CN105274471B - 掩模框架组件和制造方法及有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于薄膜沉积的掩模框架组件、用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法和有机发光显示装置的制造方法。本发明包括框架、掩模和第一固定部件，其中，所述框架具有开口部和支承部，所述掩模包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，所述第一固定部件注入到所述掩模中以贯穿所述掩模并且与所述框架和所述掩模进行固定而将所述掩模固定至所述框架。

Description

掩模框架组件和制造方法及有机发光显示装置的制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及用于薄膜沉积的掩模框架组件、用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法以及有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
通常，作为有源发光型显示元件，作为平坦式显示器之一的有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度优异的优点，而且还具有能够通过低电压驱动、呈轻量的扁平状并且响应速度快的优点，由此作为次世代显示元件而备受瞩目。
这种发光元件根据形成发光层的物质划分为无机发光元件和有机发光元件，并且相比于无机发光元件，有机发光元件具有亮度、响应速度等特性优秀、能够以彩色显示等的优点，因此最近在广泛进行着对其的开发。
有机发光显示装置通过真空沉积法形成有机膜和/或电极。然而，随着有机发光显示装置逐渐被高分辨率化，沉积工艺时所用的掩模的开放式狭缝(open slit)的宽度逐渐变窄并且其散布也需要被进一步减小。
此外，为了制造高分辨率有机发光显示装置，需要减少或去除阴影现象(shadoweffect)。为此，目前在衬底与掩模紧贴的状态下进行沉积工艺，并且正在兴起用于改善衬底与掩模的附接度的技术的开发。
上述的背景技术是发明人为得出本发明而拥有的技术信息或者在得出本发明的过程中习得的技术信息，并不一定是在本发明的申请前已公开于一般公众的公知技术。
发明内容
本发明的实施方式提供了用于薄膜沉积的掩模框架组件、用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法以及有机发光显示装置的制造方法。
根据本发明的一方面，提供了用于薄膜沉积的掩模框架组件，该用于薄膜沉积的掩模框架组件包括框架、掩模和第一固定部件，其中，所述框架具有开口部和支承部，所述掩模包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，所述第一固定部件被注入到所述掩模以贯穿所述掩模并且与所述框架和所述掩模进行固定而将所述掩模固定至所述框架。
此外，所述第一固定部件可以通过电铸镀层法和非电解镀层法中的至少一种方法被注入到所述掩模。
此外，所述第一固定部件可以包括铁、镍、铜、锡、金、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar alloy)、因康镍合金(Inconel alloy)、可伐合金(Kovar alloy)、铁合金、镍合金中的至少一种。
此外，可以在所述框架的所述支承部形成有第一槽，可以在所述掩模上与所述第一槽对应的位置处形成有第一孔，所述第一固定部件可以被注入到所述第一槽和所述第一孔。
此外，所述第一槽所形成的内部空间的大小可以被形成为不同于所述第一孔所形成的内部空间的大小，以使所述第一固定部件注入到所述第一槽的内部空间中的一部分与所述掩模的底面的一部分接触，或者使所述第一固定部件注入到所述第一孔的内部空间中的一部分与所述支承部的顶面的一部分接触。
此外，所述第一槽和所述第一孔中的至少一个可以被形成为锥形。
此外，所述第一孔可以具有注入部和连接部，其中，所述注入部供所述第一固定部件注入，所述连接部被形成为从所述注入部延伸并且供所述第一固定部件移动至所述第一槽。
此外，所述注入部的半径可以被形成为比所述连接部的半径大。
此外，所述框架可以具有与所述第一槽相隔而成的第二槽，所述掩模可以在与所述第二槽对应的位置处具有与所述第一孔相隔而成的第二孔，并且所述用于薄膜沉积的掩模框架组件还可以包括注入到所述第二槽和所述第二孔的第二固定部件。
此外，所述掩模可以被形成为棒形态。
