CN105390145A - 用于磁应用的多输入多输出传感器设计 - Google Patents

用于磁应用的多输入多输出传感器设计 Download PDF

Info

Publication number
CN105390145A
CN105390145A CN201510518493.2A CN201510518493A CN105390145A CN 105390145 A CN105390145 A CN 105390145A CN 201510518493 A CN201510518493 A CN 201510518493A CN 105390145 A CN105390145 A CN 105390145A
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic
magnetic shielding
scissor
sensor construction
medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510518493.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Z.高
L.关
K.S.霍
S.宋
S.王
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HGST Netherlands BV
Original Assignee
Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV filed Critical Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Publication of CN105390145A publication Critical patent/CN105390145A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/18—Screening arrangements against electric or magnetic fields, e.g. against earth's field
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932—Magnetic biasing films
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
    • G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • G11B5/397—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read with a plurality of independent magnetoresistive active read-out elements for respectively transducing from selected components
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/488—Disposition of heads
    • G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

根据一个实施例，一种系统包括前端磁屏蔽、在前端磁屏蔽之上的第一传感器结构、在第一传感器结构之上的第一中间磁屏蔽、在第一中间磁屏蔽之上的非磁间隔物、在非磁间隔物之上的第二中间磁屏蔽、在第二中间磁屏蔽之上的第二传感器结构以及在第二传感器结构之上的拖尾磁屏蔽。其它的系统、方法和计算机程序产品在其它的实施例中描述。

