CN105441886A - 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺 - Google Patents

一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN105441886A
CN105441886A CN201511013559.9A CN201511013559A CN105441886A CN 105441886 A CN105441886 A CN 105441886A CN 201511013559 A CN201511013559 A CN 201511013559A CN 105441886 A CN105441886 A CN 105441886A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
vacuum coating
coating equipment
speed vacuum
foamed metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201511013559.9A
Other languages
English (en)
Inventor
李伟
王乃用
刘俊林
苏衍宪
李常兴
孟国强
邢寻勇
钱亚杰
韩珅
田利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TIANYU SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd HEZE
Original Assignee
TIANYU SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd HEZE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TIANYU SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd HEZE filed Critical TIANYU SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd HEZE
Priority to CN201511013559.9A priority Critical patent/CN105441886A/zh
Publication of CN105441886A publication Critical patent/CN105441886A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3464Sputtering using more than one target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及泡沫金属生产领域,特别涉及一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺。该泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺,包括相互对称的上卷绕室和下卷绕室,上卷绕室和下卷绕室中间设有镀膜室;所述上卷绕室和下卷绕室内设有卷辊;所述卷辊通过电机带动;所述镀膜室包括壳体,壳体上下分别设有法兰;所述壳体内壁上设有N组相对的阴极靶和冷却装置;所述冷却装置与循环管相连,阴极靶与设备的溅射电源相连;所述电机、溅射电源等通过PCL控制器控制。本发明采用多靶极,短间距溅射,模芯接触式直接冷却的方案,实现模芯在真空环境下高速镀膜。

