CN105337502A - 一种低功耗电路能量采集电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低功耗电路能量采集电路，包括整流稳压模块、升压模块、使能输出模块以及降压模块；整流稳压模块的输入端接收外部交流电，用于将外部交流电转化为直流电，整流稳压模块的输出端与升压模块的输入端电连接；升压模块接收直流电，升压模块的输出端与使能输出模块的输入端电连接；使能输出模块接收升压后的直流电，用于对升压后的直流电进行节流，使能输出模块的输出端与降压模块的输入端电连接；降压模块接收节流后的直流电，用于对节流后的直流电进行降压。本发明的能量采集电路，利用使能输出模块的节流功能，设置门槛电压，实现升压模块对降压模块的能量输出，由于采用了先升压后降压的工作方式能够对外部形成持续的能量供给。

Description

一种低功耗电路能量采集电路

技术领域

本发明涉及低功耗电路技术领域，尤其涉及一种低功耗电路能量采集电路。

背景技术

随着电子技术的不断发展，电路中越来越多的采用低功耗电路。这是由于低功耗电路能够在减少电路能耗、节约资源的同时，减少电路产生的热量，对维持电路稳定运行有着较为重要的意义。

进一步的，能量收集是低功耗电路中最为重要的一环，它能够实现对能源的有效管理。但由于能量源具有非持续性、非稳定性以及无极性等特点，因此导致现有技术中能量收集电路只能针对特定能量源进行能量采集，无法实现对低功耗电路进行能量采集，进而导致低功耗电路对能量采集存在很大的局限。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种低功耗电路能量采集电路，该采集电路能够克服现有能量收集电路只能针对特定能量源进行能量采集，无法实现对低功耗电路进行能量采集的弊端，打破了现有能量收集电路对低功耗电路所造成的限制。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种低功耗电路能量采集电路，包括：整流稳压模块、升压模块、使能输出模块以及降压模块；

其中，所述整流稳压模块的输入端接收外部交流电，用于将所述外部交流电转化为直流电，所述整流稳压模块的输出端与所述升压模块的输入端电连接；

所述升压模块接收所述直流电，用于对所述直流电进行升压，所述升压模块的输出端与所述使能输出模块的输入端电连接；

所述使能输出模块接收升压后的直流电，用于对所述升压后的直流电进行节流，所述使能输出模块的输出端与所述降压模块的输入端电连接；

所述降压模块接收节流后的直流电，用于对所述节流后的直流电进行降压。

进一步的，所述整流稳压模块包括桥式电路、第一电容以及第一电感；

其中，所述桥式电路的第一端及第二端接收所述外部交流电，用于将其转化为直流电，所述桥式电路的第三端与所述第一电容的第一端以及第一电感的第一端电连接；所述桥式电路的第四端与所述第一电容的第二端及地线电连接。

