CN105374837B - 晶片封装体及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体的制造方法包含：提供半导体基材，半导体基材具有光电二极管、以及配置于半导体基材的上表面的内连线层，内连线层位于光电二极管上方且与光电二极管电性连接；于内连线层上形成重布局线路，重布局线路电性连接内连线层；于重布局线路上形成封装层；于封装层上贴附承载基板；于半导体基材的下表面形成彩色滤光层；于彩色滤光层下形成微镜头模组；以及移除承载基板。本发明制作成本较低更适于量产，并可有效微缩晶片封装体的厚度。
Description
技术领域
本发明是关于一种封装体及其制造方法，且特别是有关于一种晶片封装体及其制造方法。
背景技术
数字相机的使用创造了对影像感测装置的需求，而在可携式装置例如平板计算机、智能手机以及笔记型计算机上数字相机的使用亦日益普及。近来在数字相机工艺发展上,互补式金属氧化物半导体影像感测(CMOS image sensors，CIS)晶片封装体渐成主流。互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体是以光电二极管(photo diode)为基础，此光电二极管照光时，产生与光子数成正比的电子流，形成可反映在给定时段内光子总数的电压信号。此信号随后转换为数字信号并可通过上述装置上的电路输出。
前照式(front side illuminated，FSI)感测是互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体最早发展出来的结构设计。然而，在前照式互补式金属氧化物半导体影像感测装置中，入射的光子必需通过金属层与介电层才能到达光电二极管，因此入射的光子可能在到达光电二极管前即被吸收或散射而降低量子效率。因此，背照式(back sideilluminated，BSI)感测的互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体即被发展出来以改善上述问题。所谓背照式感测的互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体是利用从半导体基板背侧接收入射光，其光径较短且不需通过金属层与介电层等中间层，因此入射的光子在到达光电二极管前不会被吸收或散射，进而具有更高的量子效率。故背照式互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体在现今产品中逐渐普及。
然而背照式互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体在现今的制作过程中仍存有许多亟待克服的难题，特别是其制作过程繁复使成本居高不下、整体厚度较厚等问题。因此，创新的背照式互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体结构和制作方法以解决上述问题，仍是当前半导体晶片封装工艺重要的研发方向之一。
发明内容
本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，一般而言，在背照式互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体的制作过程中，使用在半导体基板上先沉积磊晶层以制作各像素电性连接的内连线结构，之后再将光电二极管形成于内连线结构之上的晶圆进料。与传统前照式在半导体基板上制造光电二极管，再顺应于其上形成内连线结构的的晶圆进料相比，背照式的晶圆进料需要更复杂的步骤以及更精密的制程控制才得以制作出来，因此制作成本较高。同时，背照式互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体尚须贯穿硅导通孔(through silicon via，TSV)来完成内连线结构在半导体基板背面的电性导通路径，使得成本更进一步提高，且贯穿硅导通孔须在一定厚度下方能顺利形成，因此背照式互补式金属氧化物半导体影像感测晶片封装体往往具有较厚的整体厚度。据此，本发明提出一种晶片封装体及其制造方法，使用类似于传统前照式结构的晶圆进料，因此制作成本较低更适于量产。此外，本发明提供的晶片封装体及其制造方法亦不须制作贯穿硅导通孔，因此可进一步降低制作成本，并可有效微缩晶片封装体的厚度。
本发明的一态样提出一种晶片封装体的制造方法，包含：提供半导体基材，半导体基材具有光电二极管、以及配置于半导体基材的上表面的内连线层，内连线层位于光电二极管上方且与光电二极管电性连接；于内连线层上形成重布局线路，重布局线路电性连接内连线层；于重布局线路上形成封装层；于封装层上贴附承载基板；于半导体基材的下表面形成彩色滤光层；于彩色滤光层下形成微镜头模组；以及移除承载基板。
在本发明的一些实施方式中，在于半导体基材的下表面形成彩色滤光层的步骤之前，进一步包含自下表面朝上表面薄化半导体基材。
在本发明的一些实施方式中，自下表面朝上表面薄化半导体基材的步骤是机械研磨、化学基底蚀刻、化学机械研磨、或前述的组合。
在本发明的一些实施方式中，在于内连线层上形成重布局线路的步骤之后，进一步包含于内连线层上形成抗反射层叠。
