CN105445345A - 一种柔性植入电极的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种电极的植入端的制备方法，包括：将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧；所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。本发明采用聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯柔性材料作为基底材料制备电极，最终制备得到的电极植入体内佩戴舒适度好，不会对人体造成伤害，并且采用上述特定结构的设计使得测定结果准确性好。

Description

一种柔性植入电极的制备方法

技术领域

本发明涉及电化学检测技术领域，特别涉及一种电极的制备方法。

背景技术

可植入的葡萄糖检测传感器的检测至少需要两个电极，一个作为工作电极，一个作为参比电极。目前制备传感器的电极有两种方法：一种是用双针双电极或者多针多电极的电极设计，针体材料是铂丝，铂铱丝，钽丝，不锈刚，镍钛合金丝等金属。另外一种是用单针双电极的电极设计，大都为圆柱形结构，针芯用钽丝，不锈钢，镍钛合金丝，铂铱丝，铂丝等，而后在针芯外层设置活化层、缠绕氯化银丝层和剩余绝缘区域，绝缘区域用于隔开活化层和氯化银丝层。

现有技术中单针双电极结构中针芯大都使用的是刚性基体材料，植入体内佩戴的舒适度不好，容易对人体造成伤害，影响了其的应用。同时，现有技术的结构不仅植入后对固定结构要求较高，易发生相对移动，并且在工作区沉积酶容易造成流失，从而共同影响测定结果的准确性。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种电极的制备方法，本发明提供的电极的制备方法制备得到的电极植入体内佩戴舒适度好，不会对人体造成伤害，并且测定结果准确性好。

本发明提供了一种电极的植入端的制备方法，包括：

将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧；所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；

在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；

将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。

优选的，所述基板层与所述第一导电层的厚度比为(50～300)：(15～25)。

优选的，所述保护层由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。

优选的，所述将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上具体为：将将保护层沉积于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端。

优选的，在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层，还包括在所述基板层对应于所述工作电极层和参比电极层的分界处制作过孔并金属化，得到用于连接工作电极层和工作电极层触点的金属化过孔。

优选的，所述第一导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层；

所述第二导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层。

优选的，所述镍层的厚度为1～3μm，所述金层的厚度为5～20μm。

优选的，所述工作电极层包括催化活化层，由铂、金、钯、碳、石墨或石墨烯制成。

优选的，所述参比电极层为氯化银层。

本发明提供了一种电极的制备方法，包括：

在基板上植入端、植入端与参比电极层触点的连接部分、工作电极层触点和参比电极层触点的一侧沉积第三导电层；在基板上植入端的另一侧和植入端与工作电极层触点的连接部分沉积第四导电层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成，所述第三导电层为金层或铜层；所述第四导电层为金层或铜层；

在所述植入端的第三导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述植入端的第三导电层上沉积参比电极层，在所述第四导电层上沉积工作电极层；

将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。

与现有技术相比，本发明提供了一种电极的植入端的制备方法，包括：将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧；所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。本发明采用聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯柔性材料作为基底材料制备电极，最终制备得到的电极植入体内佩戴舒适度好，不会对人体造成伤害，并且采用上述特定结构的设计使得测定结果准确性好。

附图说明

图1为本发明提供的电极的植入端的结构俯视图；

图2为本发明提供的电极的植入端的结构剖视图；

图3为本发明提供的电极的植入端的结构剖视图；

图4为本发明提供的电极结构示意图；

图5为本发明实施例8制备得到的电极葡萄糖相应电流测试结果；

图6为本发明实施例9制备得到的电极葡萄糖相应电流测试结果。

具体实施方式

本发明提供了一种电极的植入端，包括基板层、第一导电层、第二导电层、工作电极层、参比电极层和保护层：

所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；

所述第一导电层和第二导电层分别设置于所述基板层两侧；所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层；

