CN105388102A - 一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台 - Google Patents

一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，包括依次连接的控制单元、Nd:YAG激光器(1)、光路单元、真空腔单元和极紫外CCD探测器(11)，所述极紫外CCD探测器(11)与控制单元连接，所述真空腔单元包括真空腔和依次设置在真空腔内的聚焦透镜(6)、靶材(7)、第一锆片(12)、Schwarzschild物镜(13)和用于放置待测光学薄膜样品的三维位移样品台(14)，所述极紫外CCD探测器(11)伸入真空腔内并对准靶材(7)。与现有技术相比，本发明具有测量准确可靠、便于安装调试等优点。

Description

一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台
技术领域
本发明涉及薄膜材料极紫外辐射损伤研究领域，尤其是涉及一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台。
背景技术
光学薄膜材料的极紫外波段辐射损伤研究对于自由电子激光的发展、极紫外光刻和新型探测器的研制等多方面具有十分重要的意义。然而，国际上开展的薄膜材料的极紫外波段辐射损伤研究非常少，主要原因是由于实验室内缺乏高强度极紫外辐射损伤实验平台。在2003年，M.Grisham等人首次利用毛细管放电产生的46.9nm波长光源开展Sc/Si多层膜反射镜的辐射损伤实验。随着极紫外、软X射线自由电子激光的出现，Hau-Riege等人利用德国FLASH光源在极紫外波段单脉冲以及多脉冲辐照下测量了C、Si、B4C和SiC单层膜以及Mo/Si和MoN/SiN多层膜光学元件的辐照损伤阈值，分析了EUV波段飞秒激光对薄膜材料的损伤机理。近几年，Barkusky等人利用激光等离子体光源产生的波长13.5nm的纳秒脉宽强辐射光源研究了Si、SiO2、Mo/Si周期多层膜和PMMA等聚合物材料的损伤阈值。由于在全世界范围内短波长自由电子激光实验站的数量以及提供给用户的机时极为有限，并且基于实验条件的极紫外辐射损伤实验装置缺乏等因素影响，这极大限制了极紫外波段薄膜材料损伤研究的进展。
激光等离子体是一种高亮度的极紫外波段光源，具有光谱范围宽、脉冲宽度短、辐射稳定性高的特点，在极紫外光刻、生物医学和辐射剂量等领域得到了广泛应用。利用激光等离子体光源并结合Schwarzschild聚焦系统可以获得高强度的极紫外辐射，从而为开展薄膜材料极紫外辐射损伤研究提供了可能。目前国内对薄膜材料极紫外波段损伤研究还是空白，然而我国正在开展软X射线自由电子激光光源的建设，亟需深入了解极紫外辐射与光学元件相互作用的损伤阈值及其损伤机理。由于我国在极紫外波段辐射损伤实验平台的建设的缺乏，还未能在该领域开展过研究工作。本发明利用激光等离子体产生极紫外波段宽光谱光源，并利用Schwarzschild聚集物镜实现对于极紫外光源的单色化以及微聚焦从而获得高能量密度的极紫外光脉冲；结合三维精密电位移样品台实现对样品的精确定位，在计算机和控制系统控制下实现光学薄膜样品极紫外辐射损伤的自动化实验测试，为系统开展光学薄膜材料的极紫外辐射损伤研究创造了条件。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种测量准确可靠的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，包括依次连接的控制单元、Nd:YAG激光器、光路单元、真空腔单元和极紫外CCD探测器，所述极紫外CCD探测器与控制单元连接，所述真空腔单元包括真空腔和依次设置在真空腔内的聚焦透镜、靶材、第一锆片、Schwarzschild物镜和用于放置待测光学薄膜样品的三维位移样品台，所述极紫外CCD探测器伸入真空腔内并对准靶材；
进行薄膜材料极紫外辐射损伤实验时，控制单元控制Nd:YAG激光器发出脉冲激光，该脉冲激光经光路单元后进入真空腔内，经聚焦透镜后聚集在靶材并产生激光等离子体光源，该激光等离子体光源发射的光波经过第一锆片后再经Schwarzschild物镜聚焦到待测光学薄膜样品表面产生极紫外辐射损伤，极紫外CCD探测器采集靶材表面的图像传输给控制单元。
所述光路单元包括依次设置的红外激光衰减片、高反射镜和扩束镜。
所述真空腔上设有入射窗，经光路单元后的脉冲激光通过所述入射窗进入真空腔内。
所述控制单元包括计算机和数据控制卡，所述计算机通过数据控制卡分别连接Nd:YAG激光器和极紫外CCD探测器，驱动Nd:YAG激光器发出脉冲激光，并接收，极紫外CCD探测器采集的图像。
所述极紫外CCD探测器表面放置有第二锆片，极紫外CCD探测器与靶材间设有针孔，极紫外CCD探测器依次通过第二锆片、针孔采集靶材表面的图像。
所述针孔和极紫外CCD探测器间的距离与针孔和靶材间的距离之比为2:1。
优选地，所述第二锆片为600nm厚的极紫外CCD用锆片，所述针孔的直径为15um。