在本发明的一些实施方式中，于内连线层上形成抗反射层叠的步骤包含沉积覆盖重布局线路以及内连线层的介电层；沉积覆盖介电层的金属层；以及微影蚀刻介电层与金属层以暴露出重布局线路。
在本发明的一些实施方式中，介电层包含氧化硅，且金属层包含银。
在本发明的一些实施方式中，其中于重布局线路上形成封装层的步骤包含：形成覆盖重布局线路以及内连线层的封装层；以及形成封装层的开口，开口暴露出部分重布局线路。
在本发明的一些实施方式中，形成封装层的开口的步骤是激光钻孔。
在本发明的一些实施方式中，晶片封装体的制造方法进一步包含：于封装层上形成焊球，部分焊球配置于开口内电性连接重布局线路。
在本发明的一些实施方式中，焊球包含锡。
在本发明的一些实施方式中，晶片封装体的制造方法进一步包含：形成焊线，焊线的一端配置于开口内电性连接重布局线路。
在本发明的一些实施方式中，重布局线路包含铝、铜、镍或前述的组合。
本发明的另一态样提出一种晶片封装体，包含半导体基材、重布局线路、封装层、彩色滤光层以及微镜头模组。半导体基材具有光电二极管、以及内连线层配置于半导体基材的上表面。内连线层位于光电二极管上方且与光电二极管电性连接。重布局线路配置于内连线层上，重布局线路电性连接内连线层。封装层配置于重布局线路上，封装层具有开口暴露出部分重布局线路。彩色滤光层配置于半导体基材的下表面。微镜头模组配置于彩色滤光层下。
在本发明的一些实施方式中，晶片封装体进一步包含焊球配置于封装层上，部分焊球位于开口内电性连接重布局线路。
在本发明的一些实施方式中，焊球包含锡。
在本发明的一些实施方式中，晶片封装体进一步包含焊线配置该开口内电性连接重布局线路。
在本发明的一些实施方式中，晶片封装体进一步包含抗反射层叠配置于内连线层上。
在本发明的一些实施方式中，抗反射层叠包含介电层以及金属层。介电层配置于重布局线路侧边以及内连线层上。金属层配置于介电层上。
在本发明的一些实施方式中，介电层包含氧化硅，且金属层包含银。
在本发明的一些实施方式中，晶片封装体进一步包含光学玻璃以及胶粘层。光学玻璃配置于微镜头模组下。胶粘层夹设于微镜头模组与光学玻璃之间。
附图说明
本发明的上述和其他态样、特征及其他优点参照说明书内容并配合附加图式得到更清楚的了解。
图1是根据本发明一些实施方式的晶片封装体的局部侧视示意图。
图2是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中一阶段的剖面示意图。
图3是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图2下一阶段的剖面示意图。
图4是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图3下一阶段的剖面示意图。
图5是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图4下一阶段的剖面示意图。
图6是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图5下一阶段的剖面示意图。
图7是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图6下一阶段的剖面示意图。
图8是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图7下一阶段的剖面示意图。
图9是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图8下一阶段的剖面示意图。
图10是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图9下一阶段的剖面示意图。
图11是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图10下一阶段的剖面示意图。
其中，附图中符号的简单说明如下：
100：晶片封装体 132：开口
110：半导体基材 140：彩色滤光层
111：上表面 150：微镜头模组
112：光电二极管 160：抗反射层叠
113：下表面 162：介电层
114：内连线层 164：金属层
1141、1143、1145、1147、1149： 170：光学玻璃金属间介电层 180：胶粘层
1142、1144、1146、1148：金属 190：间隔物内连线 20：入射光线
115：半导体晶圆 210：焊球
120：重布局线路 220：承载基板
130：封装层。
具体实施方式
为了使本发明内容的叙述更加详尽与完备，下文针对本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施方式中附加其他的实施方式，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施方式。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明各实施方式。
