CN105393096B

CN105393096B - 具有可活动的栅极的场效应晶体管红外传感器

Info

Publication number: CN105393096B
Application number: CN201480032219.8A
Authority: CN
Inventors: A.费伊
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2013-06-07
Filing date: 2014-05-27
Publication date: 2017-07-18
Anticipated expiration: 2034-05-27
Also published as: EP3004818A1; DE102013210594A1; CN105393096A; WO2014195185A1

Abstract

本发明涉及一种由场效应晶体管构成的红外传感器（100），具有半导体衬底（117），该衬底具有漏极接点（110）和源极接点，其中，所述漏极接点（110）通过通道区（105）与源极接点（115）分开。该传感器（100）还包括一个栅极单元（125），它关于通道区（105）可活动地构成并且设置在这个通道区上面，其中所述栅极单元（125）设计成，响应接收的电磁辐射（135）改变栅极单元的形状和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d）。

Description

具有可活动的栅极的场效应晶体管红外传感器

技术领域

本发明涉及一种传感器和一种用于运行传感器的方法以及一种相应的计算机程序产品。

背景技术

常见的传感器已经提供了相当好的要检测的物理参数的分辨率。例如，DE 100 19408 C2公开了一个场效应晶体管，尤其用于作为传感元件或加速度传感器，并公开了其加工方法。但是当要高精度且以小面积单元上检测某些物理参数时，产生问题。

发明内容

出于这个背景通过在这里介绍的方案建议一种传感器，该传感器具有下面的特征：一个具有漏极接点和源极接点的载体衬底，其中，所述漏极接点通过通道区与源极接点分开；和一个栅极单元，它关于通道区至少部分可活动地构成和设置，其中所述栅极单元设计成，响应接收的电磁辐射改变栅极单元的形状和/或栅极单元的位置和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离。并且建议了一种用于运行传感器的方法，该传感器具有半导体衬底，该衬底具有漏极接点和源极接点，其中所述漏极接点通过通道区与源极接点分开，并且该传感器还具有一个栅极单元，它关于通道区至少部分活动地构成和设置，其中所述栅极单元设计成，响应接收的电磁辐射改变栅极单元的形状和/或栅极单元的位置和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离，其中所述方法具有下面的步骤：通过检测在漏极接点与源极接点之间的电参数评价形状和/或位置和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的变化。有利的扩展结构由下面的描述给出。

建议一种传感器。它具有下面的特征：

-一个具有漏极接点和源极接点的载体或半导体衬底，其中，所述漏极接点通过通道区与源极接点分开；和

-一个栅极单元，它关于通道区活动地构成和设置，其中所述栅极单元设计成，在响应接收的电磁辐射（射线）下改变栅极单元的形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离。

关于传感器在此例如可以理解为晶体管、尤其是场效应晶体管形式的传感器。关于通道区可以理解为漏极接点与源极接点之间的通道。关于栅极单元可以理解为一个单元，它具有至少一分元件，它作为栅电极在通道区上面起作用，并且通过在这个分元件中的电位代表对于电子的电阻或通道区的通过性。在此栅极单元的至少一部分相对于通道区的表面可活动设置地构成。例如在栅极单元的一部分与通道区或通道区的表面之间可以存在距离，气体例如空气位于其中。所述栅极单元还可以设计成，改变栅极单元或栅极单元的一部分的形状、即几何尺寸如宽度和/或长度。可以通过由栅极单元的至少（另）一部分接收的电磁辐射引起形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的改变。

在这里建议的方案以这个知识为基础，通过栅极单元的可活动的元件能够非常精确地检测接收的电磁辐射的参数、例如强度或类似参数。通过接收的电磁辐射可以引起栅极单元的形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的变化，由此在以确定的电位加载栅极单元的这个部分时改变这个电位在电阻和/或在通道区中的电子通过性上的作用。现在，这个变化的作用能够推断由栅极单元或栅极单元的一部分接收的电磁辐射的参数。在形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的微小变化已经引起在电阻或通道区的电子通过性的明显的可测量技术地检测的影响以后，通过评价通道区的这个电参数能够非常精确地推断由栅极单元接收的电磁辐射。这不仅适用于确定上述参数的定量的大小，而且适用于高精度地局部地分辨上述参数。