根据本发明的另一方面，提供了用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，包括将第一槽形成在框架的支承部并且将第一孔形成在掩模的边缘部与所述第一槽对应的位置处的步骤、对准所述第一槽与所述第一孔的步骤、以及将第一固定部件注入到所述第一孔并且使所述第一固定部件填充至所述第一槽以固定所述框架与所述掩模的步骤。
此外，所述第一固定部件可以通过电铸镀层法和非电解镀层法中的至少一种方法被注入。
此外，所述第一固定部件可以在100摄氏度以下的温度下被注入。
此外，所述第一固定部件可以包括铁、镍、铜、锡、金、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar alloy)、因康镍合金(Inconel alloy)、可伐合金(Kovar alloy)、铁合金、镍合金中的至少一种。
此外，所述第一槽所形成的内部空间的大小可以被形成为不同于所述第一孔所形成的内部空间的大小，以使所述第一固定部件注入到所述第一槽的内部空间中的一部分与所述掩模的底面的一部分接触，或者使所述第一固定部件注入到所述第一孔的内部空间中的一部分与所述支承部的顶面的一部分接触。
此外，所述第一槽和所述第一孔中的至少一个可以被形成为锥形。
此外，所述第一孔可以具有注入部和连接部，其中，所述注入部供所述第一固定部件注入，所述连接部被形成为从所述注入部延伸并且供所述第一固定部件移动至所述第一槽。
此外，所述注入部的半径可以被形成为比所述连接部的半径大。
根据本发明的又一方面，提供了有机发光显示装置的制造方法，其涉及包括在衬底上彼此相对的第一电极和第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的有机膜的有机发光显示装置的制造方法，其中通过用于薄膜沉积的掩模框架组件沉积并形成所述有机膜或所述第二电极。
通过下面的附图、权利要求的范围和发明的详细说明，除了上述以外的其他侧面、特征和优点也将变得明确。
根据本发明的实施方式，用于薄膜沉积的掩模框架组件、用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法以及有机发光显示装置的制造方法通过最小化衬底与掩模之间的间隔并且减小掩模的热变形可以精密地将有机发光元件形成在衬底上。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施方式的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解立体图。
图2是示出图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件的剖视图。
图3a至图3e是示出图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件的变型例的局部剖视图。
图4是示出根据本发明的另一实施方式的用于薄膜沉积的掩模框架组件的局部剖视图。
图5是设置有图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件的沉积装置的剖视图。
图6是示出使用图5所示的沉积装置制造的有机发光显示装置的视图。
图7是示出图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法的方框图。
具体实施方式
本发明可以实施多种变型并且可以具有多种实施方式，并且旨在附图中示出特定实施方式并对其进行详细说明。通过参照结合附图详细说明的实施方式，本发明的效果和特征以及实现其的方法将变得明确。然而，本发明并不限于下面所公开的实施方式，而是可以多种形态实现。在下面的实施方式中，“第一”、“第二”等的措辞并不具有限定的含义，而是以将一个构成要素与其他构成要素区分开的目的使用。此外，除非文中另有明确指示，否则单数的表述包括复数的表述。此外，“包括”或“具有”等的措辞是指说明书中所述记载的特征或构成要素的存在，而不是提前排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。
此外，为了说明的便利，附图中构成要素的大小可以被夸大或被缩小。例如，为了说明的便利，附图中所示的各构件的大小和厚度被任意示出，因此本发明并不一定限定于图中所示。此外，当能够以不同的方式实现某些实施方式时，特定的工艺可以按照与所说明的顺序不同的顺序执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，也可以按照与所说明的顺序相反的顺序进行。
下面，将参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，并且在参照附图进行说明时，将对相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复描述。