图1是根据本发明一些实施方式的晶片封装体的局部侧视示意图。请参照图1，本发明的晶片封装体100包含半导体基材110、重布局线路120、封装层130、彩色滤光层140以及微镜头模组150。半导体基材110具有光电二极管112以及内连线层114。如图1所示，内连线层114配置于半导体基材110的上表面111，内连线层114位于光电二极管112上方。内连线层114与光电二极管112电性连接。光电二极管112例如可以是制作于半导体晶圆115上的互补式金属氧化物半导体影像感测元件。半导体晶圆115例如可以是以硅(silicon)、锗(germanium)或III-V族元素的半导体晶圆。如图1所示，当光电二极管112接收光信号20时，光电二极管112可产生与光子数成正比的电子流，即产生可反映在给定时段内光子总数的电压信号，此电压信号可经由与光电二极管112电性连接的内连线层114向外界输出。如图1所示，内连线层114例如可以包含多层金属内连线1142、1144、1146、1148、夹设于各金属内连线之间的金属间介电层(inter-metal dielectric layer)1141、1143、1145、1147以及位于各金属间介电层内部的穿孔(图未绘示)电性连接各金属内连线。金属内连线1142、1144、1146、1148包含铝(aluminum)、铜(copper)或镍(nickel)或其他合适的导电材料，金属间介电层1141、1143、1145、1147、1149包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合适的介电材料。金属内连线1142、1144、1146、1148与金属间介电层1141、1143、1145、1147、1149可以适当的制程方法依序形成于光电二极管112上，搭配位于各金属间介电层内部的穿孔(图未绘示)，使内连线层114与光电二极管112具有电性连接。值得注意的是，半导体基材110时类似于前照式结构的成本较低的晶圆进料，即在半导体基板上制造光电二极管，再顺应于其上形成内连线结构的的晶圆进料，与背照式的晶圆进料完全不同且不需要复杂步骤以及精密制程控制才得以制作出来。本发明以特殊的制作方法将前照式结构的晶圆进料制作为背照式影像感测晶片封装体，因此制作成本较低更适于量产。如图1所示，在本发明的一些实施方式中，晶片封装体100进一步包含抗反射层叠160配置于内连线层114上。抗反射层叠160可以包含一层或数层的抗反射层来减少入射光线在穿透内连线层114后，再反射回光电二极管112造成干扰，抗反射层叠160亦可视为配置于内连线层114的光遮罩，遮挡住来自半导体基材110的上表面111的光线，避免其进入光电二极管112造成错误信号，使光电二极管112仅接收来自半导体基材110的下表面113的入射光线20而为背照式感光。如图1所示，在本发明的一些实施方式中，抗反射层叠160包含介电层162以及金属层164。介电层162配置于重布局线路120侧边以及内连线层114上。以及金属层164配置于介电层162上。介电层162以及金属层164所使用的材料可视需求做不同的调整设计。在本发明的一些实施方式中，介电层162包含氧化硅，金属层164包含银。
请参照图1，重布局线路120配置于内连线层114上，重布局线路120电性连接内连线层114。重布局线路120例如可以使用铝、铜或镍或其他合适的导电材料，以适当的制程方法全面沉积于内连线层114上，再以微影蚀刻的方式图案化。重布局线路120与内连线层114电性连接的方式例如可以是在内连线层114中最上层的金属间介电层1149中形成开口暴露出部分金属内连线1148，再将导电材料填入开口中，使后续形成的重布局线路120与内连线层114具有电性连接，进一步传递由光电二极管112所产生的电压信号。参照图1，封装层130配置于重布局线路120上，封装层130具有开口132暴露出部分重布局线路120。封装层130可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它合适的绝缘材料，以化学气相沉积法(chemicalvapor deposition)顺应地沿着重布局线路120沉积，再搭配化学机械研磨制程进行平坦化。封装层130也可以是绿漆(solder mask)或其它合适的封装材料，以涂布方式在重布局线路120上方形成。
继续参照图1，彩色滤光层140配置于半导体基材110的下表面113。彩色滤光层140可以让特定光谱的光通过并照射光电二极管112。换言之，彩色滤光层140限定特定波长的光进入光电二极管112中，并将其他波长的光反射至外界。彩色滤光层140决定何种光可被光电二极管112所吸收并产生电压信号。举例而说，彩色滤光层140可为红色、绿色、蓝色滤光层、或是前述各色滤光层的阵列排列组合。此外，彩色滤光层140亦可包含其他光色滤光层，例如青绿色(cyan)、黄色(yellow)、及洋红色(magenta)。彩色滤光层140可包含颜料或是染料，例如具有颜料或是染料的压克力树脂层。彩色滤光层140的材料及形成方法并无限定，举例来说，彩色滤光层140可为包含颜料或是染料的聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl-methacrylate，PMMA)、或包含颜料或是染料的甲基丙烯酸聚甘油酯(polyglycidylmethacrylate，PGMS)。继续参照图1，微镜头模组150配置于彩色滤光层140下。