CN105390112B - 薄膜晶体管栅极电压供给电路 - Google Patents

薄膜晶体管栅极电压供给电路 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管栅极电压供给电路，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路用于为薄膜晶体管提供栅极电压，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路包括电压产生电路及温度补偿电路，所述电压产生电路用于产生原始电压，所述温度补偿电路与所述电压产生电路电连接，并且所述温度补偿电路用于侦测环境温度，当环境温度小于预设温度时，所述温度补偿电路根据环境温度与所述预设温度的差值对所述原始电压进行补偿以得到第一电压，并将所述第一电压提供给所述薄膜晶体管的栅极，以驱动所述薄膜晶体管正常工作。本发明的薄膜晶体管栅极电压供给电路能够在低温环境下驱动薄膜晶体管正常工作。

Description

薄膜晶体管栅极电压供给电路
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管栅极电压供给电路。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)由于体积小、功耗低等优点而得到广大用户的青睐。阵列基板行驱动技术(Gate Driver on Array,GOA)是直接将栅极驱动电路或者栅极驱动芯片(Gate driver IC)制作到薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array,TFT Array)上，来代替外接CMOS制作的驱动芯片的一种技术。GOA技术中可以将驱动芯片直接做在显示面板的周围，制作程序较少，产品成本较低，且TFT-LCD的显示面板的集成度较高，以及使得显示面板更加薄型化。现有技术的薄膜晶体管栅极电压供给电路通常供给薄膜晶体管的栅极一固定值的电压VGH以驱动薄膜晶体管工作。然而，薄膜晶体管的栅极和源极之间的阈值电压VTH随着温度的漂移相对较大，在环境温度低于预设温度(比如，-10℃)时，薄膜晶体管的VTH的变化较大。在低温条件下，当现有的薄膜晶体管栅极电压供给电路供给薄膜晶体管的栅极一固定的电压VGH时，会导致VGH小于VTH，进而导致薄膜晶体管无法正常工作，最终导致显示面板无法正常显示。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管栅极电压供给电路，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路用于为薄膜晶体管提供栅极电压，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路包括电压产生电路及温度补偿电路，所述电压产生电路用于产生原始电压，所述温度补偿电路与所述电压产生电路电连接，并且所述温度补偿电路用于侦测环境温度，当环境温度小于预设温度时，所述温度补偿电路根据环境温度与所述预设温度的差值对所述原始电压进行补偿以得到第一电压，并将所述第一电压提供给所述薄膜晶体管的栅极，以驱动所述薄膜晶体管正常工作。
其中，所述温度补偿电路包括温度侦测单元、控制单元以及电压调节单元，所述温度侦测单元用于侦测环境温度，所述控制单元与所述温度侦测单元电连接，所述控制单元用于当环境温度小于所述预设温度时发出控制信号，所述电压调节单元电连接所述控制单元，所述电压调节单元用于接收所述控制信号，并在所述控制信号的控制下导通，以对所述原始电压进行补偿以得到所述第一电压。
其中，所述控制单元包括定时控制器、第一侦测电路、逻辑电路、定时器以及选择器，所述定时控制器用于接收所述环境温度，将所述环境温度与所述预设温度进行比较，根据所述环境温度与所述预设温度的差值产生定时控制信号以及第一逻辑信号，所述第一侦测电路侦测所述电压产生电路是否工作，并输出第二逻辑信号，所述逻辑电路接收所述第一逻辑信号及所述第二逻辑信号，并根据所述第一逻辑信号及所述第二逻辑信号输出第三逻辑信号，所述定时器接收所述定时控制信号以及所述第三逻辑信号，所述第三逻辑信号用于控制所述定时器开启或者关闭，当所述定时器在所述第三逻辑信号的控制下开启时，所述定时控制信号用于控制所述定时器开启的时间长度，且所述定时控制信号控制所述定时器开启的时间长度与所述环境温度小于所述预设温度的差值相关，所述定时器还用于发出选择信号，当所述定时器开启时，所述选择信号控制所述选择器选择所述第三逻辑信号并根据所述第三逻辑信号发出所述控制信号。
