CN105405656A - 一种分等级结构Zn2SnO4及其应用 - Google Patents
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- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 32
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 20
- KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrachloride;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 7
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010405 anode material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 15
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
本发明公开了一种分等级结构Zn2SnO4及其应用,其具体是在五水合四氯化锡溶液中依次加入四甲基氢氧化铵溶液和醋酸锌溶液,经水热反应后再进行煅烧,得到所述分等级结构Zn2SnO4。所得分等级结构Zn2SnO4具有较大的比表面积,能吸附更多的染料,并具有更好的散射作用,可增加光捕获效率和电荷收集效率,适用于作为染料敏化太阳能电池的光阳极材料。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池材料技术领域,具体涉及一种分等级结构Zn2SnO4及其应用。
背景技术
染料敏化纳米太阳能电池以其成本低廉、工艺简单、对光强和温度的变化不敏感、光电转化效率较高等优势,极有可能取代硅基太阳能电池而在未来的太阳能电池市场占据一定的位置。从目前研究结果来看,Zn2SnO4(带隙为3.6eV)在紫外光下具有良好的光稳定性以及很强的耐酸性,性能与简单的二元氧化物ZnO和SnO2完全不同;而Zn2SnO4电子迁移率为10-15cm2V-1s-1,远大于TiO2(<1cm2V-1s-1),是一种较为理想的电极材料。同时,分等级结构的Zn2SnO4更因其较大的比表面积和较强的散射作用成为研究的热点。但是,一般分等级结构Zn2SnO4的制备需要较严苛的实验条件或较复杂的合成方法,而以四甲基氢氧化铵为矿化剂和表面活性剂合成分等级结构的多孔Zn2SnO4的方法比较简单,但至今还未有以四甲基氢氧化铵为矿化剂和表面活性剂制备染料敏化太阳能电池光阳极材料的相关报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种分等级结构Zn2SnO4及其应用,所得分等级结构锡酸锌具有较大的比表面积,能吸附更多的染料,并具有更好的散射作用,可增加光捕获效率和电荷收集效率。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种分等级结构Zn2SnO4,其制备方法包括以下步骤:
1)将0.75-1.5g五水合四氯化锡溶于15-30mL去离子水中,得到澄清的溶液A;另将1-3g醋酸锌溶于15-30mL去离子水中,得到澄清的溶液B;
2)向溶液A中依次滴加5-15mL质量浓度为25%的四甲基氢氧化铵溶液和预先制备的溶液B,得到乳白色液体;
3)将步骤2)所得乳白色液体转移到反应釜中,200-250℃下水热反应1-30h,得到白色沉淀;4)将所得白色沉淀用去离子水离心洗涤2次,再用乙醇离心洗涤1次,然后放入马弗炉中,以5℃/min的速率升温至600-800℃,恒温煅烧5h,得到所述分等级结构Zn2SnO4。
所述分等级结构Zn2SnO4可用于制备染料敏化太阳能电池中的光阳极。
本发明的优点在于:锡酸锌是一种很好的半导体材料,本发明以四甲基氢氧化铵为矿化剂和表面活性剂合成分等级结构锡酸锌,其合成过程简单,所得分等级结构锡酸锌具有较大的比表面积,能吸附更多的染料,并具有更好的散射作用,可增加光捕获效率和电荷收集效率,适用于作为染料敏化太阳能电池的光阳极材料。
本发明首次提供了以四甲基氢氧化铵为矿化剂和表面活性剂制备分等级多孔光阳极材料的方法,其制备方法简单,可降低生产成本,具有较好的经济效益。
附图说明
图1为本发明所制备分等级结构Zn2SnO4的扫描电镜图。
图2为本发明所制备分等级结构Zn2SnO4的粉末衍射图。
图3为本发明所制备分等级结构Zn2SnO4的光电性能图。
具体实施方式
为了使本发明所述的内容更加便于理解,下面结合具体实施方式对本发明所述的技术方案做进一步的说明,但是本发明不仅限于此。
实施例1
1)将0.75g五水合四氯化锡溶于15mL去离子水中,得到澄清的溶液A;另将1g醋酸锌溶于15mL去离子水中,得到澄清的溶液B;
2)向溶液A中依次滴加5mL质量浓度为25%的四甲基氢氧化铵溶液和预先制备的溶液B,得到乳白色液体;
