CN105391407A - 一种毫米波低噪声耦合放大组件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种毫米波低噪声耦合放大组件，它包括主腔体（1）、射频连接器（2）、和馈电端子（4），主腔体（1）的两端均开设有凹槽（5），正面凹槽内设置有耦合电路（7）和射频电路（8），耦合电路（7）与射频电路（8）连接，射频电路（8）的两端以及耦合电路（7）的一端分别连接有一射频端子（3），射频端子（3）均连接有一射频连接器（2），射频连接器（2）安装在主腔体（1）的外侧壁上，主腔体（1）的背面凹槽内安装有电源处理电路（9），电源处理电路（9）与馈电端子（4）一端连接且馈电端子（4）另一端与射频电路（8）相连。本发明的有益效果是：它具有结构简单、性能指标好和具有自检通道的优点。

Description

一种毫米波低噪声耦合放大组件
技术领域
本发明涉及接收机系统的低噪音耦合放大装置，特别是一种毫米波低噪声耦合放大组件。
背景技术
毫米波在雷达、电子对抗以及毫米波通信等方面已得到广泛应用。毫米波低噪声耦合放大组件是作为某接收机系统的前端低噪声放大器来使用，具有较低的噪声系数，还为接收机系统提供自检通道。前端低噪声放大器是接收机系统中的一个重要的部分，其噪声系数指标和增益指标直接影响接收机系统的灵敏度。
由于毫米波频段频率高，在电路的微波元器件和微带线的不均匀处都会产生辐射。这些辐射在腔体中传播会形成反馈，过强的反馈，会引起自激振荡，导致放大器不能正常工作。同时射频端子与腔体装配不好，会与匹配电路之间产生大的反射，导致噪声系数变大。接收机系统的前端低噪声放大器没有自检输入通道，不利于判断接收机工作状态是否正常。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种结构简单、性能指标好和具有自检通道毫米波低噪声耦合放大组件。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种毫米波低噪声耦合放大组件，它包括主腔体、射频连接器、射频端子和馈电端子，所述的主腔体的两端均开设有凹槽，且凹槽均通过盖板盖住，其中正面凹槽内设置有耦合电路和射频电路，所述的耦合电路与射频电路连接，所述的射频电路的两端以及耦合电路的一端分别连接有一射频端子，所述的射频端子均连接有一射频连接器，所述的射频连接器安装在主腔体的外侧壁上，所述的主腔体的背面凹槽内安装有电源处理电路，所述的电源处理电路与馈电端子一端连接且馈电端子另一端与射频电路相连。
所述的主腔体正面凹槽内的盖板包括上盖板和中盖板，所述的中盖板盖住主腔体，上盖板盖住中盖板，且上盖板与主腔体粘接。
所述的电源处理电路的输入电压为+12V，输出电压为稳定的+6V、+5V和-1.2V。
所述的主腔体上还设置有一接地柱。
本发明具有以下优点：本发明的毫米波低噪声耦合放大组件，在为接收机系统提供低噪声放大电路的同时提供一个自检通道；并且腔体结构简单，工艺容易实现，有较好的性能指标。
附图说明
图1为本发明毫米波低噪声耦合放大组件的剖面结构示意图；
图2为本发明毫米波低噪声耦合放大组件的去掉中、上盖板后示意图；
图3为本发明毫米波低噪声耦合放大组件的原理图；
图4为本发明毫米波低噪声耦合放大组件的结构示意图；
图中，1-主腔体，2-射频连接器，3-射频端子，4-馈电端子，5-凹槽，6-盖板，7-耦合电路，8-射频电路，9-电源处理电路，11-接地柱，61-上盖板，62-中盖板。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的描述，本发明的保护范围不局限于以下所述：
如图1~图4所示，一种毫米波低噪声耦合放大组件，它包括主腔体1、射频连接器2、射频端子3和馈电端子4，所述的主腔体1的两端均开设有凹槽5，且凹槽5均通过盖板6盖住，其中正面凹槽内设置有耦合电路7和射频电路8，所述的耦合电路7与射频电路8连接，所述的射频电路8的两端以及耦合电路7的一端分别连接有一射频端子3，从而使得该耦合放大组件具有两个输入端和一输出端，其中射频电路8一端作为出入端，另一端作为输入端，耦合电路的输入端作为耦合放大组件的另一输入端，且以耦合电路7为输入端时，其和耦合电路7连接的电路则为自检电路，所述的射频端子3均连接有一射频连接器2，所述的射频连接器2安装在主腔体1的外侧壁上，本实施例中，射频连接器2与主腔体1之间采用螺钉连接，所述的主腔体1的背面凹槽内安装有电源处理电路9，所述的电源处理电路9与馈电端子4一端连接且馈电端子4另一端与射频电路8相连。
在本实施例中，输入、输出射频连接器2采用2.92（K），在主腔体1内设置有三处放置射频电路8的槽体，以及一处放置耦合电路7的槽体，其中放置射频电路8的三处槽体的尺寸分别为：槽长3.5mm、槽宽3mm、槽深4mm；槽长3.65mm、槽宽3mm、槽深4mm；槽长4.2mm、槽宽3mm、槽深4mm；为保证射频端子3与主腔体1的连接稳定性，在主腔体1上设置有与射频端子3配合的通孔，且该通孔为阶梯通孔，且其直径从外到里分别为φ4.5mm，φ2mm，φ0.7mm，其中φ0.7mm的孔的深度为2.1mm。
在本实施例中，所述的主腔体1正面凹槽内的盖板6包括上盖板61和中盖板62，所述的中盖板62盖住主腔体1，上盖板61盖住中盖板62，且上盖板61与主腔体1粘接。
在本实施例中，所述的电源处理电路9的输入电压为+12V，输出电压为稳定的+6V、+5V和-1.2V。
在本实施例中，所述的主腔体1上还设置有一接地柱11。
在本实施例中，毫米波低噪声耦合放大组件实测主要技术指标如下：1、工作频率18～40GHz；2、增益：≥30dB；3、噪声系数：≤4.8dB；4、输入驻波比：≤1.8：1；5、输入驻波比：≤1.8：1；6、输出P-1dB：≥+15dBm；7、耦合增益：15dB。
本发明的工作过程如下：如图4所示，输入信号通过射频连接器2输入到射频电路8的输入端，通过两级放大电路进行放大，然后再从射频电路8的输出端输出；输入信号通过射频连接器2输入到耦合电路7输入端，由耦合电路7输出端再进入射频电路8的输入端，通过两级放大电路进行放大原理图，放大后的信号最后通过射频连接器2输出端输出。

