CN105278169B

CN105278169B - 弯曲显示装置

Info

Publication number: CN105278169B
Application number: CN201510373042.4A
Authority: CN
Inventors: 宋东翰; 吴浩吉; 金寿桢; 申旗澈
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2014-06-30
Filing date: 2015-06-30
Publication date: 2021-07-27
Anticipated expiration: 2035-06-30
Also published as: CN105278169A; US10539830B2; EP2963489B1; EP2963489A1; US20150378193A1

Abstract

本公开提供了弯曲显示装置。一种弯曲显示装置包括：第一基底基板；第二基底基板，面对第一基底基板；像素电极，设置在第一基底基板上；公共电极，设置在第一基底基板或第二基底基板上；第一基底层，设置在第一基底基板上；第一配向形成层，仅设置在第一基底层上并包括反应性介晶；第二基底层，设置在第二基底基板上；以及液晶层，设置在第一配向形成层和第二基底层之间，液晶层包括液晶分子。

Description

弯曲显示装置

技术领域

本公开涉及包括使液晶分子配向的配向层的弯曲显示装置以及制造该弯曲显示装置的方法。

背景技术

通常，液晶显示装置分为扭曲向列模式液晶显示装置、水平电场模式液晶显示装置或垂直配向模式液晶显示装置。

在垂直配向模式液晶显示装置中，液晶层的液晶分子在没有电场被施加到液晶层时被配向在预定方向上以允许液晶分子的长轴垂直于基板配向。因此，垂直配向模式液晶显示装置的视角变得较大，并且垂直配向模式液晶显示装置的对比度增大。

为了将液晶分子配向在预定方向上，摩擦方法和光学摩擦方法被广泛地使用。垂直配向模式液晶显示装置的液晶分子利用反应性介晶(mesogen)被配向在预定方向上。

发明内容

本公开提供具有改善的显示品质的弯曲显示装置。

本公开提供制造具有改善的显示品质的弯曲显示装置的方法。

在示范性实施方式中，一种弯曲显示装置包括：第一基底基板；第二基底基板，面对第一基底基板；像素电极，设置在第一基底基板上；公共电极，设置在第一基底基板或第二基底基板上；第一基底层，设置在第一基底基板上；第一配向形成层，仅设置在第一基底层上并包括反应性介晶；第二基底层，设置在第二基底基板上；以及液晶层，设置在第一配向形成层和第二基底层之间，液晶层包括液晶分子。

在示范性实施方式中，反应性介晶包括丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、氧杂环丁烷、乙烯基醚以及苯乙烯中的至少一种。

在示范性实施方式中，第一配向形成层还包括键合(bond)到反应性介晶的光引发剂及其衍生物。

在示范性实施方式中，光引发剂以及该光引发剂的衍生物包括苯甲基二甲基缩酮、α-羟基酮、苯甲酰甲酸甲酯、酰基膦氧化物、二茂钛(titanocene)、α-氨基酮、α-氨基苯乙酮(α-aminoacetophenone)、肟酯(oxime ester)、二苯甲酮、苯基酮(phenylketone)、α-二氯苯乙酮、α-氯噻吨酮、安息香烷基醚(benzoin alkylether)以及其衍生物中的至少一种。

在示范性实施方式中，第一和第二基底基板是弯曲的。

在示范性实施方式中，一种弯曲显示装置包括弯曲的第一基底基板、第一配向层、弯曲的第二基底基板以及第二配向层。第一配向层包括设置在第一基底基板上的第一基底层以及设置在第一基底层上的多个第一突出物。第二基底基板面对第一基底基板。第二配向层包括设置在第二基底基板上的第二基底层以及设置在第二基底层上的多个第二突出物。第一突出物包括每个在直径上具有等于或大于约30纳米(nm)并且等于或小于约1000nm的颗粒尺寸的第一大尺寸突出物。第二突出物包括每个在直径上具有等于或大于约30nm并且等于或小于约1000nm的颗粒尺寸的第二大尺寸突出物。第一基底层包括交叠第一大尺寸突出物的第一交叠区和不交叠第一大尺寸突出物的第一非交叠区。第二基底层包括交叠第二大尺寸突出物的第二交叠区和不交叠第二大尺寸突出物的第二非交叠区。第一和第二交叠区满足公式1。

公式1

0<第二交叠区的面积/第一交叠区的面积≤4/5。

在示范性实施方式中，第二大尺寸突出物的数目小于第一大尺寸突出物的数目。

在示范性实施方式中，第二交叠区的面积小于第二非交叠区的面积。

第二交叠区和第二非交叠区满足公式2。

公式2

0<第二交叠区的面积/第二非交叠区的面积≤5/10。

在示范性实施方式中，第一交叠区的面积等于或大于约3.0×10⁵nm²并且等于或小于约1.0×10⁶nm²，第一基底层的表面的单位面积为约1.0×10⁶nm²。

在示范性实施方式中,第二交叠区的面积超过0nm²并等于或小于约3.5×10⁵nm²，第二基底层的表面的单位面积为约1.0×10⁶nm²。

附图说明

通过参照附图进一步详细描述本公开的示范性实施方式，本公开的以上和其他的优点将容易变得明显，附图中：

图1A和1B是示出根据本公开的弯曲显示装置的示范性实施方式的透视图；

图2是示出根据本公开的弯曲显示装置的示范性实施方式的截面图；

图3是示出包括在根据本公开的弯曲显示装置的示范性实施方式中的多个像素中的一个像素的平面图；

图4是沿图3的线I-I'截取的截面图；

图5A是示出第一液晶分子的第一预倾斜角的透视图；

图5B是示出第二液晶分子的第二预倾斜角的透视图；

图6A是示出根据本公开的弯曲显示装置的示范性实施方式的透视图；

图6B是示出根据本公开的像素和对应于该像素的第一和第二配向层的示范性实施方式的透视图；

图6C是示出当从图6B的方向DR5观看时的第一配向层的平面图；

图6D是示出当从图6B的方向DR5观看时的第二配向层的平面图；

图6E是从图6B的方向DR3观看的平面图，示出其中第一和第二配向层彼此交叠的区域、下偏振片和上偏振片；

图6F是示出识别通过根据本公开的弯曲显示装置的示范性实施方式显示的图像的使用者的视图；

图7A是示出弯曲显示装置的比较例的透视图；

图7B是示出包括在弯曲显示装置的比较例中的像素和对应于该像素的第一和第二配向层的透视图；

图7C是示出当从图7B的方向DR5观看时的第一配向层的平面图；

图7D是示出当从图7B的方向DR5观看时的第二配向层的平面图；

图7E是示出当从图7B的第三方向观看时其中第一和第二配向层彼此交叠的区域的平面图；

图8是根据本公开的制造弯曲显示装置的示范性方法的流程图；

图9A、9B和9C是示出根据本公开的制造弯曲显示装置的示范性方法的截面图；

图10是示出液晶层中的反应性介晶含量作为当光引发剂存在或不存在时测量的第一曝光能量的函数的图形；

图11是示出实施方式示例1和比较示例1的原子力显微镜(AFM)图像的表；

图12是示出在实施方式示例1和比较示例1的AFM图像中的大尺寸突出物的分布区域的表，每个大尺寸突出物在直径上具有约30nm或更大的颗粒尺寸；以及

图13是示出在实施方式示例1和比较示例1的AFM图像中的大尺寸突出物的分布区域的表，每个大尺寸突出物在直径上具有约50nm或更大的颗粒尺寸。

具体实施方式

在下文将参照附图更全面地描述本发明，各种实施方式在附图中示出。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开透彻和完整，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终指代同样的元件。

将理解，当称一个元件或层在另一个元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件或层时，它可以直接在另一个元件或层上、直接联接到或联接另一个元件或层，或者可以存在插入的元件或层。相反，当称一元件“直接在”另一元件或层“上”或“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在插入的元件或层。相同的附图标记始终指代相同的元件。当在这里使用时，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目的任意和所有组合。

将理解，尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或与另一个区域、层或部分区别开。因此，以下论述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而没有背离本发明的教导。

为了描述的方便，这里可以使用空间关系术语诸如“在...下面”、“在...之下”、“下”、“之上”、“上”等来描述如附图所示的一个元件或特征与另一个(另一些)元件或特征的关系。将理解，空间关系术语旨在涵盖除了附图所示的取向之外装置在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他的元件或特征“下面”或“之下”的元件将会取向在该其他元件或特征“之上”或“上面”。因此，示范性术语“下面”能够涵盖之上和之下两种取向。装置可以另外地取向(旋转90度或在其他的取向)，这里使用的空间关系描述符据此被解释。

这里使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的而不意在限制本发明。如这里使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解的是，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。

如这里所用的“约”或“大致”是包括所述值的并表示在由本领域普通技术人员所确定的对于特定值的偏差的可接受范围内，考虑所述的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)。例如，“约”能够表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非另外地限定，否则这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)都具有本发明所述的领域内的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语诸如通用词典中限定的那些应当被解释为与现有技术的背景中的含义相一致的含义，而不会被解释为理想化或过度形式化的含义，除了这里明确如此限定。

这里参照横截面描述示范性实施方式，这些图是理想化实施方式的示意图。因而，由例如制造技术和/或公差引起的图示形状的偏差将是可能发生的。因此，这里描述的实施方式不应被解释为限于如这里示出的区域的形状而是将包括由例如制造引起的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域可以通常具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，附图所示的区域在本质上是示意的，它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求书的范围。

在下文，将参照附图详细地解释本发明。

图1A是示出根据本公开的弯曲显示装置10的示范性实施方式的透视图，图1B也是示出根据本公开的弯曲显示装置10的示范性实施方式的透视图。图2是示出根据本公开的弯曲显示装置10的示范性实施方式的截面图。