工作电极层和参比电极层设置于所述第一导电层上；或参比电极层设置于所述第一导电层上，工作电极层设置于所述第二导电层上；

所述保护层设置于所述工作电极层上和参比电极层上。

本发明提供的电极的植入端包括基板层，所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成。

在本发明中，所述基板层的厚度优选为0.05～3mm，更优选为0.1～2.5mm；所述基板层的宽度优选为0.1～0.5mm，更优选为0.2～0.4mm；所述基板层的长度优选为1～15mm，更优选为2～14mm，最优选为3～13mm。

在本发明中，所述第一导电层和第二导电层分别设置于所述基板层两侧；所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层。

在本发明中，所述第一导电层的厚度优选为15～25μm，更优选为17～23μm；所述第一导电层的宽度优选为0.1～0.5mm，更优选为0.2～0.4mm。

当所述第一导电层为铜层时，还包括设置在所述铜层上的镍层，所述镍层的厚度为1～3μm；设置在所述镍层上的金层，所述金层的厚度为5～20μm；

在所述铜层上设置有镍层和金层作用是腐蚀防护，增加导电性，同时还可以防止底层的铜层对测试的干扰。

在本发明中，所述第二导电层的厚度优选为15～25μm，更优选为17～23μm；所述第二导电层的宽度优选为0.1～0.5mm，更优选为0.2～0.4mm。

在本发明中，所述基板层与所述第一导电层的厚度比优选为(50～300)：(15～25)。

本发明提供的电极的植入端工作电极层和参比电极层设置于所述第一导电层上。

在本发明中，所述工作电极层为催化活化层，优选由铂、金、钯、碳、石墨或石墨烯制成。在本发明中，所述工作电极层的厚度优选为20～50μm，更优选为22～48μm，最优选为25～45μm。

在本发明中，所述参比电极层优选为氯化银层。在本发明中，所述参比电极层优选为20～50μm，更优选为22～48μm，最优选为25～45μm。

在本发明中，所述工作电极和参比电极的长度比优选为1：(1～10)；更优选为1：(2～9)。

在本发明中，所述工作电极层和参比电极层不相连。所述工作电极层和参比电极层的间距优选为0.1～2mm。

在本发明中，所述基板层对应于所述工作电极层和参比电极层的分界处设置有用于连接工作电极层和工作电极层触点的金属化过孔。

所述过孔为常规打孔，本领域技术人员并无特殊限制，所述过孔的孔径优选为0.10～0.20mm，更优选为0.13～0.18mm。优选的，在打孔之后将该孔金属化，更优选的采用铜金属化，其用于连接所述工作电极下的第一导电层和第二导电层。

在本发明中，优选还包括设置于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端的保护层。所述保护层优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。

所述保护层以覆盖住工作电极层两端边缘和所述参比电极层两端边缘为宜，所述每端保护层的长度优选为50～100μm，更优选为55～95μm。所述保护层的厚度优选为10～50μm。。

在本发明中，优选还包括设置于所述第二导电层上表面的保护层，所述优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。所述保护层的厚度优选为10～50μm。该保护层的长度以覆盖住基板整个上表面的长度为宜。

本发明提供上述保护层，可以保护反应区域的边缘，消除边缘效应，同时可以利用保护层在工作区形成的凹区方便沉积酶，减少酶的失去，提到了电极测定结果的准确性和稳定性。

本发明实施例提供的电极的植入端的具体结构如图1和图2所示，图1为本发明提供的电极的植入端的结构俯视图；图2为本发明提供的电极的植入端的结构剖视图；

其中，1为工作电极区域，2为参比电极区域，10为基板，11为第一导电层，16为第二导电层，12为工作电极层，13为参比电极层；14为保护层，15为过孔。

本发明提供的电极的植入端的另一技术方案参比电极层设置于所述第一导电层上，工作电极层设置于所述第二导电层上。

在本发明中，所述工作电极层为催化活化层，优选由铂、金、钯、碳、石墨或石墨烯制成。在本发明中，所述工作电极层的厚度优选为5～50μm，更优选为22～48μm，最优选为25～45μm。