Description

用于磁应用的多输入多输出传感器设计
技术领域
本发明涉及数据存储系统，更具体地，本发明涉及具有传感器结构的多输入多输出(MIMO)头，该传感器结构具有减小的读间隙(readgap)。
背景技术
计算机的心脏是磁硬盘驱动器(HDD)，其通常包括旋转磁盘、具有读头和写头的滑块、在旋转的盘之上的悬挂臂以及摆动悬挂臂从而将读头和/或写头置于旋转的盘上的所选圆形轨道上的致动器臂。当磁盘不旋转时，悬挂臂偏置滑块为与盘的表面接触，但是当盘旋转时，空气被邻近滑块的空气轴承表面(ABS)的旋转盘打旋(swirl)，使得滑块略微离开旋转的盘的表面在空气轴承上行进。当滑块在空气轴承上行进时，写头和读头用于将磁印记(magneticimpression)写入旋转的盘和从旋转的盘读取磁信号场。读头和写头连接到根据计算机程序操作的处理电路以实现写入和读取功能。
读头通常利用自旋阀传感器，也被称为巨磁阻(GMR)传感器。在ABS处的该传感器通常包括夹设在被钉扎层和自由层之间的阻挡层以及用于钉扎被钉扎层的磁化的反铁磁层。被钉扎层的磁化被钉扎为垂直于ABS，并且自由层的磁矩设置为平行于ABS，但是响应于外部磁场而自由旋转。
信息时代处理的信息容量快速增加。特别地，期望HDD能够在其有限的面积和体积中存储更多的信息。对于这种期望的一种技术方案是通过提高HDD的记录密度来增大容量。为了实现较高的记录密度，记录的磁团簇(magneticcluster)的进一步小型化是有效的，这进而通常要求设计越来越小的部件。然而，各种部件的进一步小型化带来其自有的一组挑战和障碍。
增大HDD的记录密度的需求促使研究者开发数据记录系统，使其能够读取和记录日益变小的位长度，从而增大记录在磁介质上的数据密度。这已经导致推动减小诸如GMR头的读头的间隙厚度。然而，这样的间隙厚度能够被减小的量已经受到传感器的物理极限的限制，并且还受到当前可利用的制造方法的极限的限制。
因此，对于能够减小读间隙厚度同时保持磁头的可靠性的改进磁头以及制造方法存在需求。
发明内容
根据一个实施例，一种系统包括：前端磁屏蔽(leadingmagneticshield)；第一传感器结构，在前端磁屏蔽之上；第一中间磁屏蔽，在第一传感器结构之上；非磁间隔物，在第一中间磁屏蔽之上；第二中间磁屏蔽，在非磁间隔物之上；第二传感器结构，在第二中间磁屏蔽之上；以及拖尾磁屏蔽(trailingmagneticshield)，在第二传感器结构之上。
根据另一个实施例，一种系统包括：第一剪叉式传感器结构(firstscissorsensorstructure)，在前端磁屏蔽之上；第一偏置结构，在第一剪叉式传感器结构后面；第二剪叉式传感器结构，在第一剪叉式传感器之上；以及第二偏置结构，在第二剪叉式传感器结构后面。
这些实施例中的任何一个可以实施在诸如盘驱动器系统的磁数据存储系统中，该磁数据存储系统可以包括磁头、用于使磁介质(例如，硬盘)经过磁头的驱动机构以及电联接到磁头的控制器。
本发明的其它的方面和优点将从以下的详细描述变得明显，以下的详细描述与附图结合通过示例的方式描述本发明的原理。
附图说明
为了更全面地理解本发明的本质和优点以及优选的应用模式，应当参照以下结合附图的详细描述。
图1是磁记录盘驱动系统的简化图。
图2A是利用纵向记录格式的记录介质的示意性截面图。
图2B是用于图2A中的纵向记录的传统磁记录头和记录介质组合的示意图。
图2C是利用垂直记录格式的磁记录介质。
图2D是用于在一侧垂直记录的记录头和记录介质组合的示意图。
图2E是适于在介质的两侧分别地记录的记录设备的示意图。
图3A是具有螺旋线圈的垂直磁头的一个特定实施例的截面图。
图3B是具有螺旋线圈的背负式(piggyback)磁头的一个特定实施例的截面图。
图4A是具有环形线圈的垂直磁头的一个特定实施例的截面图。
图4B是具有环形线圈的背负式磁头的一个特定实施例的截面图。
图5是根据一个实施例的系统的局部截面透视图。
图6是根据一个实施例的系统的局部截面透视图。
图7A是根据一个实施例的系统的局部截面透视图。
图7B是图7A的实施例从圆7B获得的详细图。
图7C是根据一个实施例的系统的局部截面透视图。
具体实施方式
下面的描述是为了说明本发明的一般原理的目的而进行，而不意在限制这里要求保护的发明构思。此外，这里描述的特定特征可以与各种可能的组合和变换的每个中的其它描述的特征组合地使用。
除非这里另外明确地限定，否则所有术语应当被给予它们最宽的可能解释，包括从说明书隐含的含义以及本领域技术人员理解的含义和/或在字典、手册等中限定的含义。
还必须指出的是，如在说明书和权利要求书中使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数形式，除非另外指定。此外，如这里所用的，关于某些声明值的术语“大约”是指所述值的声明值±10％。
下面的描述公开了基于盘的存储系统和/或相关的系统和方法以及其操作和/或部件的几个优选实施例。这里描述的各个实施例包括具有传感器结构的MIMO头，该传感器结构具有期望地减小的读间隙，如下面更详细地描述的。
在一个一般性的实施例中，一种系统包括：前端磁屏蔽；第一传感器结构，在前端磁屏蔽之上；第一中间磁屏蔽，在第一传感器结构之上；非磁间隔物，在第一中间磁屏蔽之上；第二中间磁屏蔽，在非磁间隔物之上；第二传感器结构，在第二中间磁屏蔽之上；以及拖尾磁屏蔽，在第二传感器结构之上。
在一个一般性的实施例中，一种系统包括：第一剪叉式传感器结构，在前端磁屏蔽之上；第一偏置结构，在第一剪叉式传感器结构后面；第二剪叉式传感器结构，在第一剪叉式传感器之上；以及第二偏置结构，在第二剪叉式传感器结构后面。