其中，所述控制单元还包括第一支路，所述第一支路用于产生第四逻辑信号，其中，所述第四逻辑信号与所述第三逻辑信号相反，当所述第三逻辑信号控制所述定时器关闭时，所述选择器选择所述第四逻辑信号，所述第四逻辑信号用于关闭所述电压调节单元。
其中，所述第一侦测电路包括第一电阻、第二电阻及第一运算放大器，所述第一电阻的一端电连接所述电压产生电路，所述第一电阻的另一端通过所述第二电阻接地，所述第一运算放大器的正极输入端连接所述第一电阻及第二电阻之间的节点，所述第一运算放大器的输出端作为所述第一侦测电路的输出端，当所述电压产生电路工作时，所述第二逻辑信号为高电平信号，否则，当所述电压产生电路没有工作时，所述第二逻辑信号为低电平信号。
其中，当所述环境温度小于所述预设温度时，所述第一逻辑信号为高电平信号，所述逻辑电路为与门，所述逻辑电路包括第一逻辑信号接收端、第二逻辑信号接收端及逻辑信号输出端，所述第一逻辑信号接收端用于接收所述第一逻辑信号，所述第二逻辑信号接收端用于接收所述第二逻辑信号，所述逻辑信号输出端用于输出所述第三逻辑信号，当所述第一逻辑信号为高电平信号且所述第二逻辑信号为高电平信号时，所述第三逻辑信号为高电平信号。
其中，所述定时器包括第一输入端、第二输入端及输出端，所述第一输入端连接所述逻辑信号输出端，以接收所述第三逻辑信号，所述第二输入端连接所述定时控制器的输出端，以接收所述定时控制信号；所述选择器为二选一选择器，所述选择器包括第一端、第二端、第三端及第四端，所述第一端电连接所述逻辑信号输出端以接收所述第三逻辑信号，所述第二端电连接所述第一支路以接收所述第四逻辑信号，所述第三端电连接所述定时器的输出端，以接收所述选择信号。
其中，所述第一支路包括第一电压接收端、第三电阻及第一薄膜晶体管，所述第一电压接收端用于接收高电平电压，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第三电阻一端电连接所述第一电压接收端，所述第三电阻的另一端电连接所述第一漏极，且所述第三电阻与所述第一漏极之间的节点电连接所述第二端，所述第一源极接地，所述第一栅极接收第一支路控制信号，所述第一支路控制信号为高电平信号时，所述第一源极及所述第一漏极之间导通，当所述第一支路控制信号为低电平信号时，所述第一源极及所述第一漏极之间截止。
其中，所述控制单元还包括第二支路，所述第二支路包括光电耦合器、第四电阻、第五电阻及第二运算放大器，所述光电耦合器包括第一耦合输入端、第二耦合输入端、第一耦合输出端及第二耦合输出端，所述第一耦合输入端电连接所述电压产生电路的输出端，所述第二耦合输入端作为所述薄膜晶体管栅极电压供给电路的输出端以输出所述第一电压，所述第一耦合输出端电通过所述第四电阻接地，所述第二耦合输出端通过所述第五电阻接收一高电平电压，所述第二运算放大器的正极输入端连接所述第四电阻与所述第一耦合输出端之间的节点，所述第二运算放大器的输出端电连接所述第一栅极，以输出所述第一支路控制信号。
其中，所述电压产生电路包括电压产生芯片、第六电阻及第七电阻，所述电压产生芯片产生所述原始电压，所述电压产生芯片的输出端电连接所述第六电阻及所述第七电阻至薄膜晶体管栅极电压供给电路的输出端，所述电压调节单元包括第二薄膜晶体管及第八电阻，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第二栅极电连接所述选择器的所述第四端，所述第二源极接地，所述第二漏极通过所述第八电阻电连接所述第六电阻及所述第七电阻之间的节点。
相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管栅极电压供给电路中包括电压产生电路以及温度补偿电路，温度补偿电路在侦测到环境温度小于预设温度时，根据环境温度与所述预设温度的差值对电压产生电路产生的原始电压进行补偿以得到第一电压，从而在环境温度较低造成薄膜晶体管的栅极和源极之间的阈值电压发生漂移而变大时，相较于原始电压增大的第一电压也能够满足所述薄膜晶体管正常工作的需要。因此，本发明的薄膜晶体管栅极电压供给电路能够在低温环境下也能驱动薄膜晶体管正常工作。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管栅极电压供给电路的电路框图。