进一步的，所述升压模块包括升压芯片、第二电容、第三电容、第二电感、第一晶体管、第一二极管，第一电阻和第二电阻；

其中，所述升压芯片的电压输入端与所述第一电感的第二端电连接，用于接收所述直流电；

所述升压芯片的偏置电压端与所述第二电感的第一端电连接，用于提供偏置电压；

所述升压芯片的软启动端与所述第二电容的第一端电连接，用于实现升压芯片的缓起；

所述升压芯片的使能端分别与第二电容的第二端和地线电连接，用于使所述升压芯片处于工作状态；

所述升压芯片的反馈端与所述使能输出模块电连接，用于接收使能输出模块的反馈；

所述升压芯片的地线端，所述第一电阻的第一端以及第二电阻的第一端均与第三电容的第一端和地线电连接；

所述升压芯片的震荡频率端与所述第一电阻的第二端电连接，用于设置所述升压芯片的开关频率；

所述升压芯片的开关节点端与所述第一晶体管的栅极电连接，用于输出开关信号至所述第一晶体管；

所述第一晶体管漏极分别与所述第二电感的第二端和所述第一二极管的正极电连接，所述第一晶体管的源极与所述第二电阻的第二端电连接；

所述第三电容的第二端与所述第一二极管的负极电连接。

进一步的，所述第一晶体管为增强型NMOS管；所述第三电容为电解电容，且所述第三电容的第二端为正极端。

进一步的，所述使能输出模块包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第二晶体管；

其中，所述第三电阻的第一端，所述第一二极管的负极以及所述第三电容的第二端均与所述第二晶体管的漏极电连接；

所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述升压芯片的反馈端电连接；

所述第四电阻的第二端，所述第五电阻的第一端以及所述第七电阻的第一端均与所述第二晶体管的栅极电连接；

所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端电连接；

所述第六电阻的第二端与所述第二晶体管的源极电连接；

所述第七电阻的第二端与地线电连接。

进一步的，所述第二晶体管为增强型NMOS管。

进一步的，所述降压模块包括第四电容，第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第三晶体管、降压芯片、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第二二极管、第三二极管和第三电感；

其中，所述降压芯片的偏置电压端，所述第四电容的第一端，所述第九电阻的第一端以及所述第六电容的第一端均与所述第三晶体管的漏极电连接，用于提供偏置电压；

所述降压芯片的软启动端与所述第五电容的第一端电连接，用于实现降压芯片的缓起；

所述降压芯片的控制端与所述第八电阻的第一端电连接，用于设置开启时间与开关频率；

所述降压芯片地线端，所述第四电容的第二端以及所述第五电容的第二端均与所述第八电阻的第二端和地线电连接；

所述降压芯片的悬空端悬空；

所述降压芯片的反馈端分别与所述第十电阻的第一端和所述第十一电阻的第一端电连接，用于接收所述第十电阻和所述第十一电阻的反馈；

所述降压芯片的电流感应端分别与所述第三电感的第一端和第三二极管的正极电连接，用于检测所述第三电感的输出电流；

所述降压芯片的驱动端，所述第九电阻的第二端以及所述第六电容的第二端均与所述第三晶体管的栅极电连接，用于向所述第三晶体管提供驱动电压；

所述第三晶体管的源极，所述第二二极管的负极以及所述第七电容的第一端均与所述第三电感的第二端电连接，所述第二二极管的正极分别与所述第七电容的第二端和地线电连接；

所述第三二极管的负极分别与所述第八电容的第一端和所述第十电阻的第二端电连接；

所述第八电容的第二端与地线电连接，所述第十一电阻的第二端与地线电连接。

进一步的，所述第三晶体管为增强型NMOS管，所述第三二极管为肖特基二极管，所述第八电容为电解电容，且所述第八电容的第一端为正极端。

本发明所述的一种低功耗电路能量采集电路，利用升压模块采集交流电的能量，利用使能输出模块的节流功能，设置门槛电压，实现升压模块对降压模块的能量输出，同时由于采用了先升压后降压的工作方式能够对能量采集电路外部形成持续的能量供给。

附图说明

为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的一种低功耗电路能量采集电路的结构图。

图2是本发明实施例二提供的一种低功耗电路能量采集电路的电路图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。

实施例一：

图1给出了本实施例一提供的一种低功耗电路能量采集电路的结构图。

如图1，本实施例一提供的一种低功耗电路能量采集电路，包括：整流稳压模块100、升压模块200、使能输出模块300以及降压模块400；

其中，整流稳压模块100的输入端接收外部交流电，用于将外部交流电转化为直流电，整流稳压模块100的输出端与升压模块200的输入端电连接。

一般的整流稳压模块100包括整流和稳压两个部分。其中，整流部分是指将交流电转化为直流电。而稳压部分则是指过滤出直流电中可能存在的交流成份或杂波，从而使流出的直流电不含其它成份。

升压模块200接收所述直流电，用于对所述直流电进行升压，升压模块200的输出端与使能输出模块300的输入端电连接。

升压的方式有许多种，如利用自举升压、倍压升压以及开关直流升压等。针对不同应用环境所采用的方式不同，但升压模块的作用均在于提高输出。

使能输出模块300接收升压后的直流电，用于对升压后的直流电进行节流，使能输出模块300的输出端与降压模块400的输入端电连接。

使能输出模块300在接收直流电之后，会产生一个反馈电压并返回至升压模块以调节升压模块200所提升电压的幅度。同时，使能输出模块300会设置一个门槛电压，用于判断使能输出模块300中电压节点的电压值是否高于此门槛电压。若此时节点电压值高于此门槛电压，则使能输出模块300导通，从而经升压模块200的升压后的直流电直接流入降压模块400；若此时节点电压低于此门槛电压，则使能输出模块300截止，经升压模块200升压后的直流电不能流入降压模块400。