图1是示出根据本发明的实施方式的用于薄膜沉积的掩模框架组件100的分解立体图，图2是示出图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件100的剖视图。
参照图1和图2，用于薄膜沉积的掩模框架组件100可以包括框架10和掩模20。
框架10可以与掩模20结合以支承掩模20。框架10可以包括开口部10a和支承部10b，其中，开口部10a可供沉积物质通过，支承部10b形成在开口部10a的外侧。框架10可由金属或合成树脂等制成，并且可以形成为矩形形状并具有一个以上的开口部10a，但是实施的思想并不限于此，而是可以形成为圆形或六边形等多种形态。
支承部10b是与掩模20的边缘部20b接触的部分。支承部10b可以具有第一槽12。第一槽12可形成为多个。第一槽12的截面不限定于特定形状，而是可以形成为多边形、圆形或椭圆形。然而，为了说明的便利，下文中将以形成为圆形的情况作为重点进行说明。
掩模20可以具有沉积区域20a和形成于沉积区域20a的外侧的边缘部20b。沉积区域20a可以具有沉积用图案部21。沉积区域20a可以被布置成与框架10的开口部10a对应，以使得通过开口部10a的沉积物质通过沉积用图案部21被沉积到衬底上。
附图中示出了沉积用图案部21包括形成有多个狭缝的掩模图案。然而，本领域的技术人员应明确，本发明并不限于此，而是能够实施多种变型例。即，沉积用图案部21可以包括维持整面被开放的状态的掩模图案、或者可以包括点状的掩模图案。图1所示的沉积用图案部21的数量、布置位置和形状只是一个示例，本发明并不限于此。掩模20可由一个大型部件形成并结合至框架10。此外，掩模20可以由多个棒状掩模形成以分散其自身重量。
掩模20可以在边缘部20b中形成贯穿掩模20的孔。边缘部20b可以在与第一槽12对应的位置处形成第一孔22。第一孔22可以被形成为多个。第一孔22在与掩模20平行的方向上的截面并不限于特定形状，而是可以被形成为多边形、圆形或椭圆形。然而，为了说明的便利，下文中将以第一孔22的截面被形成为圆形的情况作为重点进行说明。
第一固定部件30可以被注入到掩模20中以贯穿掩模20并且与框架10和掩模20固定而将掩模20固定至框架10。即，第一固定部件30可以被注入到第一槽12和第一孔22中以将掩模20固定至框架10。
第一固定部件30可以包括铁、镍、铜、锡、金、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invaralloy)、因康镍合金(Inconel alloy)、可伐合金(Kovar alloy)、铁合金、镍合金、镍磷合金(NI-P)、镍-磷-聚四氟乙烯(Nickel-Phosphorous-Polytetrafluoroethylene，NI-P-PTFE)合金中的至少一种。
第一固定部件30可以通过电铸镀层法(electroforming)和非电解镀层法(electroless planing)中的至少一种方法被注入到掩模20和框架10中。通过将第一固定部件30注入到第一槽12和第一孔22中，可以在框架10和掩模20无变形的情况下将框架10固定至掩模20。通常，电铸镀层法是在70摄氏度以下进行工艺，非电解镀层法是在100摄氏度以下进行工艺。
图3a至图3e是示出图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件的变型例的局部剖视图。
通过分析图3a至图3e，可以对用于薄膜沉积的掩模框架组件的变型例进行分析。当与根据本发明的实施方式的用于薄膜沉积的掩模框架组件100比较时，用于薄膜沉积的掩模框架组件的变型例的特征在于形成于框架10的第一槽的形状和形成于掩模20的第一孔的形状。因此，为了说明的便利，下文中将以第一槽和第一孔作为重点进行说明。
参照图3a，第一槽12a所形成的内部空间的大小可以被形成为与第一孔22a所形成的内部空间的大小不同。即，第一槽12a的半径可以被形成为比第一孔22a的半径大，而使得第一槽12a所形成的内部空间的大小被形成为大于第一孔22a所形成的内部空间的大小。
当第一固定部件30被注入到第一槽12a和第一孔22a中时，框架10与掩模20的接合力可以被增强。第一固定部件30的注入到第一槽12a的内部空间中的一部分可以与掩模20的底面的一部分接触。即，可以通过增加第一固定部件30与掩模20的接触面积而增强接合力。
参照图3b，第一槽12b可以被形成为锥形。第一槽12b的半径可以沿着框架10的高度方向变化。通过第一孔22b注入的第一固定部件30可以沿着第一槽12b的锥形面移动。即，第一槽12b的锥形面可以引导第一固定部件30的流动而使得第一固定部件30被均匀分布。
