CN105390403A - 一种ltcc厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title abstract 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了LTCC厚薄膜混合基板制造领域中的一种基板腔体填充方法—UV膜腔体填充法,包括UV膜厚度、热切成型所用的UV膜载体材料、UV膜外形尺寸、多层UV总厚度与腔体高度差等。采用本发明的技术方案,其工艺简单易行、基板腔体填充效果好。
Description
技术领域
本发明涉及LTCC厚薄膜混合基板制造领域,特别涉及一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法。
背景技术
随着电子整机向小型化、轻量化、高频率方向发展,LTCC厚薄膜混合基板技术(MCM—C/D)得到了越来越广泛的应用。LTCC厚薄膜混合基板技术,其内层的电路采用LTCC技术实现,表层的电路采用薄膜技术实现,基板兼具LTCC技术和薄膜技术的优点。该类基板在微波模块和三维系统封装中具有广泛的应用前景。
LTCC基板上大多有不同规格尺寸的腔体。腔体的存在,加大了LTCC基板表面薄膜图形的加工难度。常规匀胶时,腔体周边胶厚不均匀,或是不能完全被光刻胶覆盖,致使腔体周边的图形满足不了质量要求。在无喷胶设备的情况下,为了提高腔体周边图形的质量,目前常用光刻胶进行腔体填充。但用光刻胶填充时,腔体中的感光胶易出现气泡、溢胶等现象。气泡处显影后容易露出腔底金属,造成电镀或刻蚀后腔底不平整;溢胶易造成腔体周围的线条局部显影不干净。在此背景下,我们发明了一种简单易行且填充效果较好的方法—UV膜腔体填充法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种简单易行、填充效果好的LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法。
本发明所采取的技术方案为:
一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法,该方法是在光刻前的LTCC基板样件上实现的,其特征在于包括以下步骤为:
(1)将单层UV膜粘贴在柔性载体上;其中,UV膜的厚度小于基板腔体的深度:
(2)将粘贴UV膜的柔性载体置于热切机工作台上,用热切刀将柔性载体上的UV膜切透;其中,UV膜的长度和宽度应比基板腔体的长度和宽度各小10μm~30μm;
(3)将步骤(2)切好的UV膜放置于基板腔体中并使UV膜与基板腔地的底面粘牢;
完成LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充。
其中,步骤(1)中的柔性载体包括PET薄膜、PVC薄膜和PC薄膜。
其中,步骤(1)中单层UV膜的厚度为80μm~90μm。
其中,步骤(3)中的UV膜为单层或多层铺设;对于多层铺设的,按照自下至上依次进行粘贴,多层UV膜的总厚度应比基板腔体深度低10μm~40μm。
本发明与现有技术相比所取得的有益效果为:
1、相对于用光刻胶等材料进行腔体填充,用UV膜填充腔体,其工艺简单易行、填充效果好;
2、UV膜曝光前粘接性较好,可以与腔体底部较好地粘合在一起,匀胶时不易被甩出或移位;
3、UV膜曝光后粘度降低,可以较方便的从腔体中取出;
4、用于腔体填充的UV膜可预先进行外形尺寸加工,可提高加工效率。
具体实施方式
下面,结合具体实施例对本发明作进一步说明。
一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法,该方法是在光刻前的LTCC基板样件上实现的,其特征在于包括以下步骤为:
(1)将单层UV膜粘贴柔性载体上;其中,UV膜的厚度小于基板腔体的深度;
其中,柔性载体包括PET薄膜、PVC薄膜和PC薄膜,单层UV膜的厚度为80μm~90μm。
实施例中,分别采用厚度为80μm和90μm的UV膜对LTCC基板腔体进行填充,光刻后腔体周边的图形质量较好;
实施例中,分别用PET薄膜、PVC薄膜和PC薄膜作为粘贴UV膜的载体,使用效果较好。
(2)将粘贴UV膜的柔性载体置于热切机工作台上,用热切刀将柔性载体上的UV膜切透;其中,UV膜的长度和宽度应比基板腔体的长度和宽度各小10μm~30μm;
实施例中,UV膜的长度和宽度分别比腔体的长度和宽度小10μm、20μm、30μm,基板腔体填充效果较好,光刻后腔体周边的图形质量较好。
(3)将步骤(2)切好的UV膜放置于基板腔体中并使UV膜与基板腔地的底面粘牢;
其中,UV膜为单层或多层铺设;对于多层铺设的,按照自下至上依次进行粘贴,多层UV膜的总厚度比基板腔体深度低10μm~40μm。
实施例中,用镊子夹持UV膜,在体视显微镜下,将其放置于腔体中,并用镊子轻轻压按UV膜,使其与腔地或下层UV膜接触并粘牢,效果较好;
实施例中,UV膜的总厚度分别比腔体深度低10μm、20μm、30μm、40μm,基板腔体填充效果较好,光刻后腔体周边的图形质量较好。
完成LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充。
Claims (4)
1.一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法,该方法是在光刻前的LTCC基板样件上实现的,其特征在于包括以下步骤为:
(1)将单层UV膜粘贴在柔性载体上;其中,UV膜的厚度小于基板腔体的深度:
(2)将粘贴UV膜的柔性载体置于热切机工作台上,用热切刀将柔性载体上的UV膜切透;其中,UV膜的长度和宽度应比基板腔体的长度和宽度各小10μm~30μm;
(3)将步骤(2)切好的UV膜放置于基板腔体中并使UV膜与基板腔地的底面粘牢;
完成LTCC厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充。
2.根据权利要求1所述的一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的腔体填充方法,其特征在于:步骤(1)中的柔性载体包括PET薄膜、PVC薄膜和PC薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的腔体填充方法,其特征在于:步骤(1)中单层UV膜的厚度为80μm~90μm。
4.根据权利要求1所述的一种LTCC厚薄膜混合基板制造中的腔体填充方法,其特征在于:步骤(3)中的UV膜为单层或多层铺设;对于多层铺设的,按照自下至上依次进行粘贴,多层UV膜的总厚度应比基板腔体深度低10μm~40μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201510669853.9A CN105390403B (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 一种ltcc厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510669853.9A CN105390403B (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 一种ltcc厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105390403A true CN105390403A (zh) | 2016-03-09 |
CN105390403B CN105390403B (zh) | 2017-10-20 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510669853.9A Active CN105390403B (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 一种ltcc厚薄膜混合基板制造中的基板腔体填充方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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