在这里建议的方案的优点是，通过简单加工且成本有利地供使用的传感器不仅可以定量而且可以局部非常精确地测量电磁辐射的参数或物理上的大小。

此外建议一种用于运行（温度）传感器的方法，该传感器具有半导体或载体衬底，该衬底具有漏极接点和源极接点，其中所述漏极接点通过通道区与源极接点分开，该传感器还具有一个栅极单元，它关于通道区可活动地构成和设置，其中所述栅极单元设计成，响应接收的电磁辐射改变栅极单元的形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离，其中所述方法具有下面的步骤：

-通过检测在漏极接点与源极接点之间的电参数评价栅极单元的形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的变化。

关于在漏极接点与源极接点之间的电参数例如可以理解为在这两个上述区域之间、尤其在通道区里面的电阻、导电能力和/或电子运动性。例如可以通过在漏极接点与源极接点之间施加电压确定这种电参数，其中确定漏极接点与源极接点之间的电流，用于确定电参数。

在这里也建议一种用于运行温度传感器的装置，该传感器具有半导体或载体衬底，该衬底具有漏极接点和源极接点，其中所述漏极接点通过通道区与源极接点分开，该传感器还具有一个栅极单元，它关于通道区可活动地构成和设置，其中所述栅极单元设计成，响应接收的电磁辐射改变栅极单元的形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离，其中所述装置具有下面的特征：

-一个单元，用于通过检测在漏极接点与源极接点之间的电参数评价栅极单元的形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区距离的变化。

因此本发明实现一种装置，它设计成，在至少一相应的装置里面执行或转化在这里所建议方法的变体的步骤。通过以装置形式的本发明的这个实施例变型可以快速且有效地解决关于本发明提出的任务。

关于装置在此可以理解为一个电子仪器，它处理传感器信号并且据此输出控制和/或数据信号。所述装置可以具有节点，它可以按照硬件和/或软件构成。在按照硬件的结构中所述节点例如可以是所谓的系统ASIC的一部分，它包含本装置的不同功能。但是也能够，所述节点是自身的、集成电路或者至少部分地由分立元件组成。在按照软件的结构中所述节点可以是软件模块，它们例如在微处理器上在其它软件模块旁边存在。

具有程序编码的计算机程序产品也是有利的，它可以存储在可机器读出的载体上、例如半导体存储器、硬盘存储器或者光学存储器，并且为了执行本方法按照上述实施例使用，如果所述程序产品在计算机或装置上执行的时候。因此在此建议一种计算机程序产品，具有用于执行在这里所建议方法的变型的程序编码，如果在装置上执行所述程序产品的时候。

特别有利的本发明的实施例是，所述栅极单元设计成，响应接收的红外辐射改变形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离。本发明的这种实施例的优点是，红外辐射能够实现良好的前提，用于改变栅极单元的至少一部分的材料尺寸、例如伸展长度、厚度或类似参数。通过这种方式可以非常精确地检测形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离。

按照本发明的另一实施例，所述栅极单元可以设计成，响应接收的电磁辐射在0.5至5μm的波长范围或者6至15μm的波长范围改变形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离。本发明的这种实施例的优点是，在这种波长范围形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的变化是非常明显的，并因此能够非常精确地测量电磁辐射、尤其是质量和/或接收形式的参数。

为了可以特别好地在栅极单元的一部分上接收电磁辐射，有利的是，按照本发明的实施例对于电磁辐射特别敏感的材料位于栅极单元的至少一区域上。为了实现形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的特别大的变化，尤其可以设有另一种材料，它与辐射接收层的材料不同。因此按照本发明的特别有利的实施例所述栅极单元可以具有至少一用于接收电磁辐射的辐射接收层，其中所述辐射接收层的材料与栅极单元的其它材料不同，尤其其中所述辐射接收层设置在背离通道区的栅极单元的一侧上。通过使用大多也具有不同热膨胀系数的不同材料也能够实现栅极单元或栅极单元的至少一部分的形状和/或在栅极单元的一部分与通道区之间的距离的尽可能大的变化，由此能够精确地测量电磁辐射的至少一参数。

按照本发明的实施例这样设置栅极单元，栅极单元的至少一部分无接触地搭接通道区，由此特别大地且可以在任意的环境场景上使用在通道区里面的电参数的改变。

同样为了达到尽可能大地改变在通道区中的电参数按照本发明的另一实施例，所述栅极单元在一端上具有固定单元，利用它所述栅极单元固定在载体衬底上，其中所述栅极单元在与固定单元对置的端部上是自由活动的。关于固定单元例如可以理解为固定座，它单侧地固定栅极单元并且固定在载体衬底的表面或其一部分上。