图2为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管栅极电压供给电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1及图2，图1为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管栅极电压供给电路的电路框图；图2为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管栅极电压供给电路的结构示意图。所述薄膜晶体管栅极电压供给电路1用于为薄膜晶体管提供栅极电压。在本实施方式中，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路1用于为液晶显示面板中的薄膜晶体管阵列(TFTArray)中的薄膜晶体管提供栅极电压。所述薄膜晶体管栅极电压供给电路1包括电压产生电路10及温度补偿电路30，所述电压产生电路10用于产生原始电压，所述温度补偿电路30与所述电压产生电路10电连接，并且所述温度补偿电路30用于侦测环境温度，当环境温度小于预设温度时，所述温度补偿电路30根据环境温度与所述预设温度的差值对所述原始电压进行补偿以得到第一电压，并将所述第一电压供给所述薄膜晶体管的栅极，以驱动所述薄膜晶体管正常工作。
所述温度补偿电路30包括温度侦测单元310、控制单元330以及电压调节单元350。所述温度侦测单元310用于侦测环境温度，所述控制单元330与所述温度侦测单元310电连接，所述控制单元330用于当环境温度小于所述预设温度时发出控制信号，所述电压调节单元350电连接所述控制单元330，所述电压调节单元350用于接收所述控制信号，并在所述控制信号的控制下导通，以对所述原始电压进行补偿以得到所述第一电压。
在本实施方式中，所述温度侦测单元310为温度传感器。
所述控制单元330包括定时控制器(Time controller)331、第一侦测电路332、逻辑电路333、定时器334以及选择器335。所述定时控制器331用于接收所述环境温度，将所述环境温度与所述预设温度进行比较，根据所述环境温度与所述预设温度的差值产生定时控制信号以及第一逻辑信号。所述第一侦测电路332侦测所述电压产生电路10是否工作，并输出第二逻辑信号。所述逻辑电路333接收所述第一逻辑信号及所述第二逻辑信号，并根据所述第一逻辑信号及所述第二逻辑信号输出第三逻辑信号。所述定时器334接收所述定时控制信号以及所述第三逻辑信号，所述第三逻辑信号用于控制所述定时器334开启或者关闭，当所述定时器334在所述第三逻辑信号的控制下开启时，所述定时控制信号用于控制所述定时器334开启的时间长度，且所述定时控制信号控制所述定时器334开启的时间长度与所述环境温度小于所述预设温度的差值相关，所述定时器334还用于发出选择信号，当所述定时器334开启时，所述选择信号控制所述选择器335选择所述第三逻辑信号并根据所述第三逻辑信号发出所述控制信号。
所述控制单元330还包括第一支路336，所述第一支路336用于产生第四逻辑信号，其中，所述第四逻辑信号与所述第三逻辑信号相反，当所述第三逻辑信号控制所述定时器334关闭时，所述选择器335选择所述第四逻辑信号，所述第四逻辑信号用于关闭所述电压调节单元350。在这里，所述第四逻辑信号与所述第三逻辑信号相反指的是，所述第四逻辑信号的电平与所述第三逻辑信号的电平相反，比如，当所述第三逻辑信号为高电平的话，则所述第四逻辑信号为低电平。由于，所述定时控制信号控制所述定时器334开启的时间长度，因此，当所述定时器334在所述控制信号的控制下开启时间结束时，即当所述定时器334关闭时，所述选择信号控制所述选择器335选择所述第四逻辑信号。
所述第一侦测电路332包括第一电阻R1、第二电阻R2以及第一运算放大器OP1。所述第一电阻R1的一端电连接所述电压产生电路10，所述第一电阻R1的另一端通过所述第二电阻R2接地。所述第一运算放大器OP1的正极输入端连接所述第一电阻R1及所述第二电阻R2之间的节点，所述第一运算放大器OP1的输出端作为所述第一侦测电路332的输出端，当所述电压产生电路10工作时，所述第二逻辑信号为高电平信号；否则，当所述电压产生线路10没有工作时，所述第二逻辑信号为低电平信号。
当所述环境温度小于所述预设温度时，所述第一逻辑信号为高电平信号。所述逻辑电路333为与门，所述逻辑电路333包括第一逻辑信号接收端333a、第二逻辑信号接收端333b及逻辑信号输出端333c。所述第一逻辑信号接收端333a用于接收所述第一逻辑信号，所述第二逻辑信号接收端333b用于接收所述第二逻辑小女孩，所述逻辑信号输出端333c用于输出所述第三逻辑信号，当所述第一逻辑信号为高电平信号且所述第二逻辑信号为高电平信号时，所述第三逻辑信号为高电平信号。