参照图3c，第一孔22c可以被形成为阶梯状。第一孔22c可以被划分为注入部23c和连接部24c。注入部23c供第一固定部件30流入。连接部24c被形成为从注入部23c延伸，并且形成供第一固定部件30移动至第一槽12c中的通路。
注入部23c的半径可以被形成为比连接部24c的半径大。为了改善掩模20与衬底的接触性，第一固定部件30不应被形成为凸出并高出掩模20的表面。为此，重要的是在调节第一固定部件30的注入速率的同时注入第一固定部件30。
当注入部23c的半径被形成为比连接部24c的半径大时，在注入部23c中填充第一固定部件30的速率比在连接部24c中填充第一固定部件30的速率慢。具体地，当第一固定部件30以一定速率被注入时，因为注入部23c的内部空间比连接部24c的内部空间大，所以在注入部23c中沿着侧面填充第一固定部件30的速率比在连接部24c中沿着侧面填充第一固定部件30的速率慢。因此，作业人可以在调节第一固定部件30的量的同时容易使框架10与掩模20结合。
参照图3d，掩模20的第一孔22d包括注入部23d和具有比注入部23d的半径小的半径的连接部24d，因此如上述分析，可以容易控制第一固定部件30的量。此外，框架10的第一槽12d被形成为其半径比注入部23d的半径大，因此如上述分析，可以通过增加第一固定部件30与掩模20的接触面积而增加接合力。
参照图3e，第一槽12e和第一孔22e中的至少一个的至少一部分可以被形成为锥形。通过第一槽12e注入的第一固定部件30可以沿着第一槽12e的锥形面移动。即，第一槽12e的锥形面可以引导第一固定部件30的流动而使得第一固定部件30被均匀分布。
此外，如图所示，第一孔22e包括形成为锥形的注入部23e和半径基本等于注入部23e的较小半径的连接部24e。通过第一孔22e注入的第一固定部件30可以沿着第一孔22e的注入部23e的锥形面移动。第一孔22e的注入部23e的锥形面可以引导第一固定部件30的流动而使其流入到第一孔22e的连接部24e和第一槽12e中。
图4是示出根据本发明的另一实施方式的用于薄膜沉积的掩模框架组件的局部剖视图。
通过分析图4，可以对根据本发明的另一实施方式的用于薄膜沉积的掩模框架组件进行分析。然而，当与根据本发明实施方式的用于薄膜沉积的掩模框架组件100比较时，用于薄膜沉积的掩模框架组件的特征在于第一固定部件230和第二固定部件240的布置。因此，为了说明的便利，下文中将以形成于框架210的第一槽212和第二槽213以及形成于掩模220的第一孔222和第二孔223作为重点进行说明。
框架210可以具有成多列的槽。槽所形成的列的数量并不限于特定数量，然而为了说明的便利，将以形成有两列槽的框架作为重点进行说明。框架210可以具有形成为与第一槽212相隔的第二槽213。
掩模220可以在与框架210的多个槽对应的位置处形成有多个孔。掩模220可以在与第二槽213对应的位置处具有形成为与第一孔222相隔的第二孔223。
第二固定部件240可以被注入到第二槽213和第二孔223中以被固定至框架210和掩模220而将掩模220固定至框架210。第二固定部件240可以与第一固定部件230同时注入、或者可以单独注入。
图4中的第一孔222和第一槽212可以与图2中所形成的第一孔22和第一槽12相同或相似地形成。然而，第一孔222和第一槽212并不限于此，并且可以与图3a至图3e中的任一个图中所形成的第一孔和第一槽相同或相似地形成。
图4中的第二孔223和第二槽213可以与图2中所形成的第一孔22和第一槽12相同或相似地形成。然而，第二孔223和第二槽213并不限于此，并且可以与图3a至图3e中的任一个图中所形成的第一孔和第一槽相同或相似地形成。
图5是示出设置有图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件100的沉积装置的剖视图。
通过分析图5，沉积装置包括腔室700、沉积源500、用于薄膜沉积的掩模框架组件100、磁铁400等，其中，腔室700形成有用于衬底300的沉积作业空间，沉积源500设置于该腔室700内，用于薄膜沉积的掩模框架组件100布置于衬底300的沉积源500相对面，磁铁400通过磁力拉动用于薄膜沉积的掩模框架组件100以将其附接至衬底300。附图标记600表示施压板，施压板在使磁铁400的磁力作用之前首先通过自身重力按压衬底300以减小用于薄膜沉积的掩模框架组件100与衬底300间的间隙。
为了制造高分辨率的有机发光显示装置，重要的是减少或消除沉积工艺时所发生的阴影现象(shadow effect)。这是通过最小化彼此接触的衬底300与掩模20之间的间隔以使掩模20不从衬底300翘起。即，衬底300与掩模20之间的附接度应被改善。