微镜头模组150可用来集中入射光线20，使入射光线20先被集中后，再通过彩色滤光层140进入光电二极管112，因此微镜头模组150可增加晶片封装体100的系统效能。彩色滤光层140和微镜头模组150可使用涂布或其他沉积步骤形成涂层，并且使用后续的微影制程将涂层图案化而形成，例如使用在涂层上方已经图案化的光阻形成蚀刻遮罩，并且在图案化步骤之后进行光阻剥离。微镜头模组150的材质、形状、厚度、以及形成方法并无限定，例如可以是丙烯酸类聚合物等具有高穿透度的材料。微镜头模组150的厚度可对应元件尺寸搭配光学设计作适当的调整。微镜头模组150的制作方式可以是旋转涂布法，使得微镜头模组150具有均匀的厚度。然而本发明并不以此为限，微镜头模组150的制作方式亦可为化学气相沉积法、或物理气相沉积法。如图1所示，在本发明的一些实施方式中，晶片封装体100进一步包含光学玻璃170以及胶粘层180。光学玻璃170配置于微镜头模组150下。胶粘层180夹设于微镜头模组150与光学玻璃170之间。光学玻璃170可以是任何高透光度的玻璃材料。光学玻璃170通过胶粘层180粘着于微镜头模组150下方，以保护微镜头模组150。在本发明的另一些实施方式中，晶片封装体100可进一步包含间隔物190来提供光学玻璃170与微镜头模组150维持一定距离所需要的物理支撑力。
继续参照图1，在本发明的一些实施方式中，晶片封装体100进一步包含焊球210配置于封装层130上，部分焊球位于开口132内电性连接重布局线路120。焊球210的材料可以是任何适合于焊接的金属或合金，在本发明的一些实施方式中，焊球210包含锡(Sn)。焊球210作为晶片封装体100外接于印刷电路板或其他中介片的连接桥梁，据此由光电二极管112所侦测产生的电压信号即可通过内连线层114、重布局线路120、以及焊球210对外输出。举例来说，焊球210可进一步电性连接于印刷电路板或其他中介片，据此光电二极管112所侦测产生的电压信号即可输出至印刷电路板或其他中介片。反之，由印刷电路板或其他中介片的输入/输出的电流信号亦可能通过焊球210、重布局线路120以及内连线层114对光电二极管112进行信号输入控制。在本发明的另一些实施方式中，晶片封装体100可进一步包含焊线(图未绘示)电性连接重布局线路120，焊线亦可作为晶片封装体100外接于印刷电路板或其他中介片的连接桥梁。有关本发明各实施方式的晶片封装体100的制造方法，将于以下段落以及图2至图11中说明。
图2是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中一阶段的剖面示意图。图3是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图2下一阶段的剖面示意图。请先参照图2，提供半导体基材110具有至少一光电二极管112、以及一内连线层114配置于半导体基材110的上表面111。内连线层114位于光电二极管112上方且与光电二极管112电性连接。光电二极管112例如可以是制作于半导体晶圆115上的互补式金属氧化物半导体影像感测元件。半导体晶圆115例如可以是以硅、锗或III-V族元素的半导体晶圆。内连线层114配置于半导体基材110的上表面111且位于光电二极管112上方，内连线层114与光电二极管112电性连接。有关光电二极管112以及内连线层114制作的方式、结构细节以及彼此的连接关系如前所述，在此即不重复赘述。请接着参照图3，在提供半导体基材110的步骤之后，接着形成至少一重布局线路120于内连线层114上，重布局线路120电性连接内连线层114。重布局线路120例如可以使用铝、铜或镍或其他合适的导电材料，以适当的制程方法全面沉积于内连线层114上，再以微影蚀刻的方式图案化。重布局线路120与内连线层114电性连接的方式例如可以是在内连线层114中金属间介电层中形成开口暴露出部分金属内连线再将导电材料填入开口中，使后续形成的重布局线路120与内连线层114具有电性连接，进一步传递由光电二极管112所产生的电压信号。
图4是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图3下一阶段的剖面示意图。图5是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图4下一阶段的剖面示意图。请参照图4，在本发明的一些实施方式中，在形成重布局线路120于内连线层114上的步骤之后，进一步包含形成抗反射层叠160于内连线层114上。抗反射层叠160可有效减少入射光线在穿透内连线层114后，再反射回光电二极管112造成干扰，抗反射层叠160亦可视为配置于内连线层114的光遮罩，遮挡住来自半导体基材110的上表面111的光线，避免其进入光电二极管112造成错误信号，使光电二极管112仅接收来自半导体基材110的下表面113的入射光线20而为背照式感光。抗反射层叠160可以任何适当的制程方法制作于内连线层114上。在本发明的一些实施方式中，形成抗反射层叠160于内连线层114上的步骤包含先沉积介电层162覆盖重布局线路120以及内连线层114，再沉积金属层164覆盖介电层162，最后微影蚀刻介电层162与金属层164以暴露出重布局线路120，形成如图4所示的结构。