参照图1A、1B和图2，弯曲显示装置10包括第一基板SUB1、第二基板SUB2和液晶层LCL。液晶层LCL设置在第一和第二基板SUB1和SUB2之间。

弯曲显示装置10显示图像。弯曲显示装置10包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。

当在弯曲显示装置10的厚度方向DR3上观看时，显示区域DA具有基本上矩形形状，但是显示区域DA的形状不限于矩形形状。厚度方向DR3可以是从使用者的视点所观察的弯曲显示装置10的向前方向。

显示区域DA包括多个像素区域PXL。像素区域PXL由多个栅线GL和多个数据线DL限定。像素区域PXL布置成矩阵形式。每个像素区域PXL包括像素PX(参照图3)。

当在弯曲显示装置10的厚度方向DR3上观看时，非显示区域NDA围绕显示区域DA。非显示区域NDA在第一方向DR1上并在基本上垂直于第一方向DR1的第二方向DR2上邻近显示区域DA。

弯曲显示装置10以预定曲率/曲率半径弯曲。弯曲显示装置10是柔性的或刚性的。

当使用者观看弯曲显示装置10时弯曲显示装置10具有凹入的曲率。当使用者识别在弯曲显示装置10中显示的图像时，使用者被提供有改善的立体效果、沉浸感(或沉浸(immersiveness))和存在感。在图1A和1B中，当在弯曲显示装置10的厚度方向DR3上观看时弯曲显示装置10具有凹入的形状，但是不限于此或者由此限制。也就是说，当在弯曲显示装置10的第一方向DR1或第二方向DR2上观看时弯曲显示装置10可以具有凸起形状。使用者可以识别在弯曲显示装置10的弯曲表面上显示的图像。

第一基板SUB1可以被弯曲以具有第一曲率半径R1。第二基板SUB2可以被弯曲以具有第二曲率半径R2。

图3是示出包括在根据本公开的弯曲显示装置的示范性实施方式中的多个像素中的一个像素PX的平面图，图4是沿图3的线I-I'截取的截面图。在示范性实施方式中，多个像素具有相同的结构与功能，然而为了说明的方便，将详细描述仅一个像素。

参照图1A、1B和图2至图4，弯曲显示装置10包括第一基板SUB1、设置在第一基板SUB1上的第一配向层ALN1、面对第一基板SUB1的第二基板SUB2、设置在第二基板SUB2上的第二配向层ALN2以及插设在第一和第二配向层ALN1和ALN2之间的液晶层LCL。

第一基板SUB1包括第一基底基板BS1、多个栅线GL、多个数据线DL以及多个像素区域PXL。

第一基底基板BS1可以是聚合物基板、塑料基板、玻璃基板或石英基板。第一基底基板BS1是透明绝缘基板。第一基底基板BS1是柔性的或刚性的。

为了说明的方便起见，图3示出连接到多个栅线GL中的一个栅线和多个数据线DL中的一个数据线的一个像素，但是该像素不限于此或者由此限制。也就是说，一个栅线和一个数据线可以连接到多个像素或者多个栅线和多个数据线可以连接到一个像素。

栅线GL设置在第一基底基板BS1上并在第一方向DR1上延伸。数据线DL在交叉第一方向DR1的第二方向DR2上延伸使得栅绝缘层GI设置在栅线GL和数据线DL之间。栅绝缘层GI设置在基底基板BS1的整个表面上以覆盖栅线GL。

每个像素PX包括薄膜晶体管TFT、连接到薄膜晶体管TFT的像素电极PE以及存储电极部分。薄膜晶体管TFT包括栅电极GE、栅绝缘层GI、半导体图案SM、源电极SE以及漏电极DE。存储电极部分包括在第一方向D1上延伸的存储线SLn以及从存储线SLn分支并在第二方向D2上延伸的第一和第二分支电极LSLn和RSLn。

栅电极GE从栅线GL突出或形成在栅线GL的一部分上。栅电极GE包括金属材料。栅电极GE可以由包括镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨和其合金中的至少一种的金属材料形成。栅电极GE具有单层结构或多层结构。例如，栅电极GE可以具有顺序地堆叠的钼、铝和钼的三层结构或顺序地堆叠的钛和铜的双层结构。

半导体图案SM设置在栅绝缘层GI上。半导体图案SM设置在栅电极GE上使得栅绝缘层GI设置在半导体图案SM和栅电极GE之间。半导体图案SM部分地交叠栅电极GE。半导体图案SM包括设置在栅绝缘层GI上的有源图案(未示出)和设置在有源图案上的欧姆接触层(未示出)。有源图案包括非晶硅薄层，欧姆接触层包括n+非晶硅层。欧姆接触层允许源电极SE和漏电极DE与有源图案欧姆接触。

源电极SE从数据线DL分支。源电极SE设置在欧姆接触层上并部分地交叠栅电极GE。

漏电极DE与源电极SE间隔开使得当从平面图观看时半导体图案SM设置在漏电极DE和源电极SE之间。漏电极DE设置在欧姆接触层上并部分地交叠栅电极GE。

源电极SE和漏电极DE由包括镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨和其合金中的至少一种的金属形成。源电极SE和漏电极DE具有由以上金属材料组成的单层结构或多层结构。例如，源电极SE和漏电极DE可以具有顺序地堆叠的钛和铜的双层结构或钛和铜的合金的单层结构。

因此，有源图案的上表面通过源电极SE和漏电极DE之间暴露，有源图案用作源电极SE和漏电极DE之间的沟道部分，例如导电沟道。在除了源电极SE和漏电极DE之间的沟道部分之外的区域中，源电极SE和漏电极DE交叠半导体图案SM。

像素电极PE在经过设置在像素电极PE和漏电极DE之间的保护层PSV之后连接到漏电极DE。像素电极PE部分地交叠存储线SLn以及第一和第二分支电极LSLn和RSLn以形成存储电容器。

保护层PSV覆盖源电极SE、漏电极DE、沟道部分和栅绝缘层GI。保护层PSV包括限定在其中的接触孔CH，接触孔CH暴露漏电极DE的一部分。保护层PSV由包括硅氮化物或硅氧化物的材料形成。

像素电极PE通过形成在保护层PSV中的接触孔CH连接到漏电极DE。像素电极PE由透明导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等形成。

像素电极PE包括主干部分PEa以及从主干部分以放射式形式延伸的多个分支部分PEb。主干部分PEa或一部分分支部分PEb通过接触孔CH连接到漏电极DE。

主干部分PEa可以具有各种形状。在示范性实施方式中，主干部分PEa具有如图3所示的十字形。分支部分PEb彼此间隔开以防止分支部分PEb彼此接触，并在被主干部分PEa划分的区域中基本上彼此平行地延伸。彼此相邻的分支部分PEb彼此间隔开几微米距离。这促进液晶层LCL的液晶分子在平行于第一基底基板BS1的平面上配向至特定方位角。

每个像素PX通过主干部分PEa分成多个域DM1、DM2、DM3和DM4。分支部分PEb根据所述域在不同的方向上延伸。在示范性实施方式中，每个像素PX包括四个域，但是所述域的数目不限于仅四个。也就是说，每个像素PX可以包括两个、六个或八个域或更多。

第一配向层ALN1设置在像素电极PE上。第一配向层ALN1使液晶层LCL的液晶分子LC预倾斜。后面将详细描述第一配向层ALN1。

第二基板SUB2包括第二基底基板BS2、滤色器CF、黑矩阵BM和公共电极CE。第二基底基板BS2可以由聚合物基板、塑料基板、玻璃基板或石英基板形成，但是不限于此。第二基底基板BS2可以是(但是不限于)透明绝缘基板。第二基底基板BS2可以是柔性的或刚性的。

滤色器CF设置在第二基底基板BS2上并赋予颜色到穿过液晶层LCL的光。在示范性实施方式中，滤色器CF被包括在第二基板SUB2中，但是其不限于此或者由此限制。也就是说，在示范性实施方式中，滤色器CF可以被包括在第一基板SUB1中。

黑矩阵BM设置在第二基底基板BS2上在对应于第一基板SUB1的光阻挡区域的位置。光阻挡区域是其中设置数据线DL、薄膜晶体管TFT和栅线GL的区域。由于像素电极PE没有形成在光阻挡区域中，所以液晶分子没有被配向，光泄漏可能发生在光阻挡区域中。因此，设置在光阻挡区域中的黑矩阵BM防止光阻挡区域中的光泄漏的发生。在示范性实施方式中，黑矩阵BM被包括在第二基板SUB2中，但是不限于此或者由此限制。也就是说，在示范性实施方式中，黑矩阵BM可以被包括在第一基板SUB1中。

虽然没有在附图中示出，但是绝缘层(未示出)可以设置在滤色器CF和黑矩阵BM上。

公共电极CE设置在第二基底基板BS2上并与像素电极PE合作形成电场以驱动液晶层LCL。在示范性实施方式中，公共电极CE被包括在第二基板SUB2中，但是不限于此或者由此限制。也就是说，公共电极CE可以被包括在第一基板SUB1中。公共电极CE由透明导电材料形成。具体地，公共电极CE由导电的金属氧化物诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等形成，第二配向层ALN2设置在第二基底基板BS上以覆盖公共电极。后面将详细描述第二配向层ALN2。

包括液晶分子LC的液晶层LCL提供在第一和第二基板SUB1和SUB2之间。液晶层LCL包括具有介电各向异性的液晶分子LC和包含反应性介晶RM(参照图9A)的液晶组合物，介晶RM具有在预定波长的光吸收峰。

