以同时执行抗蚀剂沉积步骤。
在一个抗蚀剂沉积步骤105中，在第一金属层155上沉积第一抗蚀剂159。该第一抗蚀剂在第一金属层155上的沉积可以限定RF线圈和RF电容器的第一电极，该线圈和第一电极可以从第一金属层155形成。图2B中示出在第一和第二金属层155、157上沉积抗蚀剂159、161的示例性箔结构151。
在另一个抗蚀剂沉积步骤107中，在第二金属层157上沉积第一抗蚀剂159。第一抗蚀剂159在第二金属层157上的沉积可以限定RF电容器的第二电极，该电极从第二金属层157形成。在另一个抗蚀剂沉积步骤109中，在第二金属层157上沉积第二抗蚀剂161。第二抗蚀剂161在第二金属层157上的沉积可以限定近场天线的连接衬垫，以便连接衬垫从第二金属层157形成。近场天线和远场天线也可以从第二金属层157形成。第一抗蚀剂159或第二抗蚀剂161可以用于限定近场天线和/或远场天线。
在某些备选实施例中，第一抗蚀剂在第一金属层155上的沉积可以限定远场天线和近场天线之一或两者。在备选实施例中，远场天线和近场天线之一或两者可以分别从第二抗蚀剂在第二金属层上的沉积形成。在其中远场天线和近场天线在不同金属层上形成的实施例中，可以在所述过程的随后阶段在操作上连接这两个天线。
在某些实施例中，第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161可以是不同类型的抗蚀剂材料。在此类实施例中，每种抗蚀剂可以通过不同去除过程来去除。例如，第一抗蚀剂159可以是一种类型的抗蚀剂材料，可以通过第一类型的去除过程来去除，并且第二抗蚀剂161可以是第二类型的抗蚀剂材料，可以通过第二类型的去除过程来去除。在此类实施例中，用于第二抗蚀剂161的去除过程可能不去除第一抗蚀剂159。
第一抗蚀剂159例如可以是不容易去除的抗蚀剂(例如，溶剂型抗蚀剂)，并且第二抗蚀剂161可以是比第一抗蚀剂159更容易去除的抗蚀剂。在一个实施例中，第一抗蚀剂159可以用于形成远场天线191和/或近场天线189。在该实例中，可以使用第二抗蚀剂161以便可以去除连接衬垫193的一部分(即，臂)。因为第二抗蚀剂161比第一抗蚀剂159更容易去除，所以可以去除连接衬垫193的一部分(即，臂)，同时保留远场天线191和/或近场天线189。
在去除连接衬垫193的一部分之后，可以将IC芯片以粘附方式贴附到近场天线189。进一步，在将IC芯片以粘附方式贴附到连接衬垫193之后，可以使用加热和/或压力固化粘合剂，因此在IC芯片与连接衬垫193之间产生坚固的结合。为了针对IC芯片贴附到近场天线189提供额外的强度，可以从第一金属层155或第二金属层157形成结构195。在图3中所示的一个优选实施例中，结构195可以从这样的金属层形成：该金属层与从中形成近场天线189的金属层相对。例如，如果近场天线189从第二金属层157形成，则结构195可以从第一金属层155形成(或者反之亦然)。但是，在其它实施例中，结构195可以从形成近场天线189的同一金属层形成。
可以进一步布置结构195以便结构195的至少一部分与连接衬垫193重叠。以这种方式布置的结构195可以提供除了以下之外的功能或者不同于以下的功能：提供增加的芯片贴附强度。结构195例如可以用于使在IC芯片贴附过程中出现的热量消散。因此，在该实施例中，结构195可以使在IC芯片贴附过程中出现的热量能够在整个结构195中消散，或者甚至在整个箔结构151中消散，而不是允许在芯片贴附期间施加的热量集中在一个区域(例如，近场天线189区域)上。
在某些其它实施例中，第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161可以是相同的抗蚀剂材料。在其中第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161相同的实施例中，可以以单个去除步骤去除所有抗蚀剂材料。在其它实施例中，可以仅在第一金属层155上沉积第一抗蚀剂159，而仅在第二金属层157上沉积第二抗蚀剂。