降压模块400接收节流后的直流电，用于对节流后的直流电进行降压。其中，降压模块400采用恒频控制方式，输出时钟周期一定的脉冲电压。此脉冲电压的平均电压值即为降压模块400对直流电进行降压后的电压值。

需要说明的是，本实施例之所以采取先利用升压模块进行升压后利用降压模块进行降压的工作方式，主要是由于升压后的直流电会与降压后能量采集电路输出的直流电形成压差，从而能够满足当升压模块中的直流电能量不多的情况下，依然能够对降压模块乃至能量采集电路的输出形成长时间的能量供给。

本发明实施例提出了一种低功耗电路能量采集电路，利用升压模块采集交流电的能量，利用使能输出模块的节流功能，设置门槛电压，实现升压模块对降压模块的能量输出，同时由于采用了先升压后降压的工作方式能够对能量采集电路外部形成持续的能量供给。

实施例二：

图2给出了本实施例二提供的一种低功耗电路能量采集电路的电路图。

本实施例二提供的一种低功耗电路能量采集电路，包括：整流稳压模块100、升压模块200、使能输出模块300以及降压模块400。

其中，整流稳压模块100包括桥式电路101、第一电容102以及第一电感103；

其中，桥式电路101的第一端及第二端接收外部交流电，用于将其转化为直流电，桥式电路101的第三端与第一电容102的第一端以及第一电感103的第一端电连接；桥式电路101的第四端与第一电容102的第二端及地线电连接。

桥式电路101是由四支二极管首尾相接组成，其作用在于接收的外部交流电转化为直流电。但转化后的直流电中可能还包含有交流成份或者杂波，因此会需要第一电容102及第一电感103进行稳压滤波。稳压滤波后的直流电则会通过第一电感103的第二端输入到升压模块200中。

升压模块200包括升压芯片201、第二电容202、第三电容203、第二电感204、第一晶体管205、第一二极管206，第一电阻207和第二电阻208；

其中，升压芯片201的电压输入端与第一电感103的第二端电连接，用于接收直流电。当升压芯片201的电压输入端接收到直流电，才会启动。

升压芯片201的偏置电压端与第二电感204的第一端电连接，用于提供偏置电压。

其中，偏置电压的电压值与电压输入端接收的直流电的电压相关，且偏置电压的最大值被设定为6.9V。需要说明的是，无论直流电的电压数值有多高，偏置电压的最大值为6.9V。

升压芯片201的软启动端与第二电容202的第一端电连接，用于实现升压芯片201的缓起。

缓起的作用在于防止升压芯片201在启动的初始阶段由于上冲所造成升压芯片的损坏。

升压芯片201的使能端分别与第二电容202的第二端和地线电连接，用于使升压芯片201处于工作状态。

使能端的作用在于激活升压芯片201使其工作，该升压芯片201为低电平有效。

升压芯片201的反馈端与使能输出模块300电连接，用于接收使能输出模块300的反馈。

这里的反馈是指电压反馈。升压芯片201根据电压反馈的反馈值以决定升压的幅度。

升压芯片201的地线端，第一电阻207的第一端以及第二电阻208的第一端均与第三电容203的第一端和地线电连接。

升压芯片201的震荡频率端与第一电阻207的第二端电连接，用于设置升压芯片201的开关频率。

其中，升压芯片201内部振荡器通过与第一电阻207电连接用于设置升压芯片201的开关频率。这个频率的设置范围为25KHz至750KHz。

升压芯片201的开关节点端与第一晶体管205的栅极电连接，用于输出开关信号至第一晶体管205。

升压芯片201通过开关节点端输出升压芯片201的输出电压，该电压被加载到第一晶体管205的栅极，用于控制第一晶体管205的打开与闭合。

值得一提的是，第一晶体管205为增强型NMOS管。

第一晶体管205漏极分别与第二电感204的第二端和第一二极管206的正极电连接，第一晶体管205的源极与第二电阻208的第二端电连接。

第三电容203的第二端与第一二极管206的负极电连接。

第三电容203为电解电容，且所述第三电容203的第二端为正极端。

进而，升压模块200的工作方式可以理解：

整流稳压模块100输出的直流电分别加载到升压芯片201和第二电感204。升压芯片201输出调节第一晶体管205的开关：当第一晶体管205导通时，直流电会通过第二电感204的第二端流经第一晶体管205后，通过第二电阻208流入地线；当第一晶体管205截止时，直流电会通过第二电感204的第二端流经第一二极管206后，累积到第三电容203中进行能量的储存。