液晶分子LC可以是(但是不限于)基于烯基的液晶分子或基于烷氧基的液晶分子。

液晶分子LC可以具有负介电各向异性，但是不限于此或者由此限制。也就是说，液晶分子LC可以具有正介电各向异性。

如这里所用的术语“反应性介晶”或“反应性介晶RM”指的是在紫外线施加到其时能够引起化学反应的可光交联的低分子量或高分子量共聚物。在示范性实施方式中，反应性介晶RM包括丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、氧杂环丁烷、乙烯基醚以及苯乙烯中的至少一种。此外，反应性介晶RM可以是具有条形结构、香蕉形状结构、板形状结构或圆盘形的结构的材料。

聚合反应由光引发剂引发。例如，当使用包含苯甲基二甲基缩酮基的光引发剂时，聚合反应通过施加具有约340nm的波长的光而发生。反应性介晶RM的聚合反应由光引发剂的聚合反应引发，从而引起链式反应。当光引发剂仅存在于例如第一基板的一侧部分中时，在所述一侧部分中的反应性介晶RM的聚合反应比其中不存在光引发剂的另一侧部分中的反应性介晶RM的聚合反应发生快得多。因此，光引发剂仅被提供到第一基底层PAL1，因此第一配向形成层PTL1可以仅形成在第一基底基板BS1上。

图5A是示出第一液晶分子的第一预倾斜角AN1的透视图，图5B是示出第二液晶分子的第二预倾斜角AN2的透视图。在下文，将详细描述第一和第二配向层ALN1和ALN2。

第一配向层ALN1包括彼此聚合的反应性介晶RM。因此，在液晶层LCL的所有液晶分子LC当中，第一配向层ALN1使邻近第一配向层ALN1的第一液晶分子LC1预倾斜。第一液晶分子LC1具有相对于第一配向层ALN1的第一预倾斜角AN1。

参照图5A，在第一配向层ALN1的一个表面上的第一直线NL1和第一液晶分子LC1的长轴L11之间的角度对应于第一预倾斜角AN1。第一预倾斜角AN1对应于第一液晶分子LC1的预倾斜角的平均值。在示范性实施方式中，第一预倾斜角AN1具有约80度至约90度的平均值。在另一个示范性实施方式中，第一预倾斜角AN1具有约80度至约89度的平均值。在另一示范性实施方式中，第一预倾斜角AN1可以具有大于约80度并且小于约88度的平均值，以便不同于第二预倾斜角AN2。

参照图4和5A，第一配向层ALN1包括设置在像素电极PE上的第一基底层PAL1和设置在第一基底层PAL1上的第一配向形成层PTL1。

第一配向层ALN1包括具有由以下的化学式1和2表示的化学结构的至少一种化合物。

化学式1

化学式2

具有由化学式1表示的结构的化合物以比具有由化学式2表示的结构的化合物大的量存在于第一配向层ALN1的表面上。

第一基底层PAL1可以包括聚合物。在示范性实施方式中，聚合物包括聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺(polyamic imide)、聚酯、聚乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯等中的至少一种，其混合物以及其单体。

第一基底层PAL1通过在第一基底基板BS1上涂覆第一配向溶液并加热第一配向溶液而形成。

第一配向溶液包括聚合而形成第一基底层PAL1的第一配向剂、引发反应性介晶RM的光致聚合的光引发剂、以及溶剂。

第一配向剂包括聚合物的单体，诸如聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺(polyamic imide)、聚酯、聚乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯等的单体，或其二聚物、低聚物、或者混合物。

在示范性实施方式中，第一配向剂还可以包括添加剂。添加剂可以是抗氧化剂，用于防止液晶分子LC被氧化。

在示范性实施方式中，光引发剂包括苯甲基二甲基缩酮、α-羟基酮、苯甲酰甲酸甲酯、酰基膦氧化物、二茂钛、α-氨基酮、α-氨基苯乙酮、肟酯、二苯甲酮、苯基酮、α-二氯苯乙酮、α-氯噻吨酮以及安息香烷基醚等中的至少一种。

可以使用能在市场上买到的光引发剂，诸如由BASF有限公司制造的

651、

127、

754、

819、

784、

907、

369、

379、

2959、

OXE01、

OXE02或

TPO。

在示范性实施方式中，每100重量份数配向剂中，光引发剂以约0.001重量份数至约20重量份数的量，或约0.001重量份数至约1重量份数的量提供。光引发剂的含量取决于要使用的光引发剂的种类以及引发光致反应的波长。例如，当光引发剂为

651时，光引发剂以约0.05重量份数的量提供；当光引发剂是

127时，光引发剂以约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

754时，光引发剂以约0.2重量份数的量提供；当光引发剂是

819时，光引发剂以约0.01重量份数至约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

784时，光引发剂以约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

907时，光引发剂以约0.001重量份数至约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

369时，光引发剂以约0.001重量份数至约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

379时，光引发剂以约0.001重量份数至约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

2959时，光引发剂以约0.001重量份数至约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

OXE01时，光引发剂以约0.01重量份数的量提供；当光引发剂是

OXE02时，光引发剂以约0.01重量份数的量提供；当光引发剂是

TPO时，光引发剂以约0.01重量份数的量提供。

在示范性实施方式中，溶剂可以是γ-丁内酯、乙二醇丁醚和N-甲基吡咯烷酮中的一种，或通过混合γ-丁内酯、乙二醇丁醚和N-甲基吡咯烷酮中的至少两种获得的混合物。然而，溶剂不限于特定的材料。

第一配向溶液通过加热而聚合，因此第一配向溶液被固化以形成第一基底层PAL1。由于第一基底层PAL1通过热固化工艺形成，所以光引发剂的至少一部分不反应，使得光引发剂的至少部分保留在第一配向层ALN1中。

第一配向形成层PTL1包括聚合的反应性介晶RM(参照图9A)并使液晶分子LC预倾斜。如这里所用的术语“反应性介晶”或“反应性介晶RM”表示可光交联的低分子量或高分子量的共聚物。当紫外光被施加到反应性介晶RM时，反应性介晶引起化学反应。因而，反应性介晶RM的一部分被聚合以被交联。反应性介晶RM使液晶分子LC预倾斜以具有相对于第一基板SUB1的表面的预定倾斜角。

在示范性实施方式中，反应性介晶RM不限于任何特定类型的反应性介晶，只要反应性介晶RM的聚合反应在暴露于预定波长时被光引发剂引发。反应性介晶RM可以从由以下的化学式3表示的化合物选出。

化学式3

P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2

在以上化学式3中，“P1”表示引起聚合反应的包含两个至六个反应基团的末端基团。P1反应基团可以是(但是不限于)丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基(oxetane group)、乙烯基醚基或苯乙烯基。这里，“P2”独立于“P1”选择，并表示引起聚合反应的包含两个至六个反应基团的末端基团。P2反应基团可以是(但是不限于)丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或苯乙烯基。这里，“Sp1”、“Sp2”、“Sp3”和“Sp4”独立地是单键或包括-CH₂-、-COO-、-CO-CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH₂OCH₂-和-CH₂O-中的至少一个的间隔基团。这里，“A1”和“A3”独立地是单键、环己基(cyclohexylgroup)、苯基、苯硫基或多环芳族基团(polycyclic aromatic group)。这里，“A2”是环己基、苯基、苯硫基或多环芳烃基。在化学式3中，“m”为1至4。

反应性介晶RM可以形成第一突出物BU1(图4)。第一突出物BU1包括第一小尺寸突出物SBU1和第一大尺寸突出物LBU1。

每个第一突出物BU1在直径上具有约1nm或更大的颗粒尺寸。第一突出物BU1的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm，第一突出物BU1的典型的颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm。

第一小尺寸突出物SBU1与第一大尺寸突出物LBU1不同，如关于约30nm的颗粒尺寸来看。例如，第一小尺寸突出物SBU1在直径上具有等于或大于约1nm并且小于约30nm的颗粒尺寸。每个第一小尺寸突出物SBU1的颗粒尺寸等于或大于约1nm并且小于约30nm，第一小尺寸突出物SBU1的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm并且小于约30nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约1nm并且小于约30nm。

第一大尺寸突出物LBU1在直径上具有等于或大于约30nm的颗粒尺寸。每个第一大尺寸突出物LBU1的颗粒尺寸在直径上等于或大于约30nm并且小于约1000nm，第一大尺寸突出物LBU1的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约30nm并且小于约1000nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约30nm并且小于约1000nm。

第一小尺寸突出物SBU1可以与第一大尺寸突出物LBU1不同，如在直径上关于约50nm的颗粒尺寸来看。例如，第一小尺寸突出物SBU1在直径上具有等于或大于约1nm或小于约50nm的颗粒尺寸。每个第一小尺寸突出物SBU1的颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm并且小于约50nm，第一小尺寸突出物SBU1的平均颗粒尺寸等于或大于约1nm并且小于约50nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约1nm并且小于约50nm。

第一大尺寸突出物LBU1具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸。每个第一大尺寸突出物LBU1的颗粒尺寸在直径上等于或大于约50nm并且小于约1000nm，第一大尺寸突出物LBU1的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约50nm并且小于约1000nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约50nm并且小于约1000nm。

第二配向层ALN2设置在公共电极CE上。第二配向层ALN2不包括聚合的反应性介晶RM，因此在液晶层LCL的液晶分子LC当中，第二配向层ALN2不使邻近第二配向层ALN2的第二液晶分子LC2预倾斜。

