CN105348300B - 一种有机光电材料及其制备方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机光电材料及其应用，属于有机光电材料领域。该有机光电材料具有下述通式的化合物：
Description
技术领域
本发明涉及一种有机光电材料及其制备方法和用途，属于有机光电材料技术领域。
背景技术
有机电致发光器件的相关研究初始于19世纪60年代，直到80年代末OLED才蓬勃发展起来。OLED具有全固态、低压驱动、主动发光、响应快速、宽视角、发光面积大、发光波长覆盖整个可见光区以及色彩丰富等优点，在实现全色大面积显示领域具有很大的优势，成为极具前景的平板显示器件。有机电致发光器件的发光亮度正比于空穴和电子的浓度及激子的复合概率的乘积，想要获得较高的发光效率，不仅需要空穴和电子能够有效注入、传输及复合且要求空穴和电子注入达到平衡。因此，在有机电致发光器件中，有机层之间及有机层与两电极的能带匹配对器件复合发光非常重要。
为了优化和平衡器件的各项性能,人们引入了多种不同作用的功能层,例如空穴注入层、空穴阻挡层等，例如描述在US4539507、US5151629、EP067461和WO9827136中有机电致发光器件。在ITO阳极和空穴传输层之间加入空穴注入层的作用主要表现在降低界面势垒、增加空穴传输层与ITO电极的黏附能力、提高其稳定性以及平衡电子和空穴注入等方面。
空穴注入材料或空穴传输材料是阻挡OLED技术全面实用化的较大障碍，其直接限制了器件的发光效率和使用寿命及操作电压等。目前主要的空穴注入材料或空穴传输材料为三芳胺衍生物或咔唑衍生物但其使用寿命、效率及操作电压等还需一直改善。
因此，在有机电致发光器件中寻找高效且长寿命的空穴注入材料或空穴传输材料是至关重要的。
发明内容
本发明要解决的上述技术问题是提供一种新型有机光电材料，其更易制备的、可以提高效率，使得器件的驱动寿命能够获得较大提升。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种有机光电材料，由具有结构通式1和/或通式2所示的化合物组成：
上述通式1和通式2中，所述R1和R2独立选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、直链或枝化的C1～C12的烷氧基、苯环取代的含氮杂环结构或C5～C60多环芳基共轭结构基团。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
本发明还提供一种所述有机光电材料的制备方法，包括以下反应步骤：
步骤(1)，
步骤(2)，
步骤(3)，
其中，所述R1和R2独立选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、直链或枝化的C1～C12的烷氧基、苯环取代的含氮杂环结构或C5～C60多环芳基共轭结构基团。
本发明如上所述有机光电材料的制备方法，进一步，步骤(1)的反应过程是：采用Ullmann偶联反应，以卤代烷烃或卤代多环芳烃与9,9-二甲基-9,11-二氢吲哚并[2',3':6,7]喹啉并[3,2,1-kl]酚噁或5,5-二甲基-5,11-二氢吲哚[3,2-b]喹啉[3,2,1-kl]酚噁，在氮气或惰性气体保护下，以碘化亚铜、溴化亚铜、氧化亚铜、铜粉或醋酸钯作为催化剂，以氢化钠、叔丁醇钾、叔丁醇钠、含丁基锂的正己烷溶液、碳酸钾或碳酸铯提供碱性环境，在0～120℃的条件下反应5-30小时。
本发明如上所述有机光电材料的制备方法，进一步，步骤(2)中的具体过程反应是：在氮气或惰性气体保护下，步骤(1)所得所得到的中间体在二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、乙酸或硫酸溶液中，以对甲苯磺酸、三氯化铁、三溴化铁、铁粉或三氯化铝作为催化剂，在0～120℃的条件下反应5～30小时。
本发明如上所述有机光电材料的制备方法，进一步，步骤(3)中的具体过程反应是：步骤(2)所得到的中间体在氮气或惰性气体保护下，采用铃木偶联反应，以碘化亚铜、溴化亚铜、氧化亚铜、铜粉或醋酸钯作为催化剂，以Pd(dppf)2Cl2、Pd(PPh3)4和Pd(PPh3)2Cl2催化剂，以氢化钠、叔丁醇钾、叔丁醇钠、丁基锂(正己烷溶液)、醋酸钾、磷酸钾、碳酸钾或碳酸铯提供碱性环境，在0～120℃的条件下反应5～30小时。
本发明合成的一种有机光电材料的部分结构如下所示化合物1-28：
本发明还提供一种上述有机光电材料在有机电致发光器件中的用途。
本发明还提供一种有机电致发光器件，包括至少有一个功能层，该功能层含有上述的有机光电材料。
本发明还提供一种有机电致发光器件，采用上述的有机光电材料能作为有机电致发光器件的空穴注入材料或空穴传输材料。
如图1所示，使用本发明材料的OLED发光器件结构，含有至少一个发光层5，根据任选的原则在该层中设置空穴注入层3、空穴传输层4、电子传输层6和/或电子注入层7。OLED发光器件包括如下所述的层结构：
(1)阳极/空穴注入层3/有机发光层5/阴极；
(2)阳极/空穴注入层3/有机发光层5/电子注入层7/阴极；
(3)阳极/空穴传输层4/有机发光层5/电子注入层7/阴极；