现在参照图1，这里示出根据本发明的一个实施例的盘驱动器100。如图1所示，至少一个可旋转的磁介质(例如，磁盘)112被支撑在心轴114上并被驱动机构旋转，该驱动机构可以包括盘驱动电机118。每个盘上的磁记录通常为盘112上的同心数据磁道(未示出)的环状图案的形式。因此，盘驱动电机118优选地使磁盘112经过磁读/写部分121，下面马上描述。
至少一个滑块113位于盘112附近，每个滑块113例如支撑根据这里描述和/或提出的任何方案的磁头的一个或多个磁读/写部分121。当盘旋转时，滑块113在盘表面122上径向地移入和移出，使得部分121可以访问该盘的不同磁道，期望的数据被记录在和/或将要被写入在这些磁道处。每个滑块113通过悬挂件115附接到致动器臂119。悬挂件115提供轻微的弹力，该弹力将滑块113靠着盘表面122偏置。每个致动器臂119附接到致动器127。如图1所示的致动器127可以是音圈电机(VCM)。该VCM包括可在固定磁场内移动的线圈，线圈运动的方向和速度由控制器129提供的电机电流信号来控制。
在盘存储系统的运行期间，盘112的旋转在滑块113和盘表面122之间产生空气轴承，该空气轴承施加向上的力或升力(lift)在滑块上。在正常运行期间，该空气轴承因此抵消悬挂件115的轻微弹力并支撑滑块113离开盘表面以小的基本上恒定的间隔在盘表面上方。应注意，在一些实施例中，滑块113可以沿着盘表面122滑动。
盘存储系统的各个部件在运行中由控制器129产生的控制信号来控制，诸如存取控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储器件(例如，存储器)以及微处理器。在优选的方案中，控制单元129电联接(例如，通过电线、电缆、线路等)到一个或多个磁读/写部分121，用于控制其操作。控制单元129产生控制信号以控制各种系统操作，诸如线路123上的驱动电机控制信号和线路128上的头位置和寻道控制信号。线路128上的控制信号提供期望的电流轮廓以最优化地将滑块113移动和定位到盘112上的期望数据磁道。读取和写入信号通过记录通道125传送到读/写部分121和从读/写部分121传送出来。
以上对一般的磁盘存储系统的描述以及图1的附随图示仅是为了说明的目的。应当是显然的，盘存储系统可以包括大量的盘和致动器，并且每个致动器可以支撑多个滑块。
接口还可以被提供用于盘驱动器和主机(一体的或外部的)之间的通信以发送和接收数据，以及用于控制盘驱动器的操作并将盘驱动器的状态传送到主机，如本领域技术人员将理解的。
在一种典型的头中，一种感应写部分包括嵌入在一个或多个绝缘层(绝缘叠层)中的线圈层，该绝缘叠层位于第一和第二极靴层(polepiecelayer)之间。间隙通过在头的面对介质的表面(有时也被称为盘驱动器中的ABS)处或附近的间隙层而形成在该写部分的第一和第二极靴层之间。极靴层可以在后部间隙处连接。电流通过线圈层传导，这在极靴中产生磁场。该磁场在面对介质的表面处弥散跨越(fringeacross)该间隙，用于在移动介质上的磁道中写入磁场信息的位，诸如在旋转的磁盘上的圆形磁道中。
第二极靴层具有从面对介质的表面延伸到张开点(flarepoint)的极尖部分(poletipportion)和从该张开点延伸到后部间隙的磁轭部分(yokeportion)。该张开点是第二极靴开始变宽(张开)以形成磁轭的地方。该张开点的布置直接影响为了将信息写入在记录介质上而产生的磁场的大小。
图2A示意性地示出一种诸如与磁盘记录系统(诸如图1所示的)一起使用的传统记录介质。这种介质用于在介质自身的平面内或平行于介质自身的平面来记录磁脉冲。记录介质(在这种情况下为记录盘)主要地包括适合的非磁性材料(诸如铝或玻璃)的支撑基板200，并具有适合的传统磁性层的上涂层202。
图2B示出传统的记录/回放头204(其可以优选地为薄膜头)和传统的记录介质(诸如图2A所示的)之间的操作关系。
图2C示意地示出基本上垂直于记录介质的表面的磁脉冲的取向，该记录介质与磁盘记录系统(诸如图1所示的)一起使用。对于这样的垂直记录，介质通常包括具有高透磁性的材料的下层212。此下层212然后提供有磁性材料的上涂层214，该磁性材料优选地相对于下层212具有高矫顽力。
图2D示出垂直头218和记录介质之间的操作关系。图2D所示的记录介质包括以上关于图2C描述的高透磁性的下层212和磁性材料的上涂层214两者。然而，这些层212和214都被示出为施加到合适的基板216。在层212和214之间通常还存在被称作“交换断开(exchange-break)”层或“层间层”的额外层(未示出)。
在这种结构中，在垂直头218的磁极之间延伸的磁通的磁力线成环地进入和离开该记录介质的上涂层214以及该记录介质的高透磁性下层212，使得磁通线在大体地垂直于介质的表面的方向上穿过上涂层214，以将信息以磁脉冲的形式记录在优选地相对于下层212具有高矫顽力的磁性材料的上涂层214中，该磁脉冲具有基本上垂直于介质的表面的磁化轴。该磁通通过软磁下涂层212引导回到头218的返回层(P1)。
图2E示出一种类似的结构，其中基板216在其相反两侧的每个上具有层212和214，合适的记录头218在该介质的每侧邻近磁涂层214的外表面定位，允许在该介质的每侧进行记录。