所述定时器334包括第一输入端334a、第二输入端334b以及输出端334c。所述第一输入端334a电连接所述逻辑信号输出端333c，以接收所述第三逻辑信号。所述第二输入端334b电连接所述定时控制器331的输出端，以接收所述定时控制信号。所述选择器335为二选一选择器，所述选择器335包括第一端335a、第二端335b、第三端335c以及第四端335d。所述第一端335a电连接所述逻辑信号输出端333c以接收所述第三逻辑信号，所述第二端335b电连接所述第一支路336以接收所述第四逻辑信号，所述第三端335d电连接所述定时器334的输出端，以接收所述选择信号。
所述第一支路336包括第一电压接收端336a、第三电阻R3及第一薄膜晶体管Q1。所述第一电压接收端336a用于接收高电平电压，比如+5V或者+10V的电压，所述第一薄膜晶体管Q1包括第一栅极G1、第一源极S1及第一漏极D1，所述第三电阻R3的一端电连接所述第一电压接收端336a，所述第三电阻R3的另一端电连接所述第一漏极D1，且所述第三电阻R3与所述第一漏极D1之间的节点电连接所述第二端335b，所述第三电阻R3与所述第一漏极D1之间的节点作为所述第一支路336的输出端以输出所述第四逻辑信号，所述第一源极S1接地，所述第一栅极G1接收第一支路控制信号，所述第一支路控制信号为高电平信号时，所述第一源极S1及所述第一漏极D1之间导通，当所述第一支路控制信号为低电平信号时，所述第一源极S1及所述第一漏极D1之间导通，此时，所述第一薄膜晶体管Q1导通；当所述第一支路控制信号为低电平信号时，所述第一源极S1及所述第一漏极D1之间截止，此时，所述第一薄膜晶体管Q1截止。
所述控制单元330还包括第二支路337，所述第二支路337包括光电耦合器3371、第四电阻R4、第五电阻R5以及第二运算放大器OP2。所述光电耦合器3371包括第一耦合输入端3371a、第二耦合输入端3371b、第一耦合输出端3371c及第二耦合输出端3371d。所述第一耦合输入端3317a电连接所述电压产生电路10的输出端，所述第二耦合输入端3371b作为所述薄膜晶体管栅极电压供给电路1的输出端以输出所述第一电压，所述第一耦合输出端3371c通过所述第四电阻R4接地，所述第二耦合输出端3371d通过所述第五电阻R5接收一高电平电压。所述第二运算放大器OP2的正极输入端连接所述第四电阻R4与所述第一耦合输出端3371c之间的节点，所述第二运算放大器OP2的输出端电连接所述第一栅极G1，以输出所述第一支路控制信号。
在本实施方式中，所述电压产生电路10包括电压产生芯片100、第六电阻R6及第七电阻R7。所述电压产生芯片100产生所述原始电压，所述电压产生芯片的输出端(即，电压输出端)电连接所述第六电阻R6及所述第七电阻R7至所述薄膜晶体管栅极电压供给电路的输出端。所述电压调节单元350包括第二薄膜晶体管Q2及第八电阻R8，所述第二薄膜晶体管Q2包括第二栅极G2、第二源极S2及第二漏极D2，所述第二栅极G2连接所述选择器335的所述第四端335d，所述第二源极S2接地，所述第二漏极D2通过所述第八电阻R8电连接所述第六电阻R6及所述第七电阻R7之间的节点。
在本实施方式中，当所述定时控制器331将所述环境温度与所述预设温度进行比较时，且所述环境温度小于所述预设温度时，所述第一逻辑信号为高电平信号，当所述环境温度大于或等于所述预设温度时，所述第一逻辑信号为低电平信号。当所述第一侦测电路332侦测到所述电压产生电路10工作时，所述第一侦测电路332输出高电平的第二逻辑信号，即，此时所述第二逻辑信号为高电平；当所述第一侦测电路332侦测到所述电压产生电路10没有工作时，所述第一侦测电路332输出低电平的第二逻辑信号，即，此时所述第二逻辑信号为低电平信号。由于所述逻辑电路333为与门，所述第一逻辑信号接收端333a接收所述第一逻辑信号，所述第二逻辑信号接收端333b接收所述第二逻辑信号，当所述第一逻辑信号为高电平信号且所述第二逻辑信号为高电平信号时，所述逻辑信号输出端333c输出高电平的第三逻辑信号，即，此时，所述第三逻辑信号为高电平信号；否则，当所述第一逻辑信号及所述第二逻辑信号不同时为高电平信号时，所述第三逻辑信号为低电平信号。当所述定时器334开启时，所述选择信号控制所述选择器335选择所述第三逻辑信号，并根据所述第三逻辑信号发出所述控制信号。当所述第三逻辑信号为高电平信号时，所述控制信号即为所述第三逻辑信号，即，所述控制信号为高电平。所述电压调节单元350中的所述第二薄膜晶体管Q2的栅极接收到为高电平的所述控制信号，并在所述控制信号的控制下控制所述第二源极S2及所述第二漏极D2导通。此时，所述电压调节单元350中的所述第八电阻R8与所述电压产生电路10中的所述第六电阻R6并联。为了方便描述，将所述第六电阻R6及所述第七电阻R7之间的节点标为FB，所述节点FB的电压标记为VFB，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路1的电压标记为VGHU。