介电层162与金属层164可以选自任合适当的材料，在本发明的一些实施方式中，介电层162包含氧化硅，金属层164包含银。接着请参照图5，形成封装层130于重布局线路120上。封装层130可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它合适的绝缘材料，以化学气相沉积法顺应地沿着重布局线路120沉积，再搭配化学机械研磨制程进行平坦化。封装层130也可以是绿漆或其它合适的封装材料，以涂布方式在重布局线路120上方形成。然而本发明封装层130并不以上述制作方式为限，可针对不同制程需求选择适当的制作方法。在本发明的一些实施方式中，形成封装层130于重布局线路120上的步骤包含形成封装层130覆盖重布局线路120以及内连线层114。接着，如图5所示，形成封装层130的开口132，开口132暴露出部分重布局线路120。形成封装层130的开口132的方式可以是干式蚀刻、湿式蚀刻、激光钻孔、或任何适当的制程方法。在本发明的一些实施方式中，形成封装层130的开口132的步骤是激光钻孔。据此，可避免干式蚀刻或湿式蚀刻中所使用溶液残留对整体元件造成污染等问题。
图6是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图5下一阶段的剖面示意图。图7是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图6下一阶段的剖面示意图。请参照图6，在形成封装层130于重布局线路120上的步骤之后，贴附承载基板220于封装层130上。承载基板220可以是玻璃基板、半导体基板或其他基板来提供后续制程中所需要的承载力。贴附承载基板220的方式例如可以使用光敏性或热敏性的粘着剂，以便承载基板220在后续制程完结后，可以照光或加热的方式顺利移除。请参照图7，在本发明的一些实施方式中，在贴附承载基板220于封装层130上的步骤之后，自下表面113朝上表面111薄化半导体基材110。据此，可更确保位于半导体晶圆115上的光电二极管112顺利接收预定由下表面113进入的光信号。进而使光电二极管112确实反映在给定时段内光子总数的电压信号。薄化半导体基材110的制程方式可视需求作最适化的选择。在本发明的一些实施方式中，自下表面113朝上表面111薄化半导体基材110的步骤是机械研磨、化学基底蚀刻、化学机械研磨、或前述的组合。
图8是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图7下一阶段的剖面示意图。图9是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图8下一阶段的剖面示意图。接着请参照图8，形成彩色滤光层140于半导体基材110的下表面113。值得注意的是，在贴附承载基板220于封装层130上的步骤之后，后续的步骤即可翻面进行。如图8所示，半导体基材110翻面使下表面113朝上，并形成彩色滤光层140于下表面113。彩色滤光层140限定特定波长的光进入光电二极管112中，并将其他波长的光反射至外界。彩色滤光层140决定何种光可被光电二极管112所吸收并产生电压信号。请参照图9，形成微镜头模组150于彩色滤光层140下。微镜头模组150可用来集中入射光线20，使入射光线20先被集中后，再通过彩色滤光层140进入光电二极管112，因此微镜头模组150可增加晶片封装体100的系统效能。彩色滤光层140和微镜头模组150可使用涂布或其他沉积步骤形成涂层，并且使用后续的微影制程将涂层图案化而形成，例如使用在涂层上方已经图案化的光阻形成蚀刻遮罩，并且在图案化步骤之后进行光阻剥离。微镜头模组150的材质、形状、厚度、以及形成方法并无限定，例如可以是丙烯酸类聚合物等具有高穿透度的材料。微镜头模组150的厚度可对应元件尺寸搭配光学设计作适当的调整。微镜头模组150的制作方式可以是旋转涂布法，使得微镜头模组150具有均匀的厚度。然而本发明并不以此为限，微镜头模组150的制作方式亦可为化学气相沉积法或物理气相沉积法。
图10是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图9下一阶段的剖面示意图。图11是根据本发明一些实施方式的晶片封装体于制造过程中图10下一阶段的剖面示意图。参照图10，在本发明的一些实施方式中，在形成微镜头模组150于彩色滤光层140下的步骤之后，进一步包含形成光学玻璃170以及胶粘层180于微镜头模组150下，以提供微镜头模组150更完善的保护。胶粘层180夹设于微镜头模组150与光学玻璃170之间。光学玻璃170可以是任何高透光度的玻璃材料。光学玻璃170通过胶粘层180粘着于微镜头模组150下方，以保护微镜头模组150。如图10所示，在本发明的一些实施方式中，可进一步形成间隔物190来提供光学玻璃170与微镜头模组150维持一定距离所需要的物理支撑力。参照图11，在形成微镜头模组150于彩色滤光层140下的步骤之后，移除承载基板220。如前所述，贴附承载基板220的方式可以使用光敏性或热敏性的粘着剂，至此可以照光或加热的方式使粘性降低以便承载基板220顺利移除。在本发明的一些实施方式中，进一步包含形成焊球210于封装层130上，部分焊球210配置于开口132内电性连接重布局线路120，至此即形成如图1所示的晶片封装体100。焊球210的材料可以是任何适合于焊接的金属或合金，在本发明的一些实施方式中，焊球210包含锡。焊球210作为晶片封装体100外接于印刷电路板或其他中介片的连接桥梁，据此由光电二极管112所侦测产生的电压信号即可通过内连线层114、重布局线路120、以及焊球210对外输出。焊球210例如可以进一步电性连接于印刷电路板或其他中介片，据此光电二极管112所侦测产生的电压信号即可输出至印刷电路板或其他中介片。在本发明的另一些实施方式中，进一步包含形成焊线(图未绘示)，焊线的一端配置于开口132内电性连接重布局线路120，焊线亦可作为晶片封装体100外接于印刷电路板或其他中介片的连接桥梁。