图3A是一种垂直磁头的截面图。在图3A中，螺旋线圈310和312用于在针状磁极(stitchpole)308中产生磁通，该针状磁极308然后将该磁通传递到主磁极306。线圈310表示从纸面向外延伸的线圈，而线圈312表示延伸到纸面内的线圈。针状磁极308可以从面对介质的表面318凹陷。绝缘体316围绕线圈并可以向一些元件提供支撑。如由该结构右侧的箭头所指示的介质行进的方向首先使介质移动经过下返回磁极314，然后经过针状磁极308、主磁极306、拖尾屏蔽(trailingshield)304(其可以连接到环绕屏蔽(未示出))，最后经过上返回磁极302。这些部件中的每个可以具有与面对介质的表面318接触的部分。面对介质的表面318被指示为跨越该结构的右侧。
垂直写入是通过强制使磁通穿过针状磁极308到主磁极306中然后到盘的朝向面对介质的表面318定位的表面而实现。
图3B示出具有与图3A的磁头类似的特征的背负式磁头。两个屏蔽304、314在针状磁极308和主磁极306的侧面。还示出传感器屏蔽322、324。传感器326通常位于传感器屏蔽322、324之间。
图4A是一个实施例的示意图，其使用环状线圈410(有时被称作扁平配置(pancakeconfiguration))，以提供磁通到针状磁极408。针状磁极然后提供此磁通到主磁极406。在这种取向中，下返回磁极是可选的。绝缘体416围绕线圈410，并可以为针状磁极408和主磁极406提供支撑。该针状磁极可以从面对介质的表面418凹陷。如由该结构右侧的箭头所指示的介质运动的方向使介质经过针状磁极408、主磁极406、拖尾屏蔽404(其可连接到环绕屏蔽(未示出))，最后经过上返回磁极402(它们都可以具有或者可以不具有与面对介质的表面418接触的部分)。面对介质的表面418被示出为跨越该结构的右侧。在一些实施例中，拖尾屏蔽404可以与主磁极406接触。
图4B示出具有与图4A的磁头类似的特征的另一种类型的背负式磁头，其包括环状线圈410，该线圈环绕以形成扁平线圈(pancakecoil)。此外，还示出传感器屏蔽422、424。传感器426通常地位于传感器屏蔽422、424之间。
在图3B和4B中，可选的加热器被示出为远离磁头的面对介质的表面。加热器(Heater)也可以被包括在图3A和图4A所示的磁头中。此加热器的位置可以基于设计参数诸如突起的期望位置、围绕层的热膨胀系数等而变化。
除非这里另外地描述，图3A-图4B的结构的各种部件可以为传统的材料和设计，如本领域技术人员将理解的。
如之前提到的，对于增大HDD的记录密度的期望推动研究者开发这样的数据记录系统，该数据记录系统能够沿着轨道方向读取和记录日益变小的位长度以便增大记录在磁介质上的数据的密度。这已经导致试图减小读头的间隙厚度(这里也被称为“读间隙”)。然而，在传统的产品中，这样的间隙厚度能够被减小的量受到传感器的物理极限的限制，并且还受到当前可利用的制造方法的极限的限制。
与这样的传统缺点截然相反，这里给出的各个实施例包括期望具有减小的读间隙的改进MIMO传感器结构，如下面更详细地描述。
参见图5，根据一个实施例示出了具有MIMO传感器结构的系统500。具体地，绘出了局部截面图，示出了系统500的沿着一平面取向的面对介质的表面501，该平面沿着宽度方向W和厚度方向T延伸。该截面沿着沿高度方向H和厚度方向T延伸的平面截取。
可选地，本系统500可以与这里所列的任何其它实施例的特征相结合地实施，诸如参照其它附图描述的那些。然而，当然地，这样的系统500以及这里给出的其它系统可以用于不同的应用和/或置换地使用，其可以在或者可以不在这里所列的说明性的实施例中被具体描述。此外，这里给出的系统500可以用于任何期望的环境中。因此，图5(以及其它附图)应当被认为包括任何和所有可能的置换。
现在返回到图5，系统500包括前端磁屏蔽502和位于前端磁屏蔽502之上的第一传感器结构504。而且，第一中间磁屏蔽506位于第一传感器结构504之上，并且非磁间隔物508位于第一中间磁屏蔽506之上。此外，第二中间磁屏蔽510位于非磁间隔物508之上。
系统500另外包括通过第二传感器结构512而与第二中间磁屏蔽510分开的拖尾磁屏蔽514，第二传感器结构512位于这二者之间。另外，如当前的实施例所示，拖尾磁屏蔽514可以包括顶部516和底部518。
根据不同的方案，前端磁屏蔽502和/或拖尾磁屏蔽514(例如，顶部516和底部518两者)可以包括一种或多种导磁材料，例如，诸如Ni、Co和Fe合金，但是绝不限于此。而且，前端磁屏蔽502和拖尾磁屏蔽514可以根据期望的实施例而包括相同、类似或不同的材料、成分、尺寸等。
如图5所示，在垂直于系统500的面对介质的表面501的方向上测量，第二中间磁屏蔽510具有比第一中间磁屏蔽506的高度h1更长的高度h2。然而，在另一些方案中，第二中间磁屏蔽510可以具有与第一中间磁屏蔽506的高度相同或比其短的高度，取决于期望的实施例。
在另一些方案中，第一中间磁屏蔽506和/或第二中间磁屏蔽510可以包括以上参照前端磁屏蔽502和拖尾磁屏蔽514刚刚描述的任何磁屏蔽，或者这里描述的任何其它磁屏蔽。而且，第一和第二中间磁屏蔽506、510可以包括相同、相似或不同的材料、成分、尺寸等，取决于期望的实施例。根据示范性实施例，第一中间磁屏蔽506可以包括NiFe。此外，根据优选的方案，第二中间磁屏蔽510包括具有高磁矩的一种或多种材料，例如至少高于第一中间磁屏蔽506的磁矩。
仍参照图5，第一和第二传感器结构504、512优选地配置为检测诸如磁盘的磁介质的磁转变。而且，期望第一和第二传感器结构504、512包括隧穿磁电阻(TMR)传感器，但是绝不限于此。根据期望的实施例，第一传感器结构504和/或第二传感器结构512可以包括任何类型的电流在平面内(CIP)或电流垂直于平面(CPP)传感器，例如巨磁阻(GMR)传感器、各向异性磁阻(AMR)传感器、剪叉式传感器等，或者本领域技术人员在阅读本说明书时变得明显的任何其它类型的传感器结构。