液晶分子LC2具有相对于第二配向层ALN2的第二预倾斜角AN2。

参照图5B，在第二配向层ALN2的一个表面上的第二直线NL2和第二液晶分子LC2的长轴L12之间的角度对应于第二预倾斜角AN2。第二预倾斜角AN2不同于第一预倾斜角度AN1并大于第一预倾斜角AN1。例如，第二预倾斜角AN2对应于第二液晶分子LC2的预倾斜角的平均值或代表值。在示范性实施方式中，第二预倾斜角AN2为约88度至约90度。在另一个实施方式中，第二预倾斜角AN2为约89度或等于或小于约90度。第二预倾斜角AN2被设定为大于第一预倾斜角AN1。根据示范性实施方式，当第一预倾斜角AN1被设定为约80度、约85度、约86度或约89度时，第二预倾斜角AN2被设定为约89.5度或约90度，其大于第一预倾斜角AN1。

参照图4和5B，第二配向层ALN2包括设置在公共电极CE上的第二基底层PAL2和设置在第二基底层PAL2上的第二配向形成层PTL2。第二基底层PAL2由聚合物形成并包括聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯等、上述聚合物的混合物以及上述的一种或多种聚合物的单体中的至少一种。

第二基底层PAL2设置在其上设置有公共电极CE的第二基底基板BS2上。第二基底层PAL2通过在第二基底基板BS2上涂覆第二配向溶液并加热第二配向溶液而形成。

第二配向溶液包含聚合而形成第二基底层PAL2的第二配向剂以及溶剂。第二配向溶液不包含第一配向溶液中所包括的光引发剂。

第二配向剂包括聚合物的单体、其二聚物、低聚物以及混合物，其中该聚合物包括聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯等中的至少一种。

溶剂不限于特定的材料。在示范性实施方式中，溶剂包括γ-丁内酯、乙二醇丁醚、N-甲基吡咯烷酮中至少一种或通过混合γ-丁内酯、乙二醇丁醚以及N-甲基吡咯烷酮中的至少两种获得的混合物。

第二配向溶液通过加热而聚合，因此第二配向溶液被固化以形成第二基底层PAL2。

第二配向形成层PTL2包括聚合的反应性介晶RM。包括在第二配向形成层PTL2中的反应性介晶RM的量小于第一配向形成层PTL1中的反应性介晶的量，从绝对量的视角来看。换句话说，第二配向形成层PTL2不包括聚合的反应性介晶RM。这里，第二配向形成层PTL2不包括聚合的反应性介晶RM的表述指的是聚合的反应性介晶RM的一部分由于工艺误差而联接到第二配向形成层PTL2。

第二配向形成层PTL2使第二液晶分子LC2配向以允许第二液晶分子LC2不具有相对于第二基板SUB2的预定倾斜角。因此，邻近第二基底层PAL2的第二液晶分子LC2被随机设置在第二配向层ALN2上而不具有特定的配向方向。当电场没有施加到液晶层LCL时，第二液晶分子LC2在第二配向层ALN2上被配向在垂直于第二配向层ALN2的方向上。

彼此聚合的反应性介晶RM可以形成第二突出物BU2(图4)。第二突出物BU2包括第二小尺寸突出物SBU2和第二大尺寸突出物LBU2。

每个第二突出物BU2在直径上具有约1nm或更大的颗粒尺寸。第二突出物BU2的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm，第二突出物BU2的典型的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约1nm。

第二小尺寸突出物SBU2不同于第二大尺寸突出物LBU2，如在直径上关于约30nm的颗粒尺寸来看。例如，第二小尺寸突出物SBU2在直径上具有等于或大于约1nm或小于约30nm的颗粒尺寸。每个第二小尺寸突出物SBU2的颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm并且小于约30nm，第二小尺寸突出物SBU2的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm并且小于约30nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约1nm并且小于约30nm。

第二大尺寸突出物LBU2在直径上具有等于或大于约30nm的颗粒尺寸。每个第二大尺寸突出物LBU2的颗粒尺寸在直径上等于或大于约30nm并且小于约1000nm，第二大尺寸突出物LBU2的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约30nm并且小于约1000nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约30nm并且小于约1000nm。

第二小尺寸突出物SBU2可以不同于第二大尺寸突出物LBU2，如在直径上关于约50nm的颗粒尺寸来看。例如，第二小尺寸突出物SBU2在直径上具有等于或大于约1nm或小于约50nm的颗粒尺寸。每个第二小尺寸突出物SBU2的颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm并且小于约50nm，第二小尺寸突出物SBU2的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约1nm并且小于约50nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约1nm并且小于约50nm。

第二大尺寸突出物LBU2在直径上具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸。每个第二大尺寸突出物LBU2的颗粒尺寸在直径上等于或大于约50nm并且小于约1000nm，第二大尺寸突出物LBU2的平均颗粒尺寸在直径上等于或大于约50nm并且小于约1000nm，代表性的颗粒尺寸值在直径上等于或大于约50nm并且小于约1000nm。

在下文，将详细描述第一突出物BU1在第一基底层PAL1上的分布和第二突出物BU2在第二基底层PAL2上的分布。

如上所述，反应性介晶彼此聚合以在第一基底层PAL1上形成第一突出物BU1。此外，第一突出物BU1包括第一小尺寸突出物SBU1和第一大尺寸突出物LBU1。在这种情况下，第一基底层PAL1包括交叠第一大尺寸突出物LBU1的第一交叠区和不交叠第一大尺寸突出物LBU1的第一非交叠区。

聚合的反应性介晶在第二基底层PAL2上形成第二突出物BU2。此外，第二突出物BU2包括第二小尺寸突出物SBU2和第二大尺寸突出物LBU2。在这种情况下，第二基底层PAL2包括交叠第二大尺寸突出物LBU2的第二交叠区和不交叠第二大尺寸突出物LBU2的第二非交叠区。

当从第三方向DR3观看时(参照图6B)，第一交叠区和第一非交叠区通过其中存在大尺寸突出物的区域和不存在大尺寸突出物的区域之间的边界线而从第二交叠区和第二非交叠区描绘出。

在下文描述的第一交叠区的面积可以是第一基底层PAL1上的第一交叠区的全部面积，所述面积的平均值或代表值可以基于第一基底层PAL1上的任意单位面积而确定。此外，第一非交叠区的面积可以是第一基底层PAL1上的第一非交叠区的全部面积，所述面积的平均值或代表值可以基于第一基底层PAL1上的任意单位面积来确定。此外，第二交叠区的面积和第二非交叠区的面积的每个可以是第二基底层PAL2上的第二交叠区和第二非交叠区的全部面积，所述面积的平均值或代表值可以基于第二基底层PAL2上的任意单位面积来确定。

在示范性实施方式中，第一和第二大尺寸突出物LBU1和LBU2在直径上具有等于或大于约30nm并且等于或小于约1000nm的颗粒尺寸。

当第一和第二大尺寸突出物LBU1和LBU2在直径上具有等于或大于约30nm并且等于或小于约1000nm的颗粒尺寸时，弯曲显示装置10满足以下的公式1。

公式1

0<第二交叠区的面积/第一交叠区的面积≤4/5

当通过第二交叠区的面积除以第一交叠区的面积获得的值超过4/5时，邻近于第二配向层ALN2的液晶分子被预倾斜，因此发生其中光没有被觉察的黑暗区域，如将在后面参照图7A至7E描述的。

第二交叠区的面积可以小于第二非交叠区的面积。在示范性实施方式中，弯曲显示装置10满足以下的公式2。

公式2

0<第二交叠区的面积/第二非交叠区的面积≤5/10

当通过第二交叠区的面积除以第二非交叠区的面积获得的值超过5/10时，邻近于第二配向层ALN2的液晶分子被预倾斜，因此发生其中光没有被觉察的黑暗区域，如将在后面参照图7A至7E描述的。

第一交叠区的面积等于或大于约3.0×10⁵nm²并且等于或小于约1.0×10⁶nm²，而第一基底层PAL1的表面的单位面积为约1.0×10⁶nm²。当与第一基底层PAL1的表面的单位面积(约1.0×10⁶nm²)相比第一交叠区的面积小于约3.0×10⁵nm²时，不仅使邻近于第一配向层ALN1的液晶分子预倾斜是困难的，而且使邻近于第二配向层ALN2的液晶分子预倾斜也是困难的，由于第一大尺寸突出物LBU1的总数是小的。

第二交叠区的面积超过0nm²并等于或小于约3.5×10⁵nm²，而第二基底层PAL2的表面的单位面积为约1.0×10⁶nm²。当与第二基底层PAL2的表面的单位面积(约1.0×10⁶nm²)相比第二交叠区的面积超过约3.5×10⁵nm²时，其中光没有被觉察的黑暗区域发生，由于邻近于第二配向层ALN2的液晶分子被预倾斜。

由于包括在第一配向层ALN1中的反应性介晶RM的量大于包括在第二配向层ALN2中的量，所以第二大尺寸突出物LBU2的数目小于第一大尺寸突出物LBU1的数目。

在示范性实施方式中，第一和第二大尺寸突出物LBU1和LBU2具有等于或大于约50nm并且等于或小于约1000nm的颗粒尺寸。

当第一和第二大尺寸突出物LBU1和LBU2在直径上具有等于或大于约50nm并且等于或小于约1000nm的颗粒尺寸时，弯曲显示装置10满足以下的公式3。

公式3

0<第二交叠区的面积/第一交叠区的面积≤1/2

当通过第二交叠区的面积除以第一交叠区的面积获得的值超过1/2时，邻近于第二配向层ALN2的液晶分子被预倾斜，因此发生其中光没有被觉察的黑暗区域。

第二交叠区的面积可以小于第二非交叠区的面积。在示范性实施方式中，弯曲显示装置10满足以下的公式4。

公式4

0<第二交叠区的面积/第二非交叠区的面积≤1/10

当通过第二交叠区的面积除以第二非交叠区的面积获得的值超过1/10时，邻近于第二配向层ALN2的液晶分子被预倾斜，因此发生其中光没有被觉察的黑暗区域。

第一交叠区面积等于或大于约0.4×10⁵nm²并且等于或小于约1.0×10⁶nm²，而第一基底层PAL1的表面的单位面积为约1.0×10⁶nm²。在这种情况下，由于第一大尺寸突出物LBU1的数目是小的，所以不仅难以预倾斜邻近于第一配向层ALN1的液晶分子，而且难以预倾斜邻近于第二配向层ALN2的液晶分子。

第二交叠区的面积超过0nm²并且等于或小于约0.3×10⁵nm²，而第二基底层PAL2的表面的单位面积为约1.0×10⁶nm²。当与第二基底层PAL2的表面的单位面积(约1.0×10⁶nm²)相比第二交叠区的面积超过约0.3×10⁵nm²时，由于邻近于第二配向层ALN2的液晶分子被预倾斜，其中光没有被觉察的黑暗区域发生。

图6A是示出根据本公开的弯曲显示装置的示范性实施方式的透视图。图6B是示出根据本公开的示范性实施方式的像素PX以及对应于像素PX的第一和第二配向层ALN1和ALN2的透视图。图6C是当从图6B的方向DR5观看时的第一配向层ALN1的平面图。图6D是当从图6B的方向DR5观看时的第二配向层ALN2的平面图。图6E是从图6B的第三方向DR3所观看的其中第一和第二配向层ALN1和ALN2彼此交叠的区域的平面图，具有下偏振片POL1并且具有上偏振片POL2。图6E还示出设置在第一基板SUB1下面的下偏振片POL1和设置在第二基板SUB2上的上偏振片POL2。图6F是识别通过根据公开的弯曲显示装置的示范性实施方式显示的图像的使用者的图示。

参照图6A至6D，第一配向层ALN1包括指定为L_AA1、L_AA2、L_AA3和L_AA4的四个下配向区。下配向区L_AA1、L_AA2、L_AA3和L_AA4包括第一下配向区L_AA1、第二下配向区L_AA2、第三下配向区L_AA3和第四下配向区L_AA4。下配向区L_AA1、L_AA2、L_AA3和L_AA4设置为在与像素PX的法线方向DR4相反的方向DR5上交叠域DM1、DM2、DM3和DM4。

第一液晶分子LC1(参照图4)通过在分别对应于第一、第二、第三和第四域DM1、DM2、DM3和DM4的第一下配向区L_AA1、第二下配向区L_AA2、第三下配向区L_AA3和第四下配向区L_AA4的每个上的聚合的反应性介晶RM(参照图9A)而预倾斜。当电场被施加到液晶层LCL时，预倾斜的液晶分子比没有预倾斜的液晶分子被更快地水平地配向。也就是说，垂直地配向的液晶分子在水平方向上快速地重新配向。

当电场被施加到液晶层LCL时，预倾斜的第一液晶分子在第一下配向区L_AA1上被水平地配向在分支部分PEb(参照图3)的延伸方向上。分支部分PEb的延伸方向基本上平行于第一子方向D1。第一子方向D1指的是其中第一液晶分子LC1在第一下配向区L_AA1上被水平地配向的所有方向的平均方向。

类似地，当电场被施加到液晶层LCL时，预倾斜的第一液晶分子LC1在第二下配向区L_AA2上被水平地配向在第二子方向D2上、在第三下配向区L_AA3上被水平地配向在第三子方向D3上，并在第四下配向区L_AA4上被水平地配向在第四子方向D4上。第二子方向D2指的是其中第一液晶分子LC1在第二下配向区L_AA2上被水平地配向的所有方向的平均方向；第三子方向D3指的是其中第一液晶分子LC1在第三下配向区L_AA3上被水平地配向的所有方向的平均方向；第四子方向D4指的是其中第一液晶分子LC1在第四下配向区L_AA4上被水平地配向的所有方向的平均方向。

第二配向层ALN2包括四个上配向区U_AA1、U_AA2、U_AA3和U_AA4。上配向区U_AA1、U_AA2、U_AA3和U_AA4包括第一上配向区U_AA1、第二上配向区U_AA2、第三上配向区U_AA3和第四上配向区U_AA4。上配向区U_AA1、U_AA2、U_AA3和U_AA4设置为在方向DR5上分别交叠域DM1、DM2、DM3和DM4，方向DR5位于像素PX的法线方向DR4的相反的方向上。

第二配向层ALN2不包括聚合的反应性介晶RM。因此，第二液晶分子LC2在第一上配向区U_AA1、第二上配向区U_AA2、第三上配向区U_AA3和第四上配向区U_AA4的每个上没有被预倾斜。因而，第二液晶分子LC2被随机地提供而不具有特定的配向方向。

当电场被施加到液晶层LCL时，第二液晶分子LC2被随机并且水平地配向。然而，由于预倾斜的第一液晶分子LC1和分支部分PEb，第二液晶分子LC2可以具有基本上平行于第一子方向D1的方向。其中第一下配向区L_AA1的第一液晶分子LC1被配向在第一子方向D1上的程度被称为第一学者值(scholar value)，其中第一上配向区U_AA1的第二液晶分子LC2被配向在第一子方向D1上的程度被称为第二学者值。第二学者值比第一学者值小得多。由于第二液晶分子LC2没有被预倾斜，所以与第一液晶分子LC1(参照图4)在第一下配向区L_AA1上被水平地配向的速度相比，第二液晶分子LC2在第一上配向区U_AA1上被水平地配向的速度非常缓慢。此外，水平地配向在第一子方向D1上的第二液晶分子LC2的数目比水平地配向在第一子方向D1上的第一液晶分子LC1的数目少得多。

类似地，当电场被施加到液晶层LCL时，第二液晶分子LC2在第二上配向区U_AA2上被水平地配向在第二子方向D2上、在第三上配向区U_AA3上被水平地配向在第三子方向D3上、以及在第四上配向区U_AA4上被水平地配向在第四子方向D4上。

参照图6A至6E，当在第三方向DR3上观看时，第一和第二配向层ALN1和ALN2具有六个交叠区OVA1、OVA2、OVA3、OVA4、OVA5以及OVA6，在每个交叠区中第一和第二配向层ALN1和ALN2彼此交叠。交叠区OVA1、OVA2、OVA3、OVA4、OVA5和OVA6包括第一交叠区OVA1、第二交叠区OVA2、第三交叠区OVA3、第四交叠区OVA4、第五交叠区OVA5和第六交叠区OVA6。

当电场被施加到液晶层LCL时，液晶层LCL的光轴的方向可以与下配向区L_AA1、L_AA2、L_AA3和L_AA4上的第一液晶分子LC1的水平配向方向和上配向区U_AA1、U_AA2、U_AA3和U_AA4上的第二液晶分子LC2的水平配向方向的平均值基本上相同。

第二交叠区OVA2对应于其中第二下配向区L_AA2交叠第一上配向区U_AA1的区域。由于第二液晶分子LC2基本上没有预倾斜并且第一液晶分子LC1被预倾斜，所以与第一液晶分子LC1在第一交叠区OVA1中被水平地配向的速度相比，第二液晶分子LC2在第一交叠区OVA1中被水平地配向的速度非常缓慢。此外，水平地配向在第二子方向D2上的第二液晶分子LC2的数目比水平地配向在第一子方向D1上的第一液晶分子LC1的数目少得多。

因此，当电场被施加到液晶层LCL时，液晶层LCL的光轴的方向可以基本上平行于第二交叠区OVA2中的第二子方向D2。类似地，当电场被施加到液晶层LCL时，液晶层LCL的光轴的方向可以基本上平行于第五交叠区OVA5中的第四子方向D4。

第一交叠区OVA1中的第一液晶分子LC1的水平配向方向可以与第二液晶分子LC2的水平配向方向基本上相同。因此，液晶层LCL的光轴的方向可以基本上平行于第一交叠区OVA1中的第一子方向D1。类似地，液晶层LCL的光轴的方向可以基本上平行于第三交叠区OVA3中的第二子方向D2，液晶层LCL的光轴的方向可以基本上平行于第四交叠区OVA4中的第三子方向D3，液晶层LCL的光轴的方向可以基本上平行于第六交叠区OVA6中的第四子方向D4。

下偏振片POL1具有第一透射轴PA1，上偏振片POL2具有第二透射轴PA2。第一透射轴PA1基本上垂直于第二透射轴PA2。例如，当第一透射轴PA1基本上平行于第二方向DR2时，第二透射轴PA2基本上平行于第一方向DR1。在图6E中，为了说明的方便起见，下和上偏振片POL1和POL2被示出为小于第一和第二配向层ALN1和ALN2。

参照图6A至6F，在示范性弯曲显示装置10的第一、第二、第三、第四、第五和第六交叠区OVA1、OVA2、OVA3、OVA4、OVA5和OVA6的每个中，液晶层LCL的光轴的方向不平行于下偏振片POL1的第一透射轴PA1的方向或上偏振片POL2的第二透射轴PA2的方向。因此，使用者USER可以觉察透射穿过第一、第二、第三、第四、第五和第六交叠区OVA1、OVA2、OVA3、OVA4、OVA5和OVA6的光。

图7A是示出根据比较示例的弯曲显示装置1000的透视图。图7B是示出包括在比较例的弯曲显示装置中的像素px和对应于该像素的第一和第二配向层aln1和aln2的透视图。图7C是当从图7B的方向DR5观看时示出第一配向层aln1的平面图。图7D是当从图7B的方向DR5观看时示出第二配向层aln2的平面图。图7E是示出当从图7B的第三方向观看时其中第一和第二配向层aln1和aln2彼此交叠的区域的平面图。

参照图7A至7E，比较示例的弯曲显示装置1000包括包含彼此聚合的反应性介晶的第一配向层aln1和包含彼此聚合的反应性介晶的第二配向层aln2。第一和第二配向层aln1和aln2可以包括相同的聚合的反应性介晶。因此，第一配向层aln1上的第一液晶分子被预倾斜，第二配向层aln2上的第二液晶分子被预倾斜。第一液晶分子的预倾斜角度可以与第二液晶分子的预倾斜角度基本上相同。

当电场被施加到液晶层lcl时，下配向区l_aa1、l_aa2、l_aa3和l_aa4上的第一液晶分子被水平地配向在与上配向区u_aa1、u_aa2、u_aa3和u_aa4上的第二液晶分子被水平地配向的方向相同的方向上。由于第一和第二液晶分子都被预倾斜，所以第一液晶分子被水平地配向的速度基本上类似于第二液晶分子被水平地配向的速度。

更具体地，当电场由于驱动电压被施加到液晶层lcl时，第一下配向区l_aa1上的第一液晶分子和第一上配向区u_aa1上的第二液晶分子被水平地配向在第一子方向D1上并基本上平行于第一子方向D1；第二下配向区l_aa2上的第一液晶分子和第二上配向区u_aa2上的第二液晶分子被水平地配向在第二子方向D2并基本上平行于第二子方向D2；第三下配向区l_aa3上的第一液晶分子和第三上配向区u_aa3上的第二液晶分子被水平地配向在第三子方向D3上并基本上平行于第三子方向D3；第四下配向区l_aa4上的第一液晶分子和第四上配向区u_aa4上的第二液晶分子被水平地配向在第四子方向D4上并基本上平行于第四子方向D4。

参照图7E，当在第三方向DR3上观看时，第一和第二配向层aln1和aln2包括交叠区ova1、ova2、ova3、ova4、ova5和ova6，在每个中第一配向层aln1交叠第二配向层aln2。交叠区ova1、ova2、ova3、ova4、ova5和ova6包括第一交叠区ova1、第二交叠区ova2、第三交叠区ova3、第四交叠区ova4、第五交叠区ova5和第六交叠区ova6。

在弯曲显示装置1000中，第一和第二液晶分子在第二交叠区ova2中被预倾斜。因此，第二交叠区ova2中的液晶层lcl的光轴的方向基本上平行于通过加和第一和第二子方向D1和D2获得的第八子方向D8。类似地，第五交叠区ova5中的液晶层lcl的光轴的方向基本上平行于通过加和第三和第四子方向D3和D4获得的第十子方向D10。

弯曲显示装置1000包括下偏振片pol1和上偏振片pol2。下偏振片pol1的第一透射轴pa1基本上垂直于上偏振片pol2的第二透射轴pa2。例如，当下偏振片pol1的第一透射轴pa1基本上平行于第二方向DR2时，上偏振片pol2的第二透射轴pa2基本上平行于第一方向DR1。第一方向DR1可以基本上平行于第八子方向D8或第十子方向D10。

因此，当驱动电压被施加并且电场形成在液晶层lcl中时，在第二和第五交叠区ova2和ova5的每个中，液晶层lcl的光轴的方向基本上平行于下偏振片pol1的第一透射轴pa1的方向或上偏振片pol2的第二透射轴pa2的方向。

当在第二和第五交叠区ova2和ova5的每个中下偏振片pol1的第一透射轴pa1的方向基本上平行于液晶层lcl的光轴的方向时，透射穿过下偏振片pol1的光在穿过第二和第五交叠区ova2和ova5之后被上偏振片pol2的第二透射轴pa2阻挡。

此外，当在第二和第五交叠区ova2和ova5的每个中上偏振片pol2的第二透射轴pa2的方向基本上平行于液晶层lcl的光轴的方向时，透射穿过下偏振片pol1的光不透射穿过第二和第五交叠区ova2和ova5。因此，使用者可以不觉察第二和第五交叠区ova2和ova5中的光。

也就是说，根据比较示例的弯曲显示装置1000，第一配向层的下配向区上的第一液晶分子和第二配向层的上配向区上的第二液晶分子被配向在相同的方向上，在第一和第二基板是弯曲的情况下使用者不觉察光。因而，其中黑暗区域被觉察的纹理缺陷在像素中发生。

然而，根据参照图6A至6F描述的示范性弯曲显示装置，第一液晶分子被预倾斜在第一预倾斜角度，但是第二液晶分子没有被预倾斜并具有不同于第一预倾斜角度的第二预倾斜角度。因此，即使当第一和第二基板是弯曲的时在根据本公开的示范性弯曲显示装置中不发生纹理缺陷。因而，可以改善根据本公开的示范性弯曲显示装置的显示品质。

此外，保留在弯曲显示装置中的未反应的剩余反应性介晶的量根据光引发剂的使用而被减少，因此由剩余反应性介晶所引起的缺陷被减少。此外，由于光引发剂增大反应性介晶的反应速度，所以形成配向层所需的工艺时间被缩短。

图8是示出根据本公开的制造弯曲显示装置的方法的示范性实施方式的流程图。

参照图8，为了制造弯曲显示装置，像素电极形成在第一基底基板上(S110)并且第一基底层形成在第一基底基板上(S120)。分别地，公共电极形成在第二基底基板上(S130)以及第二基底层形成在第二基底基板上(S140)。然后，液晶层形成在第一基底层和第二基底层之间(S150)。液晶层包括反应性介晶。然后，电场被施加到液晶层(S161)，基本上同时，在液晶层上进行第一曝光工艺(S162)以形成配向形成层(S160)。然后，在除去电场之后在液晶层上进行第二曝光工艺(S170)。

图9A、9B和9C是示出根据本公开的制造弯曲显示装置的示范性实施方式的方法的截面图。

参照图1A、1B、2至8、9A、9B和9C，像素电极PE提供在第一基底基板BS1上。

栅极图案形成在第一基底基板BS1上。栅极图案包括栅线GL和存储电极部分。栅极图案通过光刻工艺形成。栅绝缘层GI形成在栅极图案上。半导体图案SM形成在栅绝缘层GI上。半导体图案SM包括有源图案(未示出)和形成在有源图案上的欧姆接触层(未示出)。半导体图案SM利用光刻工艺形成。数据图案形成在半导体图案SM上。数据图案包括数据线DL、源电极SE和漏电极DE。数据图案通过光刻工艺形成。半导体图案SM和数据图案利用半掩模或衍射掩模形成。保护层PSV形成在数据图案上。保护层PSV包括限定在其中的接触孔CH，部分的漏电极DE通过接触孔CH暴露。保护层PSV利用光刻工艺形成。像素电极PE形成在保护层PSV上并通过接触孔CH连接到漏电极DE。像素电极PE利用光刻工艺形成。

然后，第一基底层PAL1形成在第一基底基板BS1上。第一基底层PAL1通过在第一基底基板BS1上涂覆第一配向溶液并加热第一配向溶液而形成。

第一配向溶液包括第一配向剂、光引发剂以及溶剂。第一配向剂被聚合以形成第一基底层PAL1，光引发剂引发反应性介晶的光致聚合。

配向剂包括聚合物的单体、其二聚物、低聚物以及混合物，其中该聚合物包括聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯等中的至少一种。

在示范性实施方式中，第一配向剂还可以包括添加剂。在示范性实施方式中，添加剂是抗氧化剂，用于防止液晶分子LC被氧化。

光引发剂包括苯甲基二甲基缩酮、α-羟基酮、苯甲酰甲酸甲酯、酰基膦氧化物、二茂钛、α-氨基酮、α-氨基苯乙酮、肟酯、二苯甲酮、苯基酮、α-二氯苯乙酮、α-氯噻吨酮以及安息香烷基醚等中的至少一种。

可在市场上买到的光引发剂可以被使用，诸如由BASF有限公司制造的

651、

127、

754、

819、

784、

907、

369、

379、

2959、

OXE01、

OXE02、

TPO。

在示范性实施方式中，每第一配向剂的100重量份数，光引发剂以约0.001重量份数至约2重量份数的量提供，或以约0.001重量份数至约1重量份数提供。光引发剂的量取决于所使用的光引发剂的类型以及引发光致反应的波长。例如，当光引发剂为

651时，光引发剂以约0.05重量份数的量提供；当光引发剂是

127时，光引发剂以约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

754时，光引发剂以约0.2重量份数的量提供；当光引发剂是

784时，光引发剂以约0.1重量份数的量提供；当光引发剂是

OXE01时，光引发剂以约0.01重量份数的量提供；当光引发剂是

OXE02时，光引发剂以约0.01重量份数的量提供；以及当光引发剂是

TPO时，光引发剂以约0.01重量份数的量提供。

溶剂不限于特定的材料，只要溶剂与第一配向剂和反应性介晶混合以形成配向溶液。在示范性实施方式中，溶剂可以包括γ-丁内酯、乙二醇丁醚和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种、或通过混合γ-丁内酯、乙二醇丁醚和N-甲基吡咯烷酮中的至少两种获得的混合物。

第一配向溶液通过加热而聚合，因此第一配向溶液被固化以形成第一基底层PAL1。由于第一配向溶液通过热固化工艺形成，所以至少部分的光引发剂不反应，使得至少部分的光引发剂保留在第一配向溶液中。

在下文，将详细地描述形成第二基板SUB2的方法。

滤色器CF形成在第二基底基板BS2上以表现颜色。公共电极CE形成在滤色器CF上。滤色器CF和公共电极CE利用光刻工艺形成，但是该工艺不限于此或者由此限制。

第二基底层PAL2形成在其上形成公共电极CE的第二基底基板BS2上。第二基底层PAL2通过在第二基底基板BS1上涂覆第二配向溶液并加热第二配向溶液而形成。

第二配向溶液包括第二配向剂和溶剂。第二配向溶液被聚合以形成第二基底层PAL2。第二配向溶液不包含第一配向溶液中包含的光引发剂。

溶剂不限于特定的材料只要溶剂与第二配向剂和反应性介晶混合以形成第二配向溶液。在本示范性实施方式中，溶剂可以是γ-丁内酯(γ-BL)、乙二醇丁醚(BCS)和N-甲基吡咯烷酮(NMP)中的至少一种、或通过混合γ-BL、BCS和NMP中的至少两种获得的混合物。

然后，如图9A所示，第一基板SUB1和第二基板SUB2设置为彼此面对并且液晶组合物提供在第一和第二基板SUB1和SUB2之间以形成液晶层LCL。

液晶层LCL包括具有介电各向异性的液晶分子LC和包括反应性介晶RM的液晶组合物，反应性介晶RM具有在预定波长的光吸收峰。

液晶分子LC具有负介电各向异性，但是不限于此或者由此限制。也就是说，液晶分子LC可以具有正介电各向异性。

这里使用的术语“反应性介晶RM”或“反应性介晶”指的是包括具有液晶特性的介晶基团的可光交联的低分子量或高分子量共聚物。适合的反应性介晶RM的示例是包括丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、氧杂环丁烷、乙烯基醚或苯乙烯的那些。此外，反应性介晶RM可以是具有条形结构、香蕉形结构、板形结构或圆盘形结构的材料。

聚合反应由光引发剂发起。例如，当光引发剂包含苯甲基二甲基缩酮基时，聚合反应通过施加具有约340nm的波长的光而发生。反应性介晶RM的聚合反应由光引发剂的聚合反应引发，从而引起链式反应。当光引发剂仅存在于例如第一基板的一侧部分中时，在所述一侧部分中的反应性介晶RM的聚合反应比其中不存在光引发剂的另一侧部分中的反应性介晶RM的聚合反应快得多。因此，当光引发剂仅被提供到第一基底层PAL1时，第一配向形成层PTL1可以仅形成在第一基底基板BS1上。

在示范性实施方式中，反应性介晶RM不限于特定的反应性介晶，只要反应性介晶RM的聚合反应在预定波长由光引发剂引发。反应性介晶RM从具有由以下的化学式3表示的结构的化合物选出。

化学式3

P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2

在以上化学式3中，“P1”表示引起聚合反应的包含两个至六个反应基团的末端基团。P1反应基团可以是丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或苯乙烯基。“P2”独立于“P1”提供，并表示包含引起聚合反应的两个至六个反应基团的末端基团。P2反应基团可以是丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或苯乙烯基。“Sp1”、“Sp2”、“Sp3”和“Sp4”独立地是单键或包括-CH₂-、-COO-、-CO-CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH₂OCH₂-和-CH₂O-中的至少一个的间隔基团。“A1”和“A3”独立地是单键、环己基、苯基、苯硫基以及多环芳族基团。“A2”是环己基、苯基、苯硫基以及多环芳烃基。在化学式3中，“m”为1至4。

图10是示出液晶层中的反应性介晶含量作为第一曝光能量的函数的图形，对于光引发剂存在或不存在的情形。在图10中，第一样品表示其中没有光引发剂被包括在第一和第二基底层中的情形，第二样品表示其中光引发剂仅包括在第一配向层中的情形，第三样品表示其中不同于第一样品配向层中包括的光引发剂的光引发剂被包括在第一配向层中的情形。

参照图10，包括在液晶层中的反应性介晶遵循曝光量被聚合，因此反应性介晶的百分比在液晶层中被减少。然而，不包括光引发剂的第一样品中的反应性介晶含量的减少小于包括光引发剂的第二和第三样品中观察的反应性介晶含量的减少。这意味着，与当光引发剂没有包括在液晶层中时的反应性介晶的反应速度相比，在光引发剂被包括在液晶层中时反应性介晶的反应速度快得多。

以下的表1表示当光引发剂存在于第一配向层中时由于第一曝光引起的液晶层中的反应性介晶的含量的减少。在下面的表1中，使用各种光引发剂，但是光引发剂的种类和其他的要素保持不变。如以下的表1所示，当光引发剂存在于液晶层中时，随着曝光能量的量增大，反应性介晶的含量在液晶层中强烈地减小。

表1

参照图10和表1，由于光引发剂仅被包括在第一基底层中，所以第一基底层中的反应性介晶的聚合反应速度比第二基底层中的反应速度快得多。因此，反应性介晶的聚合反应主要地发生在第一基底层和液晶层之间，第二基底层和液晶层之间的反应性介晶的聚合反应的发生比发生在第一基底层和液晶层之间的相对少。因此，配向形成层基本上没有形成在第二基底层上，液晶分子的配向没有被影响尽管配向形成层形成在第二基底层上。

参照图9B，电场被施加到液晶组合物。电场通过分别施加电压到像素电极PE和公共电极CE而形成。然后，第一光L1被照射到液晶层LCL上以在电场被同时施加到液晶组合物时对液晶层LCL进行第一曝光。

第一光L1具有比第二光L2长的波长(参照图9C)。第一光L1可以是，但是不限于，具有约10nm至约400nm的波长的紫外光。根据另一个实施方式，第一光L1可以具有约220nm至约350nm的波长，对应于反应性介晶RM的最大吸收波长。第一光L1可以是偏振或非偏振的。

在示范性实施方式中，第一光L1以约0.1焦耳每平方厘米(J/cm²)至约50J/cm²的施加(曝光)能量照射在液晶组合物上约30秒至约300秒的时间周期。然而，施加能量和时间周期取决于反应性介晶RM的类型而改变。

当第一光L1照射到液晶层LCL时，第一配向形成层PTL1(见图9C)形成在第一基底层PAL1上，但是不形成在第二基底层PAL2上。由于反应性介晶RM的聚合反应由光引发剂引发并且由于光引发剂仅从第一基底层PAL1提供，所以反应性介晶RM的聚合反应主要地发生在第一基底层PAL1和液晶层LCL之间，而不发生在第二基底层PAL2和液晶层LCL之间。

更详细地，当电场被施加到液晶分子LC时，反应性介晶RM被配向在与设置在反应性介晶RM附近的液晶分子LC相同的方向上。然后，当提供第一光L1时，光引发剂的反应发生在反应性介晶RM的聚合反应作为链式反应发生之前。因而，反应性介晶RM通过第一光L1而彼此聚合，由反应性介晶RM形成网状结构。反应性介晶RM与相邻的反应性介晶偶联(交联)以形成侧链。在这些条件下，由于反应性介晶RM在液晶分子LC被配向之后形成网状结构，所以反应性介晶RM具有在液晶分子LC的平均配向方向上的特定的方向性。因此，尽管电场消失，但是设置在网状结构附近的液晶分子LC具有预倾斜角度。

参照图9C，在电场已经除去(消失)之后，具有比第一光L1短的波长的第二光L2照射在液晶组合物上以对液晶组合物进行第二曝光。

第二光L2可以是(但是不限于)紫外光并具有约10nm至约400nm的波长。根据另一个实施方式，第二光L2可以具有约220nm至约350nm的波长。第二光L2可以是偏振或非偏振的。

在示范性实施方式中，第二光L2具有约0.05毫瓦每平方厘米(mW/cm²)至约0.6mW/cm²的亮度并照射在液晶组合物上约10分钟至约90分钟的时间周期。然而，该亮度和时间周期取决于使用的反应性介晶RM的类型而改变。当第二光L2在第二曝光周期的过程中照射在第一配向形成层PTL1上时，没有预先地反应的第一配向形成层PTL1的位置被完全地反应，因此第一配向形成层PTL1变得稳定。

因此，包括第一配向形成层PTL1的弯曲显示装置可以通过以上方法制造。

在本示范性实施方式中，弯曲显示装置的制造方法还可以包括在已经完成第二光的曝光之后允许第一和第二基板在一个方向上被弯曲。根据另一个示范性实施方式，弯曲显示装置的制造方法还可以包括在形成第一和第二基底层之前允许第一和第二基板被弯曲。

示例

实施方式示例1

制备第一基底基板，第一基底层利用包含光引发剂的第一配向溶液形成在第一基底基板上。制备第二基底基板，第二基底层利用不包含光引发剂的第二配向溶液形成在第二基底基板上。包含反应性介晶的液晶组合物提供在第一和第二基底基板之间并且光和电场被同时施加到液晶组合物以便形成包括第一大尺寸突出物的第一配向层和包括第二大尺寸突出物的第二配向层。弯曲显示装置通过以上工艺制造。实施方式示例1中的第一配向层的两个样品被收集(分别命名为样品#_1和样品#_2)，实施方式示例1中的第二配向层的两个样品也被收集(命名为样品#_3和样品#_4)。

比较示例1

弯曲显示装置通过与对于实施方式示例1描述的那些相同的工艺制造，除了光引发剂在形成第一基底层时没有被使用。比较示例1中的第一配向层的两个样品被收集(分别命名为样品#_5和样品#_6)，比较示例1中的第二配向层的两个样品也被收集(命名为样品#_7和样品#_8)。

1.实施方式示例1和比较示例1的测量

1)AFM测量

实施方式示例1的样品#_1、#_2、#_3和#_4的AFM图像和比较示例1的样品#_5、#_6、#_7和#_8的图像通过利用AFM(原子力显微镜)STA-500测量。测量的AFM图像在图11中示出。

