CN105374760A - 半导体模块、用于抓取、移动和电测试半导体模块的方法 - Google Patents

Abstract

本发明的一方面涉及半导体模块（100）。该半导体模块包括具有四个侧壁（61、62、63、64）的外壳（6）以及在外壳（6）处所安装的具有上侧（2t）和与上侧（2t）相对的下侧（2b）的电路载体（2）。半导体芯片（1）被布置在上侧（2t）上和外壳（2t）中。被构造为凹处的第一抓取槽（71）从外壳（6）的外侧出发延伸到侧壁（61、62、63、64）的第一侧壁（61）中。

Description

半导体模块、用于抓取、移动和电测试半导体模块的方法

技术领域

本发明涉及半导体模块以及用于抓取、移动和电测试所述半导体模块的方法。对于如例如在制造大量件数时（例如在自动化领域中）有意义地使用的部分自动化生产或者在理想情况下全自动化生产，如果所述半导体模块尽可能地在没有人工干涉的情况下经历生产的自动部分或者全自动生产，那么是有利的。对此，所述半导体模块迄今通过定位装置的磁性捡拾部被捡拾。因为所述半导体模块通常由基本上非磁性的部件组成，所以磁性的紧固螺母被集成在模块壳体中，这自然结合高的耗费和成本。

发明内容

本发明的任务在于，提供能够实现半导体模块的简单的和成本低的部分自动或者全自动的生产和/或测试的措施。该任务通过根据权利要求1的半导体模块、通过根据权利要求8的用于抓取半导体模块的方法、通过权利要求10的用于移动半导体模块的方法或者通过根据权利要求12的用于电测试半导体模块的方法解决。本发明的扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。

第一方面涉及半导体模块。该半导体模块包括具有四个侧壁的外壳，以及在外壳处安装的具有上侧和与上侧相对的下侧的电路载体。位于上侧上的半导体芯片被布置在外壳中。被构造为凹处的第一抓取槽（Greifertasche）从外壳的外侧出发延伸到第一侧壁中。

第二方面涉及用于抓取按照第一方面构造的半导体模块的方法。在所述方法中，除了半导体模块以外还提供定位装置，所述定位装置具有第一抓斗指状物（Greiferfinger）。为了借助于所述定位装置来抓取所述半导体模块，所述第一抓斗指状物与第一抓取槽啮合。

第三方面涉及用于移动半导体模块的方法。对此，所述半导体模块首先根据所述第二方面通过定位装置被抓取并且此后通过定位装置移动。

第四方面涉及用于电测试半导体模块的方法，所述半导体模块在其背离电路载体的侧处具有多个电外部连接端。此外，提供电测量适配器。所述半导体模块按照根据第三方面的方法通过定位装置这样地移动，使得所述半导体模块如此地相对于测量适配器被定位，使得所述电外部连接端朝向所述测量适配器。此后，所述外部连接端通过测量适配器被电接通。随后所述半导体模块的电功能能力被测试。

附图说明

随后根据实施例参照附图进一步阐述本发明。在图中，相同的附图标记表示相同或者相同地起作用的元件。其中：

图1示出通过半导体模块的横断面，其外壳在两个彼此相对的侧壁处分别具有抓取槽。

图2示出通过另一半导体模块的横断面，其外壳在两个彼此相对的侧壁处分别具有抓取槽。

图3示出从侧壁看半导体模块的侧视图，其中两个抓取槽延伸到该侧壁中。

图4示出根据图2的半导体模块的片段的透视图。

图5示出根据图3的半导体模块的俯视图。

图6示出另一半导体模块的透视图。

图7示出用于半导体模块的壳体的具有抓取槽的片段。

图8示出用于半导体模块的另一壳体的具有抓取槽的片段。

图9A示出用于半导体模块的还是另一壳体的具有抓取槽的片段的透视图。

图9B示出在壳体上安装底板之后的根据图9A的壳体片段的侧视图。

图10A至10E示出方法的不同步骤，其中半导体模块借助于定位装置被调置并且此后被电测试。

图11以相对于图10颠倒的定向示出根据图10C的半导体模块。

图12示出根据图3至5构造的半导体模块，其中定位装置的四个抓斗指状物与所述半导体模块的抓取槽啮合。

具体实施方式

图1和2分别示出具有外壳6和电路载体2的半导体模块100。壳体被理解为“外壳”，所述壳体即使在半导体模块100的常规的运行时、例如当该半导体模块在驱动电机或者变流器时被使用时，也是自由地可达的。所述外壳6拥有四个侧壁61、62、63、64，所述侧壁在与电路载体2平行的方向上分别限定外壳6的内部空间。在图1和2中基于所述剖面图不能看到第三侧壁63。