进一步的，使能输出模块300包括第三电阻301、第四电阻302、第五电阻303、第六电阻304、第七电阻305和第二晶体管306。

其中，第三电阻301的第一端，第一二极管206的负极以及第三电容203的第二端均与第二晶体管306的漏极电连接；

第三电阻301的第二端分别与第四电阻302的第一端和升压芯片201的反馈端电连接；

第四电阻302的第二端，第五电阻303的第一端以及第七电阻305的第一端均与第二晶体管306的栅极电连接；

第五电阻303的第二端与第六电阻304的第一端电连接；

第六电阻304的第二端与第二晶体管306的源极电连接；

第七电阻305的第二端与地线电连接。

其中，第二晶体管306为增强型NMOS管。

假设第三至第七电阻的阻值分别是：第三电阻301为R₁、第四电阻302为R₂、第五电阻303为R₃、第六电阻304为R₄、第七电阻305为R₅，使能输出模块300的输入电压即升压模块200的输出电压为V₁，输出电压为V₂，第二晶体管306的栅极电压即使能输出模块300的门槛电压为V₃，进而可以得到：

$V_3=V_1*\frac{R_3}{(R_1+R_2+R_3)}---\left(1\right)$

$V_3=V_2*\frac{R_3}{(R_4+R_5+R_3)}---\left(2\right)$

可以得到：

$V_1=V_3*\frac{(R_1+R_2+R_3)}{R_3}---\left(3\right)$

$V_2=V_3*\frac{(R_4+R_5+R_3)}{R_3}---\left(4\right)$

当第二晶体管306的栅极电压满足门槛电压V₃时，第二晶体管306导通，为了升压模块200输出的直流电能不断流入降压模块400中，因此，需要使V₁>V₂。通过调节第三电阻301为R₁、第四电阻302为R₂、第五电阻303为R₃、第六电阻304为R₄、第七电阻305为R₅的阻值可以实现。采取此类电路也可以在升压模块200输出能量不足无法达到门槛电压时，由升压模块200的输出电压V₂提供能量使第二晶体管306导通，从而使能量不断流入降压模块400。

进而使能输出模块300的工作原理如下所示：

第二晶体管306的门槛电压为1.8V，第三电阻301为R₁、第四电阻302为R₂、第五电阻303为R₃、第六电阻304为R₄、第七电阻305为R₅并非限定为具体数值，而是之间存在一定的比例关系，即：

进而，使能输出模块300的输出电压为3.0V。

当能量采集电路工作时，第三电容203一直处于储能状态，直到其储能电压为3.6V(略高于使能输出模块300的输出电压3.0V)，进而由公式(1)可以得到第二晶体管306的栅极电压即使能输出模块300的门槛电压为V₃＝1.8V，此时第二晶体管306导通，V₁＝V₂＝3.0V。

进一步，当降压模块400负载过大，而升压模块200输出的能量不多时，会消耗第三电容203的储能，造成其电压下降，此时第二晶体管306的栅极电压即使能输出模块300的门槛电压为则此时第二晶体管306导通，而V₁＝V₂＝3.0V。

此外，降压模块400包括第四电容401，第五电容402、第六电容403、第七电容404、第八电容405、第三晶体管406、降压芯片407、第八电阻408、第九电阻409、第十电阻410、第十一电阻411、第二二极管412、第三二极管413和第三电感414；