最后要强调的是，本发明所提供一种晶片封装体及其制造方法，不使用一般背照式晶圆进料，即在半导体基板上先沉积磊晶层以制作各像素电性连接的内连线结构，之后再将光电二极管形成于内连线结构上的成本较高的晶圆进料。而是使用类似于前照式结构的成本较低的晶圆进料，以特殊的制作方法将其制作为背照式影像感测晶片封装体，因此制作成本较低更适于量产。此外，本发明提供的晶片封装体及其制造方法亦不须制作贯穿硅导通孔，因此可进一步降低制作成本，并可有效微缩晶片封装体的厚度。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (19)
1.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：
提供一半导体基材，所述半导体基材具有至少一光电二极管、以及配置于所述半导体基材的一上表面的一内连线层，所述内连线层位于所述光电二极管上方且与所述光电二极管电性连接；
于所述内连线层上形成至少一重布局线路，所述重布局线路电性连接所述内连线层；
于所述重布局线路上形成一封装层；
于所述封装层上贴附一承载基板；
于所述半导体基材的一下表面形成一彩色滤光层；
于所述彩色滤光层下形成一微镜头模组；以及
移除所述承载基板。
2.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，在于所述半导体基材的所述下表面形成所述彩色滤光层的步骤前，进一步包含：
自所述下表面朝所述上表面薄化所述半导体基材。
3.如权利要求2所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，自所述下表面朝所述上表面薄化所述半导体基材的步骤是机械研磨、化学基底蚀刻、或前述的组合。
4.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，在于所述内连线层上形成所述重布局线路的步骤后，进一步包含：
于所述内连线层上形成一抗反射层叠。
5.如权利要求4所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，于所述内连线层上形成所述抗反射层叠的步骤包含：
沉积覆盖所述重布局线路以及所述内连线层的一介电层；
沉积覆盖所述介电层的一金属层；以及
微影蚀刻所述介电层与所述金属层以暴露出所述重布局线路。
6.如权利要求5所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述介电层包含氧化硅，且所述金属层包含银。
7.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，于所述重布局线路上形成所述封装层的步骤包含：
形成覆盖所述重布局线路以及所述内连线层的封装层；以及
形成所述封装层的一开口，所述开口暴露出部分所述重布局线路。
8.如权利要求7所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成所述封装层的所述开口的步骤是激光钻孔。
9.如权利要求7所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含：
于所述封装层上形成一焊球，部分所述焊球配置于所述开口内电性连接所述重布局线路。
10.如权利要求9所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述焊球包含锡。
11.如权利要求7所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含：
形成一焊线，所述焊线的一端配置于所述开口内电性连接所述重布局线路。
12.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述重布局线路包含铝、铜、镍、或前述的组合。
13.一种晶片封装体，其特征在于，包含：
一半导体基材，具有至少一光电二极管、以及配置于所述半导体基材的一上表面的一内连线层，所述内连线层位于所述光电二极管上方且与所述光电二极管电性连接；
至少一重布局线路，配置于所述内连线层上，所述重布局线路电性连接所述内连线层；
一封装层，配置于所述重布局线路上，所述封装层具有一开口暴露出部分所述重布局线路；
一抗反射层叠，夹设于所述内连线层与所述封装层之间；
一彩色滤光层，配置于所述半导体基材的一下表面；以及
一微镜头模组，配置于所述彩色滤光层下。