电路载体2被安装在外壳6处。该电路载体具有上侧2t，其装备有半导体芯片1，以及具有与上侧2t相对的下侧2b。在其下侧2b处，所述电路载体2可以可选择地还具有虚线示出的管脚（Pin）或者管脚鳍片（Pin-Fin）结构21。可替代地，所述下侧2b可以是平的或者基本上是平的。在半导体模块100运行时在半导体芯片1中产生的损耗热首先通过下侧2b和（只要存在）通过管脚或者管脚鳍片结构21导出。

所述半导体芯片1具有半导体主体10以及第一负载连接端11和第二负载连接端12，其被布置在半导体主体10的彼此相对的侧上。所述第一负载连接端11被布置在半导体主体10的背离电路载体2的侧上并且所述第二负载连接端12被布置在半导体主体10的朝向电路载体2的侧上。可选择地还可以存在控制连接端，所述控制连接端被布置在半导体主体10的背离电路载体2的侧上。

在半导体芯片1中可以集成任意的半导体器件、例如二极管，或者可控半导体器件、诸如MOSFET、IGBT、JFET、晶闸管等。所述半导体器件具有负载段，所述负载段被构造在第一负载连接端11和第二负载连接端12之间并且在半导体模块100运行期间负载电流流经所述负载段。只要半导体器件是可控半导体器件，所述负载电流可以通过将控制信号施加给控制连接端而被控制。

所述第一和第二负载连接端11、12和（只要存在）所述控制连接端13可以分别是接触焊盘、例如金属化层，所述接触焊盘被施加到半导体主体10上。这样的接触焊盘在半导体芯片1的制造期间已经被施加到半导体主体10上。因此所述第一和第二负载连接端11、12和（只要存在）所述控制连接端13在半导体芯片1被安装在电路载体2上之前已经是该半导体芯片1的组成部分。

按照在半导体芯片1中实现的半导体器件的类型，所述第一和第二负载连接端11、12例如可以是阳极和阴极、阴极和阳极、源极和漏极、漏极和源极、发射极和集电极、或者集电极和发射极。控制连接端可以例如是栅极或者基极连接端。

半导体芯片1的半导体主体10可以具有任意的半导体基本材料，例如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。

所述电路载体2具有衬底4，所述衬底4拥有被构造为薄层的介电绝缘载体40，所述绝缘载体40被涂布有结构化的上金属化层41，以及在其与上金属化层41相对的侧上涂布有下金属化层42。良好导电的金属、例如铜或者铜合金、铝或者铝合金适合作为用于上金属化层41和相关的下金属化层的材料。所述上金属化层41和/或下金属化层42可以彼此独立地分别具有0.05mm到2.5mm范围内的厚度。绝缘载体40的厚度可以例如处于0.1mm到2mm的范围内。但是，比所说明的厚度更大的或者更小的厚度同样是可能的。

衬底4可以可选择地是陶瓷衬底，其中绝缘载体40被构造为陶瓷层或者具有陶瓷。所述陶瓷层例如可以是由氧化铝（Al₂O₃）、氮化铝（AlN）或者氧化锆（ZrO₂）组成的层或者具有氧化铝（Al₂O₃）、氮化铝（AlN）或者氧化锆（ZrO₂）的层。但是，其他电绝缘的陶瓷层同样可以被使用。

在被构造为陶瓷衬底的衬底4的情况下，该衬底4可以例如被构造为DCB衬底（DCB=DirectCopperBonding（直接铜键合））、DAB衬底（DAB=DirectAluminumBonding（直接铝键合））、AMB衬底（AMB=ActiveMetalBrazing（活性金属钎焊））或者IMS衬底（IMS=InsulatedMetalSubstrate（绝缘金属衬底））。