其中，降压芯片407的偏置电压端，第四电容401的第一端，第九电阻409的第一端以及第六电容403的第一端均与第三晶体管406的漏极电连接，用于提供偏置电压。

降压芯片407的软启动端与第五电容402的第一端电连接，用于实现降压芯片的缓起。

缓起的作用在于防止降压芯片407在启动的初始阶段由于上冲所造成降压芯片的损坏。

降压芯片407的控制端与第八电阻408的第一端电连接，用于设置开启时间与开关频率。

降压芯片407包含有内部振荡器件，控制端通常采用与地线串联一个电阻的连接形式。

降压芯片407地线端，第四电容401的第二端以及第五电容402的第二端均与第八电阻408的第二端和地线电连接。

降压芯片407的悬空端407悬空。

降压芯片407的反馈端分别与第十电阻410的第一端和第十一电阻411的第一端电连接，用于接收第十电阻410和第十一电阻411的反馈。

这里降压芯片407所接收的反馈为能量采集电路最终的直流电输出的电压反馈，之所以反馈端连接在第十电阻410与第十一电阻411之间，是因为要对直流电输出进行分压，反馈端所接收电压的标准值为1.25V。

降压芯片407的电流感应端分别与第三电感414的第一端和第三二极管413的正极电连接，用于检测第三电感414的输出电流。

电流感应端接收第三电感414输出的电流，并对其进行限流检测。

降压芯片407的驱动端，第九电阻409的第二端以及第六电容403的第二端均与第三晶体管406的栅极电连接，用于向第三晶体406管提供驱动电压。

需要说明的是，第三晶体管406为增强型NMOS管，所述第三二极管413为肖特基二极管，第八电容405为电解电容，且第八电容405的第一端为正极端。

降压芯片407的驱动端即为降压芯片的输出端，它与第三晶体管406的栅极电连接，控制第三晶体管406的打开与闭合，从而控制降压模块400的输出。

第三晶体管406的源极，第二二极管412的负极以及第七电容404的第一端均与第三电感414的第二端电连接，第二二极管412的正极分别与第七电容404的第二端和地线电连接；

第三二极管413的负极分别与第八电容405的第一端和第十电阻410的第二端电连接；第八电容405的第二端与地线电连接，第十一电阻411的第二端与地线电连接。

进而，降压模块400的工作原理如下：

首先，第三晶体管406的漏极与使能输出模块300的输出端电连接，第三晶体管406的漏极接收升压模块200输出的直流电。

降压芯片407采用恒频的控制方式，输出占空比可调的周期性方波。这个周期性的方波通过降压芯片407的驱动端加载到第三晶体管406的栅极，使第三晶体管406随着周期性方波进行周期性的打开与闭合。

当第三晶体管406导通时，升压模块200输出的直流电会通过第三晶体管406，第三电感414和第八电容405所组成的滤波器后，进行输出。

当第三晶体管406截止时，第三电感414的第二端会产生反向电动势，并最终由第二二极管412使第三电感414的第二端钳位于0.7V。

进一步的，假设降压芯片407输出周期为T的方波，而第三晶体管406的导通时间为T₁,进而降压模块400输出的平均电压值为：从而实现降压。

本发明实施例提出了一种低功耗电路能量采集电路，通过利用升压电路中的升压芯片控制升压模块电路的关断，通过升压模块内部电感进行放电实现升压；通过利用使能输出电路保证即使升压电路所包含的能量不足，也能使能量传输到降压模块中；降压模块采用降压芯片设置降压模块周期性的打开与闭合，从而使输出的直流电的电压平均值降低。本发明实施例采用先升压后降压的工作方式，通过设置一定的电压台阶，能够满足持续的能量供给，同时也能在休眠状态下储存更多能量。

上述仅为本发明的较佳实施例及所运用的技术原理。本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行的各种明显变化、重新调整及替代均不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由权利要求的范围决定。

Claims (8)

1.一种低功耗电路能量采集电路，其特征在于，包括：整流稳压模块、升压模块、使能输出模块以及降压模块；

其中，所述整流稳压模块的输入端接收外部交流电，用于将所述外部交流电转化为直流电，所述整流稳压模块的输出端与所述升压模块的输入端电连接；

所述升压模块接收所述直流电，用于对所述直流电进行升压，所述升压模块的输出端与所述使能输出模块的输入端电连接；

所述使能输出模块接收升压后的直流电，用于对所述升压后的直流电进行节流，所述使能输出模块的输出端与所述降压模块的输入端电连接；

所述降压模块接收节流后的直流电，用于对所述节流后的直流电进行降压。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述整流稳压模块包括桥式电路、第一电容以及第一电感；