所述三维位移样品台上还设置有用于探测经过Schwarzschild物镜后的微聚焦光斑的能量的极紫外光电探测器，该极紫外光电探测器通过同轴电缆与示波器连接。
所述三维位移样品台包括相连接的三维精密电位移台和样品架，所述三维精密电位移台通过三维电位移台控制器与控制单元连接，三维电位移台控制器接受控制单元的控制，并驱动三维精密电位移台移动。
优选地，所述三维电位移台控制器通过USB接口与控制单元中的计算机连接。
所述真空腔内还设置有步进电机，所述靶材与步进电机连接，所述步进电机通过步进电机控制器与控制单元连接。
所述红外激光衰减片设置于一旋转台上，该旋转台与一旋转步进电机连接。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1)本发明利用极紫外CCD探测器和极紫外光电探测器对激光能量、产生的等离子体光斑形状和强度、辐照到样品表面极紫外光脉冲的能量等信息进行测量，能够准确标定照射在样品表面的极紫外光脉冲的能量密度，使极紫外辐照损伤的测量更加准确可靠。
2)本发明设置有控制单元，可实现程序自动化控制，通过LabVIEW软件来集成控制激光发射、靶材转动、样品位移，实现在样品不同位置处单脉冲或多脉冲辐照损伤研究。
3)本发明为在实验室内系统地开展薄膜材料极紫外辐射损伤研究提供基础，由计算机集成控制，具有良好的操作性和参数控制能力，便于安装调试。
4)极紫外CCD探测器采集靶材表面的极紫外等离子体光斑形状是采用针孔成像的原理，测量准确可靠。
5)极紫外CCD探测器前设置有600nm厚的锆片，可以有效滤除可见光的影响，从而利用CCD探测器获得极紫外波段等离子光源的光斑大小和强度信息。
6)在真空腔内放置一红外激光聚焦透镜，实现对于入射红外激光的微聚焦并照射在靶材表面。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本实施例以本发明技术方案为前提进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
如图1所示，本实施例提供一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，包括依次连接的控制单元、Nd:YAG激光器1、光路单元、真空腔单元和极紫外CCD探测器11，极紫外CCD探测器11与控制单元连接，真空腔单元包括真空腔和依次设置在真空腔内的聚焦透镜6、靶材7、第一锆片12、Schwarzschild物镜13和用于放置待测光学薄膜样品的三维位移样品台14，极紫外CCD探测器11伸入真空腔内并对准靶材7，真空腔上设有入射窗5，真空腔用于保持实验条件在10-2Pa真空条件下进行，进行薄膜材料极紫外辐射损伤实验时，控制单元控制Nd:YAG激光器1发出脉冲激光，该脉冲激光经光路单元后通过入射窗5进入真空腔内，经聚焦透镜6后聚集在靶材7并产生激光等离子体光源，该激光等离子体光源发射的光波经过第一锆片12后再经Schwarzschild物镜13聚焦到待测光学薄膜样品表面产生极紫外辐射损伤，极紫外CCD探测器11采集靶材7表面的图像传输给控制单元。
Nd:YAG激光器1可根据实际操作的需要选择不同型号的脉冲激光器。本实施例中，Nd:YAG激光器1为1064nm纳秒脉冲激光器，由振荡级和两个放大级组成，动态调Q，输出波长1064nm，输出光斑直径6mm，脉冲宽度为20ns，最大出射能量800mJ左右。Nd:YAG激光器1使用外触发方式，当控制单元给出触发信号后，脉冲激光器才被驱动工作。
光路单元包括依次设置的红外激光衰减片2、高反射镜3和扩束镜4，红外激光衰减片2用于对入射的红外激光能量进行衰减。进一步地，可将红外激光衰减片2设置于一旋转台上，该旋转台与一旋转步进电机连接，旋转步进电机带动旋转台旋转，进而带动红外激光衰减片2旋转，不同旋转位置对应不同的衰减强度。高反射镜3用于改变光束的传播光路，将衰减片衰减后的激光束反射到扩束镜4的入射端。扩束镜4将高反射镜3反射的直径6mm的光束扩束到18mm再入射到入射窗5，扩束镜4透过率为98.5％，扩束比为1:3。
入射窗5用于将扩束后的光束透射到聚焦透镜6。入射窗5结构由外到内依次是压盖—O型密封圈—石英玻璃片—O型密封圈—转接法兰。
聚焦透镜6用于对输入的光束进行聚焦。本实施例中，聚焦透镜为凸透镜，其焦距75mm。
靶材7用于产生等离子体光源，聚焦透镜6输出的聚焦光斑辐照在靶材7上产生激光等离子体，该激光等离子体可以辐射出宽光谱的电磁波。高原子序数的金属靶材(如Sn、Au、Cu、W等)都具有较高的激光-极紫外光转换效率，可根据实际操作的需要选择不同材料的靶材。本实施例中，靶材7为圆柱状铜靶材。
进一步，靶材7可连接一步进电机8，步进电机8通过步进电机控制器15与控制单元连接。步进电机8控制靶材7的转动，红外激光与靶材作用一次后转动一次靶材，可以有效提高激光等离子体光源的发光效率。
靶材7与Schwarzschild物镜13之间设有第一锆片12，该第一锆片12用于有效滤除可见光的影响，使进入Schwarzschild物镜的光波主要是极紫外光，本实施例采用的第一锆片12厚度为200nm。