(4)阳极/空穴注入层3/空穴传输层4/有机发光层5/电子注入层7/阴极；
(5)阳极/空穴注入层3/空穴传输层4/有机发光层5/电子传输层6/阴极。
制作OLED显示器中，各层可通过蒸镀法、旋涂法或浇铸法等方法将材料制成薄膜来形成。以所述方式形成的各层的膜厚并无特别限定，可对应材料的性质而适宜设定，通常为2nm～5000nm的范围。再者，将发光材料薄膜化的方法容易获得均匀的膜层、且不易生成针孔的经验而言，优选蒸镀法。蒸镀条件一般优选在舟皿，加热温度50℃～400℃、真空度10-6Pa～10-3Pa、蒸镀速度0.01nm/s～50nm/s,基板温度-150℃～300℃、膜厚5nm～5um的范围内适宜设定。
阳极具有将空穴注入到空穴传输层4的功能，阳极通常由以后物质构成：如铝、金、银、镍、钯或铂等金属；如氧化铟、氧化锡、氧化锌、铟锡复合氧化物、铟锌复合氧化物等金属氧化物；如碘化铜等金属卤化物；炭黑；或部分导电高分子等。
空穴传输层是从阳极注入空穴的高效率并且能够有效地传输注入的空穴的材料。因此，需要该材料的电离势低、对可见光的透过性高、空穴迁移率高、性质稳定，还需要在制备或者使用时不易产生的光成为阱(trap)的杂质。另外由于与发光层5相接触，需要空穴传输层4不使来自发光层5的光消光，且不与发光层5之间形成激基复合物而降低效率常见的空穴传输材料可以举出以N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(NPB)为代表的含有两个以上的叔胺的芳香族二胺、三苯胺类具有星形放射结构的芳香胺类化合物、咔唑类衍生物等。这些化合物即可以单独使用，也可以混合使用两种以上。
作为在空穴注入材料功能材料，可以从OLED发光器件的空穴传输层4所知材料中选择任意的材料进行使用。
发光层5由发光物质形成，其中，在施加了电场的电极之间，这种发光物质因空穴和电子的再结合而激发，从而表现出强发光。通常发光层5含有作为发光物质的掺杂型材料和基质材料。为了得到高效率OLED发光器件，其发光层5可采用的一种掺杂材料，或采用多种掺杂材料。掺杂材料可为单纯的荧光或磷光材料，或由不同的荧光和磷光搭配组合而成，发光层可为单一的发光层材料，也可以为叠加在一起的复合发光层材料。
发光层的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输性质，同时需要恰当的能阶，将激发能量有效地传递到客体发光材料，这一类的材料可以举出二苯乙烯基芳基衍生物、均二苯乙烯衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、六苯并苯衍生物等。
相对于主体材料，客体材料的掺入量优选为0.01重量％以上，20重量％以下。这一类的材料可以举出铱、钉、铂、铼、钯等的金属配合物。
组成上述OLED发光器件的电子传输层6的材料，可由具备电子传输性质OLELD材料中选择任意进行使用，这样的材料可以举出如1,3,5-三(1-萘基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)等苯并咪唑类衍生物，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等金属配合物,2-(4，-叔丁苯基)-5-(4，-联苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)等噁二唑衍生物,4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BPhen)等二氮杂菲衍生物，三唑衍生物，喹啉衍生物，喹喔啉衍生物等。
上述OLED发光器件可使用的阴极材料可选用功函数小于4eV的金属、合金、导电性化合物以及它们的混合物。其具体例为铝、钙、镁、锂、镁合金、铝合金等。为了高效地获取OLED的发光，较理想的是将电极的至少一者的透过率设为10％以上。阴极可通过干法如真空蒸镀、气相沉积或溅射形成。
本发明的有益效果是：
本发明合成的有机光电材料应用于有机电致发光器件中获得了高效的电致发光性能，其主要优点如下：
1、该类材料分子空间结构为扭曲非平面结构，有效避免了分子紧密积聚，具有较高的荧光量子效率。
2、该类材料表现出较高的热稳定性和玻璃化转变温度，容易形成良好的无定形薄膜，应用在电致发光器件中，可以获得更加稳定的效果和更长的使用寿命。
3、本发明合成的新型有机光电材料应用于有机电致发光器件中空穴传输或空穴注入层，可大幅降低操作电压，显著降低能耗。
附图说明
图1为本发明一种新型有机光电材料有机电致发光器件结构示意图；
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、透明基板层，2、透明电极层，3、空穴注入层，4、空穴传输层，5、发光层，6、电子传输层，7、电子注入层，8、阴极。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
实施例1
14-异丙基-9,9-二甲基-11-苯基-9,11-二氢吲哚[2',3':6,7]喹啉[3,2,1-kl]酚噁(化合物1)的合成步骤，具体具有如下反应方程式：
上述反应方程式中，
化合物A的制备：