其中，所述桥式电路的第一端及第二端接收所述外部交流电，用于将其转化为直流电，所述桥式电路的第三端与所述第一电容的第一端以及第一电感的第一端电连接；所述桥式电路的第四端与所述第一电容的第二端及地线电连接。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述升压模块包括升压芯片、第二电容、第三电容、第二电感、第一晶体管、第一二极管，第一电阻和第二电阻；

其中，所述升压芯片的电压输入端与所述第一电感的第二端电连接，用于接收所述直流电；

所述升压芯片的偏置电压端与所述第二电感的第一端电连接，用于提供偏置电压；

所述升压芯片的软启动端与所述第二电容的第一端电连接，用于实现升压芯片的缓起；

所述升压芯片的使能端分别与第二电容的第二端和地线电连接，用于使所述升压芯片处于工作状态；

所述升压芯片的反馈端与所述使能输出模块电连接，用于接收使能输出模块的反馈；

所述升压芯片的地线端，所述第一电阻的第一端以及第二电阻的第一端均与第三电容的第一端和地线电连接；

所述升压芯片的震荡频率端与所述第一电阻的第二端电连接，用于设置所述升压芯片的开关频率；

所述升压芯片的开关节点端与所述第一晶体管的栅极电连接，用于输出开关信号至所述第一晶体管；

所述第一晶体管漏极分别与所述第二电感的第二端和所述第一二极管的正极电连接，所述第一晶体管的源极与所述第二电阻的第二端电连接；

所述第三电容的第二端与所述第一二极管的负极电连接。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管为增强型NMOS管；所述第三电容为电解电容，且所述第三电容的第二端为正极端。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述使能输出模块包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第二晶体管；

其中，所述第三电阻的第一端，所述第一二极管的负极以及所述第三电容的第二端均与所述第二晶体管的漏极电连接；

所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述升压芯片的反馈端电连接；

所述第四电阻的第二端，所述第五电阻的第一端以及所述第七电阻的第一端均与所述第二晶体管的栅极电连接；

所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端电连接；

所述第六电阻的第二端与所述第二晶体管的源极电连接；

所述第七电阻的第二端与地线电连接。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第二晶体管为增强型NMOS管。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述降压模块包括第四电容，第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第三晶体管、降压芯片、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第二二极管、第三二极管和第三电感；

其中，所述降压芯片的偏置电压端，所述第四电容的第一端，所述第九电阻的第一端以及所述第六电容的第一端均与所述第三晶体管的漏极电连接，用于提供偏置电压；

所述降压芯片的软启动端与所述第五电容的第一端电连接，用于实现降压芯片的缓起；

所述降压芯片的控制端与所述第八电阻的第一端电连接，用于设置开启时间与开关频率；

所述降压芯片地线端，所述第四电容的第二端以及所述第五电容的第二端均与所述第八电阻的第二端和地线电连接；

所述降压芯片的悬空端悬空；

所述降压芯片的反馈端分别与所述第十电阻的第一端和所述第十一电阻的第一端电连接，用于接收所述第十电阻和所述第十一电阻的反馈；

所述降压芯片的电流感应端分别与所述第三电感的第一端和第三二极管的正极电连接，用于检测所述第三电感的输出电流；

所述降压芯片的驱动端，所述第九电阻的第二端以及所述第六电容的第二端均与所述第三晶体管的栅极电连接，用于向所述第三晶体管提供驱动电压；

所述第三晶体管的源极，所述第二二极管的负极以及所述第七电容的第一端均与所述第三电感的第二端电连接，所述第二二极管的正极分别与所述第七电容的第二端和地线电连接；

所述第三二极管的负极分别与所述第八电容的第一端和所述第十电阻的第二端电连接；

所述第八电容的第二端与地线电连接，所述第十一电阻的第二端与地线电连接。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管为增强型NMOS管，所述第三二极管为肖特基二极管，所述第八电容为电解电容，且所述第八电容的第一端为正极端。