Schwarzschild物镜13用于将靶材7产生的等离子体光源微聚焦到待测光学薄膜样品上进行辐射损伤。所述Schwarzschild物镜的数值孔径为0.2，其放大倍数为1/20倍。当激光等离子体光源直径为100μm时，其微聚焦光斑直径为5μm，Schwarzschild物镜的主镜和副镜的表面需要镀制Mo/Si周期多层膜结构，选择不同周期多层膜结构可以选择对于特定波长的极紫外光具有高反射率，实现单色化功能。本实施例中，镀制的Mo/Si周期多层膜对于13.5nm波长的极紫外光反射率为68％。
三维位移样品台14上还设置有用于探测经过Schwarzschild物镜13后的微聚焦光斑的能量的极紫外光电探测器(图中未标出)，该极紫外光电探测器通过同轴电缆与示波器连接。示波器用于采集极紫外光电探测器的输出电流信号，并将采集的信号通过USB连接到计算机。
三维位移样品台14包括相连接的三维精密电位移台和样品架，样品架用于放置待测光学薄膜样品和极紫外光电探测器，三维精密电位移台通过三维电位移台控制器16与控制单元连接，三维电位移台控制器16接受控制单元的控制，并驱动三维精密电位移台在X、Y、Z轴方向移动，位移精度为20nm。
极紫外CCD探测器11用于采集靶材7表面产生等离子体光斑的形状以及辐射强度，控制单元发出采集指令后极紫外CCD探测器11才被驱动开始数据采集工作，极紫外CCD探测器11将采集的图像信息通过USB输出到控制单元中。
极紫外CCD探测器11表面放置有一第二锆片10，极紫外CCD探测器11与靶材7间设有针孔9，极紫外CCD探测器11依次通过第二锆片10、针孔9采集靶材7表面的图像。第二锆片11为600nm厚的极紫外CCD用锆片，可有效减少可见光的影响，使得极紫外CCD探测器只探测极紫外光。针孔9的直径为15um，针孔9和极紫外CCD探测器11间的距离与针孔9和靶材7间的距离之比为2:1，其放大倍数为2倍。
控制单元包括相连接的计算机17和数据控制卡18，计算机17用于控制实验装置自动运转以及数据的储存与处理，计算机17通过数据控制卡18分别连接Nd:YAG激光器1、极紫外CCD探测器11和步进电机控制器15，计算机17直接与三维电位移台控制器16连接。本实施例中，数据控制卡18为USB7660，该控制卡通过USB接口与计算机17连接，计算机17通过LabVIEW程序按时序分别发出控制命令送至Nd:YAG激光器1、三维电位移台控制器16以及步进电机控制器15。
利用上述薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台实现薄膜材料的极紫外辐照损伤，包括下列步骤：
1)根据实验需求，确定每发脉冲所需Nd:YAG激光输出能量，根据该激光能量设置相应的衰减片衰减系数，可通过旋转步进电机带动衰减片旋转到合适角度。根据实验需要，确定样品在X、Y、Z方向上的移动位置，并确定靶材的旋转角度参数。利用这些预设值，建立参数文件。
2)打开LabVIEW和控制程序，读取步骤1)中建立的参数文件，并逐行执行该文件。
3)计算机根据指令输出控制命令，控制三维精密电位移台X、Y、Z精密移动，使样品放置在相应的辐照位置。
4)计算机通过数据控制卡控制靶材旋转一定角度，使每个脉冲激光都辐照在新的靶材表面。
5)计算机通过LabVIEW软件控制极紫外CCD探测器开始数据采集。
6)计算机通过LabVIEW软件输出指令给数据控制卡并发出TTL脉冲信号触发Nd:YAG激光器工作，并发射出单发脉冲激光。
7)步骤6)执行结束后，计算机发出指令停止极紫外CCD探测器采集工作，并读取极紫外CCD探测器采集到的图像输出到计算机中保存。
8)重复上述步骤2)～7)，可以实现样品在同一位置或不同位置的单脉冲或多脉冲的辐照损伤。

Claims (10)

1.一种薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，包括依次连接的控制单元、Nd:YAG激光器(1)、光路单元、真空腔单元和极紫外CCD探测器(11)，所述极紫外CCD探测器(11)与控制单元连接，所述真空腔单元包括真空腔和依次设置在真空腔内的聚焦透镜(6)、靶材(7)、第一锆片(12)、Schwarzschild物镜(13)和用于放置待测光学薄膜样品的三维位移样品台(14)，所述极紫外CCD探测器(11)伸入真空腔内并对准靶材(7)；
进行薄膜材料极紫外辐射损伤实验时，控制单元控制Nd:YAG激光器(1)发出脉冲激光，该脉冲激光经光路单元后进入真空腔内，经聚焦透镜(6)后聚集在靶材(7)并产生激光等离子体光源，该激光等离子体光源发射的光波经过第一锆片(12)后再经Schwarzschild物镜(13)聚焦到待测光学薄膜样品表面产生极紫外辐射损伤，极紫外CCD探测器(11)采集靶材(7)表面的图像传输给控制单元。
2.根据权利要求1所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述光路单元包括依次设置的红外激光衰减片(2)、高反射镜(3)和扩束镜(4)。
