CN105357829A - 具有防负载功率过高的逆变供电电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有防负载功率过高的逆变供电电路，通过场效应管Q1和场效应管Q2的配合来实现直流到交流的快速转换，在Q2导通之前Q1直接拉低了Q2的导通电流，这样右边的绕组产生感应电动势，电压的极性为左正右负，电流由绕组交点到左边的电阻R4，到达Q2的栅极再到绕组的尾部，从而形成一个回路，这样Q2就导通，从由Q实现起振，从而避免延迟过长的问题，本发明可以实现快速的起振，并且克服了在负载功率过高的情况下，导致电流过高的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电力技术领域，特别是涉及一种具有防负载功率过高的逆变供电电路。
背景技术
通过将直流电源转换为交流电来电灯供电是生产过程中常见的事情，不过在有些功率较高的负载中，如何克服高功率下电流过大的问题，以及如何实现快速的直流转交流和避免延迟过长的情况，这是需要本领域技术人员来予以克服的问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有防负载功率过高的逆变供电电路，用于解决如何克服高功率下电流过大的问题，以及如何实现快速的直流转交流和避免延迟过长的情况的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供以下技术方案：
一种具有防负载功率过高的逆变供电电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4及电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D1、二极管D2、变压器绕组T1及场效应管Q1和场效应管Q2，如图所示，场效应管Q1的栅极通过电阻R1接地，场效应管Q1的源极接地，场效应管Q1的漏极连接变压器绕组T1中一边绕组的第一端，并通过电阻R4连接场效应管Q2的栅极，场效应管Q2的栅极通过电阻R2接地，场效应管Q2的漏极接地，场效应管Q2的源极连接变压器绕组T1中一边绕组的第二端，并通过电阻R3接地，在变压器绕组T1中一边绕组的第一端和第二端之间连接有一抽头电压(+12V)；另外，在变压器绕组T1中另一边绕组的第三端和第四端之间并联有一电容C1，电容C1的一端分别连接电容C2和电容C3的一端，电容C1的另一端分别连接二极管D1的正极和二极管D2的负极，电容C2的另一端连接二极管D1的负极，电容C3的另一端连接二极管D2的正极，电容C4的一端连接在二极管D1的负极，电容C4的另一端连接在二极管D2的正极，在电容C4的两端上并联有一电灯L1。
优选地，场效应管Q2和场效应管Q1为IRF1010型的场效应管集成芯片。
优选地，场效应管Q2为N沟道的场效应管，场效应管Q1为P沟道的场效应管。
优选地，电阻R1和电阻2的阻值为100欧姆。
优选地，电阻R3和电阻R4的阻值为150欧姆。
如上所述，本发明的完整的发明名称，具有以下有益效果：本发明可以实现快速的起振，并且克服了在负载功率过高的情况下，导致电流过高的问题。
附图说明
图1显示为一种具有防负载功率过高的逆变供电电路的原理图。
图2显示为一种具有防负载功率过高的逆变供电电路的原理说明图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
请参阅图1，本发明提供一种具有防负载功率过高的逆变供电电路的原理图，如图所示，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4及电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D1、二极管D2、变压器绕组T1及场效应管Q1和场效应管Q2，如图所示，场效应管Q1的栅极通过电阻R1接地，场效应管Q1的源极接地，场效应管Q1的漏极连接变压器绕组T1中一边绕组的第一端，并通过电阻R4连接场效应管Q2的栅极，场效应管Q2的栅极通过电阻R2接地，场效应管Q2的漏极接地，场效应管Q2的源极连接变压器绕组T1中一边绕组的第二端，并通过电阻R3接地，在变压器绕组T1中一边绕组的第一端和第二端之间连接有一抽头电压(+12V)；另外，在变压器绕组T1中另一边绕组的第三端和第四端之间并联有一电容C1，电容C1的一端分别连接电容C2和电容C3的一端，电容C1的另一端分别连接二极管D1的正极和二极管D2的负极，电容C2的另一端连接二极管D1的负极，电容C3的另一端连接二极管D2的正极，电容C4的一端连接在二极管D1的负极，电容C4的另一端连接在二极管D2的正极，在电容C4的两端上并联有一电灯L1。
请参见图2，上述电路的原理在于：首先电源+12V进入Q1，因为Q1是低电平导通的，这样Q1比Q2的导通要快一步，在Q2导通之前Q1直接拉低了Q2的导通电流，这样右边的绕组产生感应电动势，电压的极性为左正右负，电流由绕组交点到左边的电阻R4，到达Q2的栅极再到绕组的尾部，从而形成一个回路，这样Q2就导通了；如此Q1的电流必会下降，Q2有电流流过，电流有突变的情况，在绕组的左边会产生左负右正的电压，电流从交点到右边的电阻R3至电阻R1进入栅极回到电源负极，这样Q1截止。但是这只是暂时截止，因为这个感应电流不会太久一旦消失则Q1又回到导通状态，在绕组的右端产生感应电压，如此谐振，后面都是一直振，起振的是Q1。
在具体实施中，上述电路的负载上，串联有电容C2和电容C3，这样设置的目的在于使交流在电容C2和电容C3之间呈导通姿态，以避免在输出功率较高的情况下电流过高的问题。需要说明的是，上述电容C2和电容C3应该优选为无极性电容，而这里的无极性电容不应该采用瓷片电容，而应该采用高频电容。
在具体实施中，场效应管Q2和场效应管Q1可以采用为集成芯片IRF1010的场效应管。
在具体实施中，场效应管Q2为N沟道的场效应管，场效应管Q1为P沟道的场效应管。
在具体实施中，电阻R1和电阻2的阻值为100欧姆，电阻R3和电阻R4的阻值为150欧姆的情况下效果是最好的。
综上所述，本发明可以实现快速的起振，并且克服了在负载功率过高的情况下，导致电流过高的问题。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (5)
1.一种具有防负载功率过高的逆变供电电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4及电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D1、二极管D2、变压器绕组T1及场效应管Q1和场效应管Q2，如图所示，场效应管Q1的栅极通过电阻R1接地，场效应管Q1的源极接地，场效应管Q1的漏极连接变压器绕组T1中一边绕组的第一端，并通过电阻R4连接场效应管Q2的栅极，场效应管Q2的栅极通过电阻R2接地，场效应管Q2的漏极接地，场效应管Q2的源极连接变压器绕组T1中一边绕组的第二端，并通过电阻R3接地，在变压器绕组T1中一边绕组的第一端和第二端之间连接有一抽头电压；另外，在变压器绕组T1中另一边绕组的第三端和第四端之间并联有一电容C1，电容C1的一端分别连接电容C2和电容C3的一端，电容C1的另一端分别连接二极管D1的正极和二极管D2的负极，电容C2的另一端连接二极管D1的负极，电容C3的另一端连接二极管D2的正极，电容C4的一端连接在二极管D1的负极，电容C4的另一端连接在二极管D2的正极，在电容C4的两端上并联有一电灯L1。
2.根据权利要求1所述的具有防负载功率过高的逆变供电电路，其特征在于：场效应管Q2和场效应管Q1为IRF1010型的场效应管集成芯片。
3.根据权利要求1所述的具有防负载功率过高的逆变供电电路，其特征在于：场效应管Q2为N沟道的场效应管，场效应管Q1为P沟道的场效应管。
4.根据权利要求1所述的具有防负载功率过高的逆变供电电路，其特征在于：电阻R1和电阻2的阻值为100欧姆。
5.根据权利要求4所述的具有防负载功率过高的逆变供电电路，其特征在于：电阻R3和电阻R4的阻值为150欧姆。
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