在本发明中，所述参比电极层优选为氯化银层。在本发明中，所述参比电极层优选为20～50μm，更优选为22～48μm，最优选为25～45μm。

在本发明中，优选还包括设置于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端的保护层。所述保护层优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。

所述保护层以覆盖住工作电极层两端边缘和所述参比电极层两端边缘为宜，所述每端保护层的长度优选为50～100μm，更优选为55～95μm。所述保护层的厚度优选为10～50μm。

本发明提供上述保护层，可以保护反应区域的边缘，消除边缘效应，同时可以利用保护层在工作区形成的凹区方便沉积酶，减少酶的失去，提到了电极测定结果的准确性和稳定性。

本发明实施例提供的电极的植入端的具体结构如图3所示，图3为本发明提供的电极的植入端的结构剖视图；

其中，10为基板，11为第一导电层，16为第二导电层，12为工作电极层，13为参比电极层；14为保护层。

本发明提供了一种电极的植入端的制备方法，包括：

将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧；所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；

在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；

将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。

本发明首先将将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；所述第一导电层为金层或铜层。所述第二导电层为金层或铜层。

此处基板层、第一导电层和第二导电层上面已经有清楚地描述，在此不再赘述。

在本发明中，对所述沉积方式不进行限定，本领域技术人员熟知的沉积方式即可。本发明对所述沉积的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。

在本发明中，所述第一导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层；所述第二导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层。所述镍层的厚度优选为1～3μm，所述金层的厚度优选为5～20μm。

本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

在本发明中，在所述第一导电层上表面沉积工作电极层和参比电极层，所述工作电极层和参比电极层不相连。

上述已经对所述工作电极层和参比电极层进行了清楚的描述，在此不再赘述。

本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

本发明在所述基板对应于工作电极层和参比电极层的分界处制作过孔，并金属化过孔。

本发明所述过孔的制作方式为常规的打孔处理，在此不进行限定。所述过孔的孔径优选为0.10～0.20mm，更优选为0.13～0.18mm。

在本发明中，还包括将保护层沉积于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端。

所述保护层以覆盖住工作电极层两端边缘和所述参比电极层两端边缘为宜，所述每端保护层的长度优选为50～100μm，更优选为55～95μm。所述保护层的厚度优选为10～50μm。

在本发明中，优选还包括设置于所述第二导电层上表面的保护层，所述优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。所述保护层的厚度优选为10～50μm。该保护层的长度以覆盖住基板整个上表面的长度为宜。

在本发明中，所述沉积保护层的方式优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

本发明对所述沉积保护层的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。所述切割优选可以为激光切割或化学腐蚀。

在本发明的另一技术方案中，在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；

上述已经对所述工作电极层、参比电极层、保护层等进行了清楚的描述，在此不再赘述。

在本发明中，所述第一导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层；所述第二导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层。所述镍层的厚度优选为1～3μm，所述金层的厚度优选为5～20μm。

本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

在本发明中，还包括将保护层沉积于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端。

在本发明中，所述沉积保护层的方式优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

本发明对所述沉积保护层的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。所述切割优选可以为激光切割或化学腐蚀。

本发明提供了一种电极，包括：上述技术方案所述的植入端和触点连接区；所述触点连接区包括基板、设置于基板上的工作电极层触点和参比电极层触点；

所述植入端的工作电极层通过第二导电层与所述工作电极层触点连接；所述植入端的参比电极层通过第一导电层与所述参比电极层触点连接。

在本发明中，所述电极优选还包括固定所述电极的固定装置。

本发明所述触点作用是和发射器连接。

在本发明中，所述植入端的工作电极层通过第二导电层与所述工作电极层触点连接的连接方式可以在工作电极层触点边缘设置过孔。

本发明其中一个技术方案提供的电极结构如图4所示，图4为本发明提供的电极结构示意图。

其中，4为参比电极层触点，3为工作电极层触点，5为基板，6为固定装置。

本发明提供了一种传感器，包括上述技术方案所述的电极。

本发明提供了一种电极的制备方法，包括：

在基板上植入端、植入端与参比电极层触点的连接部分、工作电极层触点和参比电极层触点的一侧沉积第三导电层；在基板上植入端的另一侧和植入端与工作电极层触点的连接部分沉积第四导电层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成，所述第三导电层为金层或铜层；所述第四导电层为金层或铜层；

