CN105422959B - 设有三极管型高低电平转换电路的直流电磁阀 - Google Patents

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Abstract

一种设有高低电平转换电路的直流电磁阀,包括节电单元(100)与传统直流电磁阀两部份,其特征在于：所述的节电单元(100)由开关脉冲发生电路(101)、高低电平转换电路(102)、开关电路(103)、防接错二极管(D1)及续流二极管(D5)组成；其中，高低电平转换电路(102)为三极管型电路结构，其由三极管(T1)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一电容(C1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、输入端14端及输出端12端组成。

Description

设有三极管型高低电平转换电路的直流电磁阀
技术领域
本发明涉及直流电器领域，尤其涉及一种具有节电功能的“设有三极管型高低电平转换电路的直流电磁阀”。
背景技术
电磁阀(Electromagnetic valve)是一种依靠励磁线圈产生的电磁力来驱动阀门开、关的流体控制器件。
直流电磁阀是电磁阀中的一种类型，是家用电器和工控设备中应用非常广泛的直流电器。其特点是在励磁线圈中接入直流电压、用直流电流产生驱动阀门开、关的电磁力。
直流电磁阀主要由励磁线圈、阀芯、复位弹簧组成。图1a、图1b为直流电磁阀控制流体(气或液)通、断的示意图；图2a、图2b为液压设备中用的直流液压电磁阀控制“液压油”流向的示意图。
结合图1a：当励磁线圈的A1、A2端接通DC12V、DC24V或其他直流电压(以下通称DC12V、DC24V或其他直流电压为DC电压)时，其产生的电磁力推动阀芯克服复位弹簧的阻力而向下移动，与阀芯相连接的活塞也随之下移，所述的直流电磁阀打开，其“入口”与“出口”接通。
结合图1b：当励磁线圈中的DC电压关断时，阀芯失磁力，受复位弹簧的作用而上移，活塞也随之上移，所述的直流电磁阀“复位”，其“入口”与“出口”关断。
结合图2a：液压电磁阀的励磁线圈之A1、A2端接通DC电压时，其产生的电磁力推动阀芯克服复位弹簧的阻力而向右移动，与阀芯相连接的一组活塞也随之右移，所述的液压电磁阀之2口与3口、1口与4口便被接通。
结合图2b：液压电磁阀的励磁线圈中的DC电压关断时，阀芯失磁力，受复位弹簧的作用而左移，活塞也随之左移，所述的液压电磁阀“复位”，其之1口与2口、4口与5口便被接通。
综上所述，直流电磁阀的工作过程可分为“起动”、“保持”、“复位”三个阶段：
1、起动：励磁线圈的A1、A2端与DC电压接通,电磁力推动阀芯运动；
2、保持：阀芯到达设定的位置，励磁线圈继续与DC电压接通,阀芯继续受电磁力作用；
3、复位：励磁线圈断开DC电压,阀芯失电磁力作用而回复至起始时的位置。
显尔易见，在起动阶段，阀芯必须克服静摩擦力与复位弹簧的弹力需较大的电磁力作用才能运动。与此相对应，DC电压必须提供较大的功率(以下称起动功率)励磁线圈才能产生较大的电磁力，方能保证阀芯的运动。
在保持阶段，阀芯已到达设定位置，DC电压只需提供较小的功率(以下称保持功率)就可使阀芯克服复位弹簧的弹力而保持在设定位置上。与此相对应，若此时DC电压仍提供与起动阶段一样高的功率，将造成电能浪费并使励磁线圈无惠的升温！
传统的直流电磁阀由于起动功率与保持功率几乎相同,因此，因保持功率过大而存在以下的严重缺点：
1、发热：传统的直流电磁阀由于保持功率过大而发热严重，励磁线圈因过热而烧毁的现象也屡屡发生；
2、耗电：传统的直流电磁阀另一个缺点就是保持功率过大而无惠的耗电，减少这种耗电,就可取得“节电”的效果；
3、失控：励磁线圈发热之后，其阻抗增加，电流变小，电磁力亦随之减小，若此时再次起动电磁阀,阀芯将因电磁力太小而难以到达设定位置，家用电器或工控设备会因此而系统失控。
针对传统的直流电磁阀的缺点,本发明要迖到的目标是：
1、“用电子技术改造传统产业”，设计一种电子线路尽量简单的、所用器件尽量少的、价格尽量廉的、可使传统直流电磁阀节电的“节电单元”；
2、该“节电单元”可用于改造在线使用的传统直流电磁阀,使这些直流电磁阀升級成为具有节电功能的直流电磁阀；