在优选的实施例中，第一和第二传感器结构504、512包括相同类型的传感器。例如，如果第一传感器结构504包括TMR传感器，则优选地，第二传感器结构512也包括TMR传感器。这允许系统500进行MIMO操作，从而在从给定的介质读取数据时使用来自两个传感器结构的信号。而且，在另一些方案中，来自多个数据轨道的数据可以在利用具有相同类型的传感器的传感器结构时被同时读取和处理。然而，第一和第二传感器结构504、512绝不旨在被限制为相同类型的传感器。在另一些实施例中，第一和第二传感器结构504、512可以包括相似(但是不相同)或不同类型的传感器，取决于期望的实施例。
系统500还包括在与介质相对其行进的预期方向524垂直的方向上位于第一传感器结构的相反两侧的侧磁屏蔽520、522。取决于期望的实施例，侧磁屏蔽520、522中的一个或二者可以包括与这里描述的任何磁屏蔽层相同、相似或不同的材料、成分、尺寸等中的任一个。
钉扎层526位于侧磁屏蔽520、522的每个之间(例如，与其相邻)。钉扎层526可以用于钉扎相关的一个或多个侧磁屏蔽520、522的磁取向。从而在某些方案中，钉扎层526可以为反铁磁(AFM)层，因而钉扎层526可以包括对于本领域技术人员在阅读本说明书时变得明显的任何材料、成分、尺寸等。例如，钉扎层526可以包括PtMn、IrMn等。
仍参见图5的系统500，第二中间磁屏蔽510的下表面具有用于容纳钉扎层526的切除部分511。这导致仅有一部分钉扎层526的厚度贡献于在介质相对其行进的预期方向524上分开第一和第二传感器结构504、512的整个距离。因此，第二中间磁屏蔽510的切除部分允许分隔前端磁屏蔽和拖尾磁屏蔽的距离减小，从而导致改善的(缩短的)读间隙。如前所述，期望给定实施例的读间隙减小，尤其为了提高HDD的记录密度。
而且。第二中间磁屏蔽510的切除部分511允许第一和第二传感器结构504、512之间的间隔减小。作为系统500的部件设计的结果，在介质相对其行进的预期方向524上第一和第二传感器结构504、512所分开的距离D1可以小于约60nm，更优选地小于约50nm，但是取决于期望的实施例可以更高或更低。因此，与具有分隔开120nm或更大的传感器的传统MIMO产品相比，这里描述的各个实施例能够实现在传感器之间的间隔上的50％或更大的减小。
在另一些方案中，绝缘层(未示出)可以位于第一和第二中间磁屏蔽506、510之间，例如用于电隔离传感器。因此，在优选的方案中，绝缘层包括电绝缘材料诸如氧化铝、塑料、橡胶、玻璃等，或者本领域技术人员在阅读本说明书后变得明显的任何其它电绝缘材料。通过电绝缘第一和第二中间磁屏蔽506、510，系统500获得提供两个独立信号的能力，因为第一和第二传感器结构504、512和对应的屏蔽层的每个彼此电隔离。这会是有用的，例如在使用电流在平面内(CIP)传感器的情况下和/或在期望独立信号的方案中。在某些方案中，非磁间隔物508可以用作例如用于电隔离第一和第二中间磁屏蔽506、510的电绝缘层的至少一部分。然而，在另一些方案中，非磁间隔物508可以包括Ru、Ta等，或者本领域技术人员在阅读本说明书时变得明显的任何其它非磁材料。
接下来，在某些实施例中，第一和第二传感器结构504、512中的一个或两者可以电联接到控制器(例如，其控制传感器结构504、512的操作)。因此，第一和第二传感器结构504、512的每个可以彼此同时进行独立的读取操作。在这样的方案(具有电联接到第一和第二传感器结构504、512中的一个或两者的控制器)中，控制器可以包括本领域技术人员在阅读本说明书时变得明显的任何类型的控制器，并可以包括以上描述和/或提出的任何方案，例如见图1的控制单元129。
应注意，在图5的实施例和其它的实施例中，可以存在已知类型的附加层。这样的层可以包括但不限于籽层、绝缘层、非磁性层等。
此外，尽管在图5的图示中是看不到的，但是在某些实施例中，系统500可以包括在第二传感器结构512和拖尾磁屏蔽514之间的凹口层(notchlayer)，例如见图6的602。
图6示出根据一个实施例的具有凹口层602的系统600。可选地，本系统600可以与来自这里所列的任何其它实施例的特征结合地实施，诸如参照其它附图(例如图5)描述的那些。具体地，图6示出图5的实施例的变化，因此图6的各种部件具有与图5相同的编号。
然而，当然，这样的系统600以及这里给出的其它部分可以用于各种应用和/或置换地使用，其可以在或可以不在这里所列的说明性的实施例中被具体描述。此外，这里给出的系统600可以用于任何期望的环境中。因此，图6(以及其它附图)应当被认为包括任何和所有可能的置换。
现在参照图6，系统600包括前端磁屏蔽502，传感器结构512和对应的侧屏蔽522在前端磁屏蔽502之上。而且，凹口层602位于传感器结构512之上。此外，拖尾磁屏蔽514(例如，具有顶部516和底部518)和AFM层528位于凹口层602之上。因此，凹口层602位于传感器结构512和拖尾磁屏蔽514之间。
在优选的方案中，凹口层602包括磁性材料，例如NiFe。通过采用磁性材料形成凹口层602，凹口层602有效地用作磁性偏置的拖尾磁屏蔽514的磁性延伸。因此，期望减小有效读间隙，例如前端磁屏蔽和拖尾磁屏蔽502、514之间的分隔。
继续参照图6的系统600，凹口层602在其面对介质的表面601处具有宽度(2×w1)，不比传感器结构512的在其面对介质的表面601处的宽度(2×w2)宽。