取9,9-二甲基-9,11-二氢吲哚[2',3':6,7]喹啉[3,2,1-kl]酚噁(38.8g，0.1mol)、碳酸钾(20.7g，0.15mol)、碘化亚铜(1.9g，0.01mol)、邻菲啰啉(3.6g，0.02mol)和溴苯(314g，2.0mol)，在氮气保护下，混合物120℃反应15.0hrs。反应完成后，滤除不溶物，滤液减压脱溶剂至无馏分，用纯甲苯对残留物进行柱层析纯化，再经甲苯乙醇重结晶得到化合物A(41.8g，89.97％)。
化合物B的制备：
取化合物A(23.2g，0.05mol)、NBS(9.0g，0.0506mol)溶于300mL THF，在氮气保护下，混合物与30-35℃反应15.0hrs。反应完成后，饱和亚硫酸氢钠水溶液淬灭反应，200mL乙酸乙酯萃取水相，有机相减压脱溶剂至无馏分，用纯甲苯对残留物进行柱层析纯化，再经甲苯乙醇重结晶得到化合物B(23.1g，85.24％)。
化合物1的制备
取化合物B(5.4g,10.0mmol)、异丙基硼酸(1.0g，11mmol)，碳酸钾(2.1g，15mmol)和10g水，用60mL甲苯和30mL乙醇溶解，通氮气搅拌1小时，以除去反应瓶中的氧气。然后加入Pd(PPh3)4 0.120g(1.0mmol)，强力搅拌下回流，反应过程通过TLC跟踪检测。反应完毕后，200mL乙酸乙酯萃取水相，有机相减压脱溶剂至无馏分，用纯甲苯对残留物进行柱层析纯化，再经甲苯乙醇重结晶得到化合物1(4.05g，80.04％)。进一步粗产品在化学气相沉积系统中320℃升华提纯，得到3.5g类白色固体粉末，产率为69.17％)。使用DEI-MS来识别该化合物，分子式C36H30N2O，检测值[M+1]+＝507.46,计算值506.64。
实施例2
14-(9,9'-螺二芴-4-基)-5,5-二甲基-11-苯基-5,11-二氢吲哚[3,2-b]喹啉[3,2,1-kl]酚噁(化合物15)的合成步骤，具体具有如下反应方程式：
化合物A的制备：
取5,5-二甲基-5,11-二氢吲哚[3,2-b]喹啉[3,2,1-kl]酚噁(38.8g，0.1mol)、碳酸钾(20.7g，0.15mol)、碘化亚铜(1.9g，0.01mol)、邻菲啰啉(3.6g，0.02mol)和溴苯(314g，2.0mol)，在氮气保护下，混合物120℃反应15.0hrs。反应完成后，滤除不溶物，滤液减压脱溶剂至无馏分，用纯甲苯对残留物进行柱层析纯化，再经甲苯乙醇重结晶得到化合物A(42.3g，91.05％)。
化合物B的制备：
取化合物A(23.2g，0.05mol)、NBS(9.0g，0.0506mol)溶于300mL THF，在氮气保护下，混合物与30-35℃反应15.0hrs。反应完成后，饱和亚硫酸氢钠水溶液淬灭反应，200mL乙酸乙酯萃取水相，有机相减压脱溶剂至无馏分，用纯甲苯对残留物进行柱层析纯化，再经甲苯乙醇重结晶得到化合物B(20.1g，73.89％)。
化合物15的制备
取化合物B(5.4g,10.0mmol)、9,9'-螺二芴-4-基硼酸(3.6g，10mmol)、碳酸钾(2.1g，15mmol)和10g水，用60mL甲苯和30mL乙醇溶解，通氮气搅拌1小时，以除去反应瓶中的氧气。然后加入Pd(PPh3)4 0.120g(1.0mmol)，强力搅拌下回流，反应过程通过TLC跟踪检测。反应完毕后，200mL乙酸乙酯萃取水相，有机相减压脱溶剂至无馏分，用纯甲苯对残留物进行柱层析纯化，再经甲苯乙醇重结晶得到化合物1(7.1g，91.25％)。进一步粗产品在化学气相沉积系统中320℃升华提纯，得到6.0g类白色固体粉末，产率为77.12％)。使用DEI-MS来识别该化合物，分子式C58H38N2O，检测值[M+1]+＝779.35,计算值778.94。
按照化合物样品制备的实施例1和2中所述的方法制备新型有机光电材料(化合物1～28)，相关化合物MS数据如下表1。
表1，本发明有机光电材料的部分结构的制备结构检测数据
以下为本发明部分化合物应用OLED器件空穴注入层实施例。
为了方便比较本发明所提供有机光电材料作为空穴注入和空穴传输材料的性能。
本发明设计了一个简单的OLED器件，空穴注入层材料和空穴传输层材料分别可选择Hat-CN和NPB。发光层由发光主体和掺杂材料组成，发光主体材料选择EM1，掺杂材料选择EM2，电子传输层选择Alq3。其中Hat-CN、NPB、EM1、EM2和Alq3的结构分别为：
图1是本发明OLED材料应用的器件结构，其中1为透明基板层，2为透明电极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为发光层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为阴极。
器件实施例1
a)清洗透明基板层上的阳极：分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟，然后在等离子体清洗器中处理2分钟；
b)在阳极上真空蒸镀或溶液成膜空穴注入层为发明所提供化合物1，厚度为50nm；
c)在空穴注入层3之上，通过真空蒸镀方式蒸镀NPB，其膜厚为10nm，这层有机材料作为空穴传输层4使用。
d)在空穴传输层4之上共同蒸镀发光层5，EM1作为主体材料，EM2作为掺杂材料,掺杂比例为5％(重量比)，厚度为30nm；