3、该“节电单元”也可集成到将要生产的直流电磁阀中,使直流电磁阀的制造商生产出与“节电单元”一体化的、具有节电功能的新型直流电磁阀。
发明内容
为了达到上述目标,本发明设计的技术方案是：一种设有高低电平转换电路的直流电磁阀,包括节电单元100与传统直流电磁阀两部份,其特征在于：所述的节电单元100由开关脉冲发生电路101、高低电平转换电路102、开关电路103、防接错二极管D1及续流二极管D5组成；并且，所述的防接错二极管D1的正极与DC电压的正极相连接，负极与所述的开关脉冲发生电路101的输入端10端及传统直流电磁阀中的励磁线圈L的A1端均相连接；所述的开关脉冲发生电路101的输出端13端与所述的高低电平转换电路102的输入端14端及所述的开关电路103的输入端15端均相连接；所述的高低电平转换电路102的输出端12端与所述的开关电路103的输入端11端相连接；所述的续流二极管D5与所述的励磁线圈L相并联，其负极与励磁线圈L的A1端相连接，正极与励磁线圈L的A2端及开关电路103的19端均相连接；所述的开关脉冲发生电路101、高低电平转换电路102及开关电路103均具有与DC电压的负极相连接的公共端。
所述的开关脉冲发生电路101可以采用多种电路结构，本发明优选了以下一种：
其由集成电压比较器IC1-1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第七电阻R7、输入端10端、输入端11端及输出端13端组成，它们的连接方式为：输入端10端与防接错二极管D1的负极相连接；输入端11端与高低电平转换电路102的输出端12端相连接；第一电阻R1、第三电阻R3、第七电阻R7各自的一端均与输入端10端相连接；第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端、集成电压比较器IC1-1的反相输入端2脚均相连接；第三电阻R3的另一端与集成电压比较器IC1-1的同相输入端3脚及输入端11端均相连接；集成电压比较器IC1-1的8脚亦与输入端10端相连接；第七电阻R7的另一端、集成电压比较器IC1-1的1脚均与输出端13端相连接；第二电阻R2的另一端、集成电压比较器IC1-1的4脚均与DC电压的负极相连接。
所述的高低电平转换电路102可以采用多种电路结构，本发明优选了以下的两种电路结构：
(a)、三极管型：由三极管T1、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二二极管D2、第三二极管D3、输入端14端及输出端12端组成，它们的连接方式为：第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1各自的一端均与三极管T1的基极相连接；三极管T1的发射极、第四电阻R4的另一端、第一电容C1的另一端均与DC电压的负极相连接；三极管T1的集电极与输出端12端相连接；第五电阻R5的另一端与第二二极管D2的负极相连接；第六电阻R6的另一端与第三二极管D3的正极相连接；第二二极管D2的正极、第三二极管D3的负极均与输入端14端相连接。
(b)、集成电路型：由集成电压比较器IC1-2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二二极管D2、第三二极管D3、输入端14端及输出端12端共同组成，电路结构为：第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1各自的一端均与集成电压比较器IC1-2的反相输入端6脚相连接；集成电压比较器IC1-2的同相输入端5脚与开关脉冲发生电路101中的集成电压比较器IC1-1之反相输入端2脚相连接；集成电压比较器IC1-2的7脚与输出端12端相连接；第四电阻R4的另一端、第一电容C1的另一端均与DC电压的负极相连接；第五电阻R5的另一端与第二二极管D2的负极相连接；第六电阻R6的另一端与第三二极管D3的正极相连接；第二二极管D2的正极、第三二极管D3的负极均与输入端14端相连接。
所述的集成电压比较器IC1-1、集成电压比较器IC1-2选用集成电路LM393也可以选用集成电路TDC393、IR393、LA393、LA6393、MB47393、TA75393、AN6914、upc277c、LM293