以往，掩模使用焊接方法被固定至框架。焊接毛刺(welding burr)因焊接工艺而形成于掩模上，由此导致衬底与掩模之间形成有与焊接毛刺高度相当的间隔，从而引发了阴影现象。此外，焊接毛刺与衬底接触而成为了出现衬底划痕等的不良的原因。此外，可能因在焊接工艺时所产生的焊接碎片流入掩模内部而导致发生掩模的不良、或者可能因在被加热的掩模的焊接部分形成内部应力而导致掩模上的图案部的位置被改变。即，焊接毛刺在沉积工艺时导致有机物的沉积位置被改变，由此减小了像素定位精度(Pixel PositionAccuracy，PPA)。
用于薄膜沉积的掩模框架组件100可以通过电铸镀层法或非电解镀层法将第一固定部件30与框架10和掩模20进行固定而将掩模20固定至框架10。因为第一固定部件不从掩模20的表面凸出，所以可以改善掩模20与衬底300的附接性，从而可以最小化沉积工艺时的阴影现象。
此外，用于薄膜沉积的掩模框架组件100可以使用电铸镀层法或非电解镀层法制造掩模20的热变形或内部应力的形成被最小化的用于薄膜沉积的掩模。通常，电铸镀层法和非电解镀层法与焊接工艺相比在相对较低的温度下进行工艺，所以可以最小化掩模的热变形和内部应力的形成，从而最小化掩模图案部的变形。
此外，用于薄膜沉积的掩模框架组件100设置有多边形状的孔和槽，因此固定部件可以牢固地固定框架和掩模。
图6是示出使用图5所示的沉积装置制造的有机发光显示装置的视图。
参照图5和图6，对通过用于薄膜沉积的掩模框架组件100形成沉积的有机发光显示装置分析如下。
缓冲层330被形成在衬底320上，TFT被设置于缓冲层330上部。TFT具有半导体有源层331、形成为覆盖该有源层331的栅极绝缘膜332、和栅极绝缘膜332上部的栅电极333。层间绝缘膜334被形成为覆盖栅电极333，源电极和漏电极335被形成在层间绝缘膜334的上部。
源电极和漏电极335通过形成于栅极绝缘膜332和层间绝缘膜334的接触孔分别与有源层331的源区和漏区接触。
此外，作为有机发光元件OLED的阳极电极的第一电极层321被连接至源电极和漏电极335。第一电极层321被形成在平坦化膜337上部，像素限定膜(Pixel defining layer)338被形成为覆盖第一电极层321。此外，在一定的开口部被形成于该像素限定膜338后，有机发光元件OLED的有机发光层326被形成，并且第二电极层327被沉积在其上作为公共电极。
当在沉积工艺时准备并使用用于薄膜沉积的掩模框架组件100时，因为衬底320与掩模20的附接性可以被提高而获得精密的图案。
图7是示出图1的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法的方框图。
将第一槽12形成在框架10的支承部10b中，并且将第一孔22形成在掩模20的边缘部20b中与第一槽12对应的位置处(S10)。形成第一槽12和第一孔22的方法可以如铸造(casting)或电铸工艺那样在制造框架10和掩模20时形成。此外，在框架10和掩模20被制造后，可以通过使其成型而形成第一槽12和第一孔22。
将掩模20定位至框架10以使第一孔22对应于第一槽12(S20)。
将第一固定部件30注入到第一槽12和第一孔22中(S30)。通过电铸镀层法或非电解镀层法将第一固定部件30注入到第一槽12和第一孔22中以将掩模20固定至框架10。
如上所述，虽然参照附图中所示的实施方式对本发明进行了说明，但是这仅仅是示例性的，本领域的普通技术人员应理解，能够由此进行多种变型和实施方式的变型。因此，本发明真正的技术保护范围应由所附权利要求书中的技术思想来定义。
符号的说明
10、210：框架
12、212：第一槽
20、220：掩模
22、222：第一孔
30、230：第一固定部件
100：掩模框架组件
213：第二槽
223：第二孔
240：第二固定部件

Claims (18)

1.一种用于薄膜沉积的掩模框架组件，包括：
框架，具有开口部和支承部；
掩模，包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域；以及
第一固定部件，注入到所述掩模以贯穿所述掩模并且与所述框架和所述掩模固定从而将所述掩模固定至所述框架，
其中，在所述框架的所述支承部形成有第一槽，在所述掩模上与所述第一槽对应的位置处形成有第一孔，所述第一固定部件被注入到所述第一槽和所述第一孔。
2.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一固定部件通过电铸镀层法和非电解镀层法中的至少一种方法被注入到所述掩模。
3.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一固定部件包括铁、镍、铜、锡、金、不锈钢、因瓦合金、因康镍合金、可伐合金、铁合金、镍合金中的至少一种。