本发明的实施例还有利的是，所述栅极单元设计成，改变在搭接通道区的栅极单元的区域的形状。本发明的这个实施例的优点是，在接收弱的电磁辐射时也已经大地改变在栅极单元中的栅极单元的部分与通道区之间的距离。由此本发明的这个实施例可以通过传感器部件在结构上的布置提供优点，引起接收的电磁辐射的放大或尽可能大的作用，由此能够精确地测量电磁辐射的参数。

本发明的实施例还有利的是，所述栅极单元设计成，在温度变化时改变固定单元的形状。例如，固定单元的形状在温度变化时可以这样变化，使搭接通道区的栅极单元的部分离开通道区运动。通过这种方式也在小的自然变化时在考虑杠杆效果的条件下已经在通道区中的电参数上实现非常大的效应，由此能够精确地测量电磁辐射的参数或大小。

如果按照本发明的实施例使用具有许多相互耦联的按照在这里所建议的变型的传感器，则可以实现特别有利的用于分辨局部不同的电磁辐射参数的可能性。

附图说明

下面借助于附图示例地详细解释本发明。附图中：

图1传感器的实施例的横剖面图，具有用于运行按照本发明的实施例的这种传感器的装置的方框图；

图2用于描述栅极单元的至少一部分的形状变化可能性的栅极单元俯视图，由此也可以改变通道区的形状、尤其是宽度和/或长度；

图3用于描述按照本发明的实施例在通道区与栅极单元的至少一部分之间的距离以及温度变化的关系的曲线图；

图4用于描述按照本发明的实施例在栅极单元的至少一部分与通道区之间的距离以及在通道区中的通道电流的关系的曲线图；

图5传感器实施例的横剖面图，其中栅极单元借助于固定单元固定在一侧上并且在与固定单元对置的端部上是自由活动的，其中搭接通道区的栅极单元的部分在温度变化时可以变形；

图6传感器实施例的横剖面图，其中栅极单元借助于固定单元固定在一侧上并且在与固定单元对置的端部上是自由活动的，其中固定单元在温度变化时可以变形；

图7用于描述在温度与栅极单元的至少一部分的宽度之间的关系的曲线图，其中栅极单元的该部分的宽度也可以影响通道区的宽度；

图8用于描述在通道电流与栅极单元的至少一部分的宽度之间关系的曲线图，栅极单元搭接通道区；

图9作为传感器区的本发明的实施例的方框图；

图10按照本发明的实施例的方法的流程图。

在下面的本发明有利实施例描述中对于在不同附图中示出且类似功能的部件使用相同的或类似的附图标记，其中省去这些部件的重复描述。

具体实施方式

图1以沿着通道或通道区105的横剖面图示出传感器100（也称为传感器部件）。通道区105构成或设置在漏极接点110与源极接点115之间，这些接点衬入到载体或半导体衬底117里面。在此通道区105利用栅极氧化层120钝化，由此通道区105的表面可以不导电地由活动地悬挂在通道区105上方的栅极单元125接通。栅极单元125可以由一个或多个部分组成。例如栅极单元125可以具有吸收器130，它例如具有由吸收电磁辐射的材料制成的特殊层。在此吸收器130可以由与栅极单元125的至少另一部分不同的材料组成。备选地也可以设想，栅极单元125由统一的材料组成并因此本身起到吸收器130的作用。因此与载体衬底117或在其中构成的部件如漏极接点110、通道区105以及源极接点115与栅极单元125共同作用，按照在图1中所示的实施例，传感器形成场效应晶体管（FET），其中给出在源极接点115与漏极接点110之间的通道区105的长度L。通过栅极单元125的活动悬挂还可以实现在栅极单元125与通道区105之间的变化的距离d（栅极距离）。如果例如电磁辐射如红外辐射135（IR辐射，IR=Infrarot红外线）入射在背离通道区105的栅极单元125的一侧上、尤其在设置吸收器130的栅极单元125的一侧上，则这个距离可以变化。如果例如吸收器130通过吸收IR的材料130（例如聚合硅）形成，或者通过吸收的材料覆层（例如碳层、氧化物或具有吸收特性的层摞），或者栅极单元125的悬挂（如同下面还要详细解释的那样）吸收IR辐射或者通过吸收器覆层，这种IR吸收导致在栅极单元125或其一部分中例如悬挂或搭接通道区105的栅极单元125的部件140中的局部温度升高。通过在被栅极单元125的至少一部分（栅极区）、即栅极单元105的搭接通道区105的部分或悬挂中的热膨胀改变栅极单元或搭接通道区105的栅极单元的部分与通道区105（或栅极氧化层120）之间的距离。距离d的加大导致传感器100的更小的通道导电性，由此例如能够实现例如自导电的FET）。与通道区105中的电阻成反比的通道导电性根据通道区105结构或扩展结构的设计（例如也通过相应的掺杂）随着距离d的增加而提高，由此能够实现自截止的FET。