所述的开关电路103可以采用多种电路结构，本发明优选了以下的电路结构：其由输入端15、第八电阻R8、第四二极管D4、瞬态电压抑止二极管TVS、场效应管FET(FieldEffect Transistor)、19端及20端组成，电路结构为：第八电阻R8的一端与输入端15相连接；另一端与第四二极管D4的正极相连接；第四二极管D4的负极与场效应管FET的栅极G及瞬态电压抑止二极管TVS的负极均相连接；19端与场效应管FET的漏极D相连接；20端与场效应管FET的源极S及DC电压的负极均相连接。
所述的场效应管FET可以用其他开关器件例如绝缘栅双极型晶体管(InsulatendGate Bipolar Transistor，IGBT)、电子注入增强栅晶体管(Injection Enhanced GateTransistors，IEGT)、静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor，SITH)代替。
应用本发明,可以取得以下有益效果：
1、节电。实测按照本发明图4组装的实验直流电磁阀，与传统直流电磁阀相比较，本发明可取得≥80％的节电效率；
2、温升小。温升是衡量电子或电器产品可靠性的重要指标，温升小，电子或电器产品的可靠性就高；反之，电子或电器产品的可靠性就低。本发明由于节电效率高，因此温升必然小。实际运行表明：在30℃室温的条件下，应用本发明图4组装的实验直流电磁阀，连续运行24小时后，励磁线圈的温度为39℃，而传统直流电磁阀连续运行一小时后，已升温至60℃以上。
附图说明
图1a为气或液用的直流电磁阀通电状态的示意图；
图1b为气或液用的直流电磁阀断电状态的示意图；
图2a为液压用的直流电磁阀通电状态的示意图；
图2b为液压用的直流电磁阀断电状态的示意图；
图3为本发明的原理方框图；
图4为实施例1的电路原理图；
图5为实施例2的电路原理图；
图6a为开关脉冲发生电路101之输出电压V1的脉冲波形图：
图6b为开关电路103之输入电压Vg的脉冲波形图；
图6c为高低电平换电路102之输出电压V3的脉冲波形图。
具体实施方式
下面结合附图,说明本发明的实施方式。
图3为本发明的原理方框图，图中显示：一种设有三极管型高低电平转换电路的直流电磁阀,包括节电单元100与传统直流电磁阀两部份,其特征在于：所述的节电单元100由开关脉冲发生电路101、高低电平转换电路102、开关电路103、防接错二极管D1及续流二极管D5组成；并且，所述的防接错二极管D1的正极与DC电压的正极相连接，负极与所述的开关脉冲发生电路101的输入端10端及传统直流电磁阀中的励磁线圈L的A1端均相连接；所述的开关脉冲发生电路101的输出端13端与所述的高低电平转换电路102的输入端14端及所述的开关电路103的输入端15端均相连接；所述的高低电平转换电路102的输出端12端与所述的开关脉冲发生电路101的输入端11端相连接；所述的续流二极管D5与所述的励磁线圈L相并联，其负极与励磁线圈L的A1端相连接，正极与励磁线圈L的A2端及开关电路103的19端均相连接；所述的开关脉冲发生电路101、高低电平转换电路102及开关电路103的20端均与DC电压的负极相连接。
图4为实施例1的电路原理图，图中显示：
本实施例1的开关脉冲发生电路101由集成电压比较器IC1-1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第七电阻R7、输入端10端、输入端11端及输出端13端组成，它们的连接方式为：输入端10端与防接错二极管D1的负极相连接；输入端11端与高低电平转换电路102的输出端12端相连接；第一电阻R1、第三电阻R3、第七电阻R7各自的一端均与输入端10端相连接；第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端、集成电压比较器IC1-1的反相输入端2脚均相连接；第三电阻R3的另一端与集成电压比较器IC1-1的同相输入端3脚及输入端11端均相连接；集成电压比较器IC1-1的8脚亦与输入端10端相连接；第七电阻R7的另一端、集成电压比较器IC1-1的1脚均与输出端13端相连接；第二电阻R2的另一端、集成电压比较器IC1-1的4脚均与DC电压的负极相连接。