则，此时VGHU＝VFB*(R6//R8)/(R7+R6//R8)，其中，R6//R8表示R6和R8并联后的电阻，R6//R8＝R6*R8/(R6+R8)。则，当环境温度小于所述预设温度时，由于所述温度补偿电路30的作用，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路1的输出的第一电压为VGHU。而在常温下，未开启所述温度补偿电路30时，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路输出的第一电压为VGHO＝VFB*R6/(R6+R8)。由此可见，VGHU大于VGHO。所述第一电压VGHU大于薄膜晶体管的栅极和源极之间的阈值电压VTH，进而导致薄膜晶体管能够正常打开，最终使得在低温下显示面板也能正常显示。
当第一电压VGHU使得薄膜晶体管能够正常工作时，从而使得所述第二支路337输出的所述第一支路控制信号为高电平。所述第一支路336中的所述第一薄膜晶体管Q1的所述第一栅极G1接收高电平的所述第一支路控制信号，从而使得所述第一源极S1及所述第一漏极D1之间导通，此时，所述第三电阻R3与所述第一漏极D1之间的节点的电压为低电压，即，此时，所述第四逻辑信号为低电平信号。由于，所述定时控制信号控制所述定时器334开启的时间长度，因此，当所述定时器334在所述控制信号的控制下开启时间结束时，即当所述定时器334关闭时，所述选择信号控制所述选择器335选择所述第四逻辑信号。且由于所述第四逻辑信号与所述第三逻辑信号相反，此时，所述选择器335输出低电平信号，由于所述电压调节单元350中的第二薄膜晶体管Q2的第二栅极G2接收所述选择器335输出的低电平信号，并控制所述第二源极S2及所述第二漏极D2截止，所述电压调节单元350被关闭。此时，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路1输出的第一电压等于所述原始电压。当所温度侦测单元310再次侦测到环境温度低于预设温度时，再次重复前面所述的电压调节单元350被开启的过程。
相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管栅极电压供给电路1中包括电压产生电路10以及温度补偿电路30，温度补偿电路30在侦测到环境温度小于预设温度时，根据环境温度与所述预设温度的差值对电压产生电路10产生的原始电压进行补偿以得到第一电压，从而在环境温度较低造成薄膜晶体管的栅极和源极之间的阈值电压发生漂移而变大时，相较于原始电压增大的第一电压也能够满足所述薄膜晶体管正常工作的需要。因此，本发明的薄膜晶体管栅极电压供给电路1能够在低温环境下也能驱动薄膜晶体管正常工作。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (8)

1.一种薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路用于为薄膜晶体管提供栅极电压，所述薄膜晶体管栅极电压供给电路包括电压产生电路及温度补偿电路，所述电压产生电路用于产生原始电压，所述温度补偿电路与所述电压产生电路电连接，并且所述温度补偿电路用于侦测环境温度，当环境温度小于预设温度时，所述温度补偿电路根据环境温度与所述预设温度的差值对所述原始电压进行补偿以得到第一电压，并将所述第一电压提供给所述薄膜晶体管的栅极，以驱动所述薄膜晶体管正常工作，所述温度补偿电路包括温度侦测单元、控制单元以及电压调节单元，所述温度侦测单元用于侦测环境温度，所述控制单元与所述温度侦测单元电连接，所述控制单元用于当环境温度小于所述预设温度时发出控制信号，所述电压调节单元电连接所述控制单元，所述电压调节单元用于接收所述控制信号，并在所述控制信号的控制下导通，以对所述原始电压进行补偿以得到所述第一电压，所述控制单元包括定时控制器、第一侦测电路、逻辑电路、定时器以及选择器，所述定时控制器用于接收所述环境温度，将所述环境温度与所述预设温度进行比较，根据所述环境温度与所述预设温度的差值产生定时控制信号以及第一逻辑信号，所述第一侦测电路侦测所述电压产生电路是否工作，并输出第二逻辑信号，所述逻辑电路接收所述第一逻辑信号及所述第二逻辑信号，并根据所述第一逻辑信号及所述第二逻辑信号输出第三逻辑信号，所述定时器接收所述定时控制信号以及所述第三逻辑信号，所述第三逻辑信号用于控制所述定时器开启或者关闭，当所述定时器在所述第三逻辑信号的控制下开启时，所述定时控制信号用于控制所述定时器开启的时间长度，且所述定时控制信号控制所述定时器开启的时间长度与所述环境温度小于所述预设温度的差值相关，所述定时器还用于发出选择信号，当所述定时器开启时，所述选择信号控制所述选择器选择所述第三逻辑信号并根据所述第三逻辑信号发出所述控制信号。