3)将步骤2)所得乳白色液体转移到反应釜中,200℃下水热反应30h,得到白色沉淀;4)将所得白色沉淀用去离子水离心洗涤2次,再用乙醇离心洗涤1次,然后放入马弗炉中,以5℃/min的速率升温至600℃,恒温煅烧5h,得到所述分等级结构Zn2SnO4。
实施例2
1)将1.0g五水合四氯化锡溶于20mL去离子水中,得到澄清的溶液A;另将2g醋酸锌溶于25mL去离子水中,得到澄清的溶液B;
2)向溶液A中依次滴加10mL质量浓度为25%的四甲基氢氧化铵溶液和预先制备的溶液B,得到乳白色液体;
3)将步骤2)所得乳白色液体转移到反应釜中,220℃下水热反应15h,得到白色沉淀;4)将所得白色沉淀用去离子水离心洗涤2次,再用乙醇离心洗涤1次,然后放入马弗炉中,以5℃/min的速率升温至700℃,恒温煅烧5h,得到所述分等级结构Zn2SnO4。
实施例3
1)将1.5g五水合四氯化锡溶于30mL去离子水中,得到澄清的溶液A;另将3g醋酸锌溶于30mL去离子水中,得到澄清的溶液B;
2)向溶液A中依次滴加15mL质量浓度为25%的四甲基氢氧化铵溶液和预先制备的溶液B,得到乳白色液体;
3)将步骤2)所得乳白色液体转移到反应釜中,250℃下水热反应1h,得到白色沉淀;4)将所得白色沉淀用去离子水离心洗涤2次,再用乙醇离心洗涤1次,然后放入马弗炉中,以5℃/min的速率升温至800℃,恒温煅烧5h,得到所述分等级结构Zn2SnO4。
图1为本发明实施例1制得的分等级结构Zn2SnO4的扫描电镜图,由图1可见,本发明分等级结构Zn2SnO4是由片状插成八面体结构,直径在1μm左右。图2为所制备分等级结构Zn2SnO4的粉末衍射图,由图2可见,其最高峰强对应着(3,1,1)晶面,证明合成的样品为Zn2SnO4。
以所制备的分等级结构Zn2SnO4为光阳极膜,将其浸入0.3-0.5mMN719与0.3-0.5mMD131混合染料中敏化48小时,然后将其与Pt对电极、聚乙烯隔膜组装成开放式三明治结构的染料敏化太阳能电池,并在光阳极和对电极之间的空腔中注入含0.6M1,2-二甲基,3-乙基碘化咪唑(DMPI)、0.05M碘(I2)、0.1M碘化锂(LiI),1M叔丁基吡啶(TBP)的乙腈溶液作为电解液,进行光电性能测试,其结果见图3。由图3可见,在100mW/cm2的光强、AM1.5的条件下,其电流密度为6.49mA·cm-2,开路电压为0.70V,填充因子为0.68,最高光电转换效率为3.1%。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (2)
1.一种分等级结构Zn2SnO4,其特征在于:其制备方法包括以下步骤:
1)将0.75-1.5g五水合四氯化锡溶于15-30mL去离子水中,得到澄清的溶液A;另将1-3g醋酸锌溶于15-30mL去离子水中,得到澄清的溶液B;
2)向溶液A中依次滴加5-15mL质量浓度为25%的四甲基氢氧化铵溶液和预先制备的溶液B,得到乳白色液体;
3)将步骤2)所得乳白色液体转移到反应釜中,200-250℃下水热反应1-30h,得到白色沉淀;4)将所得白色沉淀用去离子水离心洗涤2次,再用乙醇离心洗涤1次,然后放入马弗炉中,以5℃/min的速率升温至600-800℃,恒温煅烧5h,得到所述分等级结构Zn2SnO4。
2.一种如权利要求1所述分等级结构Zn2SnO4的应用,其特征在于:用于作为染料敏化太阳能电池的光阳极材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510843919.1A CN105405656B (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 一种分等级结构Zn2SnO4及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510843919.1A CN105405656B (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 一种分等级结构Zn2SnO4及其应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105405656A true CN105405656A (zh) | 2016-03-16 |
CN105405656B CN105405656B (zh) | 2018-07-20 |
Family
ID=55471078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510843919.1A Expired - Fee Related CN105405656B (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 一种分等级结构Zn2SnO4及其应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN105405656B (zh) |
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