高低电平转换电路102由三极管T1、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二二极管D2、第三二极管D3、输入端14端及输出端12端组成，它们的连接方式为：第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1各自的一端均与三极管T1的基极相连接；三极管T1的发射极、第四电阻R4的另一端、第一电容C1的另一端均与DC电压的负极相连接；三极管T1的集电极与输出端12端相连接；第五电阻R5的另一端与第二二极管D2的负极相连接；第六电阻R6的另一端与第三二极管D3的正极相连接；第二二极管D2的正极、第三二极管D3的负极均与输入端14端相连接。
开关电路103由输入端15、第八电阻R8、第四二极管D4、瞬态电压抑止二极管TVS、场效应管FET(Field Effect Transistor)、19端及20端组成，电路结构为：第八电阻R8的一端与输入端15相连接；另一端与第四二极管D4的正极相连接；第四二极管D4的负极与场效应管FET的栅极G及瞬态电压抑止二极管TVS的负极均相连接；19端与场效应管FET的漏极D相连接；20端与场效应管FET的源极S及DC电压的负极均相连接。
本专业的技术人员应该清楚：
防接错二极管D1起到防止DC电压接错的作用。当DC电压正确连接，即：其正极与防接错二极管D1的正极连接时，防接错二极管D1导通，所述的直流电磁阀得电工作；当DC电压错误连接，即：其负极与防接错二极管D1的正极连接时，防接错二极管D1截止，所述的直流电磁阀因失电而不工作。
续流二极管D5起到为励磁线圈L续流的作用。当DC电压接通且场效应管FET导通时，所述的续流二极管D5截止；当DC电压关断或场效应管FET截止时，励磁线圈L中的电流通过所述的续流二极管D5继续流通。
本实施例1的工作过程可以用其所属的开关脉冲发生电路101、高低电平转换电路102、开关电路103的工作状态作说明：
结合图4与图6a，本实施例1在t＝0时，DC电压接通，此时：第一电容C1两端的电压Vc＝0，三极管T1截止，高低电平转换电路102的输出电压V3为高电平。
由于第三电阻R3的阻值远小于集成电压比较器IC1-1之同相输入端3脚的输入阻抗，因此，t＝0时，高低电平转换电路102的输出电压V3与防接错二极管D1的负极端的电压Vdc近似相等，即：
V3≈Vdc＞V2……………………………………………………………(1)
上述(1)式中V2为集成电压比较器IC1-1之反相输入端2脚上的电压。
再结合图4，由于高低电平转换电路102的输出端12端与开关脉冲发生电路101的输入端11端相连接，因此,t＝0时，集成电压比较器IC1-1的同相输入端3脚上的电压高于其反相输入端2脚上的电压，因此，所述的集成电压比较器IC1-1的输出端1脚输出的电压V1为高电平。
上述电压V1通过第二二极管D2、第五电阻R5对第一电容C1充电，随着充电的进程，t＝t2时，第一电容C1两端的电压Vc＞0.7V，三极管T1导通(设三极管T1为硅管)，高低电平转换电路102的输出电压V3变为低电平，即：t＝t2时，V3＜V2，所述的集成电压比较器IC1-1的输出端1脚输出的电压V1变为低电平。
综上所述，在0～t2时域内，所述的电压V1为高电平，产生宽度为tw1的“起动脉冲”。
由于t＝0时,第一电容C1两端的电压Vc＝0；t＝t2时,所述的Vc≈0.7V，Vc的电压由0V经第二二极管D2、第五电阻R5充电至0.7V所用的时间相对较长，因此所述的“起动脉冲”的脉冲宽度相对较宽。
调整第五电阻R5、第一电容C1的值,可以调整“起动脉冲”的脉冲宽度tw1。
如前所述，由于t＝t2时，所述的电压V1为低电平，因此，第一电容C1通过第六电阻R6、第三二极管D3放电。随着第一电容C1放电的进程，至t＝t3时，第一电容C1两端的电压Vc＜0.7V，三极管T1截止，高低电平转换电路102的输出电压V3变为高电平，即：t＝t3时，V3＞V2，所述的集成电压比较器IC1-1的输出端1脚输出的电压V1为高电平。
t＝t3时,所述的电压V1变为高电平后，其通过第五电阻R5、第二二极管D2对第一电容C1充电，t＝t4时，第一电容C1两端的电压Vc＞0.7V，三极管T1导通，高低电平转换电路102的输出电压V3变为低电平。
如此循环往复,开关脉冲发生电路101便输出了一串图6a所表示的周期(DutyCycle)为T2、脉冲宽度(impulse width)为tw2的“保持脉冲串”—本发明简称其为“保持脉冲”。
调整第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1的值，可以达到调整“保持脉冲”之脉冲宽度tw2、周期T2的目的。
结合图6c：如前所述，在本实施例中，以三极管T1为核心的高低电平转换电路102的工作过程为：
在0～t2时域、t3～t4时域及其与t3～t4相对应的时域内，第一电容C1处于充电状态，其两端的电压Vc＜0.7V，三极管T1截止，所述的高低电平转换电路102之输出电压V3≈Vdc，为高电平；
在t2～t3时域及其与t2～t3相对应的时域内，第一电容C1为放电状态，其两端的电压Vc＞0.7V，三极管T1导通，所述的高低电平转换电路102之输出电压V3≈0，为低电平。
综上所述，高低电平转换电路102的功能是：将第一电容C1上较小的电压变化量转换为较大的变化量(高电平时V3≈Vdc，低电平时V3≈0)，或简称：“实施高低电平转换”。
上述“较大的变化量”输入至集成电压比较器IC1-1的同相输入端3脚上，提高了所述的开关脉冲发生电路101的可靠性和抗干扰能力。
再结合图4、图6b，所述的“起动脉冲”、“保持脉冲”经第八电阻R8、第四二极管D4的传输，成为图6b所表示的场效应管FET的栅极G、源极S之间的控制电压Vg。
在0～t2时域，Vg为高电平，场效应管FET导通，励磁线圈L与DC电压接通,电磁阀获得起动功率而起动，电磁力推动阀芯至设定位置；
在t3～t4时域及其与t3～t4相对应的时域内，Vg亦为高电平，场效应管FET亦导通，间隙做功的“保持脉冲”之脉冲式电磁力使阀芯保持在设定位置；
在t2～t3时域及其与t2～t3相对应的时域内，Vg为低电平，场效应管FET关断，励磁线圈L与DC电压断开；
t＝t5时，DC电压关断，阀芯失电磁力作用而复位；
t＝t6时，DC电压再次接通，电磁阀重新进入“起动”、“保持”、“复位”的工作状态。
按前已述的方法，调整相关器件，可以调整“保持脉冲”之脉冲宽度tw2、周期T2，即可以调整“保持脉冲”之占空比(Mark-Space Rat io)。本专业的技术人员应该清楚：通过调整“保持脉冲”之占空比，可以调整电磁阀的“保持功率”，达到以下的目的：
1、间隙做功的脉冲式电磁力使阀芯保持在设定位置，换言之：使电磁阀完成“保持”的任务；
2、以最小的平均功率(average power)完成上述“保持”任务。
采用上述技术措施,可使本发明克服传统直流电磁阀因保持功率过大而造成的电能浪费并使励磁线圈L温升过高的弊病，取得节约电能、降低励磁线圈L温升之有益效果。
图5为实施例2的电路原理图，其之开关脉冲发生电路101、开关电路103均与实施例1相同，但高低电平转换电路102与实施例1不同，实施例1采用的是三极管型高低电平转换电路，本实施例2采用的是集成电路型高低电平转换电路。
结合图5，本实施例2的集成电路型高低电平转换电路102，由集成电压比较器IC1-2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二二极管D2、第三二极管D3、输入端14端及输出端12端共同组成，电路结构为：第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1各自的一端均与集成电压比较器IC1-2的反相输入端6脚相连接；集成电压比较器IC1-2的同相输入端5脚与开关脉冲发生电路101中的集成电压比较器IC1-1之反相输入端2脚相连接；集成电压比较器IC1-2的7脚与输出端12端相连接；第四电阻R4的另一端、第一电容C1的另一端均与DC电压的负极相连接；第五电阻R5的另一端与第二二极管D2的负极相连接；第六电阻R6的另一端与第三二极管D3的正极相连接；第二二极管D2的正极、第三二极管D3的负极均与输入端14端相连接。