而且，应当注意，尽管图6所示的实施例仅示出一个传感器结构512和对应的侧磁屏蔽522，如上所述，但是凹口层602可以在具有多于一个的传感器结构的实施例中实施，例如在如图5的系统500中可见的具有MIMO功能的系统中。
根据不同的实施例，这里描述方案的任一个可以在具有剪叉式传感器的系统中实施。参见图7A-图7C，根据两个实施例示出了具有剪叉式传感器的系统700、750。可选地，本系统700、750可以与来自这里所列的任何其它实施例的特征结合地实施，例如参照其它附图(例如图5-图6)描述的那些。然而，当然地，这样的系统700、750及这里给出的其它部分可以用于各种应用中和/或置换地使用，其可以在或可以不在这里所列的说明性的实施例中被具体描述。此外，这里给出的系统700、750可以用于任何期望的环境中。因此，图7A-7C(以及其它附图)应当被认为包括任何和所有可能的置换。
在图7A-7C中，系统700、750都包括前端屏蔽702，其上分别设置第一和第二剪叉式传感器结构704、706以及对应的第一和第二偏置结构708、710。而且，拖尾磁屏蔽712和AFM层714位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之上。
如以上在其它实施例中所述的，拖尾磁屏蔽712包括顶部716和底部718，顶部716和底部718可以包括相同、类似或不同的材料、成分、尺寸等，取决于期望的实施例。
暂时参见图7B，第一和第二剪叉式传感器结构704、706的每个可以包括通过阻挡层726而与第二自由层724分开的第一自由层722。阻挡层726优选地包括MgO或传统的隧道阻挡材料，但是不限于此。而且，第一和第二自由层722、724可以为本领域技术人员在阅读本说明书时将意识到的传统结构。
此外，参见第一和第二偏置结构708、710，这些偏置结构沿着垂直于面对介质的表面701的方向位于相应的第一和第二剪叉式传感器结构704、706的后面。换言之，第一和第二剪叉式传感器结构704、706沿着垂直于面对介质的表面701的方向定位得比第一和第二偏置结构708、710更靠近面对介质的表面701。
而且，如所示的，系统700、750都不包括与剪叉式传感器结构704、706中的任一个相邻的侧磁屏蔽。第一和第二后偏置结构708、710能够充分地磁偏置剪叉式传感器结构704、706，而与任何侧磁屏蔽的存在无关。因此，在各种方案(其绝不旨在限制本发明)中，某些系统700、750可以不具有与剪叉式传感器结构704、706的任一个位于相同的平面内的侧偏置层和/或侧磁屏蔽，所述平面定向为垂直于面对介质的表面以及磁带行进的方向(即，沿着高度-宽度(H-W)平面)。然而，可以存在后偏置结构，例如图7B的708和710。
现在具体参照图7C，系统750包括位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的中间磁屏蔽752。根据不同的方案，中间磁屏蔽752可以包括上述的任何材料、成分、尺寸等，取决于期望的实施例。在示范性实施例(其绝不旨在限制本发明)中，中间磁屏蔽752可以包括NiFe。
作为将中间磁屏蔽752置于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的结果，第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间在介质相对于其行进的预期方向720上的距离D3可以小于约60nm，更优选地小于约50nm，但是可以根据期望的实施例而更高或更低。
可选地，现在参见图7A，系统700不包括位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的中间磁屏蔽。因此，在一种方案(其绝不旨在限制本发明)中，可以说，系统700可以具有限制条件，即没有磁屏蔽位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间。然而，在其它的方案中，例如，取决于期望的实施例，不同的层和/或结构可以位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间。
与如系统750中可见的距离D3相比，在介质相对其行进的预期方向720上，图7A的第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的距离D2可以小于约20nm，但是可以更高或更低。
此外，在某些实施例中，凹口层可以位于第二剪叉式传感器结构706和拖尾磁屏蔽712之间。如上所述，凹口层优选地包括磁性材料，例如用于有效实现磁偏置拖尾磁屏蔽712的磁延伸。因此，有效的读间隙(前端磁屏蔽702和拖尾磁屏蔽712之间的分隔)被期望地减小。
应当指出，这里给出的用于至少某些不同实施例的方法可以全部或部分地实施为计算机硬件、软件、人工(byhand)、利用专业设备等或者其结合。
而且，任何的结构和/或步骤可以利用已知的材料和/或技术来实施，如对于本领域技术人员在阅读本说明书时将变得明显的。
这里公开的发明构思已经通过示例的方式给出以说明其在多个说明性的情形、实施例和/或实施中的许多特征。应当理解，通常所公开的构思将被认为是模块化的，并可以以其任何组合、置换或合成来实施。此外，本领域普通技术人员在阅读本说明书时将意识到的对当前公开的特征、功能和构思的任何修改、替换或等同物也应当被认为在本公开的范围内。
尽管以上已经描述了各个实施例，但是应当理解，它们仅通过示例的方式给出，而不是限制。因此，本发明的实施例的广度和范围不应受到上述示范性实施例的任一个限制，而是应当仅根据权利要求书及其等同物来限定。