在所述植入端的第三导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述植入端的第三导电层上沉积参比电极层，在所述第四导电层上沉积工作电极层；

将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。

本发明首先在基板上植入端、植入端与参比电极层触点的连接部分、工作电极层触点和参比电极层触点的一侧沉积第三导电层；在基板上植入端的另一侧和植入端与工作电极层触点的连接部分沉积第四导电层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成，所述第三导电层为金层或铜层；所述第四导电层为金层或铜层。

在本发明中，所述植入端为上述技术方案所述的植入端。

在本发明中，所述基板厚度优选为0.05～3mm，更优选为0.1～2.5mm。

在本发明中，所述第三导电层的厚度优选为15～25μm，更优选为17～23μm。

当所述第三导电层为铜层时，优选在所述铜层上设置有镍层，所述镍层的厚度为5～8μm；在所述镍层上设置有金层，所述金层的厚度为5～20μm；

在所述铜层上设置有镍层和金层作用是腐蚀防护，增加导电性，同时还可以防止底层的铜层对测试的干扰。

在本发明中，对所述沉积方式不进行限定，本领域技术人员熟知的沉积方式即可。本发明对所述沉积的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。

在本发明中，所述第四导电层为金层或铜层。在本发明中，所述第四导电层的厚度优选为15～25μm，更优选为17～23μm。

在本发明中，对所述沉积方式不进行限定，本领域技术人员熟知的沉积方式即可。本发明对所述沉积的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。

在本发明中，在所述植入端的第三导电层上表面沉积工作电极层和参比电极层。所述工作电极层和参比电极层不相连；

上述已经对所述工作电极层和参比电极层进行了清楚的描述，在此不再赘述。

本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

在本发明中，在所述基板对应于工作电极层和参比电极层的分界处制作过孔，并金属化。

本发明所述过孔的制作方式为常规的打孔处理，在此不进行限定。所述过孔的孔径优选为0.10～0.20mm，更优选为0.13～0.18mm。

在本发明中，还包括在上述第三导电层、第四导电层以及剩余暴露基板层的表面均沉积保护层。

所述优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。所述保护层的厚度优选为10～50μm。

在本发明中，所述沉积保护层的方式优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

在本发明的另一技术方案中，在所述植入端的第三导电层上沉积参比电极层，在所述第四导电层上沉积工作电极层。

上述已经对所述工作电极层和参比电极层进行了清楚的描述，在此不再赘述。

本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

在本发明中，还包括在上述第三导电层、第四导电层以及剩余暴露基板层的表面均沉积保护层。

所述优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。所述保护层的厚度优选为10～50μm。

在本发明中，所述沉积保护层的方式优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。

本发明采用聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯柔性材料作为基底材料制备电极，最终制备得到的电极植入体内佩戴舒适度好，不会对人体造成伤害，并且采用上述特定结构的设计使得测定结果准确性好。

为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的电极进行详细描述。

实施例1

将厚度10μm、长度为15mm的为铜层分别沉积于由聚四氟乙烯制成厚度为0.3mm，宽度为0.5mm，长度为15mm基板层上表面和下表面。在铜层上表面沉积厚度为5μm的镍层，在镍层的上表面沉积厚度为5μm的金层。在金层的上表面溅射沉积由石墨烯制备的厚度为50μm的工作电极层和厚度为50μm的氯化银参比电极层，工作电极层和参比电极层之间的距离为1.5mm；石墨烯制备的工作电极层和氯化银参比电极层长度比为1：6。在基板对应于工作电极层和参比电极层的分界处制作直径为0.15mm的过孔，并采用铜金属化过孔，制备得到电极的植入端。在工作电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度80μm，在参比电极层的两端采用聚对二甲苯盖住边缘长度80μm，在基板下表面的金层的下表面沉积聚四氟乙烯的保护层，制备得到电极的植入端。