Claims (4)

1.它包括主腔体（1）、射频连接器（2）、射频端子（3）和馈电端子（4），所述的主腔体（1）的两端均开设有凹槽（5），且凹槽（5）均通过盖板（6）盖住，其中正面凹槽内设置有耦合电路（7）和射频电路（8），所述的耦合电路（7）与射频电路（8）连接，所述的射频电路（8）的两端以及耦合电路（7）的一端分别连接有一射频端子（3），所述的射频端子（3）均连接有一射频连接器（2），所述的射频连接器（2）安装在主腔体（1）的外侧壁上，所述的主腔体（1）的背面凹槽内安装有电源处理电路（9），所述的电源处理电路（9）与馈电端子（4）一端连接且馈电端子（4）另一端与射频电路（8）相连。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波低噪声耦合放大组件，其特征在于：所述的主腔体（1）正面凹槽内的盖板（6）包括上盖板（61）和中盖板（62），所述的中盖板（62）盖住主腔体（1），上盖板（61）盖住中盖板（62），且上盖板（61）与主腔体（1）粘接。
3.根据权利要求2所述的一种毫米波低噪声耦合放大组件，其特征在于：所述的电源处理电路（9）的输入电压为+12V，输出电压为稳定的+6V、+5V和-1.2V。
4.根据权利要求1所述的一种毫米波低噪声耦合放大组件，其特征在于：所述的主腔体（1）上还设置有一接地柱（11）。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107483062A (zh) * 2017-09-19 2017-12-15 成都嘉泰华力科技有限责任公司 一种多路接收通道

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002084147A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Mitsubishi Electric Corp 低雑音増幅器
CN201846314U (zh) * 2010-11-16 2011-05-25 成都雷电微力科技有限公司 一种毫米波单片集成低噪声放大器
CN202043078U (zh) * 2011-03-09 2011-11-16 东南大学 应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器
CN102647157A (zh) * 2012-04-10 2012-08-22 江苏天源电子有限公司 单端输入差分输出的射频低噪声放大器
CN103378808A (zh) * 2012-04-13 2013-10-30 台湾积体电路制造股份有限公司 带有浮置阱的放大器
CN205178993U (zh) * 2015-12-16 2016-04-20 成都嘉泰华力科技有限责任公司 一种毫米波低噪声耦合放大组件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002084147A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Mitsubishi Electric Corp 低雑音増幅器
CN201846314U (zh) * 2010-11-16 2011-05-25 成都雷电微力科技有限公司 一种毫米波单片集成低噪声放大器
CN202043078U (zh) * 2011-03-09 2011-11-16 东南大学 应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器
CN102647157A (zh) * 2012-04-10 2012-08-22 江苏天源电子有限公司 单端输入差分输出的射频低噪声放大器
CN103378808A (zh) * 2012-04-13 2013-10-30 台湾积体电路制造股份有限公司 带有浮置阱的放大器
CN205178993U (zh) * 2015-12-16 2016-04-20 成都嘉泰华力科技有限责任公司 一种毫米波低噪声耦合放大组件

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
POSPIESZALSKI M W等: "Design and performance of wideband, low-noise, millimeter-wave amplifiers for microwave anisotropy probe radiometers", 《/RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUITS (RFIC) SYMPOSIUM》 *
唐小兰: "一款基于慢波线匹配的CMOS毫米波低噪声放大器设计", 《2015年全国微波毫米波会议论文集》 *
杨格亮等: "CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器", 《红外与毫米波学报》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107483062A (zh) * 2017-09-19 2017-12-15 成都嘉泰华力科技有限责任公司 一种多路接收通道
CN107483062B (zh) * 2017-09-19 2023-07-04 成都嘉泰华力科技有限责任公司 一种多路接收通道

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Denomination of invention: A millimeter wave low noise coupled amplifier component

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Pledgor: CHENGDU JIATAI HUALI TECHNOLOGY CO.,LTD.

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