CN105390395A - 齐纳二极管的制作方法和led封装器件 - Google Patents
齐纳二极管的制作方法和led封装器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105390395A CN105390395A CN201510875472.6A CN201510875472A CN105390395A CN 105390395 A CN105390395 A CN 105390395A CN 201510875472 A CN201510875472 A CN 201510875472A CN 105390395 A CN105390395 A CN 105390395A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zener diode
- contact layer
- temporary carrier
- substrate
- manufacture method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66098—Breakdown diodes
- H01L29/66106—Zener diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12035—Zener diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了齐纳二极管的制作方法和LED封装器件,包括在一基板上载设一临时载体,所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层;将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层;在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化,使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层;研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层;去掉所述临时载体和基板;切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。所述LED封装器件包括通过该方法制作的齐纳二极管。通过方法制作的齐纳二极管不仅可以有效地避免吸光效应,而且制作过程不需要增加现有封装设备和工序,同时该方法制作的齐纳二极管良品率高。
Description
技术领域
本发明属于属于LED技术领域,尤其涉及一种齐纳二极管的制作方法和一种LED封装器件。
背景技术
齐纳二极管在LED器件中起到稳压及防止静电击穿的保护作用,有效的保证了LED的寿命。但是由于齐纳二极管的材料为硅基底,颜色为深色或黑色,在LED芯片附近吸光严重,实际使用过程中造成光通量损失3-5%,制约了LED效能的提高。
为了解决齐纳二极管的吸光效应问题,现有技术中一般通过在齐纳二极管四周覆盖一层反光材料,形成一反光层,将发光二极管的光线反射回去,以减少齐纳二极管对光线的吸收。
CN200910149027.6公开了一种发光二极管装置,同时公开了通过蒸镀或溅镀的方法给齐纳二极管四周上反光的材料Al或Ag的技术内容;但是蒸镀或溅镀的方法不仅需要用到昂贵的设备、制作过程复杂,而且齐纳二极管极易漏电,良率很低,齐纳成本高。
CN201310383351.0公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法,同时公开了通过点胶的方式直接在齐纳二极管表面涂覆反光胶形成一反光层的技术内容,但是点涂齐纳二极管工艺很难控制,同时反光胶易覆盖到芯片上,使得芯片的光无法发射出,另外在点胶前需增加了一道点反光胶、烘烤的工序,影响产能与良率。
如何在只使用现有封装设备且不增加工序的基础上,既避免了齐纳二极管的吸光效应,又保证良率,同时工艺可控性好、效能提高,显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种齐纳二极管的制作方法,该方法不仅可以有效地避免齐纳二极管的吸光效应,而且不需要增加现有封装设备和工序,同时该方法制作的齐纳二极管良品率高。
本发明的另一个目的是提供一种LED封装器件,该LED封装器件可以有效地避免二极管的吸光效应。
为了实现上述发明目的,本发明所采用的技术方案如下:
齐纳二极管的制作方法,包括:在一基板上载设一临时载体,所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层。
将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层;
在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化,使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层;
研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层;
去掉所述临时载体和基板;切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。
作为一种具体的实施例,所述第一接触层具有粘性,以便于将临时载体粘接在基板上;所述第二接触层具有粘性,以便于将齐纳二极管粘接在临时载体上。
进一步地,所述第一接触层的粘度大于第二接触层的粘度。
作为一种具体的实施例,在去掉所述临时载体和基板之前,还包括:通过紫外光照射的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘度的步骤。
进一步地,所述基板为可透紫外光基板。
作为一种具体的实施例,在去掉所述临时载体和基板之前,还包括:通过加热的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘性的步骤。
优选地,所述第一、第二接触层的粘度降低幅度为40%以上。
作为一种具体的实施例,所述第一、第二接触层的材料为硅胶、环氧树脂、丙烯酸甲酯中的一种或多种。
作为一种具体的实施例,所述白色反光胶为不透明热固性胶体,其硬度为邵氏40A-80D,反射率不小于50%。
一种LED封装器件,包括有通过上述方法制作的齐纳二极管。
本发明提供的技术方案具有如下有益效果:
本发明的齐纳二极管的制作方法,在现有封装设备及工艺上,无需增加额外封装工序及设备通过在基板上负载临时载体,将齐纳二极管排布在所述临时载体表面,再涂覆一层白色反光胶,固化,研磨,去掉所述临时载体和基板,切割后得到四周带有反光胶层的齐纳二极管,有效的降低了齐纳的吸光效应。本方法可控性好,同时不影响封装产能与良率。
附图说明
图1是本发明的齐纳二极管的齐纳二极管俯视图;
图2是本发明LED封装器件俯视图。
图中:11反光胶层12齐纳二极管121齐纳二极管电极
21发光二极管22支架23带反光胶层的齐纳二极管
具体实施方式
为了充分地了解本发明的目的、特征和效果,以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明。
实施例1
如图1所示,齐纳二极管的制作方法,包括:
首先,在一可透紫外光基板上载设一临时载体,所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层。
所述第一接触层具有粘性,以便于将临时载体粘接在基板上;所述第二接触层具有粘性,以便于将齐纳二极管粘接在临时载体上。优选地,所述第一接触层的粘度大于第二接触层的粘度。
然后,将齐纳二极管12均匀排布在该临时载体的第二接触层。
在均匀排布有齐纳二极管12的临时载体上涂覆白色反光胶并通过加热的方式固化,使齐纳二极管12表面形成一白色反光胶层11;其中,所述表面包括齐纳二极管的电极表面和四周。
下一步,可通过研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层11,使齐纳二极管电极121露出;
通过紫外光照射的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘度,优选地,在所述第一、第二接触层的粘度降低幅度达到为40%以上,即可去掉所述临时载体和基板。
其中,先将基板与临时载体分离,再将临时载体与带白胶的齐纳二极管模块分离。
最后,通过切割,即可得到四周带有反光胶层的齐纳二极管23的单体。
其中,所述第一接触层的材料为硅胶、环氧树脂、丙烯酸甲酯中的一种或多种。优选地,第一接触层的材料为硅胶。
所述白色反光胶为不透明热固性胶体,其硬度为邵氏40A-80D,,优选地,本实施例中白色反光胶的硬度为邵氏70A,反射率不小于50%。
实施例2
实施例2与实施例1的技术方案基本相同,其区别点主要在于:
本实施例在一基板上载设一临时载体,所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层。其中,所述基板不限制为可透紫外光基板。
本实施例通过加热的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘性,优选地,通过加热到180℃以上将第一、第二接触层的粘度降低至初始粘度的80%。
其中,白色反光胶的硬度为邵氏50D,反射率为90%。
实施例3
如图2所示,为本发明的一种LED封装器件,其包括有通过实施例1和实施例2所述方法制作的齐纳二极管。
具体地,在支架22中固发光二极管21、固通过本发明的制作方法所制备的带反光胶层的齐纳二极管23;其中,发光二极管21、带反光胶层的齐纳二极管23正负极与支架22的正负极电气连接;最后通过点胶、烘烤;测试、分bin的步骤完成封装。
需要说明的是,本发明是在现有技术的基础上进行改进的技术方案,文中未特别说明之处,均为本技术领域的公知常识或现有技术,对此不再一一赘述。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明做任何形式上的限制,故凡未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.齐纳二极管的制作方法,其特征在于,包括:
在一基板上载设一临时载体,所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层;
将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层;
在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化,使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层;
研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层;
去掉所述临时载体和基板;
切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。
2.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
所述第一接触层具有粘性,以便于将临时载体粘接在基板上;
所述第二接触层具有粘性,以便于将齐纳二极管粘接在临时载体上。
3.根据权利要求2所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
所述第一接触层的粘度大于第二接触层的粘度。
4.根据权利要求3所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
在去掉所述临时载体和基板之前,还包括:通过紫外光照射的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘度的步骤。
5.根据权利要求4所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
所述基板为可透紫外光基板。
6.根据权利要求3所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
在去掉所述临时载体和基板之前,还包括:通过加热的方式降低或消除所述第一、第二接触层的粘性的步骤。
7.根据权利要求4-6任一项所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
所述第一、第二接触层的粘度降低幅度为40%以上。
8.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
所述第一、第二接触层的材料为硅胶、环氧树脂、丙烯酸甲酯中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制作方法,其特征在于:
所述白色反光胶为不透明热固性胶体,其硬度为邵氏40A-80D,反射率不小于50%。
10.LED封装器件,其特征在于:包括有通过权利要求1-9所述方法制作的齐纳二极管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510875472.6A CN105390395B (zh) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | 齐纳二极管的制作方法和led封装器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510875472.6A CN105390395B (zh) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | 齐纳二极管的制作方法和led封装器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105390395A true CN105390395A (zh) | 2016-03-09 |
CN105390395B CN105390395B (zh) | 2018-08-31 |
Family