14.如权利要求13所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含：
一焊球，配置于所述封装层上，部分所述焊球位于所述开口内电性连接所述重布局线路。
15.如权利要求14所述的晶片封装体，其特征在于，所述焊球包含锡。
16.如权利要求13所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含：
一焊线，配置于所述开口内电性连接所述重布局线路。
17.如权利要求13所述的晶片封装体，其特征在于，所述抗反射层叠包含：
一介电层，配置于所述重布局线路侧边以及所述内连线层上；以及
一金属层，配置于所述介电层上。
18.如权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，所述介电层包含氧化硅，且所述金属层包含银。
19.如权利要求13所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含：
一光学玻璃，配置于所述微镜头模组下；以及
一胶粘层，夹设于所述微镜头模组与所述光学玻璃之间。
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Families Citing this family (6)
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103066081A (zh) * | 2011-09-16 | 2013-04-24 | 全视科技有限公司 | 双向相机组合件 |
| TW201351629A (zh) * | 2012-06-01 | 2013-12-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | 半導體裝置及其製作方法 |
| CN103579377A (zh) * | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有堆叠配置的抬升式光电二极管 |
Family Cites Families (4)
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| US8710680B2 (en) * | 2010-03-26 | 2014-04-29 | Shu-Ming Chang | Electronic device package and fabrication method thereof |
| JP5674399B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2015-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 重合性組成物、感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法 |
| US8846494B2 (en) * | 2011-07-07 | 2014-09-30 | Aptina Imaging Corporation | Alignment marks and alignment methods for aligning backside components to frontside components in integrated circuits |
| US20150091115A1 (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-02 | Visera Technologies Company Limited | Imaging devices with partitions in photoelectric conversion layer |
-
2014
- 2014-08-13 TW TW103127799A patent/TWI585959B/zh active
-
2015
- 2015-08-05 US US14/819,348 patent/US9881959B2/en active Active
- 2015-08-07 CN CN201510481665.3A patent/CN105374837B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103066081A (zh) * | 2011-09-16 | 2013-04-24 | 全视科技有限公司 | 双向相机组合件 |
| TW201351629A (zh) * | 2012-06-01 | 2013-12-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | 半導體裝置及其製作方法 |
| CN103579377A (zh) * | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有堆叠配置的抬升式光电二极管 |
Also Published As
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