现在为了检测通道区105的导电性或者说在通道区105中的电阻，可以使用用于运行温度传感器100的装置150。在这个装置150里面设有用于评价的单元155，它设计成，例如在漏极接点110与源极接点115之间施加电压，其中在栅极单元125上施加确定的电位。对此响应地检测到在漏极接点110与源极接点115之间的电流，其中由施加在漏极接点110与源极接点115之间的电压和检测到的电流可以确定在通道区105中的材料的导电性。通过在现在确定的导电性与已知的、期待的在栅极单元125具有已知温度的状态中的导电性之间比较，可以在使用确定的加工规范的条件下一个作为装置150的输出信号可以确定栅极单元125的实际温度T。由此例如可以确定强度作为电磁辐射的参数，它必须由吸收器130接收，用于引起距离d的变化，这导致确定的导电性。

已经证实在这里所建议的传感器是特别有利的，通过有针对性地选择吸收器130的材料可以选择IR波长范围，对该波长范围栅极单元125随着形状的变化和/或栅极单元125的至少一部分与通道区105之间的距离的变化作出反应。例如通过特别有利地选择吸收器材料可以调整栅极单元125在例如1-4μm（即近IR辐射）或6-15μm（即远IR辐射）的波长范围中作为吸收器130的灵敏范围的灵敏度。也可以设想，根据吸收器特性的选择，可以选择电磁频谱的其它范围。

图2示出栅极单元125或栅极单元125的一部分140的俯视图，栅极单元搭接通道区105。通道区105直接位于栅极单元125的部分140的下面并且在图2中不能直接看到，因为通道区通过栅极单元125的部分140遮盖。在接收电磁辐射、尤其上述IR辐射时，不仅栅极单元125的部分140与通道区105之间的距离d可以改变，而且栅极单元125或栅极单元125的部分本身的形状或位置也改变。例如由于接收电磁辐射引起热膨胀改变搭接通道区105的栅极单元125的部分140的长度L和/或宽度w，如同在图2中通过示出的箭头在宽度w和长度L方向上给出的那样。由此通过在（现在形状变化的或位置变化的）栅极单元125与通道区105之间的电容耦合也引起通道区105的（有效）宽度w和/或（有效）长度L的变化。但是（有效）宽度w和/或（有效）长度L的这个变化也导致通道区105的变化的电阻或者说变化的导电性，它可以利用装置150识别，并且提供推断栅极单元125或部分栅极单元125的温度。因此也可以设想，遮盖的通道宽度w通过上述的在通道的栅极区105中的膨胀变化。不仅在距离d变化时，而且栅极单元125的形状的变化改变通道电流I。通道电流I的这个变化可以检测并由此能够推断栅极单元125的温度。

图3示出按照本发明的实施例用于描述在通道区与栅极单元的至少一部分之间的距离关系的曲线图。通过曲线图通过温度变化可以识别距离变化的特性，其中在图3的曲线图中在横坐标上标出距离d并且在纵坐标上标出温度T。在温度T₀（T₀＜T₁）时距离d₀＜d₁。随着温度T的增加距离d也加大，其中同样也可以设想其它特性，根据所选择的栅极单元125或吸收器130的几何形状/层特性。因此得到T=f（d）或d=f（T）。

图4示出按照本发明的实施例用于描述至少一栅极单元125的部分140与通道区105之间的距离以及通道区105中的通道电流I的关系曲线图。因此图4示出通道电流I与与栅极距离d的关系。较大的距离d导致较小的电流（即，对于d₁＞d₀适用于I₁＜I₀）。由此作为自截止或自通导的FET确定FET的特性。图4在曲线图中示出自通导的FET的图。对于实现自截止的FET可以倒置这个传导特性或者导电性/电阻。