Claims (20)

1.一种系统，包括：
前端磁屏蔽；
第一传感器结构，在所述前端磁屏蔽之上；
第一中间磁屏蔽，在所述第一传感器结构之上；
非磁间隔物，在所述第一中间磁屏蔽之上；
第二中间磁屏蔽，在所述非磁间隔物之上；
第二传感器结构，在所述第二中间磁屏蔽之上；
拖尾磁屏蔽，在所述第二传感器结构之上。
2.如权利要求1所述的系统，其中所述第一传感器结构和所述第二传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于约60nm。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述第一传感器结构和所述第二传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于50nm。
4.如权利要求1所述的系统，包括：侧磁屏蔽，在垂直于介质相对其行进的预期方向的方向上位于所述第一传感器结构的相反两侧；以及钉扎层，邻近每个所述侧磁屏蔽用于钉扎所述侧磁屏蔽中的相关一个的磁取向。
5.如权利要求4所述的系统，其中所述第二中间磁屏蔽的下表面具有用于容纳所述钉扎层的切除部分。
6.如权利要求1所述的系统，包括位于所述第一中间磁屏蔽和所述第二中间磁屏蔽之间的绝缘层。
7.如权利要求1所述的系统，包括位于所述第二传感器结构和所述拖尾磁屏蔽之间的凹口层，所述凹口层包括磁材料。
8.如权利要求7所述的系统，其中所述凹口层在其面对介质的表面处的宽度不比所述第二传感器结构在其面对介质的表面处的宽度宽。
9.如权利要求1所述的系统，其中所述第二中间磁屏蔽具有比所述第一中间磁屏蔽更长的高度。
10.如权利要求1所述的系统，还包括：
磁介质；
驱动机构，用于使磁介质经过所述传感器结构；以及
控制器，电联接到所述传感器结构用于控制其操作。
11.一种系统，包括：
第一剪叉式传感器结构，在前端磁屏蔽之上；
第一偏置结构，在所述第一剪叉式传感器结构的后面；
第二剪叉式传感器结构，在所述第一剪叉式传感器之上；以及
第二偏置结构，在所述第二剪叉式传感器结构的后面。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述第一剪叉式传感器结构和所述第二剪叉式传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于约60nm。
13.如权利要求11所述的系统，其中所述第一剪叉式传感器结构和所述第二剪叉式传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于50nm。
14.如权利要求11所述的系统，包括位于所述第一剪叉式传感器结构和所述第二剪叉式传感器结构之间的中间磁屏蔽。
15.如权利要求11所述的系统，具有限制条件即没有磁屏蔽位于所述第一和第二剪叉式传感器结构之间。
16.如权利要求15所述的系统，其中所述第一和第二剪叉式传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于约20nm。
17.如权利要求11所述的系统，具有限制条件即没有侧偏置层设置在与所述剪叉式传感器结构中的任一个相同的平面内，所述平面定向为垂直于面对介质的表面和磁带行进的方向。
18.如权利要求11所述的系统，具有限制条件即没有侧磁屏蔽设置在与所述剪叉式传感器结构中的任一个相同的平面内，所述平面定向为垂直于面对介质的表面和磁带行进的方向。
19.如权利要求11所述的系统，包括位于所述第二剪叉式传感器结构和拖尾磁屏蔽之间的凹口层，所述凹口层包括磁材料。
20.如权利要求11所述的系统，还包括：
磁介质；
驱动机构，用于使所述磁介质经过所述传感器结构；以及
控制器，电联接到所述传感器结构用于控制其操作。
CN201510518493.2A 2014-08-21 2015-08-21 用于磁应用的多输入多输出传感器设计 Pending CN105390145A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/465,748 US20160055868A1 (en) 2014-08-21 2014-08-21 Multiple-input-multiple-output sensor designs for magnetic applications
US14/465,748 2014-08-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105390145A true CN105390145A (zh) 2016-03-09