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，所述控制单元还包括第一支路，所述第一支路用于产生第四逻辑信号，其中，所述第四逻辑信号与所述第三逻辑信号相反，当所述第三逻辑信号控制所述定时器关闭时，所述选择器选择所述第四逻辑信号，所述第四逻辑信号用于关闭所述电压调节单元。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，所述第一侦测电路包括第一电阻、第二电阻及第一运算放大器，所述第一电阻的一端电连接所述电压产生电路，所述第一电阻的另一端通过所述第二电阻接地，所述第一运算放大器的正极输入端连接所述第一电阻及第二电阻之间的节点，所述第一运算放大器的输出端作为所述第一侦测电路的输出端，当所述电压产生电路工作时，所述第二逻辑信号为高电平信号，否则，当所述电压产生电路没有工作时，所述第二逻辑信号为低电平信号。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，当所述环境温度小于所述预设温度时，所述第一逻辑信号为高电平信号，所述逻辑电路为与门，所述逻辑电路包括第一逻辑信号接收端、第二逻辑信号接收端及逻辑信号输出端，所述第一逻辑信号接收端用于接收所述第一逻辑信号，所述第二逻辑信号接收端用于接收所述第二逻辑信号，所述逻辑信号输出端用于输出所述第三逻辑信号，当所述第一逻辑信号为高电平信号且所述第二逻辑信号为高电平信号时，所述第三逻辑信号为高电平信号。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，所述定时器包括第一输入端、第二输入端及输出端，所述第一输入端连接所述逻辑信号输出端，以接收所述第三逻辑信号，所述第二输入端连接所述定时控制器的输出端，以接收所述定时控制信号；所述选择器为二选一选择器，所述选择器包括第一端、第二端、第三端及第四端，所述第一端电连接所述逻辑信号输出端以接收所述第三逻辑信号，所述第二端电连接所述第一支路以接收所述第四逻辑信号，所述第三端电连接所述定时器的输出端，以接收所述选择信号。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，所述第一支路包括第一电压接收端、第三电阻及第一薄膜晶体管，所述第一电压接收端用于接收高电平电压，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第三电阻一端电连接所述第一电压接收端，所述第三电阻的另一端电连接所述第一漏极，且所述第三电阻与所述第一漏极之间的节点电连接所述第二端，所述第一源极接地，所述第一栅极接收第一支路控制信号，所述第一支路控制信号为高电平信号时，所述第一源极及所述第一漏极之间导通，当所述第一支路控制信号为低电平信号时，所述第一源极及所述第一漏极之间截止。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，所述控制单元还包括第二支路，所述第二支路包括光电耦合器、第四电阻、第五电阻及第二运算放大器，所述光电耦合器包括第一耦合输入端、第二耦合输入端、第一耦合输出端及第二耦合输出端，所述第一耦合输入端电连接所述电压产生电路的输出端，所述第二耦合输入端作为所述薄膜晶体管栅极电压供给电路的输出端以输出所述第一电压，所述第一耦合输出端电通过所述第四电阻接地，所述第二耦合输出端通过所述第五电阻接收一高电平电压，所述第二运算放大器的正极输入端连接所述第四电阻与所述第一耦合输出端之间的节点，所述第二运算放大器的输出端电连接所述第一栅极，以输出所述第一支路控制信号。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管栅极电压供给电路，其特征在于，所述电压产生电路包括电压产生芯片、第六电阻及第七电阻，所述电压产生芯片产生所述原始电压，所述电压产生芯片的输出端电连接所述第六电阻及所述第七电阻至薄膜晶体管栅极电压供给电路的输出端，所述电压调节单元包括第二薄膜晶体管及第八电阻，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第二栅极电连接所述选择器的所述第四端，所述第二源极接地，所述第二漏极通过所述第八电阻电连接所述第六电阻及所述第七电阻之间的节点。
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