代替通过温度影响的距离调制也可以调制遮盖的通道宽度w或遮盖通道区105的栅极单元125的部分140的宽度。

图5示出传感器100的实施例的横剖面图，其中栅极单元125借助于固定单元500固定在一端侧上，并且在与固定单元500对置的端部510上是自由活动的，其中搭接通道区105的栅极单元125的部分140在温度变化时可能变形。因此在图5中示出一种行为，如果栅极或栅极单元125在局部温度升高时自动变形。在此在图5中的实线图中给出栅极单元在温度T=T₀时的栅极单元125或搭接通道区的栅极单元的部分140，而利用虚线图给出在温度T=T₁时的栅极单元的部分140，其中T₁＞T₀。例如这种变形可能由此实现，栅极单元的部分140由双金属带构成。也可以设想，设置在栅极单元125的部分140上的且在图5中未示出的吸收器130具有不同的热膨胀系数，并因此在温度变化时导致栅极单元125弯曲。此外由图5还看出，在栅极单元的部分140与通道区105之间的距离d越大，在图1中的视图中垂直于通道区105的延展的横剖面就越小。遮盖的通道宽度w由此被调制。在温度T=T₀时通道105以宽度w₀被遮盖并由此能够导电。在升高并因此较高温度T=T₁时只遮盖宽度w₁的更小的通道105并因此能够导电。因此通道或通道区105的有效导电性对于升高的温度T而言降低。在此在图5中源极接点在图面前面，漏极接点在图面后面。

图6示出传感器100实施例的横剖面图，其中栅极单元125在一侧中心地固定在固定单元500上，并且在与固定单元500对置的端部510上是自由活动的，其中固定单元500在温度变化时可能变形。代替部分140的弯曲，它在初始状态遮盖或搭接通道区105，同一部分也可以通过刚性的栅极125或者刚性的栅极单元125的部分140和变形的悬挂500作为固定单元实现，如同在图6中所示的那样。优选悬挂500（固定单元）类似于双金属带地构成，即在温度升高时或者加热时产生变形。遮盖的通道宽度w相应地变化，如同已经借助于图5解释过的那样。在此栅极单元125的部分140可以是形状稳定的并且在温度变化时不变形。在此在图6中同样是源极接点在图面前面，漏极接点在图面后面。

图7示出用于描述在温度T与栅极单元125的至少一部分140的宽度w之间的关系的曲线图，其中栅极单元125的部分140的宽度w也可以影响通道区的宽度w。由此图7示出在不同温度（T₁,T₀）时通道宽度（w₁，w₀）的变化图。如同由图7看到的那样，因此温度T的升高导致有效遮盖的通道宽度w降低。

图8示出用于描述在通道电流I与栅极单元125的一部分140的宽度w之间的关系的曲线图，栅极单元搭接通道区105或者说通道区105的宽度w。因此图8示出通道电流I作为通道宽度w的函数的关系。小的通道宽度w₁（＜w₀）导致减小的通道电流I₁（＜I₀）。

此外也能够通过多个传感器100的矩阵控制简单地布线，如同在已经描述过的传感器100中那样。图9示例地示出传感器区，具有多个相互耦联的传感器100。由此例如可以在不同的传感器100位置上实现电磁辐射135的强度的非常良好地局部分辨率。

也能够，例如通过栅极电位选择性地选择矩阵布置的各个传感器。为了选择也能够实现在图9中未示出的前置的控制矩阵（例如二极管结构），由此在阵列中的栅极125位于同一电位上。

在这里建议的方案能够实现非常高的位置分辨率，因为可以实现10μm边缘长度以下的像素参数。此外通道区也可以选择非常小并且在活动的栅极电极125的下面能够实现重新布线（或者通过印刷导体线路），这在附图中未示出。由此能够在载体衬底135上实现非常高的结构充满系数。

此外在这里建议的方案以CMOS集成电路为基础，即，使用标准CMOS技术允许微少的加工成本、小的结构高度和高的位置分辨率。例如，传感器100（FET）一般可以在CMOS技术中实现，其中作为用于空出栅极125的牺牲层可以使用氧化物（通过例如HF腐蚀）、硅（通过例如SF6腐蚀）或者金属（例如Ti，通过SF6腐蚀）。

可以设想，例如加工具有VGA-,SVGA-或HD-分辨率的模块，在使用在这里建议的技术、尤其是变换器作为具有活动的栅极的场效应晶体管。同时活动栅极变换器的非常高的灵敏度提供高的温度分辨率。通过在这里建议的传感器100可以识别在mK范围和其以下的温度变化。