Family

ID=53794063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510518493.2A Pending CN105390145A (zh) 2014-08-21 2015-08-21 用于磁应用的多输入多输出传感器设计

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160055868A1 (zh)
EP (1) EP2988303A1 (zh)
JP (1) JP2016045978A (zh)
KR (1) KR20160023612A (zh)
CN (1) CN105390145A (zh)
SG (1) SG10201506005PA (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113823330A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 西部数据技术公司 横向偏置强度增强
CN113936696A (zh) * 2020-06-29 2022-01-14 西部数据技术公司 用于双自由层读头的有效后硬偏置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9786301B1 (en) * 2014-12-02 2017-10-10 Western Digital (Fremont), Llc Apparatuses and methods for providing thin shields in a multiple sensor array
US11410690B2 (en) * 2020-06-11 2022-08-09 Western Digital Technologies, Inc. Two-dimensional magnetic recording reader with dual free layer magnetic tunnel junction
US11514934B1 (en) * 2021-10-27 2022-11-29 Western Digital Technologies, Inc. Planar design for sensors in a dual free layer read head

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060262457A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-23 Tdk Corporation Magnetic field sensor provided with an upper shield layer having portions with different magnetostriction
JP2008084430A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及び磁気記録装置
CN101359714A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 Tdk株式会社 具有有多个自由层的薄叠层与厚偏磁层的磁场探测元件
US20100097729A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Hardayal Singh Gill Cpp dual free layer magnetoresistive head for magnetic data storage
US20110026169A1 (en) * 2009-07-28 2011-02-03 Hardayal Singh Gill Dual cpp gmr head using a scissor sensor
US20110317313A1 (en) * 2010-06-28 2011-12-29 Tdk Corporation Magnetoresistive element and thin film magnetic head
CN102646420A (zh) * 2011-02-16 2012-08-22 希捷科技有限公司 具有多个读传感器的换能器头
CN103514897A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 希捷科技有限公司 具有偏置的侧屏蔽叠层的磁性元件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6185079B1 (en) * 1998-11-09 2001-02-06 International Business Machines Corporation Disk drive with thermal asperity reduction circuitry using a magnetic tunnel junction sensor
US7324309B1 (en) * 2003-03-06 2008-01-29 Maxtor Corporation Cross-track shielding in a GMR head
US7800868B2 (en) * 2005-12-16 2010-09-21 Seagate Technology Llc Magnetic sensing device including a sense enhancing layer
JP2007172723A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法、ならびに前記薄膜磁気ヘッドの評価方法
US7751148B1 (en) * 2006-03-27 2010-07-06 Oracle America, Inc. Multi-level, multi-track magnetic recording head
US20110007426A1 (en) * 2009-07-13 2011-01-13 Seagate Technology Llc Trapezoidal back bias and trilayer reader geometry to enhance device performance
US20110216432A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-08 Tdk Corporation Magnetic head comprising two magnetic field sensing part
US20120250189A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Tdk Corporation Magnetic head including side shield layers on both sides of a mr element
US8659854B2 (en) * 2011-05-06 2014-02-25 Seagate Technology Llc Magnetoresistive shield with stabilizing feature
US8824106B1 (en) * 2013-05-18 2014-09-02 Headway Technologies, Inc. Two sensor reader for hard disk drive (HDD)

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060262457A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-23 Tdk Corporation Magnetic field sensor provided with an upper shield layer having portions with different magnetostriction
JP2008084430A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及び磁気記録装置
CN101359714A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 Tdk株式会社 具有有多个自由层的薄叠层与厚偏磁层的磁场探测元件
US20100097729A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Hardayal Singh Gill Cpp dual free layer magnetoresistive head for magnetic data storage
US20110026169A1 (en) * 2009-07-28 2011-02-03 Hardayal Singh Gill Dual cpp gmr head using a scissor sensor
US20110317313A1 (en) * 2010-06-28 2011-12-29 Tdk Corporation Magnetoresistive element and thin film magnetic head
CN102646420A (zh) * 2011-02-16 2012-08-22 希捷科技有限公司 具有多个读传感器的换能器头
CN103514897A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 希捷科技有限公司 具有偏置的侧屏蔽叠层的磁性元件

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113823330A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 西部数据技术公司 横向偏置强度增强
CN113823330B (zh) * 2020-06-19 2024-02-13 西部数据技术公司 横向偏置强度增强
CN113936696A (zh) * 2020-06-29 2022-01-14 西部数据技术公司 用于双自由层读头的有效后硬偏置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160023612A (ko) 2016-03-03
JP2016045978A (ja) 2016-04-04
EP2988303A1 (en) 2016-02-24
SG10201506005PA (en) 2016-03-30
US20160055868A1 (en) 2016-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7333304B2 (en) CPP sensor having hard bias stabilization placed at back edge of the stripe
US7652856B2 (en) Current perpendicular to plane (CPP) magnetoresistive sensor having strong pinning and small gap thickness
US9153258B2 (en) Scissor magnetic read sensor with novel multi-layer bias structure for uniform free layer biasing
US8630069B1 (en) Magnetic shield having improved resistance to the hard bias magnetic field
US7612970B2 (en) Magnetoresistive sensor with a free layer stabilized by direct coupling to in stack antiferromagnetic layer
CN100378803C (zh) 磁阻效应元件、磁头及磁记录装置
US20110026169A1 (en) Dual cpp gmr head using a scissor sensor
US8472146B2 (en) Current perpendicular magnetoresistive sensor with a dummy shield for capacitance balancing
CN104882148A (zh) 用于改善的信噪比的多轨道读取器
US9513349B2 (en) Scissor type magnetic sensor with high magnetic moment bias structure for reduced signal asymmetry
CN105390145A (zh) 用于磁应用的多输入多输出传感器设计
US9099122B2 (en) Scissor sensor with back edge bias structure and novel dielectric layer
CN101079306A (zh) 用于延长磁数据存储设备中的加热元件寿命的双极性偏置
US20160163338A1 (en) Tunneling magnetoresistive (tmr) sensor with a soft bias layer
US9099115B2 (en) Magnetic sensor with doped ferromagnetic cap and/or underlayer
US7265946B2 (en) Multilayer self-pinned structure for CPP GMR
US7268986B2 (en) Double tunnel junction using self-pinned center ferromagnet
US20150138668A1 (en) Multi-read sensor having a narrow read gap structure
US7446982B2 (en) Pinning structure with trilayer pinned layer
US7408749B2 (en) CPP GMR/TMR structure providing higher dR
US7268982B2 (en) Current perpendicular to plane (CPP) GMR structure having vanadium doped, AP coupled, multi-layered pinned structure
US7397638B2 (en) Magnetoresistive sensor having an in stack bias structure with NiFeCr spacer layer for improved bias layer pinning
US7330340B2 (en) Magnetoresistive sensor with free layer bias adjustment capability
CN104821171B (zh) 具有窄轨道宽度和小读间隙的磁传感器
US7511926B2 (en) Larger dR CPP GMR structure

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160309