第一抗蚀剂159和第二抗蚀剂161之一或两者可以是可印刷抗蚀剂材料，以便沉积步骤105、107、109中的一个或多个可以包括将第一或第二抗蚀剂印刷到相应的第一或第二材料层155、157上。在此类实施例中，第一抗蚀剂可以是印刷远场天线和/或近场环形天线的抗蚀油墨(resistink)。在某些实施例中，第一抗蚀剂可以同时印刷远场天线和近场环形天线。可以将第一抗蚀剂材料印刷到第一或第二材料层155、157之一或两者上，并且第二抗蚀剂材料可以是比第一抗蚀剂更容易去除的抗蚀油墨。第二抗蚀剂例如可以用于去除连接衬垫193的一部分，同时可以使用第一抗蚀剂以便保留近场天线和远场天线。
在沉积步骤105、107、109之后是蚀刻步骤111。在步骤111，以一种工艺蚀刻第一和第二金属层155、157以便去除抗蚀剂未覆盖的金属。使用蚀刻步骤111，RF线圈、RF电容器、远场天线、近场天线和连接衬垫全部由第一和第二金属层的被抗蚀剂覆盖的金属形成。在去除步骤113，去除至少连接衬垫上的抗蚀剂，从而使RFID元件能够电耦合到连接衬垫，并且因此耦合到近场天线。可以去除连接衬垫193上的抗蚀剂，因为在连接衬垫193上沉积的抗蚀剂比第一抗蚀剂更容易去除。包括通过图1中所示的步骤101-113形成的多个天线的中间箔结构适合于制造成双标签。
在某些实施例中，远场天线形成为UHF远场偶极天线，可以使用适当的工作范围配置该天线。在某些实施例中，UHF远场偶极天线的工作范围可以在范围为0.8至2.5GHz的谐振频率下。在某些实施例中，近场天线形成为UHF近场环形天线，可以使用适当的工作范围配置该天线。在某些实施例中，UHF近场环形天线的工作范围可以在范围为0.8至2.5GHz的谐振频率下。在其它实施例中，可以使用相同的工作范围配置UHF远场偶极天线和UHF近场环形天线。在例示的实施例中，近场环形天线和远场偶极天线在物理上分离。在备选实施例中，可以连接这些天线。
在某些备选实施例中，可以在双标签制造工艺中的随后步骤通过模切形成RF线圈，而不是沉积抗蚀剂并蚀刻第一金属层以便从第一金属层(以及从第一金属层形成的任何其它操作元件)形成RF线圈。在其它备选实施例中，可以在双标签制造工艺中的随后步骤通过模切形成远场天线、近场天线和连接衬垫中的一个或多个，而不是沉积抗蚀剂并蚀刻第二金属层。因为双标签制造工艺中的随后步骤可以包括模切，所以分别处理第一金属层或第二金属层之一以便从中形成天线或其它元件可以在双标签制造工艺中引入在上述整合式沉积和蚀刻工艺中没有提供的效率。
图3A-B中示出具有蚀刻的天线的中间箔结构171的一个实施例。蚀刻的箔结构171包括：从第一金属层蚀刻的RF线圈177；具有分别从第一和第二金属层(在第一和第二金属层之间具有介电层173)蚀刻的第一和第二电极183、185的RF电容器181；从第二金属层蚀刻的近场天线189；从第二金属层蚀刻的远场天线191；以及从第二金属层蚀刻的连接衬垫193。尽管图3A-B示出从第一金属层蚀刻的RF线圈，以及从第二层蚀刻的近场环形天线189和远场天线191，但应该理解，根据在此描述的双标签的实施例，这些元件的配置可以是不同的。
图4示出在第一和第二金属层之间具有介电层的箔结构201(图4中未示出单独的层)，如上所述。通过沉积的抗蚀剂跨箔结构201限定多个标签区域203，每个标签区域203通过箔基质区域207与其它标签区域203分离。在标签区域203彼此分离之后，可以从该箔结构201获得多个中间箔结构。每个标签区域203具有沉积的抗蚀剂，以便以上述方式形成天线209、211、213、RF电容器215和连接衬垫217。
如图4中所示，天线209、211、213可以在每个标签区域203内的箔结构201的相对侧上形成，如上所述。箔结构201的一侧或两侧上的箔基质区域207可以进一步沉积有抗蚀剂，以便在第一和第二金属层之一或两者中限定外围结构。可以在每个标签区域203的周围形成外围结构。包括外围结构可以有助于为制造的结果双标签提供额外的刚度。例如，可以在以下各项中限定外围结构：第一金属层、第二金属层、或者在第一金属层中限定的RF线圈和RF电容器的第一电极周围的第一和第二金属层、RF电容器的第二电极、远场天线、近场天线，和/或在第二金属层中限定的连接衬垫。在完成蚀刻步骤之后，在去除抗蚀剂之前或之后，可以将标签区域203彼此分离以便获得多个中间箔结构。
在某些实施例中，箔基质区域207与在产生的中间箔结构周围形成的所需外围结构一样宽，以便当分离相邻标签区域时，每个产生的中间箔结构包括基本上相同的外围结构。为此，箔基质区域207可以具有在第一和第二金属层之一或两者的几乎所有部分(但分离线219除外，其限定在何处将一个标签区域203与相邻标签区域分离)上沉积的抗蚀剂。在某些实施例中，如果一个金属层的厚度大于另一个金属层的厚度，则分离线219可以至少在两个金属层的较厚者中形成。
分离线219提供以下优点：通过沿着分离线219扯裂、撕裂或切割，在沿着分离线219的剩余材料(第二金属层和介电层两者，或者仅介电层)足够薄时，能够以机械方式将各标签区域与相邻标签区域分离。例如，如果第一金属层是两个金属层中的较厚者，则可以从第一金属层蚀刻分离线219，以便当沿着分离线219将标签区域彼此分离时，在没有切割工具对准的情况下，产生的中间箔结构可以具有一致的宽度。除其他事项外，具有一致的宽度允许优化双标签制造中的后续工艺。例如，不一致的宽度可以导致未对齐的芯片贴附位置，这样如果未对齐足够大，则UHF天线将不会以最佳性能运行，或者可能完全不工作。
图5中示出具有在天线225、226、227周围形成的外围结构223的中间箔结构221的一个实施例。该外围结构223被形成为中间箔结构221的天线225、226、227周围的外围壁229。在某些实施例中，外围壁229可以具有在大约2毫米至8毫米之间的宽度。
图6中示出具有在天线245、246、247周围形成的外围结构243的中间箔结构241的另一个实施例。该外围结构243被形成为中间箔结构241的天线245、246、247周围的外围壁249。如图6中所示，外围壁249的每侧251可以包括一个中断253，然而每侧251可以具有多个中断或者没有中断。当将中间箔结构241安装到薄板上并且缠绕到主辊上时，这些中断253有助于防止中间箔结构241起皱纹。因此，根据此实施例缠绕到主辊上的中间箔结构可以很容易地存储和获取以便进一步制造成双标签。
图7中示出具有在天线265、266、267周围形成的外围结构263的中间箔结构261的另一个实施例。该外围结构263被形成为中间箔结构261的天线265、266、267周围的外围壁269，外围壁269具有实体壁部分271和多个间隔开的块273。实体壁部分271和多个间隔开的块273可以在第一和第二金属层的任何一个或两者中形成。块273用于增强中间箔结构261的刚度，并且使能制造例如宽度大约为1毫米至2毫米的外围壁269。
图8中示出具有在天线285、286、287周围形成的外围结构283的中间箔结构281的另一个实施例。该外围结构283形成为外围壁289，其中指291从外围壁289的内部外围表面293向天线285、286、287延伸。外围壁289和指291可以在第一和第二金属层的任何一个或两者中形成。在某些实施例中，指291可以将远场天线286和/或近场天线287连接到外围壁289。
图9中示出具有在天线305、306、307周围形成的外围结构303的中间箔结构301的另一个实施例。该外围结构303形成为外围壁309，外围壁309在内表面313中还包括凹口空间311。配置凹口空间311以便RFID元件(未示出)可以具有足够的空间以安装到连接衬垫315。在某些实施例中，可以从第二铝层形成配准标记317，以便用于通用UHF芯片贴附工艺。
图10的流程图401中示出用于从具有天线的中间箔结构制造双标签的过程。图1和10的过程示出从提供或制造的箔结构制造双标签的过程。可以以任意顺序执行其中许多步骤，并且所属技术领域的技术人员将意识到，通过更改顺序，可能需要修改下面描述中的过程的某些部分以便适合过程步骤顺序的更改。进一步，在某些实施例中，可以针对单个中间箔结构执行图10的后续制造步骤，或者可以针对尚未彼此分离的中间箔结构(例如图4中所示)执行这些步骤。
在中间箔结构上，将RF电容器在操作上耦合403到RF线圈。此外，在该阶段还可以在操作上耦合近场和远场天线。因为RF电容器的第一电极和RF线圈都从第一金属层形成，所以可以在沉积和蚀刻步骤期间形成这两个组件。因此，为了将RF电容器在操作上连接到RF线圈，在RF电容器的第二电极(其从第二金属层形成)与RF线圈之间建立电连接。可以使用常用的压接或焊接工艺建立该电连接。
在将RF电容器在操作上耦合403到RF线圈之后，在从中间箔结构的第一金属层形成的组件上粘附405基层。在某些实施例中，粘附基层可以包括将塑料衬底(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)层)粘附到第一金属层。在某些实施例中，PET层的厚度可以大约为50毫米。在其它实施例中，可以针对基层使用其它材料和/或材料厚度。
可以使RF电容器的第一和第二电极之间的介电质形成微凹407，以便当暴露于强电磁场中时促进RF电路的去激活。形成微凹407可以是一种机械工艺，其中根据哪个金属层最薄，以及哪个金属层可能已经具有粘附或放置到其上的基层、衬里或其它层，在第一和第二金属层的一侧上产生锯齿状区域。通过使RF电容器的介电质形成微凹，当RF电路暴露于强电磁场中时，跨锯齿状区域中的电容器的介电质形成电短路，从而导致RF电路变得不工作。
在进一步的步骤，将射频识别(RFID)元件贴附409到连接衬垫。在某些实施例中，RFID元件包括IC芯片，其被调谐到近场和远场天线的可工作频率范围。通过直接贴附方法将RFID元件IC芯片连接到近场天线。使用粘合剂将RFID元件连接到连接衬垫。在一个实施例中，可以使用加热和压力固化粘合剂以便在RFID元件与连接衬垫之间产生坚固的结合。
在进一步的步骤，部分地绕切411RF电容器，以便随后可以在中间箔结构的第一或第二金属层之一上折叠RF电容器。在某些实施例中，可以通过以下方式执行切割：围绕RF电容器模切穿过第一金属层、介电层、第二金属层，以及在该切割步骤之前贴附到中间箔结构的任何粘合剂、基层和/或衬里层。不切割围绕RF电容器的外围的一部分，以便RF电容器仍是中间箔结构的一部分并且在操作上耦合到RF线圈。未切割的部分是窄臂，其可以用于形成可折叠接头(joint)以用于后续折叠步骤413。
在执行切割411之后，可以沿着在中间箔结构中形成的可折叠接头折叠413RF电容器。可以沿着窄臂将RF电容器机械地折回到中间箔结构的第二金属层侧的另一部分上。但是，在某些实施例中，可以将RF电容器折回到中间箔结构的第一金属层侧的RF线圈上。在折叠RF电容器之后，在中间箔结构的第二金属层侧上粘附415衬里，以便固定和保护折叠后的RF电容器。在其它实施例中，可以在将基层粘附到中间箔结构的第一金属层侧之前，模切RF电容器并且将其折回到中间箔结构的第一金属层侧的一部分上。
在中间箔结构的第二金属层侧上粘附415衬里之后，可以在中间箔结构的第一金属层侧的基层上粘附417第二衬里。第一和第二衬里之一或两者可以是载体层，例如纸张、薄膜或释放衬里，或者被视为适合作为覆盖双标签的表面层的任何其它衬里。在某些实施例中，根据基层的选择或材料，可以省略第二衬里。
在备选实施例中，可以在将基层粘附到中间箔结构的第一金属层侧之前，发生RF电容器的切割和折叠。在此类备选实施例中，可以将RF电容器折叠到中间箔结构的第一或第二金属层侧上。如上所示，如果以不同于附图中所示的顺序执行步骤，则在此描述的某些步骤可能需要微小修改。
尽管针对包括执行本发明的目前优选模式的特定实例描述了本发明，但所属技术领域的技术人员将理解，上述系统和技术具有许多变化和置换。将理解，可以使用其它实施例并且可以进行结构和功能修改而不偏离本发明的范围。因此，应该如所附权利要求中给出的那样广泛解释本发明的精神和范围。

Claims (20)

1.一种用于制造双标签的过程，所述过程包括：
提供箔结构，其在第一金属层与第二金属层之间具有介电层；
在所述第一金属层上沉积第一抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第一金属层上的沉积限定了射频(RF)线圈和RF电容器的第一电极；
在所述第二金属层上沉积所述第一抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了所述RF电容器的第二电极；
在所述第二金属层上沉积第二抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂或所述第二抗蚀剂之一在所述第二金属层上的沉积限定了远场天线和近场天线中的至少一个；以及
蚀刻所述第一和第二金属层以形成所述RF线圈、所述RF电容器、所述远场天线和所述近场天线。
2.根据权利要求1所述的过程，其中所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂均包括通用抗蚀剂材料，并且去除至少所述第二抗蚀剂包括去除所述通用抗蚀剂材料。
3.根据权利要求1所述的过程，其中所述第一金属层具有第一厚度并且所述第二金属层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。
4.根据权利要求1所述的过程，其中所述第二抗蚀剂包括比所述第一抗蚀剂更容易去除的可去除抗蚀油墨。
5.根据权利要求1所述的过程，其中所述箔结构进一步限定围绕所述RF线圈、所述远场天线和所述近场天线中的至少一个的外围壁。
6.根据权利要求5所述的过程，其中所述外围壁包括所述外围壁中的至少一个中断。
7.根据权利要求5所述的过程，其中所述外围壁包括位于所述外围壁内的多个间隔开的块。
8.根据权利要求5所述的过程，其中所述外围壁包括内部外围表面，并且从第一金属表面和第二金属表面中的至少一个形成的指状结构从所述内部外围表面延伸到所述RF线圈、所述近场天线和所述远场天线中的至少一个。
9.一种用于制造双标签的过程，所述过程包括：
提供箔结构，其在第一金属层与第二金属层之间具有介电层；
在所述第一金属层上沉积第一抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第一金属层上的沉积限定了射频(RF)线圈；
在所述第二金属层上沉积所述第一抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了远场天线和近场天线中的至少一个；
在所述第一金属层或所述第二金属层中的至少一个上沉积第二抗蚀剂，其中所述第二抗蚀剂的沉积限定了连接衬垫；以及
蚀刻所述第一和第二金属层以形成所述RF线圈、所述远场天线、所述近场天线和所述连接衬垫。
10.根据权利要求9所述的过程，其中所述近场天线和所述连接衬垫两者位于所述第一金属层或所述第二金属层上。
11.根据权利要求9所述的过程，其中将芯片以粘附方式附着到所述连接衬垫，并且使用加热和压力中的至少一个固化粘合剂，以便在所述连接衬垫与所述芯片之间产生结合。
12.根据权利要求9所述的过程，其中所述第一金属层具有第一厚度并且所述第二金属层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。
13.根据权利要求9所述的过程，其中所述第二抗蚀剂包括比所述第一抗蚀剂更容易去除的可去除抗蚀油墨。
14.根据权利要求9所述的过程，其中蚀刻步骤包括在基本上相同的时间形成所述近场天线和所述远场天线。
15.根据权利要求9所述的过程，其中所述箔结构进一步限定围绕所述RF线圈、所述远场天线和所述近场天线中的至少一个的外围壁。
16.根据权利要求15所述的过程，其中所述外围壁包括至少一个中断。
17.根据权利要求15所述的过程，其中所述外围壁包括多个间隔开的块。
18.一种方法，包括：
提供箔结构，其在第一金属层与第二金属层之间具有介电层；
限定跨所述箔结构的多个标签区域，其中所述多个标签区域中的每个标签区域通过箔基质区域与所述多个标签区域中的另一个标签区域相分离，并且在所述多个标签区域的每个标签区域内：
在所述第一金属层上沉积第一抗蚀剂，其中所述第一抗蚀剂在所述第一金属层上的沉积限定了射频(RF)线圈；
在所述第二金属层上沉积第二抗蚀剂，其中所述第二抗蚀剂在所述第二金属层上的沉积限定了远场天线和近场天线中的至少一个；
在所述箔基质区域的多个部分上沉积所述第一抗蚀剂或所述第二抗蚀剂中的至少一个，以便限定围绕每个所述标签区域的外围壁；
蚀刻所述第一和第二金属层以形成个体标签，所述个体标签中的每个个体标签包括所述RF线圈、所述远场天线和所述近场天线。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述外围壁包括所述外围壁中的至少一个中断以及位于所述外围壁内的多个间隔开的块。
20.根据权利要求18所述的方法，其中蚀刻步骤包括在基本上相同的时间形成所述近场天线和所述远场天线。
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