e)在掺杂型发光层化合物之上，真空蒸镀的电子传输层6为Alq3，厚度为30nm；
f)在电子传输层6之上，真空蒸镀电子注入层LiF，厚度为0.5nm，该层为电子注入层7；
g)在电子注入层7之上，真空蒸镀阴极Al，厚度为100nm，该层为阴极8。
如上述完成电致发光器件后，测量器件的驱动电压，量子效率、电流效率、功率效率和亮度，其结果在表1中。
器件实施例2
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物4为材料。器件实施例2所制作的有机电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例3
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物5为材料。器件实施例3所制作的有机电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例4
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物7为材料。器件实施例4所制作的有机电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例5
本实施例器件与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物9为材料。器件实施例5所制作的有机电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例6
本实施例器件与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物11为材料。器件实施例6所制作的有机电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例7
本实施例器件与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物13为材料。器件实施例7所制作的有机电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例8
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物15为材料。器件实施例8所制作的电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例9
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物17为材料。器件实施例9所制作的电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例10
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物19为材料。器件实施例10所制作的电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例11
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物21为材料。器件实施例11所制作的电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例12
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物23为材料。器件实施例12所制作的电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例13
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物25为材料。器件实施例13所制作的电致发光器件的结果在表2中。
器件实施例14
本实施例与器件实施例1的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴注入层以本发明所提供的化合物27为材料。器件实施例14所制作的电致发光器件的结果在表2中。
器件比较例1
器件比较例1和器件实施例1不同的是：有机电致发光器件的空穴注入层以HAT-CN作为空穴注入材料。
器件比较例2
器件比较例2和器件实施例1不同的是：制备的有机电致发光器件，不形成空穴注入层。
器件比较例1和2所制作的电致发光器件的结果在表2中。
表2
由表2看，本发明所述光电材料可应用于电致发光器件制作，并且可以获得良好的表现。器件比较例1使用现有常用的Hat-CN作为空穴注入材料，其驱动电压明显好于无空穴注入层的器件比较例2，其驱动电压约降低了16％；同时本发明所述材料作为电致发光器件的空穴注入材料使用，其驱动电压远好于器件比较例1和2。
另外，与器件比较例1和2相比，器件实施例1至14的量子效率、电流效率、功率效率和亮度均获得明显改善。
以下为本发明部分化合物应用OLED器件空穴传输层实施例。
器件实施例15
a)清洗透明基板层上的阳极：分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟，然后在等离子体清洗器中处理2分钟；