4.如权利要求3所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一槽所形成的内部空间的大小不同于所述第一孔所形成的内部空间的大小，以使所述第一固定部件注入到所述第一槽的内部空间中的一部分与所述掩模的底面的一部分接触，或者使所述第一固定部件注入到所述第一孔的内部空间中的一部分与所述支承部的顶面的一部分接触。
5.如权利要求3所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一槽和所述第一孔中的至少一个形成为锥形。
6.如权利要求3所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一孔包括：
注入部，供所述第一固定部件注入；以及
连接部，形成为从所述注入部延伸，并且供所述第一固定部件移动至所述第一槽。
7.如权利要求6所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述注入部的半径形成为比所述连接部的半径大。
8.如权利要求3所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，
所述框架具有与所述第一槽相隔而成的第二槽，
所述掩模在与所述第二槽对应的位置处具有与所述第一孔相隔而成的第二孔，
其中，所述用于薄膜沉积的掩模框架组件还包括：
第二固定部件，注入到所述第二槽和所述第二孔。
9.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述掩模形成为棒形态。
10.一种用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，包括：
将未贯穿框架的第一槽形成在所述框架的支承部，并且将贯穿掩模的第一孔形成在所述掩模的边缘部与所述第一槽对应的位置处的步骤；
对准所述第一槽与所述第一孔的步骤；
将第一固定部件注入到所述第一孔并且使所述第一固定部件填充至所述第一槽以固定所述框架与所述掩模的步骤。
11.如权利要求10所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，其中，所述第一固定部件通过电铸镀层法和非电解镀层法中的至少一种方法被注入。
12.如权利要求10所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，其中，所述第一固定部件在100摄氏度以下的温度下被注入。
13.如权利要求10所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，其中，所述第一固定部件包括铁、镍、铜、锡、金、不锈钢、因瓦合金、因康镍合金、可伐合金、铁合金、镍合金中的至少一种。
14.如权利要求10所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，其中，所述第一槽所形成的内部空间的大小不同于所述第一孔所形成的内部空间的大小，以使所述第一固定部件注入到所述第一槽的内部空间中的一部分与所述掩模的底面的一部分接触，或者使所述第一固定部件注入到所述第一孔的内部空间中的一部分与所述支承部的顶面的一部分接触。
15.如权利要求10所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，其中，所述第一槽和所述第一孔中的至少一个形成为锥形。
16.如权利要求10所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，其中，所述第一孔包括：
注入部，供所述第一固定部件注入；以及
连接部，形成为从所述注入部延伸，并且供所述第一固定部件移动至所述第一槽。
17.如权利要求16所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件的制造方法，其中，所述注入部的半径形成为比所述连接部的半径大。
18.一种包括在衬底上彼此相对的第一电极和第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的有机膜的有机发光显示装置的制造方法，所述有机发光显示装置的制造方法通过如权利要求1至9中的任一项所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件沉积并形成所述有机膜或所述第二电极。
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