比照图4、图5可知，本实施例2的工作过程与实施例1相同，所不同的是：实施高低电平转换的功能，在实施例1中是三极管T1完成的，而在本实施例2中则是由集成电压比较器IC1-2完成的。
以上阐述了本发明的技术方案,一切不脱离本发明的技术方案实质的替代方案,都应在本发明的权利要求的范围内。

Claims (3)

1.一种设有高低电平转换电路的直流电磁阀,包括节电单元(100)与直流电磁阀两部分,其特征在于：所述的节电单元(100)由开关脉冲发生电路(101)、高低电平转换电路(102)、开关电路(103)、防接错二极管(D1)及续流二极管(D5)组成；并且，所述的防接错二极管(D1)的正极与DC电压的正极相连接，负极与所述的开关脉冲发生电路(101)的输入端10端及直流电磁阀中的励磁线圈L的A1端均相连接；所述的开关脉冲发生电路(101)的输出端13端与所述的高低电平转换电路(102)的输入端14端及所述的开关电路(103)的输入端15端均相连接；所述的高低电平转换电路(102)的输出端12端与所述的开关电路(103)的输入端11端相连接；所述的续流二极管(D5)与所述的励磁线圈L相并联，其负极与励磁线圈L的A1端相连接，正极与励磁线圈L的A2端及开关电路(103)的19端均相连接；所述的开关脉冲发生电路(101)、高低电平转换电路(102)及开关电路(103)均具有与DC电压的负极相连接的公共端；
其中，高低电平转换电路(102)为三极管型电路结构，由三极管(T1)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一电容(C1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、输入端14端及输出端12端组成，该高低电平转换电路(102)的连接方式为：第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一电容(C1)各自的一端均与三极管(T1)的基极相连接；三极管(T1)的发射极、第四电阻(R4)的另一端、第一电容(C1)的另一端均与DC电压的负极相连接；三极管(T1)的集电极与输出端12端相连接；第五电阻(R5)的另－端与第二二极管(D2)的负极相连接；第六电阻(R6)的另－端与第三二极管(D3)的正极相连接；第二二极管(D2)的正极、第三二极管(D3)的负极均与输入端14端相连接。
2.如权利要求1所述的设有高低电平转换电路的直流电磁阀，其中，开关脉冲发生电路(101)由第一集成电压比较器(IC1-1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第七电阻(R7)、输入端10端、输入端11端及输出端13端组成，它们的连接方式为：输入端10端与防接错二极管(D1)的负极相连接；输入端11端与高低电平转换电路(102)的输出端12端相连接；第一电阻(R1)、第三电阻(R3)、第七电阻(R7)各自的一端均与输入端10端相连接；第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的一端、第一集成电压比较器(IC1-1)的反相输入端2脚均相连接；第 三电阻(R3)的另一端与第一集成电压比较器(IC1-1)的同相输入端3脚及输入端11端均相连接；第一集成电压比较器(IC1-1)的8脚亦与输入端10端相连接；第七电阻(R7)的另一端、第一集成电压比较器(IC1-1)的1脚均与输出端13端相连接；第二电阻(R2)的另一端、第一集成电压比较器(IC1-1)的4脚均与DC电压的负极相连接。
3.如权利要求1所述的设有高低电平转换电路的直流电磁阀，其中，所述的开关电路(103)由输入端15、第八电阻(R8)、第四二极管(D4)、瞬态电压抑止二极管(TVS)、场效应管(FET)、19端及20端组成，其电路结构为：第八电阻(R8)的一端与输入端15相连接；另一端与第四二极管(D4)的正极相连接；第四二极管(D4)的负极与场效应管(FET)的栅极(G)及瞬态电压抑止二极管(TVS)的负极均相连接；19端与场效应管(FET)的漏极(D)相连接；20端与场效应管FET的源极(S)及DC电压的负极均相连接。
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