Description

一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺
(一)技术领域
本发明涉及泡沫金属生产领域,特别涉及一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺。
(二)背景技术
泡沫金属是一种具有海绵状三维多孔结构的金属材料。连续泡沫金属(例如:泡沫镍)的规模化生产开始于21世纪初,是一种应用领域广泛的新技术材料。其中泡沫镍、泡沫铜可用于镍氢电池、燃料电池的电极材料,汽车催化剂转换器、催化燃烧、柴油车黑烟净化器的催化剂载体,可用作过滤器材料,处理流体中磁性粒子的磁流导体,用于储氢媒介、热交换媒介。
随着泡沫金属的应用领域的不断扩大,泡沫金属的生产效率和成本成为其生产企业的瓶颈问题。在泡沫金属的生产过程中涉及泡沫金属产品模芯导电化处理过程,模芯导电化处理可采用真空镀膜技术、化学镀或浸涂导电胶的方法。真空镀膜工艺具有产品纯度高、无污染,成品阻值均匀等显著优势,在泡沫金属生产中已逐步替代化学镀和浸涂导电胶工艺。然而目前的真空镀膜工艺效率较低,生产成本较高,难以满足现在企业的需求。
(三)发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足,提供了一种高速真空镀膜技术,可以提高现有镀膜生产速度50%以上,缩短抽空时间50%以上。
本发明是通过如下技术方案实现的:
一种泡沫金属的高速真空镀膜设备,其特征在于:包括相互对称的上卷绕室和下卷绕室,上卷绕室和下卷绕室中间设有镀膜室;所述上卷绕室和下卷绕室内设有卷辊;所述卷辊通过电机带动;所述镀膜室包括壳体,壳体上下分别设有法兰;所述壳体内壁上设有N组相对的阴极靶和冷却装置;所述冷却装置与循环管相连,阴极靶与设备的溅射电源相连;所述电机、溅射电源等通过PCL控制器控制。
所述上卷绕室和下卷绕室的端口呈长方形,且端口处分别设有连接法兰,该连接法兰分别与镀膜室的法兰连接。
所述阴极靶表面为平面,冷却装置为长方体冷却板。
所述阴极靶表面为弧面,冷却装置为圆柱形冷却滚。
所述镀膜室内位于法兰处设有导向辊。
上述阴极靶在镀膜室的壳体内交错排列。
泡沫金属的高速真空镀膜设备的使用工艺,包括以下步骤:(1)将高速真空镀膜设备抽真空,然后通入惰性气体;(2)启动PCL控制器,镀膜金属通过阴极靶溅射到模芯上;(3)在镀膜的同时冷却装置将模芯冷却;(4)通过改变上卷绕室和下卷绕室中的卷辊的转动方向,使得模芯自动多次镀膜。
镀膜金属包括镍、铜、锌。
泡沫金属的高速真空镀膜设备的使用工艺的工艺条件包括:镀膜速度:1~10m/min;镀膜功率:3~10KW;镀膜往复次数:2~10次;惰性气体流量:100~400SCCM;镀膜真空度:小于等于6×10-1Pa。
上述惰性气体为氩气。
本发明采用整体“类眼镜状”对称结构,在采用普通真空抽空机组的情况下,实现缩短抽空时间的目的。采用多靶极,短间距溅射,模芯接触式直接冷却的方案,实现模芯在真空环境下高速镀膜。
本发明模芯放置于上卷绕室和下卷绕室内,通过调节电机的运转方向使得模芯既可以从上至下运动,也可以从下至上运动,实现多次镀膜。
镀膜部分采用金属壳体,内部设有阴极靶,冷却板或冷却辊,以及与冷却板或冷却辊相连接的冷却水循环管。模芯先经过阴极靶,被溅射镀膜后,立即与冷却板或冷却辊接触,进行降温,再经过下一级阴极靶溅射镀膜,再降温,如此多次,完成镀膜的过程。
本发明整体采用类眼镜状结构设计,与类似功能的镀膜设备相比,设备空间减少70%以上,同等抽空机组条件下,可实现抽空时间减少50%以上。同时,镀膜区采用狭缝式扁平设计,有效减少镀膜金属颗粒向镀膜区之外飞溅,有利于镀膜后的设备清洁工作和保护环境。
本发明的有益效果是:本发明采用多靶极,短间距溅射,模芯接触式直接冷却的方案,实现模芯在真空环境下高速镀膜。
(四)附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明镀膜室及冷却板的结构示意图。
图3为本发明镀膜室及冷却辊的结构示意图。
图中,1上卷绕室,2下卷绕室,3镀膜室,4卷辊,5壳体,6阴极靶,7冷却装置,8循环管,9导向辊。
(五)具体实施方式
实施例1
如图2所述,该实施例包括相互对称的上卷绕室1和下卷绕室2,上卷绕室1和下卷绕室2中间设有镀膜室3;所述上卷绕室1和下卷绕室2内设有卷辊4;所述卷辊4通过电机带动;所述镀膜室3包括壳体5,壳体5上下分别设有法兰;所述壳体5内壁上设有N组相对的阴极靶6和冷却装置7;所述冷却装置7与循环管8相连,阴极靶6与设在壳体5外壁的溅射电源相连;所述电机、溅射电源通过PCL控制器控制。所述上卷绕室1和下卷绕室2的端口呈长方形,且端口处分别设有连接法兰,该连接法兰分别与镀膜室3的法兰连接。所述阴极靶6表面为平面,冷却装置7为长方体冷却板。所述镀膜室3内位于法兰处设有导向辊9。上述阴极靶6在镀膜室3的壳体5内交错排列。
该镀膜设备工作时,设备抽到一定的真空度,通入氩气,根据工艺要求开启镀膜电源,镀膜金属在工作介质的作用下,以一定的能量和速度溅射到膜芯上。由于采用多块靶极(1~N对),模芯在经过每块靶极时,均可获得溅射金属,从而可以实现比现有镀膜设备提高50%以上的镀膜速度。镀膜金属在被氩离子轰出靶极后,通常为高能原子,其所携带的能量随飞行距离的增加而减弱。本设备的靶极和模芯之间,采用较短的间距(50~0mm),可使镀膜金属原子在其高能状态下溅射到模芯上,从而获得良好的深镀性能。另一方面,本设备在镀区设置膜芯直接冷却装置,高能原子在溅射到模芯上后,立刻得到冷却,从而保证模芯的结构完整。
本发明可根据泡沫金属后续生产对模芯的导电要求,实现对模芯的自动多次镀膜。在上下卷绕装置处,设置有自动感应装置,模芯的头或尾运行到此,感应装置捕捉到信号,通过PLC控制上卷绕室1和下卷绕室2的电机的工作状态,以恒张力带动模芯向上或向下运动,实现多次镀膜,使模芯在不变形的同时获得不同的导电能力。
实施例2
如图3所述,该实施例包括相互对称的上卷绕室1和下卷绕室2,上卷绕室1和下卷绕室2中间设有镀膜室3;所述上卷绕室1和下卷绕室2内设有卷辊4;所述卷辊4通过电机带动;所述镀膜室3包括壳体5,壳体5上下分别设有法兰;所述壳体5内壁上设有N组相对的阴极靶6和冷却装置7;所述冷却装置7与循环管8相连,阴极靶6与设在壳体5外壁的溅射电源相连;所述电机、溅射电源通过PCL控制器控制。所述上卷绕室1和下卷绕室2的端口呈长方形,且端口处分别设有连接法兰,该连接法兰分别与镀膜室3的法兰连接。所述阴极靶6表面为弧面,冷却装置7为圆柱形冷却滚。所述镀膜室3内位于法兰处设有导向辊9。上述阴极靶6在镀膜室3的壳体5内交错排列。
该镀膜设备工作时,设备抽到一定的真空度,通入氩气,根据工艺要求开启镀膜电源,镀膜金属在工作介质的作用下,以一定的能量和速度溅射到膜芯上。由于采用多块靶极(1~N对),模芯在经过每块靶极时,均可获得溅射金属,从而可以实现比现有镀膜设备提高50%以上的镀膜速度。镀膜金属在被氩离子轰出靶极后,通常为高能原子,其所携带的能量随飞行距离的增加而减弱。本设备的靶极和模芯之间,采用较短的间距(50~0mm),可使镀膜金属原子在其高能状态下溅射到模芯上,从而获得良好的深镀性能。另一方面,本设备在镀区设置膜芯直接冷却装置,高能原子在溅射到模芯上后,立刻得到冷却,从而保证模芯的结构完整。
本发明可根据泡沫金属后续生产对模芯的导电要求,实现对模芯的自动多次镀膜。在上下卷绕装置处,设置有自动感应装置,模芯的头或尾运行到此,感应装置捕捉到信号,通过PLC控制上卷绕室1和下卷绕室2的电机的工作状态,以恒张力带动模芯向上或向下运动,实现多次镀膜,使模芯在不变形的同时获得不同的导电能力。
实施例3
本发明适合于多种泡沫金属的模芯导电化处理,镀镍时的工艺条件为:
镀膜速度:1~10m/min;
镀膜功率:3~10KW;
镀膜往复次数:2~10次;
氩气流量:100~400SCCM;
镀膜真空度:小于等于6×10-1Pa;
镀膜后模芯表面电阻:≤200Ω/m(采用表笔直接测量)。