实施例2

将厚度15μm、长度为13mm的为金层分别沉积于由聚碳酸酯制成厚度为0.2mm，宽度为0.3mm，长度为15mm基板层上表面和下表面。在金层的上表面溅射沉积由石墨烯制备的厚度为30μm的工作电极层和厚度为30μm的氯化银参比电极层，工作电极层和参比电极层之间的距离为1.5mm；石墨烯制备的工作电极层和氯化银参比电极层长度比为1：8。在基板对应于工作电极层和参比电极层的分界处制作直径为0.15mm的过孔，并采用铜金属化过孔，制备得到电极的植入端。在工作电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度80μm，在参比电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度80μm，在基板下表面的金层的下表面沉积聚对二甲苯的保护层，制备得到电极的植入端。

实施例3

将厚度20μm、长度为15mm的为铜层分别沉积于由聚酰亚胺制成厚度为0.3mm，宽度为0.5mm，长度为15mm基板层上表面和下表面。在铜层上表面沉积厚度为5μm的镍层，在镍层的上表面沉积厚度为5μm的金层。在金层的上表面溅射沉积由石墨烯制备的厚度为50μm的工作电极层和厚度为50μm的氯化银参比电极层，工作电极层和参比电极层之间的距离为1.5mm；石墨烯制备的工作电极层和氯化银参比电极层长度比为1：5。在基板对应于工作电极层和参比电极层的分界处制作直径为0.15mm的过孔，并采用铜金属化过孔，制备得到电极的植入端。在工作电极层的两端采用聚四氟乙烯覆盖住边缘长度80μm，在参比电极层的两端采用聚四氟乙烯覆盖住边缘长度80μm，在基板下表面的金层的下表面沉积聚四氟乙烯的保护层，制备得到电极的植入端。

实施例4

将厚度10μm、长度为10mm的为金层分别沉积于由聚酰亚胺制成的厚度为0.1mm，宽度为0.1mm，长度为10mm的基板层上表面和下表面。在金层上表面溅射沉积由铂制备的厚度为20μm工作电极层，在金层的下表面沉积厚度为20μm的由氯化银制备的参比电极层，在工作电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度80μm，在参比电极层的两端采用聚四氟乙烯覆盖住边缘长度80μm，制备得到电极的植入端。

实施例5

将厚度10μm、长度为12mm的为铜层分别沉积于由聚酰亚胺制成厚度为0.15mm，宽度为0.2mm，长度为12mm基板层上表面和下表面。在铜层上表面沉积厚度为5μm的镍层，在镍层的上表面沉积厚度为5μm的金层。在金层上表面溅射沉积由铂制备的厚度为30μm工作电极层，在金层的下表面沉积厚度为30μm的由氯化银制备的参比电极层，在工作电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度80μm，在参比电极层的两端采用聚四氟乙烯覆盖住边缘长度80μm，制备得到电极的植入端。

实施例6

将厚度10μm、长度为15mm的为金层分别沉积于由聚四氟乙烯制成厚度为0.2mm，宽度为0.3mm，长度为15mm基板层上表面和下表面。在金层上表面溅射沉积由铂制备的厚度为40μm工作电极层，在金层的下表面沉积厚度为40μm的由氯化银制备的参比电极层，在工作电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度60μm，在参比电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度60μm，在基板下表面的金层的下表面沉积聚对二甲苯的保护层，制备得到电极的植入端。

实施例7

将厚度10μm、长度为15mm的为铜层分别沉积于由聚碳酸酯制成厚度为0.3mm，宽度为0.5mm，长度为15mm基板层上表面和下表面。在铜层上表面沉积厚度为5μm的镍层，在镍层的上表面沉积厚度为5μm的金层。在金层的上表面溅射沉积由铂制备的厚度为50μm工作电极层，在金层的下表面沉积厚度为50μm的由氯化银制备的参比电极层，在工作电极层的两端采用聚对二甲苯覆盖住边缘长度80μm，在参比电极层的两端采用聚四氟乙烯覆盖住边缘长度80μm，在基板下表面的金层的下表面沉积聚四氟乙烯的保护层，制备得到电极的植入端。

