CN204376836U - Ku波段双通道低噪声放大器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种Ku波段双通道低噪声放大器，包括腔体、上盖板和印制板，印制板设置在腔体内，上盖板设置在腔体上，放大器还包括第一内屏蔽罩和第二内屏蔽罩，第一内屏蔽罩和第二内屏蔽罩均设置在腔体内，且将腔体分隔为两个空腔，印制板包括第一印制板和第二印制板，第一印制板和第二印制板分别设置在第一内屏蔽罩和第二内屏蔽罩与腔体之间的空隙中，第一印制板上设置有第一放大通道，第二印制板上设置有第二放大通道。本实用新型把两路相同的Ku频段低噪声放大通道置于同一腔体内，并用内屏蔽罩隔开，使得两路Ku波段低噪声放大器的噪声系数一致性、增益一致性、相位一致性及驻波一致性优良，同时使结构得到简化，便于系统集成。

Description

Ku波段双通道低噪声放大器

技术领域

本实用新型涉及卫星通信领域，尤其涉及一种Ku波段双通道低噪声放大器。

背景技术

Ku波段是卫星通信应用的频段，其不容易受微波辐射干扰，用其传送多种通信业务和信息；随着通信技术的发展，卫星通信水平不断提高，各种应用于卫星通信的微波组件应运而生，低噪声放大器是卫星通信中高灵敏度接收机的关机部件，其作用是放大天线从空中接收到的微弱信号，减小后级系统噪声对有用信号的影响，以供系统正确解调出所需的信息数据。

目前，Ku波段低噪声放大器大多采用单通道模块，其存在以下弊端：第一，在设计Ku波段低噪声放大器时，若采用最佳的噪声匹配则会降低增益，若采用最佳的增益匹配则会恶化噪声系数，很难做到噪声系数、增益及驻波指标的完美兼顾；第二，很难保证单个模块之间的增益一致性、相位一致性，尤其是相位一致性；第三，结构复杂、体积大和不利于系统集成。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种Ku波段双通道低噪声放大器。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

一种Ku波段双通道低噪声放大器，包括腔体、上盖板和印制板，所述印制板设置在所述腔体内，所述上盖板设置在所述腔体上，所述放大器还包括第一内屏蔽罩和第二内屏蔽罩，所述第一内屏蔽罩和所述第二内屏蔽罩均设置在所述腔体内，且将所述腔体分隔为两个空腔，所述印制板包括第一印制板和第二印制板，所述第一印制板和所述第二印制板分别设置在所述第一内屏蔽罩和所 述第二内屏蔽罩与所述腔体之间的空隙中，所述第一印制板上设置有第一放大通道，所述第二印制板上设置有第二放大通道。

具体地，所述第一放大通道包括第一波导微带转换电路、第一初级放大器和第一次级放大器，所述第一波导微带转换电路的信号输出端与所述第一初级放大器的信号输入端连接，所述第一初级放大器的信号输出端与所述第一次级放大器的信号输入端连接，所述第二放大通道包括第二波导微带转换电路、第二初级放大器和第二次级放大器，所述第二波导微带转换电路的信号输出端与所述第二初级放大器的信号输入端连接，所述第二初级放大器的信号输出端与所述第二次级放大器的信号输入端连接，所述第一初级放大器的电源端、所述第一次级放大器的电源端、所述第二初级放大器的电源端和所述第二次级放大器的电源端均与供电偏置电路的电压输出端连接。

具体地，所述供电偏置电路包括线性稳压器和场效应晶体管偏置控制器，所述线性稳压器的输出端与所述场效应晶体管偏置控制器的输入端连接，所述场效应晶体管偏置控制器的输出端为所述供电偏置电路的电压输出端。

具体地，所述第一波导微带转换电路和所述第二波导微带转换电路均包括ku波段波导接口和微带线耦合电路，所述ku波段波导接口为所述第一波导微带转换电路或第二波导微带转换电路的输入端，所述微带线耦合电路为所述第一波导微带转换电路或第二波导微带转换电路的输出端。

优选地，所述第一内屏蔽罩和所述第二内屏蔽罩通过螺钉与所述腔体固定连接。

具体地，所述第一放大通道和所述第二放大通道的输出接头均设置在所述腔体的侧面，所述第一放大通道和所述第二放大通道的输入口设置在所述腔体的底面。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型Ku波段双通道低噪声放大器把两路相同的Ku频段低噪声放大通道置于同一腔体内，并用内屏蔽罩隔开，使得两路Ku波段低噪声放大器的噪声系数一致性、增益一致性、相位一致性及驻波一致性优良，同时使结构得到简化，便于系统集成。

附图说明

图1是本实用新型所述Ku波段双通道低噪声放大器的结构示意图；

图2是本实用新型所述Ku波段双通道低噪声放大器的结构框图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图1所示，一种Ku波段双通道低噪声放大器，包括腔体5、上盖板1、印制板4、第一内屏蔽罩2和第二内屏蔽罩3，印制板4设置在腔体5内，上盖板1设置在腔体5上，第一内屏蔽罩2和第二内屏蔽罩3均设置在腔体5内，且将腔体5分隔为两个空腔，印制板4包括第一印制板4和第二印制板4，第一印制板4和第二印制板4分别设置在第一内屏蔽罩2和第二内屏蔽罩3与腔体5之间的空隙中，第一印制板4上设置有第一放大通道，第二印制板4上设置有第二放大通道，第一内屏蔽罩2和第二内屏蔽罩3通过螺钉9与腔体5固定连接，第一放大通道和第二放大通道的输出接头均设置在腔体5的侧面，第一放大通道和第二放大通道的输入口设置在腔体5的底面。

如图2所示，第一放大通道包括第一波导微带转换电路、第一初级放大器和第一次级放大器，第一波导微带转换电路的信号输出端与第一初级放大器的信号输入端连接，第一初级放大器的信号输出端与第一次级放大器的信号输入端连接，第二放大通道包括第二波导微带转换电路、第二初级放大器和第二次 级放大器，第二波导微带转换电路的信号输出端与第二初级放大器的信号输入端连接，第二初级放大器的信号输出端与第二次级放大器的信号输入端连接，第一初级放大器的电源端、第一次级放大器的电源端、第二初级放大器的电源端和第二次级放大器的电源端均与供电偏置电路的电压输出端连接，供电偏置电路包括线性稳压器和场效应晶体管偏置控制器，线性稳压器的输出端与场效应晶体管偏置控制器的输入端连接，场效应晶体管偏置控制器的输出端为供电偏置电路的电压输出端，第一波导微带转换电路和第二波导微带转换电路均包括ku波段波导接口和微带线耦合电路，ku波段波导接口为第一波导微带转换电路或第二波导微带转换电路的输入端，微带线耦合电路为第一波导微带转换电路或第二波导微带转换电路的输出端。

本实用新型Ku波段双通道低噪声放大器的工作原理如下：

以第一放大通道为例，工作时，通过设置在腔体5侧面的供电接口6对供电偏置电路供电，供电偏置电路通过场效应晶体管偏置控制器为第一放大通道提供低纹波的电压偏置，其次，通过第一放大通道的输入口和微带线耦合电路为第一放大通道输入微波信号，最后，微波信号经第一初级放大器和第一次级放大器放大后，通过上述第一放大通道的输出接头输出低噪声放大的微波信号。

如上，第二放大通道的工作过程与第一放大通道的工作过程一样。

场效应晶体管偏置控制器为低噪声放大器模块提供低纹波电压偏置，提高噪声系数，同时采用低噪声放大器匹配拓扑结构，使得噪声系数、增益及输入输出驻波得到完美兼顾，并且通过微带线耦合实现波导-微带转换，使得结构简单，安装方便，生产成本低。

本实用新型的技术方案不限于上述具体实施例的限制，凡是根据本实用新型的技术方案做出的技术变形，均落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种Ku波段双通道低噪声放大器，包括腔体、上盖板和印制板，所述印制板设置在所述腔体内，所述上盖板设置在所述腔体上，其特征在于：还包括第一内屏蔽罩和第二内屏蔽罩，所述第一内屏蔽罩和所述第二内屏蔽罩均设置在所述腔体内，且将所述腔体分隔为两个空腔，所述印制板包括第一印制板和第二印制板，所述第一印制板和所述第二印制板分别设置在所述第一内屏蔽罩和所述第二内屏蔽罩与所述腔体之间的空隙中，所述第一印制板上设置有第一放大通道，所述第二印制板上设置有第二放大通道。

2.根据权利要求1所述的Ku波段双通道低噪声放大器，其特征在于：所述第一放大通道包括第一波导微带转换电路、第一初级放大器和第一次级放大器，所述第一波导微带转换电路的信号输出端与所述第一初级放大器的信号输入端连接，所述第一初级放大器的信号输出端与所述第一次级放大器的信号输入端连接，所述第二放大通道包括第二波导微带转换电路、第二初级放大器和第二次级放大器，所述第二波导微带转换电路的信号输出端与所述第二初级放大器的信号输入端连接，所述第二初级放大器的信号输出端与所述第二次级放大器的信号输入端连接，所述第一初级放大器的电源端、所述第一次级放大器的电源端、所述第二初级放大器的电源端和所述第二次级放大器的电源端均与供电偏置电路的电压输出端连接。

3.根据权利要求2述的Ku波段双通道低噪声放大器，其特征在于：所述供电偏置电路包括线性稳压器和场效应晶体管偏置控制器，所述线性稳压器的输出端与所述场效应晶体管偏置控制器的输入端连接，所述场效应晶体管偏置控制器的输出端为所述供电偏置电路的电压输出端。

4.根据权利要求2述的Ku波段双通道低噪声放大器，其特征在于：所述第一波导微带转换电路和所述第二波导微带转换电路均包括ku波段波导接口和 微带线耦合电路，所述ku波段波导接口为所述第一波导微带转换电路或第二波导微带转换电路的输入端，所述微带线耦合电路为所述第一波导微带转换电路或第二波导微带转换电路的输出端。

5.根据权利要求1述的Ku波段双通道低噪声放大器，其特征在于：所述第一内屏蔽罩和所述第二内屏蔽罩通过螺钉与所述腔体固定连接。

6.根据权利要求1述的Ku波段双通道低噪声放大器，其特征在于：所述第一放大通道和所述第二放大通道的输出接头均设置在所述腔体的侧面，所述第一放大通道和所述第二放大通道的输入口设置在所述腔体的底面。