图10示出用于运行（温度）传感器的方法100的实施例的流程图，该传感器具有半导体衬底，该衬底具有漏极接点和源极接点，其中漏极接点通过通道区与源极接点分开，并且该传感器还包括一个栅极单元，它关于通道区活动地构成和设置，其中所述栅极单元设计成，响应接收的电磁辐射改变形状和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离。本方法包括通过检测在漏极接点与源极接点之间的电参数评价栅极单元的形状或位置和/或栅极单元的至少一部分与通道区的距离的变化的步骤1010，。

所述和在附图中所示的实施例只是示例地选择。不同的实施例可以完全或者关于各个特征相互组合。一个实施例也可以通过另一实施例的特征补充。

此外按照本发明的方法步骤可以重复以及以不同于所述顺序执行。

如果实施例包括在第一特征与第二特征之间的“和/或”-结合，则这要理解为，该实施例按照一个实施例不仅具有第一特征而且具有第二特征，并且按照另一实施例或者只具有第一特征，或者只具有第二特征。

Claims

1.一种传感器（100）具有下面的特征：

-一个具有漏极接点（110）和源极接点的载体衬底（117），其中，所述漏极接点（110）通过通道区（105）与源极接点（115）分开；和

-一个栅极单元（125），它关于通道区（105）至少部分可活动地构成和设置，其中所述栅极单元（125）设计成，响应接收的电磁辐射（135）改变栅极单元（125）的形状（w，L）和/或栅极单元（125）的位置和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d）。

2.如权利要求1所述的传感器（100），其特征在于，所述接收的电磁辐射（135）是红外辐射（135）。

3.如权利要求1或权利要求2所述的传感器（100），其特征在于，所述接收的电磁辐射（135）位于0.5至5μm的波长范围或者6至15μm的波长范围。

4.如权利要求1或2所述的传感器（100），其特征在于，所述栅极单元（125）具有至少一用于吸收电磁辐射（135）的辐射吸收层（130），其中所述辐射吸收层（130）的材料不同于栅极单元（125）的其它材料，其中所述辐射吸收层（130）设置在栅极单元（125）的背离通道区（105）的一侧上。

5.如权利要求1或2所述的传感器（100），其特征在于，所述栅极单元（125）这样设置，使得栅极单元（125）的至少一部分（140）无接触地至少部分地搭接通道区（105）。

6.如权利要求1或2所述的传感器（100），其特征在于，所述栅极单元（125）在一端上具有固定单元（500），利用它所述栅极单元（125）被固定在载体衬底（117）上，其中所述栅极单元（125）在与固定单元（500）对置的端部（510）上是自由活动的。

7.如权利要求6所述的传感器（100），其特征在于，所述栅极单元（125）设计成，响应接收的电磁辐射改变其在搭接通道区（105）区域中的形状。

8.如权利要求6所述的传感器（100），其特征在于，所述栅极单元（125）设计成，在温度变化时改变固定单元（500）的形状。

9.一种传感器区（900），具有许多相互耦联的如上述权利要求中任一项所述的传感器（100）。

10.一种用于运行传感器（100）的方法（1000），该传感器具有半导体衬底（117），该衬底具有漏极接点（110）和源极接点（115），其中所述漏极接点（110）通过通道区（105）与源极接点（115）分开，并且该传感器还具有一个栅极单元（125），它关于通道区（105）至少部分活动地构成和设置，其中所述栅极单元（125）设计成，响应接收的电磁辐射（135）改变栅极单元（125）的形状（w，L）和/或栅极单元（125）的位置和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d），其中所述方法（1000）具有下面的步骤：

-通过检测在漏极接点（110）与源极接点（115）之间的电参数评价形状和/或位置和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d）的变化。

11.一种用于运行传感器（100）的装置（150），该传感器具有载体衬底（117），该衬底具有漏极接点（110）和源极接点（115），其中所述漏极接点（110）通过通道区（105）与源极接点（115）分开，并且该传感器还具有一个栅极单元（125），它关于通道区（105）可活动地构成和设置，其中所述栅极单元（125）设计成，响应接收的电磁辐射（135）改变栅极单元（125）的形状和/或位置和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d），其中所述装置具有下面的特征：

-一个单元（155），用于通过检测在漏极接点（110）与源极接点（115）之间的电参数评价栅极单元（125）的形状（w，L）和/或位置和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d）的变化。