实施例8

在由聚酰亚胺制成的基板层的植入端的氯化银参比电极层与参比电极层触点的连接部分、植入端、工作电极层触点、参比电极层触点的上表面沉积厚度10μm的金层；在植入端的工作电极层与工作电极层触点连接部分和植入端下表面沉积厚度10μm金层；在植入端的金层上表面沉积由铂制备的厚度为30μm的工作电极层和厚度为30μm的氯化银参比电极层，工作电极层和参比电极层之间的距离为1mm；铂制备的工作电极层和氯化银参比电极层长度比为1：10。在基板对应于工作电极层和参比电极层的分界处制作直径为0.15mm的过孔，在工作电极层触点边缘制作直径为0.15mm的过孔，并采用铜金属化过孔，在上述金层以及剩余暴露的聚酰亚胺的表面均沉积聚四氟乙烯保护层，制备得到电极。

将制备得到的电极在工作电极上涂葡萄糖氧化酶，上述酶经过戊二醛交联后并进行常规涂膜，将制备的电极对葡萄糖进行测定，结果如图5所示，图5为本发明实施例8制备得到的电极葡萄糖相应电流测试结果，由图5可以直观的看出，应用该电极制备的传感器测试的响应电流和葡萄糖线性关系很好(线性相关系数为99.98％)，极大的提高了传感器的准确度。

实施例9

在由聚对苯二甲酸乙二酯制成的基板层的植入端的氯化银参比电极层与参比电极层触点的连接部分、植入端、工作电极层触点、参比电极层触点的上表面沉积厚度10μm的铜层；在植入端的工作电极层与工作电极层触点连接部分和植入端下表面沉积厚度10μm铜层；在铜层上表面沉积厚度为5μm的镍层，在镍层的上表面沉积厚度为5μm的金层。在植入端的金层上表面沉积由铂制备的厚度为30μm的工作电极层，在植入端的金层下表面沉积厚度为30μm的氯化银参比电极层，在工作电极层触点边缘制作直径为0.15mm的过孔，并采用铜金属化过孔，在上述金层以及剩余暴露聚对苯二甲酸乙二酯的表面均沉积聚四氟乙烯保护层，制备得到电极。

将制备得到的电极在工作电极上涂葡萄糖氧化酶，上述酶经过戊二醛交联后并进行常规涂膜，将制备的电极对葡萄糖进行测定，结果如图6所示，图6为本发明实施例9制备得到的电极葡萄糖相应电流测试结果，由图6可以直观的看出，应用该电极制备的传感器测试的响应电流和葡萄糖线性关系很好(线性相关系数为99.97％)，极大的提高了传感器的准确度。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电极的植入端的制备方法，包括：

将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧；所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；

在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；

将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基板层与所述第一导电层的厚度比为(50～300)：(15～25)。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上具体为：将将保护层沉积于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层，还包括在所述基板层对应于所述工作电极层和参比电极层的分界处制作过孔并金属化，得到用于连接工作电极层和工作电极层触点的金属化过孔。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层；

所述第二导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镍层的厚度为1～3μm，所述金层的厚度为5～20μm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述工作电极层包括催化活化层，由铂、金、钯、碳、石墨或石墨烯制成。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述参比电极层为氯化银层。

10.一种电极的制备方法，包括：

在基板上植入端、植入端与参比电极层触点的连接部分、工作电极层触点和参比电极层触点的一侧沉积第三导电层；在基板上植入端的另一侧和植入端与工作电极层触点的连接部分沉积第四导电层；所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成，所述第三导电层为金层或铜层；所述第四导电层为金层或铜层；

在所述植入端的第三导电层上沉积工作电极层和参比电极层；或在所述植入端的第三导电层上沉积参比电极层，在所述第四导电层上沉积工作电极层；

将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。