3.根据权利要求1所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述真空腔上设有入射窗(5)，经光路单元后的脉冲激光通过所述入射窗(5)进入真空腔内。
4.根据权利要求1所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述控制单元包括计算机(17)和数据控制卡(18)，所述计算机(17)通过数据控制卡(18)分别连接Nd:YAG激光器(1)和极紫外CCD探测器(11)，驱动Nd:YAG激光器(1)发出脉冲激光，并接收，极紫外CCD探测器(11)采集的图像。
5.根据权利要求1所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述极紫外CCD探测器(11)表面放置有第二锆片(10)，极紫外CCD探测器(11)与靶材(7)间设有针孔(9)，极紫外CCD探测器(11)依次通过第二锆片(10)、针孔(9)采集靶材(7)表面的图像。
6.根据权利要求5所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述针孔(9)和极紫外CCD探测器(11)间的距离与针孔(9)和靶材(7)间的距离之比为2:1。
7.根据权利要求1所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述三维位移样品台(14)上还设置有用于探测经过Schwarzschild物镜(13)后的微聚焦光斑能量的极紫外光电探测器，该极紫外光电探测器通过同轴电缆与示波器连接。
8.根据权利要求1所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述三维位移样品台(14)包括相连接的三维精密电位移台和样品架，所述三维精密电位移台通过三维电位移台控制器(16)与控制单元连接，三维电位移台控制器(16)接受控制单元的控制，并驱动三维精密电位移台移动。
9.根据权利要求1所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述真空腔内还设置有步进电机(8)，所述靶材(7)与步进电机(8)连接，所述步进电机(8)通过步进电机控制器(15)与控制单元连接。
10.根据权利要求2所述的薄膜材料极紫外辐射损伤实验平台，其特征在于，所述红外激光衰减片(2)设置于一旋转台上，该旋转台与一旋转步进电机连接。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106248564A (zh) * 2016-07-13 2016-12-21 中国科学院光电研究院 一种可在线测量能量的极紫外辐照损伤测试系统
CN106370629A (zh) * 2016-08-25 2017-02-01 中国科学院新疆理化技术研究所 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法
CN106769883A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 同济大学 一种Schwarzschild物镜焦平面定位装置及定位方法
CN108226206A (zh) * 2018-01-05 2018-06-29 兰州大学 一种适用于“水窗”x射线的生物样品成像谱仪
CN108267298A (zh) * 2017-11-29 2018-07-10 上海精密计量测试研究所 Cmos图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法
CN108918094A (zh) * 2018-06-11 2018-11-30 同济大学 一种桌面型高能量密度极紫外辐照损伤测试装置
CN111504889A (zh) * 2020-04-23 2020-08-07 中国科学院微电子研究所 极紫外累积辐照损伤测试系统及方法
CN112304858A (zh) * 2020-12-25 2021-02-02 南京大策门窗有限公司 一种高分子塑料膜耐腐蚀测试装置
CN113484242A (zh) * 2021-07-06 2021-10-08 南开大学 一种用于强激光损伤实验的简易式样品真空装置
CN114527057A (zh) * 2022-02-28 2022-05-24 同济大学 在线高空间和时间分辨极紫外辐照损伤泵浦-探测系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130032640A1 (en) * 2011-08-03 2013-02-07 Gigaphoton Inc. Target supply unit, mechanism for cleaning nozzle thereof, and method for cleaning the nozzle