b)在阳极上真空蒸镀空穴注入层化合物Hat-CN，厚度为50nm；
c)在空穴注入层3之上，通过真空蒸镀方式蒸镀本发明所提供化合物2，其膜厚为10nm，这层有机材料作为空穴传输层4使用。
d)在空穴传输层4之上共同蒸镀发光层5，EM1作为主体材料，EM2作为掺杂材料,掺杂比例为5％(重量比)，厚度为30nm；
e)在掺杂型发光层化合物之上，真空蒸镀的电子传输层6为Alq3，厚度为30nm；
f)在电子传输层6之上，真空蒸镀电子注入层LiF，厚度为0.5nm，该层为电子注入层7；
g)在电子注入层7之上，真空蒸镀阴极Al，厚度为100nm，该层为阴极8。
如上述完成电致发光器件后，测量器件的驱动电压，量子效率、电流效率、功率效率和亮度，其结果在表3中。
器件实施例16
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物3为材料。器件实施例16所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例17
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物6为材料。器件实施例17所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例18
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物8为材料。器件实施例18所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例19
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物10为材料。器件实施例19所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例20
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物12为材料。器件实施例20所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例21
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物14为材料。器件实施例21所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例22
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物16为材料。器件实施例22所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例23
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物18为材料。器件实施例23所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例24
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物20为材料。器件实施例24所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例25
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物22为材料。器件实施例25所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例26
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物24为材料。器件实施例26所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例27
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物26为材料。器件实施例27所制作的电致发光器件的结果在表3中。
器件实施例28
本实施例与器件实施例15的不同之处在于：制备的有机电致发光器件的空穴传输层以本发明所提供的化合物28为材料。器件实施例28所制作的电致发光器件的结果在表3中。
表3
由表3的结果来看，本发明所述光电材料可应用于电致发光器件制作，并且可以获得良好的表现，本发明所述材料作为电致发光器件的空穴传输层材料使用，无论是效率、亮度和驱动电压比已知电致发光材料获得明显改善，特别是器件的驱动电压大幅降低。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种有机光电材料，其特征在于，其具体结构式为：
2.一种权利要求1所述的有机光电材料在有机电致发光器件中的用途。
3.一种有机电致发光器件，其特征在于，采用权利要求1所述的有机光电材料作为有机电致发光器件的空穴注入材料或空穴传输材料。
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