Claims (10)

1.一种泡沫金属的高速真空镀膜设备,其特征在于:包括相互对称的上卷绕室和下卷绕室,上卷绕室和下卷绕室中间设有镀膜室;所述上卷绕室和下卷绕室内设有卷辊;所述卷辊通过电机带动;所述镀膜室包括壳体,壳体上下分别设有法兰;所述壳体内壁上设有N组相对的阴极靶和冷却装置;所述冷却装置与循环管相连,阴极靶与设备的溅射电源相连;所述电机、溅射电源等通过PCL控制器控制。
2.根据权利要求1所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备,其特征在于:所述上卷绕室和下卷绕室的端口呈长方形,且端口处分别设有连接法兰,该连接法兰分别与镀膜室的法兰连接。
3.根据权利要求1所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备,其特征在于:所述阴极靶表面为平面,冷却装置为长方体冷却板。
4.根据权利要求1所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备,其特征在于:所述阴极靶表面为弧面,冷却装置为圆柱形冷却辊。
5.根据权利要求4所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备,其特征在于:所述镀膜室内位于法兰处设有导向辊。
6.根据权利要求1-5中任意一项权利所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备,其特征在于:所述阴极靶在镀膜室的壳体内交错排列。
7.根据权利要求1所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备的使用工艺,包括以下步骤,其特征在于:(1)将高速真空镀膜设备抽真空,然后通入惰性气体;(2)启动PCL控制器,镀膜金属通过阴极靶溅射到模芯上;(3)在镀膜的同时冷却装置将模芯冷却;(4)通过改变上卷绕室和下卷绕室中的卷辊的转动方向,使得模芯自动多次镀膜。
8.根据权利要求7所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备的使用工艺,其特征在于:镀膜金属包括镍、铜、铝、钛。
9.根据权利要求8所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备的使用工艺,其特征在于:工艺条件包括:镀膜速度:1~10m/min;镀膜功率:3~10KW;镀膜往复次数:2~10次;惰性气体流量:100~400SCCM;镀膜真空度:小于等于6×10-1Pa。
10.根据权利要求7或8或9所述的泡沫金属的高速真空镀膜设备的使用工艺,其特征在于:所述惰性气体为氩气。
CN201511013559.9A 2015-12-31 2015-12-31 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺 Pending CN105441886A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511013559.9A CN105441886A (zh) 2015-12-31 2015-12-31 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511013559.9A CN105441886A (zh) 2015-12-31 2015-12-31 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105441886A true CN105441886A (zh) 2016-03-30