CN103163743A (zh) * 2013-02-27 2013-06-19 华中科技大学 一种激光等离子体极紫外光源的产生装置及方法
CN103364401A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 中国科学院光电研究院 一种极紫外辐照材料测试系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130032640A1 (en) * 2011-08-03 2013-02-07 Gigaphoton Inc. Target supply unit, mechanism for cleaning nozzle thereof, and method for cleaning the nozzle
CN103163743A (zh) * 2013-02-27 2013-06-19 华中科技大学 一种激光等离子体极紫外光源的产生装置及方法
CN103364401A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 中国科学院光电研究院 一种极紫外辐照材料测试系统

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FRANK BARKUSKY ET AL.: "Damage threshold measurements on EUV optics using focused radiation from a table-top laser produced plasma source", 《OPTICS EXPRESS》 *
FRANK BARKUSKY ET AL.: "Direct structuring of solids by EUV radiation from a table-top laser produced plasma source", 《PROCEEDINGS OF SPIE》 *
SEBASTIAN KRANZUSCH，KLAUS MANN: "Spectral characterization of EUV radiation emitted from a laser-irradiated gas puff target", 《OPTICS COMMUNICATIONS》 *
李文斌等: "薄膜材料的极紫外辐照损伤实验", 《上海市激光学会2015年学术年会》 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106248564A (zh) * 2016-07-13 2016-12-21 中国科学院光电研究院 一种可在线测量能量的极紫外辐照损伤测试系统
CN106370629A (zh) * 2016-08-25 2017-02-01 中国科学院新疆理化技术研究所 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法
CN106769883B (zh) * 2016-12-29 2019-06-11 同济大学 一种Schwarzschild物镜焦平面定位装置及定位方法
CN106769883A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 同济大学 一种Schwarzschild物镜焦平面定位装置及定位方法
CN108267298A (zh) * 2017-11-29 2018-07-10 上海精密计量测试研究所 Cmos图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法
CN108226206A (zh) * 2018-01-05 2018-06-29 兰州大学 一种适用于“水窗”x射线的生物样品成像谱仪
CN108226206B (zh) * 2018-01-05 2023-06-20 兰州大学 一种适用于水窗x射线的生物样品成像谱仪
CN108918094A (zh) * 2018-06-11 2018-11-30 同济大学 一种桌面型高能量密度极紫外辐照损伤测试装置
CN111504889A (zh) * 2020-04-23 2020-08-07 中国科学院微电子研究所 极紫外累积辐照损伤测试系统及方法
CN112304858A (zh) * 2020-12-25 2021-02-02 南京大策门窗有限公司 一种高分子塑料膜耐腐蚀测试装置
CN112304858B (zh) * 2020-12-25 2021-06-22 至信搏远新材料科技有限公司 一种高分子塑料膜耐腐蚀测试装置
CN113484242A (zh) * 2021-07-06 2021-10-08 南开大学 一种用于强激光损伤实验的简易式样品真空装置
CN114527057A (zh) * 2022-02-28 2022-05-24 同济大学 在线高空间和时间分辨极紫外辐照损伤泵浦-探测系统

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