为了在所述衬底4上安装半导体芯片1，半导体芯片1在其第二负载连接端12处借助于连接层14材料决定地与上金属化层41连接。所述连接可以可选择地是导电的，使得所述第二负载连接端12和所述上金属化层41通过所述连接层14导电连接。所述连接层14可以例如是焊接层、具有烧结金属粉末（例如烧结银粉末）的层或者由导电粘合剂组成的层。只要在所述第二负载连接端12和所述上金属化层41之间不期望导电连接，那么所述连接层14也可以是介电的，例如介电粘合剂。原则上，代替装备有如前面所描述的半导体芯片1，所述电路载体2可以可替代地或者附加地也装备有任意不同地构造的半导体芯片1。

为了制造半导体模块100，预先装备有半导体芯片1的电路载体2可以例如通过借助于粘合剂66粘接而被固定在外壳6处。在其背离电路载体2的上侧处，所述外壳6还可以具有壳体盖65。该壳体盖65可以被放置在侧壁61、62、63、64上或者可替代地与所述侧壁整体地构造。这样的壳体盖65然而不是强制地需要的。为了电绝缘在外壳6中构建的电组件，还可以向外壳6的内部充填（未示出的）介电填料、例如硅凝胶。

可选择地，所述半导体模块100可以具有一个或多个电外部连接端9，所述外部连接端9在外壳6的背离电路载体2的上侧处从外壳6延伸出来。出于清楚的原因，外部连接端9到在电路载体2上实现的电路的、在外壳6的内部中存在的电连接未示出。

在根据图1的半导体模块100中，所述电路载体2除了衬底4外还具有底板3。该底板可以例如是金属板。这样的底板可以例如具有金属层，例如由铝、铝合金、铜或者铜合金组成的金属层。同样可能的是，底板2具有由MMC材料（MMC=metalmatrixcomposite（金属基复合材料））组成的层。

可选择地，该金属层至少在其朝向衬底4的侧上可以配备有薄的表面金属化部，所述表面金属化部例如可以用于改善可焊接性和/或防止金属层的氧化。所述薄的表面金属化部例如可以是镍层。这样的表面金属化部可以例如电镀地施加到金属层上。

只要所述半导体模块100具有底板3，借助于连接层34材料决定地与下金属化层连接。所述连接层34可以例如是焊接层，或者是具有烧结金属粉末（例如烧结银粉末）的层。

在其电路载体2具有底板3的半导体模块100中，如在图1中所示地，其下侧同时构成电路载体2的下侧2b。然而同样在不具有底板2的半导体模块100的情况下可能的是，下金属化层42的背离绝缘载体40的侧如在图2中所示同时表示电路载体2的下侧2b。

为了在生产和/或电测试期间可以移动所述半导体模块100，所述外壳6在侧壁61、62、63、64的至少一个第一侧壁（61）处具有至少一个第一抓取槽71，其中定位装置的抓取指状物（Greiffinger）分别可以与所述抓取槽啮合，以便抓取所述半导体模块100并且然后移动该半导体模块，例如移置、转动、摆动、倾斜等等。在图1和图2中示出在第一侧壁61中所构造的第一抓取槽71，以及在与第一侧壁61相对的第二侧壁62中所构造的第二抓取槽72。原则上，抓取槽71、72的深度d7可以任意地被选择。所述深度可以例如为至少1mm。

图3以侧视图示出半导体模块100。如也在根据本发明的所有其他半导体模块100中那样，所述半导体模块可以具有如根据图1和图2所阐述的基本构造。

如所示的，所述第一侧壁61具有至少一个第一抓取槽71（在图1中仅示例性地示出两个），其中每一个被构造为凹处，所述凹处从外壳6的外侧出发延伸到第一侧壁61中。如在图3中同样地可以看出的，替代于或者除了至少一个在外壳6的背离电路载体2的侧处布置的外部连接端9之外，半导体模块100还可以具有一个或多个另外的电外部连接端81、82、83，其中每一个在侧壁61、62、63、64中的（相同的或者另外的）一个侧壁处从外壳6延伸出来。图4示出根据图3的半导体模块100的放大的片段的透视图。

通过第一侧壁61具有两个彼此相间隔的第一抓取槽71，其中抓取指状物分别可以与所述抓取槽71啮合，所述半导体模块100能够通过合适地设计的定位装置非常精确地定位。相同的效果也能够利用仅一个长地伸展的抓取槽71实现。