Family

ID=55552509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201511013559.9A Pending CN105441886A (zh) 2015-12-31 2015-12-31 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105441886A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113355647A (zh) * 2021-06-07 2021-09-07 江苏中天科技股份有限公司 多孔金属及其制备方法和制造设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3534907A1 (de) * 1984-10-04 1986-04-10 TDK Corporation, Tokio/Tokyo Verfahren zum herstellen eines magnetaufzeichnungstraegers
JP2006336029A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Fts Corporation:Kk 連続スパッタ装置および連続スパッタ方法
CN205329150U (zh) * 2015-12-31 2016-06-22 菏泽天宇科技开发有限责任公司 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3534907A1 (de) * 1984-10-04 1986-04-10 TDK Corporation, Tokio/Tokyo Verfahren zum herstellen eines magnetaufzeichnungstraegers
JP2006336029A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Fts Corporation:Kk 連続スパッタ装置および連続スパッタ方法
CN205329150U (zh) * 2015-12-31 2016-06-22 菏泽天宇科技开发有限责任公司 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113355647A (zh) * 2021-06-07 2021-09-07 江苏中天科技股份有限公司 多孔金属及其制备方法和制造设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN205329149U (zh) 一种真空镀膜冷却装置
CN102640242A (zh) 电化学电容器以及其中使用的电极
CN102856532A (zh) 一种锂离子电池富锂阳极片的制备方法
CN102916164A (zh) 一种向锂离子电池正极片补锂的方法
CN102482762B (zh) 薄膜的制造方法
CN102212791A (zh) 对聚酯型聚氨酯泡沫基体进行磁控溅射镀膜的设备及方法
WO2003100111A1 (en) Method for producing porous metal by composite physical vapour deposition and the equipment thereof
CN109576668B (zh) 一种多工位长管材高效磁控溅射镀膜专用装置
CN109778135A (zh) 一种预嵌入金属锂制备电池负极材料的装置及方法
CN112875680B (zh) 一种片状Fe基合金催化生长碳纳米管阵列的制备方法
CN103582721A (zh) 铝结构体的制造方法和铝结构体
CN105441886A (zh) 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备及工艺
CN103805955B (zh) 一种用于卷绕式溅射三层介质膜的镀膜方法
CN203653686U (zh) 一种用于卷绕式溅射三层介质膜的镀膜装置
CN104733181A (zh) 中高压阳极用高纯铝箔表面喷雾沉积弥散锡、锌晶核的方法及装置
CN110128022A (zh) 一种大型曲面玻璃真空溅射镀膜装置
CN205329150U (zh) 一种泡沫金属的高速真空镀膜设备
CN105449168A (zh) 具有界面修饰层的金属基固态薄膜锂电池正极的制备方法
CN117364050A (zh) 一种涂层装置及卷绕真空镀膜系统
CN111058000A (zh) 一种三级蒸发高速卷对卷真空锂薄膜生产装置
CN108070839B (zh) 一种泡沫镍铬合金的连续制备方法
CN105441885A (zh) 一种真空镀膜冷却装置
CN106449890A (zh) 一种太阳能光伏焊带的制备方法
CN103474642B (zh) 一种用于锂离子电池的氧化锡负极材料及其制备方法
CN211665167U (zh) 一种磁过滤管道

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Wang Naiyong

Inventor after: Liu Junlin

Inventor after: Su Yanxian

Inventor after: Li Changxing

Inventor after: Meng Guoqiang

Inventor after: Xing Xunyong

Inventor after: Qian Yajie

Inventor after: Han Shen

Inventor after: Tian Li

Inventor before: Li Wei

Inventor before: Tian Li

Inventor before: Wang Naiyong

Inventor before: Liu Junlin

Inventor before: Su Yanxian

Inventor before: Li Changxing

Inventor before: Meng Guoqiang

Inventor before: Xing Xunyong

Inventor before: Qian Yajie

Inventor before: Han Shen

CB03 Change of inventor or designer information
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160330

RJ01 Rejection of invention patent application after publication