CN209313809U - 可调节时序的开关电路结构 - Google Patents
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Abstract
一种可调节时序的开关电路结构，包括MOS管、三极管、第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述MOS管的源极经电源V1接地，漏极经负载接地，栅极与所述三极管的集电极连接，所述三极管的基极与所述第一电阻的一端连接，发射极接地，所述第一电阻的另一端经电源V2接地，所述第二电阻的两端分别与所述三极管基极以及发射极连接，所述第三电阻的一端与所述三极管的集电极连接，另一端与所述MOS管的源极连接，还包括第四电阻以及电容，所述第四电阻串联于所述MOS管的栅极以及三极管的集电极之间，所述电容的两端分别与所述MOS管的源极以及栅极连接。本实用新型结构简单、成本低，可满足主控芯片的上电时序要求。
Description
技术领域
本实用新型属于电路保护技术领域，尤其涉及一种可调节时序的开关电路结构。
背景技术
目前，在许多电子产品上三极管控制的开关电路，并没有特别关注输出的时序是否满足上电要求。现在越来越多的主控芯片需要多种电源控制，并且各种电源有上电时序要求。用传统的三极管控制开关电路并不能完全满足系统需求。
如图2所示，传统的开关电路包括NPN管Q1，限流电阻R1,下拉电阻R2、电阻R3以及P型MOSFET管M1。为了便于说明，假设电源V1为3.3V，电源V2为2.5V，将电源V2的电压上升时间设置为TR＝0.1ms，延迟(TD)1ms之后才有波形，起始电压设置为0V，最终电压为2.5V，电源V2控制NPN管Q1，输出电压V3给负载(负载电阻)供电，负载电阻为3.3欧姆，需要的电流为1A。
当电压V2上升到约1V左右时，NPN管Q1的be结也跟随着从截止变为导通，导致NPN管Q1的ce结电压Uce减小，电压V2继续上升，Uce将继续减小，电阻R3两端的电压将相应的跟着增大，增大到MOSFET管M1的开启电压，将使MOSFET管M1导通，输出电压V3，但此时电压V2并没有上升到最大电压2.5V，导致电压V2滞后于电压V3。这种情况将无法满足主控芯片的上电时序的要求。
实用新型内容
基于此，针对上述技术问题，提供一种可调节时序的开关电路结构。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：
一种可调节时序的开关电路结构，包括MOS管、三极管、第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述MOS管的源极经电源V1接地，漏极经负载接地，栅极与所述三极管的集电极连接，所述三极管的基极与所述第一电阻的一端连接，发射极接地，所述第一电阻的另一端经电源V2接地，所述第二电阻的两端分别与所述三极管基极以及发射极连接，所述第三电阻的一端与所述三极管的集电极连接，另一端与所述MOS管的源极连接，其特征在于，还包括第四电阻以及电容，所述第四电阻串联于所述MOS管的栅极以及三极管的集电极之间，所述电容的两端分别与所述MOS管的源极以及栅极连接。
所述电源V1为BUCK电路的输出电源。
所述电源V2为PMIC电源芯片电路的输出电压，所述电源V1为所述PMIC电源芯片电路的输入电源。
本实用新型结构简单、成本低，可满足主控芯片的上电时序要求。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式本实用新型进行详细说明：
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为传统开关电路的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种可调节时序的开关电路结构，包括MOS管M1、三极管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4以及电容C1。
MOS管M1的源极S经电源V1接地，漏极D经负载F接地，栅极G与三极管Q1的集电极连接。
三极管Q1为NPN管，其基极与第一电阻R1的一端连接，发射极接地。
第一电阻R1的另一端经电源V2接地，第二电阻R2的两端分别与三极管Q1基极以及发射极连接，第三电阻R3的一端与三极管Q1的集电极连接，另一端与MOS管M1的源极S连接。
第四电阻R4的两端串联于MOS管M1的栅极G以及三极管Q1的集电极之间，电容C1的两端分别与MOS管M1的源极S以及栅极G连接，即在MOS管M1的源极S以及栅极G之间并联了一个电容。
电源V1为BUCK电路的输出电源，电源V2为PMIC电源芯片电路的输出电压，电源V1为该PMIC电源芯片电路的输入电源，为了便于说明，假设电源V1为3.3V，将电源V2的电压上升时间设置为TR＝0.1ms，延迟(TD)1ms之后才有波形，起始电压设置为0V，最终电压为2.5V，电源V2控制NPN管Q1，输出电压V3给负载(负载电阻)供电，负载电阻为3.3欧姆，需要的电流为1A，
当电源V2的电压上升到约1V左右时，三极管Q1的be结也跟随着从截止变为导通，导致三极管Q1的ce结电压Uce减小，电源V2的电压继续上升，Uce将继续减小，第三电阻R3两端的电压将相应的跟着增大，通常三极管的开关速度为us级(约十几us)，由于第四电阻R4以及电容C1，MOS管M1的源极S以及栅极G两端的电压(绝对值)将按指数增大，可以按照1倍时间常数τ＝R4*C1粗略估算是否满足时序要求。在本实施例中，R4＝4.7K欧姆，C1＝100nF，1倍时间常数τ＝R4*C1＝0.47ms，该值要求大于V2的上升时间TR(0.1ms)，避免电压V2滞后于电压V3，满足了系统的时序要求。
R4和C1的值可以根据实际情况，选择合适值，根据时间常数粗略估算V3相对于V2延迟多长时间，即可满足系统的时序要求。
但是，本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本实用新型，而并非用作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。
Claims (3)
1.一种可调节时序的开关电路结构，其特征在于，包括MOS管、三极管、第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述MOS管的源极经电源V1接地，漏极经负载接地，栅极与所述三极管的集电极连接，所述三极管的基极与所述第一电阻的一端连接，发射极接地，所述第一电阻的另一端经电源V2接地，所述第二电阻的两端分别与所述三极管基极以及发射极连接，所述第三电阻的一端与所述三极管的集电极连接，另一端与所述MOS管的源极连接，其特征在于，还包括第四电阻以及电容，所述第四电阻串联于所述MOS管的栅极以及三极管的集电极之间，所述电容的两端分别与所述MOS管的源极以及栅极连接。
2.根据权利要求1所述的一种可调节时序的开关电路结构，其特征在于，所述电源V1为BUCK电路的输出电源。
3.根据权利要求2所述的一种可调节时序的开关电路结构，其特征在于，所述电源V2为PMIC电源芯片电路的输出电压，所述电源V1为所述PMIC电源芯片电路的输入电源。
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| CN201920236927.3U CN209313809U (zh) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | 可调节时序的开关电路结构 |
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| CN201920236927.3U CN209313809U (zh) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | 可调节时序的开关电路结构 |
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| CN209313809U true CN209313809U (zh) | 2019-08-27 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112968599A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-15 | 广州朗国电子科技有限公司 | 线性器件和开关器件的时序控制方法及电路 |
| CN114999408A (zh) * | 2022-06-17 | 2022-09-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 开关控制电路以及背光驱动板 |
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| WO2023240698A1 (zh) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 开关控制电路以及背光驱动板 |
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