如从根据图5的俯视图可以得知的，外壳6的两个彼此相对的侧壁61和62分别可以具有两个抓取槽71或者72。因此，在所述第一侧壁61中构造两个第一抓取槽71，并且在所述第二侧壁62中构造两个第二抓取槽72。

根据另一在图6中示出的扩展方案，半导体模块100可以在外壳6的两个彼此相对的侧壁61和62处分别具有仅一个抓取槽71或者72。因此，在第一侧壁61中构造第一抓取槽71，并且在第二侧壁62中构造（这里被遮蔽的）第二抓取槽72。

如在图7中以第一抓取槽71为例所示的，抓取槽可以在外壳6中被构造为凹处，其环形地由外壳6的材料、例如热固性或者热塑性塑料限定。图8示出关于此的特殊的扩展方案。这里所述抓取槽71在其侧面之一处通过外壳6的螺旋隧道（Schraubentunnel）68限定。所述螺旋隧道68用于穿过紧固螺栓，借助于所述紧固螺栓，完成的半导体模块100可以利用下侧2b（这里未示出）被拧紧到载体（例如冷却体）上。因为所述螺旋隧道68具有隆起的外侧，所述螺旋隧道配备有挡块69，其防止与抓取槽71啮合的抓斗指状物意外地从抓取槽71滑落。

图9A根据外壳6示出另一变型方案。图9B示出在将具有底板3的电路载体2安装在所述外壳6处之后的完成的半导体模块100。如在图9A和9B的综述中可以看出的，在所述外壳6中构造的凹处在其朝向所述底板3的侧上是开放的。在将具有底板3的电路载体2安装在外壳6处之后，在构造抓取槽71情况下所述底板3闭合凹处的首先开放的侧。

在使用一个或多个抓取槽71、72情况下，半导体模块100能够借助于定位装置被抓取和移动，如这在部分自动或者全自动的处理情况下在生产和/或测试半导体模块100的范围中是值得期望的，和/或在顾客处安装的范围内是值得期望的。这随后根据图10A至10E以电功能测试为例予以阐述，所述功能测试在根据图2的半导体模块100处被执行。所述方法相应地也能够利用任意的其他半导体模块100执行。

如在图10A中示出的，所述半导体模块100首先在第一空间取向上处于第一位置。所述第一位置仅仅示例性地通过以下方式给出，即所述半导体模块100放置在第一底座401上。具有第一抓斗指状物271和第二抓斗指状物272的定位装置200通过所述第一抓斗指状物271与第一抓取槽71啮合和第二抓斗指状物272与第二抓取槽72啮合来抓取所述半导体模块100，这在图10B中示出。在维持啮合的情况下，现在所述半导体模块100可以如在图10C中所示的那样通过所述定位装置200从第一位置移开和/或其空间取向相对第一空间取向被改变。所有抓斗指状物271、272与对应的抓取槽71、72的啮合可以可选择地这样实现，使得所述抓斗指状物271、272在啮合时不向相关的侧壁61、62施加压力。这例如可以是，所述半导体模块100具有基于热塑性塑料的外壳6并且所述半导体模块100在高温时遭受温度测试。在此情况下也即存在以下危险：如果抓斗指状物271、272在啮合时向相关的侧壁61、62施加压力，则外壳6扭曲。

如在图10D中所示出的，所述半导体模块100在此可以从所述第一位置被带到与所述第一位置不同的第二位置中和/或从第一空间取向被带到第二空间取向。在根据图10D的示例中，所述半导体模块100通过定位装置200在电测量适配器300之下被放在第二底座402上。同样地例如也是可能的是，将所述半导体模块100放在第一底座401上的其他部位处。在半导体模块100的第二位置中，其空间取向相对于测量适配器300如此选择，使得所述电外部连接端9朝向测量适配器300。此后（Dach）半导体模块100的外部连接端9如在图10E中示出的那样通过测量适配器300的对应的测量接触件309被接触并且半导体模块100的电功能能力借助于测量适配器300测试。

为了保证正确的接触，需要的是，所述模块精确地被定位在测量适配器下。尖的外部连接端9的有错误的接触可能导致在测试期间模块损坏和/或导致高的电接触电阻，所述高的电接触电阻不仅可能对于模块是有害的而且可能不利地影响测量。例如在出现具有火花形成的电飞弧时，在作为负载连接端构造的外部连接端9的有错误的接触或者甚至没有接触的情况下，可能附加地还发生烧损痕迹。

在电测试期间，整个半导体模块100可以可选择地越过整个高的温度范围（例如从-40℃至+175℃）被测试，也即在测试期间通过整个温度范围。所述测试此外可以在高的负载电流的情况下在动态范围（例如几μs或者更少的上升时间）内被执行。

以相应的方式可以可替代地或者附加地也执行其他功能测试。一般地可以存在一个或多个测试站，所述测试站由要测试的半导体模块100相继地经过。对此，所述半导体模块100可以通过所述定位装置200被带给测试站，在那里被测试并且在相关的测试结束之后被带到下一个测试站，在那里所述半导体模块被再次测试，等等。

对于这样的测试的示例是：半导体模块100的电子器件的动态性测试（例如在125℃至175℃范围内）、短路测试（SCSOA=short-circuitsafeoperatingarea（短路安全操作区））、关断测试（RBSOA=reversebiassafeoperatingarea（反向偏压安全操作区））、二极管恢复（SOA=safeoperationarea（安全操作区））、静态测试（例如在室温时、在-40℃时、在+150℃时）、导通测量IGBT和二极管（大电流测量；例如VCEsat、VF……）、截止测量IGBT和二极管（高压测量；例如VBRCES……）、泄漏电流测量（例如ICES、IGES……）、空腔测量、绝缘测试。

图11还示出以本方法为出发点通过定位装置200改变半导体模块100的空间取向的示例，如参照图10A至10C描述的。所述半导体模块100可以以任意方式并且以彼此任意组合的方式被抬起、降低、侧向移动、倾斜或者转动。在图11中仅示例性地示出，所述半导体模块100相比于其根据图10C的空间取向被颠倒。

一般地，半导体模块100能够借助于定位装置200（例如机器人抓斗）利用一个或多个抓取槽71、72以任意方式在空间中定位和在空间上取向。

如果定位装置200仅利用恰好一个抓斗指状物271与半导体模块100的抓取槽71啮合，则原则上可以是足够的。例如可以在图10A和10B中示出的定位装置200处缺少第二抓斗指状物272，并且定位装置2的右侧部分可以利用平的表层压向第二侧壁62。

然而，如果外壳6的两个相对的侧壁61和62分别具有（至少）一个第一抓取槽71或者（至少）一个第二抓取槽72，则可以实现精确的引导，如这例如在根据图3至6的半导体模块100情况下是该情况。根据图6的半导体模块100在两个相对的侧壁61和62处分别具有恰好一个第一抓取槽71或者恰好一个第二抓取槽72，而根据图3至5的半导体模块100拥有两个在第一侧壁61处所构造的第一抓取槽71以及两个在第二侧壁62处所构造的第二抓取槽72。

图12仍示出半导体模块100，其根据图3至5构造并且定位装置200的四个抓斗指状物271或者272与所述半导体模块的抓取槽71、72啮合。如在图12中可以看出的，所述第一抓斗指状物271可选择地可以刚性地彼此连接，所述第一抓斗指状物与在相同的第一侧壁61处所构造的第一抓取槽71啮合。相应的内容适用于所述第二抓斗指状物272，所述第二抓斗指状物与在相同的第二侧壁62处所构造的第二抓取槽72啮合。

此外，抓取槽71、72可以如此被构造，使得所述抓取槽侧向地环形地闭合，也即具有环状地闭合的侧向限制壁，如这例如在图6、7和9B中的情况下是该情况。

本发明具有以下优点，即通过定位装置捡拾半导体模块100不需要半导体模块100的磁性金属部件。所述抓取槽71、72的位置可以被选择在半导体模块100的区域外，其中是功能部件（例如外部连接端9、81、82、83、用于向电路载体2的下侧2b导热的热接触面）位于所述区域中。所述抓取槽因此可以被功能部件间隔开。通过在所述抓取槽71、72处抓取半导体模块100，确保无损伤和无刮痕的捡拾。尤其当外壳6是塑料壳体时，如在传统的定位装置情况下可能出现的金属部件的刮痕和其他损伤可以被避免。

本发明的另一优点在于，在同时高的定位精度情况下能够实现短的处理时间和因此成本低的生产。为了将用于处理所述半导体模块的时间保持得小，有利的是，以高的速度移动所述半导体模块。为了达到这些，有益的是，要移动的半导体模块100具有小的质量。因为根据本发明的半导体模块100为了利用定位装置抓取和移动的目的不必具有重的磁性组成部分、如螺母等，所以本发明能够实现高的速度，例如在大约1.5g至2g（大约14.7m/s²至19.6m/s²）范围内。

高的测试温度以及高的速度两个因素与高的定位精度相结合地确定对合适的抓取接口（Greiferschnittstelle）的基本要求，其中在所述高的测试温度下，玻璃纤维增强的热塑性塑料的机械特性下降。

利用这里所介绍的解决方案得出抓取接口，所述抓取接口在耐热性、机械强度和精度方面符合要求。

Claims (12)

1.半导体模块，其具有：

具有四个侧壁（61、62、63、64）的外壳（6）；

在外壳（6）处所安装的电路载体（2），所述电路载体（2）具有上侧（2t）以及与上侧（2t）相对的下侧（2b）；

半导体芯片（1），所述半导体芯片（1）被布置在上侧（2t）上和外壳（2t）中；以及

被构造为凹处的第一抓取槽（71），所述第一抓取槽（71）从外壳（6）的外侧出发延伸到侧壁（61、62、63、64）的第一侧壁（61）中。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中所述第一抓取槽（71）具有至少1mm的深度。

3.根据权利要求1或2之一所述的半导体模块，其中所述电路载体（2）被构造为陶瓷衬底（4），所述陶瓷衬底（4）具有介电陶瓷绝缘载体（40），所述绝缘载体（40）在其朝向外壳（6）内部的侧上配备有上金属化层（41），以及在其背离外壳（6）内部的侧上配备有下金属化层（42），所述下金属化层在半导体模块的外侧处暴露。

4.根据权利要求1或2之一所述的半导体模块，其中所述电路载体（2）具有：

陶瓷衬底（4），所述陶瓷衬底（4）具有介电陶瓷绝缘载体（40），所述绝缘载体（40）在其朝向外壳（6）内部的侧上配备有上金属化层（41），以及在其背离外壳（6）内部的侧上配备有下金属化层（42）；

底板（3），所述底板（3）被布置在陶瓷衬底（4）的背离上金属化层（41）的侧上并且在下金属化层（42）处材料决定地与所述陶瓷衬底（4）相连接，并且所述底板（3）在半导体模块的外侧处暴露。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体模块，具有被构造为凹处的第二抓取槽（72），所述第二抓取槽从外壳（6）的外侧出发延伸到侧壁（61、62、63、64）的第二侧壁（62）中。

6.根据权利要求5所述的半导体模块，其中所述第二抓取槽（72）具有至少1mm的深度。

7.根据权利要求5或6所述的半导体模块，其中侧壁（61、62、63、64）的第一侧壁（61）和侧壁（61、62、63、64）的第二侧壁（62）构成外壳（6）的彼此相对的壁。

8.用于抓取半导体模块（100）的方法，具有步骤：

提供根据上述权利要求之一所构造的半导体模块（100）；

提供定位装置（200），所述定位装置（200）具有第一抓斗指状物（271）；

借助于定位装置（200）抓取半导体模块（100），其中所述第一抓斗指状物（271）与第一抓取槽（71）啮合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中

根据权利要求5至7之一构造所述半导体模块（100）；

所述定位装置（200）具有第二抓斗指状物（272），所述第二抓斗指状物（272）在抓取半导体模块（100）时与第二抓取槽（72）啮合。

10.用于移动半导体模块（100）的方法，具有步骤：

按照根据权利要求8或9之一的方法抓取半导体模块（100）；

在抓取之后通过所述定位装置（200）移动所述半导体模块（100）。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体模块（100）在移动期间通过所述定位装置（200）被颠倒。

12.用于电测试半导体模块（100）的方法，所述半导体模块（100）在其背离电路载体（2）的侧上具有多个电外部连接端（9），其中所述方法具有以下步骤：

提供电测量适配器（300）；

根据权利要求10或11之一通过所述定位装置（200）这样地移动半导体模块（100），使得所述半导体模块（100）相对于测量适配器（300）被定位为，使得所述电外部连接端（9）朝向所述测量适配器（300）；

通过所述测量适配器（300）电接触所述外部连接端并且随后测试半导体模块（100）的电功能能力。