2)大尺寸突出物的分布的测量

①每个在直径上具有等于或大于约30nm的颗粒尺寸的大尺寸突出物的分布的测量

基于测量的AFM图像，其中每个在直径上具有等于或大于约30nm的颗粒尺寸的第一大尺寸突出物分布的区域在实施方式示例1的样品#_1和#_2以及比较示例1的样品#_5和#_6中测量。其中每个具有等于或大于约30nm的颗粒尺寸的第二大尺寸突出物分布的区域在实施方式示例1的样品#_3和#_4以及比较示例1的样品#_7和#_8中测量。结果在图12中示出。在图12中，其中第一大尺寸突出物或第二大尺寸突出物分布的区域由灰色颜色表示。其中没有第一大尺寸突出物或第二大尺寸突出物的区域由黑色颜色表示。

②每个在直径上具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸的大尺寸突出物的分布的测量

基于测量的AFM图像，其中每个在直径上具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸的第一大尺寸突出物分布的区域在实施方式示例1的样品#_1和#_2以及比较示例1的样品#_5和#_6中测量。其中每个在直径上具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸的第二大尺寸突出物分布的区域在实施方式示例1的样品#_3和#_4以及比较示例1的样品#_7和#_8中测量。测量结果在图13中示出。其中第一大尺寸突出物或第二大尺寸突出物分布的区域由灰色颜色表示。其中第一大尺寸突出物或第二大尺寸突出物没有分布的区域由黑色颜色表示。

2.实施方式示例1和比较示例1的测量结果

1)第二大尺寸突出物和第一大尺寸突出物的AFM分析

参照图11，比较示例1的样品#_5和#_6中的第一大尺寸突出物的形状、数目和分布类似于比较示例1的样品#_7和#_8中的第二大尺寸突出物的形状、数目和分布。然而，实施方式示例1的样品#_1和#_2中的第一大尺寸突出物的数目比实施方式示例1的样品#_3和#_4中的第二大尺寸突出物的数目高得多。

2)第二大尺寸突出物和第一大尺寸突出物的分布的分析

①每个在直径上具有等于或大于约30nm的颗粒尺寸的大尺寸突出物的分布的分析

表2示出其中每个具有等于或大于约30nm的第二大尺寸突出物在测量的AFM图像中分布的区域的大小以及其中每个具有等于或大于约30nm的颗粒尺寸的第一大尺寸突出物在测量的AFM图像中分布的区域的大小。在每个AFM图像中，其中第一大尺寸突出物分布的区域的大小和其中第一大尺寸突出物没有分布的区域的大小之和为约1.0×10⁶nm²。此外，在每个AFM图像中，其中第二大尺寸突出物分布的区域的大小和其中第二大尺寸突出物没有分布的区域的大小之和为约1.0×10⁶nm²。

表2

参照表2和图12，在实施方式示例1中第二大尺寸突出物的分布区域的大小小于第一大尺寸突出物的分布区域的大小。此外，在实施方式示例1中，第二大尺寸突出物的分布区域的大小小于其中没有分布第二大尺寸突出物的区域的大小，第一大尺寸突出物的分布区域的大小小于其中没有分布第一大尺寸突出物的区域的大小。

在实施方式示例1，通过第二大尺寸突出物的分布区域的大小除以第一大尺寸突出物的分布区域的大小获得的值表示43/100、32/100、3/4和57/100。

在实施方式示例1，通过第二大尺寸突出物的分布区域的大小除以其中第二大尺寸突出物没有分布的区域的大小获得的值表示1/5、17/100、35/100和3/10。

然而，在比较示例1中，第一大尺寸突出物的分布区域的大小小于第二大尺寸突出物的分布区域的大小。此外，在比较示例1中，第二大尺寸突出物的分布区域的大小大于其中没有分布第二大尺寸突出物的区域的大小，第一大尺寸突出物的分布区域的大小小于或大于其中没有分布第一大尺寸突出物的区域的大小。

②每个在直径上具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸的大尺寸突出物的分布的分析

以下的表3示出其中每个具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸的第二大尺寸突出物在测量的AFM图像中分布的区域的大小以及其中每个具有等于或大于约50nm的颗粒尺寸的第一大尺寸突出物在测量的AFM图像中分布的区域的大小。在每个AFM图像中，其中第一大尺寸突出物分布的区域的大小和其中没有分布第一大尺寸突出物的区域的大小之和为约1.0×10⁶nm²。此外，在每个AFM图像中，其中分布第二大尺寸突出物的区域的大小和其中没有分布第二大尺寸突出物的区域的大小之和为约1.0×10⁶nm²。

表3

参照表3和图13，在实施方式示例1中第二大尺寸突出物的分布区域的大小小于第一大尺寸突出物的分布区域的大小。

在实施方式示例1，通过第二大尺寸突出物的分布区域的大小除以第一大尺寸突出物的分布区域的大小获得的值表示42/100和32/100。

在实施方式示例1，通过第二大尺寸突出物的分布区域的大小除以其中没有分布第二大尺寸突出物的区域的大小获得的值表示24/1000。

然而，在比较示例1中，第二大尺寸突出物的分布区域的大小大于第一大尺寸突出物的分布区域的大小，并且第二大尺寸突出物的分布区域的大小为其中没有分布第二大尺寸突出物的区域的大小的约3/10或4/10。

虽然已经描述了本发明的示范性实施方式，但是将理解，本发明不应被限于这些示范性实施方式，而是本领域普通技术人员能够在本发明的精神和范围内进行各种改变和变型，本发明的范围在权利要求中限定。

本申请要求于2014年6月30日提交的韩国专利申请10-2014-0080921以及于2015年5月4日提交的韩国专利申请No.10-2015-0062685的优先权，其内容通过引用整体结合于此。

Claims

1.一种弯曲显示装置，包括：

第一基底基板；

第二基底基板，面对所述第一基底基板；

像素电极，设置在所述第一基底基板上；

公共电极，设置在所述第一基底基板或所述第二基底基板上；

第一基底层，设置在所述第一基底基板上；

第一配向形成层，仅设置在所述第一基底层上并包括反应性介晶；

第二基底层，设置在所述第二基底基板上；

第二配向形成层，设置在所述第二基底层上并包括反应性介晶，其中设置在所述第一配向形成层附近的液晶分子具有与设置在所述第二配向形成层附近的液晶分子的预倾斜角不同的预倾斜角；以及

液晶层，设置在所述第一配向形成层和所述第二配向形成层之间并包括液晶分子。

2.如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中所述反应性介晶包括丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、氧杂环丁烷、乙烯基醚以及苯乙烯中的至少一种。

3.如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中所述第一配向形成层还包括键合到所述反应性介晶的光引发剂及其衍生物。

4.如权利要求3所述的弯曲显示装置，其中所述光引发剂以及该光引发剂的衍生物的每个包括苯甲基二甲基缩酮、α-羟基酮、苯甲酰甲酸甲酯、酰基膦氧化物、二茂钛、α-氨基酮、α-氨基苯乙酮、肟酯、二苯甲酮、苯基酮、α-二氯苯乙酮、α-氯噻吨酮、安息香烷基醚以及其衍生物中的至少一种。

5.如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中所述像素电极设置在所述第一基底基板上，所述公共电极设置在所述第二基底基板上，所述像素电极包括主干部分以及从所述主干部分突出并从所述主干部分延伸的多个分支部分。

6.如权利要求5所述的弯曲显示装置，其中所述第一基底基板包括多个像素区，每个像素区包括多个域，所述分支部分取决于所述域在不同方向上延伸。

7.如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中设置在所述第一配向形成层附近的液晶分子的预倾斜角为80度至90度，设置在所述第二配向形成层附近的液晶分子的预倾斜角为88度至90度。

8.如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中所述第一基底基板和所述第二基底基板中的每个是弯曲的。

9.一种弯曲显示装置，包括：

弯曲的第一基底基板；

第一配向层，包括设置在所述弯曲的第一基底基板上的第一基底层以及设置在所述第一基底层上的多个第一突出物；

弯曲的第二基底基板，面对所述弯曲的第一基底基板；以及

第二配向层，包括设置在所述弯曲的第二基底基板上的第二基底层以及设置在所述第二基底层上的多个第二突出物，

其中所述第一突出物包括第一大尺寸突出物，每个第一大尺寸突出物在直径上具有等于或大于30nm并且等于或小于1000nm的颗粒尺寸，其中所述第二突出物包括第二大尺寸突出物，每个第二大尺寸突出物在直径上具有等于或大于30nm并且等于或小于1000nm的颗粒尺寸，

其中所述第一基底层包括交叠所述第一大尺寸突出物的第一交叠区和不交叠所述第一大尺寸突出物的第一非交叠区，

其中所述第二基底层包括交叠所述第二大尺寸突出物的第二交叠区和不交叠所述第二大尺寸突出物的第二非交叠区，

其中所述第一和第二交叠区满足公式1，

公式1：

0<所述第二交叠区的面积/所述第一交叠区的面积≤4/5。

10.如权利要求9所述的弯曲显示装置，其中所述第二大尺寸突出物的数目小于所述第一大尺寸突出物的数目。

11.如权利要求9所述的弯曲显示装置，其中所述第二交叠区的面积小于所述第二非交叠区的面积。

12.如权利要求9所述的弯曲显示装置，其中所述第二交叠区和所述第二非交叠区满足公式2，

公式2：

0<所述第二交叠区的面积/所述第二非交叠区的面积≤5/10。

13.如权利要求9所述的弯曲显示装置，其中所述第一交叠区的面积等于或大于3.0×10⁵nm²并且等于或小于1.0×10⁶nm²，所述第一基底层的表面的单位面积为1.0×10⁶nm²。

14.如权利要求9所述的弯曲显示装置，其中所述第二交叠区的面积大于0nm²并等于或小于3.5×10⁵nm²，所述第二基底层的表面的单位面积为1.0×10⁶nm²。