ID=55422544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510875472.6A Active CN105390395B (zh) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | 齐纳二极管的制作方法和led封装器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105390395B (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101124816B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2012-03-26 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
US20120098006A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light emitting diode package with photoresist reflector and method of manufacturing |
US8486724B2 (en) * | 2010-10-22 | 2013-07-16 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Wafer level reflector for LED packaging |
WO2013151391A1 (ko) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | 주식회사 씨티랩 | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 구조물 |
JP2014022491A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
CN104425694A (zh) * | 2013-08-29 | 2015-03-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
-
2015
- 2015-12-02 CN CN201510875472.6A patent/CN105390395B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101124816B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2012-03-26 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
US20120098006A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light emitting diode package with photoresist reflector and method of manufacturing |
US8486724B2 (en) * | 2010-10-22 | 2013-07-16 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Wafer level reflector for LED packaging |
WO2013151391A1 (ko) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | 주식회사 씨티랩 | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 구조물 |
JP2014022491A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
CN104425694A (zh) * | 2013-08-29 | 2015-03-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105390395B (zh) | 2018-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104393154A (zh) | 一种led芯片级白光光源的晶圆级封装方法 | |
CN104505465A (zh) | Oled封装结构及其封装方法 | |
CN204130588U (zh) | 一种无封装芯片的cob光源 | |
CN105684174A (zh) | 用于led的具有包围led的全内反射层的衬底 | |
CN103094454A (zh) | 一种led装置的封装方法 | |
TW201238100A (en) | Structure of the LED package | |
CN104393145A (zh) | 一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光led | |
CN105280781A (zh) | 一种倒装白光led器件及其制作方法 | |
CN103400918A (zh) | 透明电极高密度柔性led微显示阵列器件及制作方法 | |
CN105826453A (zh) | 一种cob光模组的制备方法和cob光模组 | |
CN103400849A (zh) | 用于显示及照明的微型led阵列器件及制备方法 | |
CN103367557A (zh) | 直接发出白光的发光二极管晶圆片的制造方法 | |
CN204204900U (zh) | 一种led封装结构 | |
CN103022326A (zh) | Led发光二极管的集约封装方法 | |
CN202487656U (zh) | 全角度出光的led封装结构 | |
CN202549918U (zh) | 一种荧光粉涂敷封装结构 | |
CN106981555A (zh) | 一种浅杯高可靠性紫光led封装器件及其制造方法 | |
CN104638085A (zh) | 一种新型倒装芯片及其制作与封装方法 | |
CN105390395A (zh) | 齐纳二极管的制作方法和led封装器件 | |
CN106058021A (zh) | 芯片级封装发光装置及其制造方法 | |
CN210516749U (zh) | Led双层胶结构 | |
CN204155956U (zh) | 一种新型陶瓷基板 | |
CN202523758U (zh) | 直接发出白光的发光二极管晶圆片结构 | |
CN206516658U (zh) | 一种贴片式led封装结构 | |
CN104485319A (zh) | 用于感光芯片的封装结构及工艺方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 511458 Nansha District, Guangzhou, South Ring Road, No. 33, No. Applicant after: GUANGDONG APT ELECTRONICS LTD. Address before: 511458 Nansha District, Guangzhou, South Ring Road, No. 33, No. Applicant before: APT (Guangzhou) Electronics Ltd. |
|
COR | Change of bibliographic data | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |