CN105261714B - 一种oled显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

一种oled显示面板及其制作方法和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种OLED显示面板及其制作方法和显示装置。该OLED显示面板包括：基板；形成在所述基板上的OLED像素层；形成在所述OLED像素层上的消光层，所述消光层用于吸收圆偏振光；圆偏光层，所述消光层位于所述OLED像素层和所述圆偏光层之间，所述圆偏光层将穿过其中的光转化为圆偏振光。从OLED像素层发出的光，经消光层后其中包含的圆偏振光被吸收而除圆偏振光外的其他光经圆偏光层出射，由于圆偏振光在OLED像素层发出的光中的比重较低，因此该OLED显示面板既能达到很好的抗反射效果，又提高了透过率。

Description

一种OLED显示面板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展和需求增长，显示装置趋于向体积小、重量轻的薄型化方向发展。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置由于具有轻薄特性，广泛应用于工作、生活的各个领域。
OLED器件受到外部环境光的影响容易反射，造成显示质量下降。现有的OLED显示面板通过在OLED像素层表面设置线偏光片达到抗反射的效果，然而由于偏光片的设置使得出射光强大大降低，现有的OLED显示面板不能兼具良好的抗反射效果和良好的光透过率。
发明内容
鉴于现有技术存在的上述问题，期望提供一种既具有很好的抗反射效果有具有高透过率的方案，为了实现上述目的，本发明提供一种OLED显示面板及其制作方法和显示装置一方面，本发明提供的一种OLED显示面板，包括：
基板；
形成在所述基板上的OLED像素层；
形成在所述OLED像素层上的消光层，所述消光层用于吸收圆偏振光；
圆偏光层，所述消光层位于所述OLED像素层和所述圆偏光层之间，所述圆偏光层将穿过其中的光转化为圆偏振光。
又一方面，本发明提供的一种OLED显示装置，包括本发明任意实施例中提供的OLED显示面板。
另一方面，本发明提供的一种OLED显示面板的制作方法，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成OLED像素层；
在所述OLED像素层上形成消光层，所述消光层用于吸收圆偏振光；
在所述消光层上形成圆偏光层，所述消光层形成于所述OLED像素层和所述圆偏光层之间，所述圆偏光层将穿过其中的光转化为圆偏振光。
本发明提供的一种OLED显示面板及其制作方法和显示装置，该OLED显示面板包括OLED像素层、圆偏光层及设置在OLED像素层和圆偏光层之间的消光层，从OLED像素层发出的光，经消光层后圆偏振光被吸收而除圆偏振光外的其他光经圆偏光层出射，因此该OLED显示面板既能达到很好的抗反射效果，又具有很高的光透过率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图；
图1b是本发明实施例提供的又一种OLED显示面板的结构示意图；
图1c是本发明实施例提供的单分子层的二硫化钼的显微结构示意图；
图1d是本发明实施例提供的单分子层的二硫化钼光学性能图；
图1e是本发明实施例提供的又一种OLED显示面板的结构示意图；
图1f是本发明实施例提供的又一种OLED显示面板的结构示意图；
图2a是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制作方法的流程示意图；
图2b-图2e是与图2a对应的OLED显示面板制作方法各个阶段的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种OLED显示面板，该实施例的技术方案适用于提高OLED显示面板的光透过率的情况。
图1a是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图。如图1a所示，该OLED显示面板包括：基板11；形成在所述基板11上的OLED像素层12；形成在所述OLED像素层12上的消光层13，所述消光层13用于吸收圆偏振光；圆偏光层14，所述消光层13位于所述OLED像素层12和所述圆偏光层14之间，所述圆偏光层14将穿过其中的光转化为圆偏振光。
具体的，环境光照射到显示面板首先经过圆偏光层14，圆偏光层14将环境光转化为圆偏振光，转化为圆偏振光之后的环境光进入到消光层13，由于消光层13能够吸收圆偏振光，环境光被吸收不会发生反射，从而达到抗反射的目的。而在上述OLED显示面板中，OLED像素层12发出的光包含线偏振光、圆偏振光、部分偏振光、椭圆偏振光等各个相位的光，，其中圆偏振光比重约在10％-20％，经过消光层13后圆偏振光被消光层13吸收，剩余的非圆偏振光经过圆偏光层14后，转化为各个相位的光出射。由于从OLED像素层12发出的光中，圆偏振光比重只在10％-20％，因此OLED显示面板的光透过率能达到80％以上。
综上，本发明提供的OLED显示面板相比于现有技术，提高了光透过率，从而能够满足低功耗需求。
为了使本发明实施例提供的圆偏光层起到抗反射作用，提高光透射率，如图1b所示，可选的，所述圆偏光层14包括一1/4波片层141以及双折射晶体层142，所述双折射晶体层142位于所述1/4波片层141远离OLED像素层12的一侧。
双折射晶体指的是能使入射光产生双折射现象的晶体，一束入射到双折射晶体的光经折射后变为两束折射光线，一束遵循折射定律，称为寻常光(o光)，另一束不遵循折射定律，称为非常光(e光)。具体的，OLED面板外部的环境光线E入射到双折射晶体层142上后，转变为振动方向互相垂直的o光和e光。o光和e光经过1/4波片层141之后可以形成圆偏振光，从而被消光层13吸收，而不会被反射。而1/4波片层141和双折射晶体层142组成的圆偏光片对从形成在基板11上的OLED像素层12发出的光线吸收很少，从而在保证了良好的抗反射作用的前提下提高了显示面板的光透射率。
可选的，所述1/4波片层141的慢轴与所述双折射晶体的主截面的夹角可以为45°。
由于所述1/4波片层141的慢轴与所述双折射晶体的主截面的夹角为45°，o光入射到1/4波片层141上后转化为右旋圆偏振光，e光入射到1/4波片层141上后转化为左旋圆偏振光，右旋圆偏振光和左旋圆偏振光入射到消光层13后，均会被消光层13吸收，不能被反射，从而达到抗反射目的，即消除环境光线E的影响，提高对比度，改善视觉效果。
可选的，所述双折射晶体层142的材料可以为方解石晶体、石英或红宝石，方解石晶体、石英或红宝石完全透明且具有良好的双折射特性。综上，上述提供的OLED显示面板兼具光透过率高和反射率低的特性，从而达到兼具低功耗、高对比度、高视觉效果的优良性能。
为了避免消光层降低光透过率，所述消光层的材料可以为透明材料。
为了提高消光层对圆偏振光的吸收能力，所述消光层可以为过渡金属第VI副族元素的二硫化物，过渡金属第VI副族元素的二硫化物的能带在六边形布里渊区的顶点附近有“谷”状结构，而相邻的“谷”并不等价，能较好地吸收左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。
示例性的，消光层为单分子层的二硫化钼(MoS2)或单分子层的二硫化钨(WS2)。图1c是本发明实施例提供的单分子层的二硫化钼的显微结构示意图，图1d是本发明实施例提供的单分子层的二硫化钼光学性能图，图1d中的I1部分对应的是单分子层二硫化钼的折射率曲线，I2部分对应的是单分子层二硫化钼的吸收系数曲线，I3部分对应的是单分子层二硫化钼的反射率曲线。结合图1c和图1d，单分子层的二硫化钼的厚度为0.65nm，且单分子层的二硫化钼平行于二硫化钼层表面法线方向的光折射率n//(ω)在可见光区域内为1.33左右，与水的光折射率接近；其光吸收系数a//(ω)在在可见光区域内很小，故单分子层的二硫化钼是透明的；其反射率R//(ω)在可见光区域内为0.01-0.02eV，故单分子层的二硫化钼暗淡无金属光泽。
在本实施例的又一种实施方式中，与本实施例的第一种实施方式相同的部分，此处不再赘述，不同之处在于，在所述OLED像素层与所述圆偏光层之间还包括透明封装层，所述透明封装层位于所述圆偏光层和所述消光层之间。
图1e是本发明实施例提供的又一种OLED显示面板的结构示意图。如图1e所示，为了保护OLED像素层12，所述OLED像素层12与所述圆偏光层14之间还包括透明封装层15，所述透明封装层15可以位于所述圆偏光层14和所述消光层13之间。
图1f是本发明实施例提供的又一种OLED显示面板的结构示意图。如图1f所示，所述OLED像素层12与所述圆偏光层14之间还包括透明封装层15，所述透明封装层15可以位于所述OLED像素层12和所述消光层13之间。一方面，透明封装层15能够对OLED像素层12起到更好的保护作用，另一方面，消光层13可以直接制作于透明封装层15的任意表面，无需在OLED显示面板上进行消光层13的制作，降低了工艺难度。
并且，本发明还提供了一种OLED显示装置，该OLED显示装置包括上述任一种OLED显示面板。
另外，本发明实施例还提供一种OLED显示面板的制作方法，该方法用于制作上述提供的OLED显示面板。
图2a是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制作方法的流程示意图。如图2a所示，该OLED显示面板的制作方法包括如下：
S210、提供一基板。
其中，基板可以为玻璃基板。
S220、在所述基板上形成OLED像素层。
参见图2b，在提供的基板11上形成OLED像素层12。
S230、在所述OLED像素层上形成消光层，所述消光层用于吸收圆偏振光。
为了避免消光层引起的光透过率降低，示例性的，所述消光层的材料可以为透明材料。为了提高消光层对圆偏振光的吸收能力，所述消光层可以为过渡金属第VI副族元素的二硫化物。过渡金属第VI副族元素的二硫化物的能带在六边形布里渊区的顶点附近有“谷”状结构，而相邻的“谷”并不等价，能较好地吸收左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。
示例性的，所述在所述OLED像素层上形成消光层包括：在所述OLED像素层上形成二硫化钼层或二硫化钨层。
为了进一步提高消光层对圆偏振光的吸收能力，所述二硫化钼层或二硫化钨层为单分子二硫化钼层或单分子二硫化钨层。
单分子层二硫化钼或单分子层二硫化钨层在可见光区域内折射率和光吸收系数很小，故单分子层的二硫化钼或单分子层二硫化钨是透明的；其反射率在可见光区域内为很小，所以暗淡无金属光泽。如下以制作二硫化钼层为例，具体说明消光层的制作工艺。示例性的，所述在所述OLED像素层上形成二硫化钼层包括：使用以下溶剂中的一种：N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N-基2-吡咯烷酮(NVP)、异丙醇(IPA)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基甲酰胺(DMF)，采用液相超声法制作二硫化钼。随后，将超声溶解后的二硫化钼使用涂膜机进行凃覆形成二硫化钼。
具体的，将二硫化钼粉末溶解于上述任一种溶剂当中，使用超声进行溶解，随后，将溶解后的二硫化钼溶液通过涂膜机的刷头在基片上进行反复的刷动，从而均匀的凃覆在基片上。使用上述方法制得的二硫化钼层均匀且厚度可控。
S240、在所述消光层上形成圆偏光层，所述消光层形成于所述OLED像素层和所述圆偏光层之间，所述圆偏光层将穿过其中的光转化为圆偏振光。
参见图2c，所述在所述消光层13上形成的圆偏光层14包括：在所述消光层13上形成一1/4波片层141；在所述1/4波片层141上形成双折射晶体层142，所述双折射晶体层142位于所述1/4波片层141远离OLED像素层12的一侧。1/4波片层141和双折射晶体层142组成的圆偏光片对从OLED像素层12发出的光线吸收很少，从而在保证了良好的抗反射作用的前提下提高了显示面板的光透射率。
可选的，所述1/4波片层141的慢轴与所述双折射晶体层142的主截面的夹角为45°。在这个角度条件下，经过1/4波片层141和双折射晶体层142的光线能够分别被转化为右旋圆偏振光和左旋圆偏振光，从而被消光层13完全吸收，达到很好的抗反射效果。
所述双折射晶体层142的材料可以为方解石晶体、石英或红宝石，方解石晶体、石英或红宝石完全透明且具有良好的双折射特性。
并且，参见图2d和2e，为了保护OLED像素层12，在所述OLED像素层12上形成消光层13之后，还可以包括：在所述消光层13远离基板11的一侧形成透明封装层15。一方面，透明封装层15能够对OLED像素层12起到更好的保护作用，另一方面，消光层13可以制作于透明封装层15上，降低了工艺难度。
如图2d所示，所述透明封装层15可以形成于所述圆偏光层14和所述消光层13之间。如图2e所示，所述透明封装层15也可以形成于所述OLED像素层12和所述消光层13之间。本发明实施例提供的OLED显示面板的制作方法，在基板上依次制作OLED像素层、消光层和圆偏光层，使得形成的OLED显示面板兼具光透过率高和反射率低的特性，从而达到兼具低功耗、高对比度、高视觉效果的优良性能。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (20)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的OLED像素层；
形成在所述OLED像素层上的消光层，所述消光层用于吸收圆偏振光；
圆偏光层，所述消光层位于所述OLED像素层和所述圆偏光层之间，所述圆偏光层将穿过其中的光转化为圆偏振光；
其中，所述圆偏光层包括一1/4波片层以及双折射晶体层，所述双折射晶体层位于所述1/4波片层远离OLED像素层的一侧。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述1/4波片层的慢轴与所述双折射晶体的主截面的夹角为45°。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述双折射晶体层的材料为方解石晶体、石英或红宝石。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述消光层的材料为透明材料。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述消光层为过渡金属第VI副族元素的二硫化物。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述消光层为单分子层的二硫化钼或单分子层的二硫化钨。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED像素层与所述圆偏光层之间还包括透明封装层，所述透明封装层位于所述圆偏光层和所述消光层之间。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED像素层与所述圆偏光层之间还包括透明封装层，所述透明封装层位于所述OLED像素层和所述消光层之间。
9.一种OLED显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的OLED显示面板。
10.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，
提供一基板；
在所述基板上形成OLED像素层；
在所述OLED像素层上形成消光层，所述消光层用于吸收圆偏振光；
在所述消光层上形成圆偏光层，所述消光层形成于所述OLED像素层和所述圆偏光层之间，所述圆偏光层将穿过其中的光转化为圆偏振光；
其中，所述在所述消光层上形成的圆偏光层包括：
在所述消光层上形成一1/4波片层；
在所述1/4波片层上形成双折射晶体层，所述双折射晶体层位于所述1/4波片层远离OLED像素层的一侧。
11.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述1/4波片层的慢轴与所述双折射晶体的主截面的夹角为45°。
12.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述双折射晶体层的材料为方解石晶体、石英或红宝石。
13.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述消光层的材料为透明材料。
14.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述消光层为过渡金属第VI副族元素的二硫化物。
15.根据权利要求14所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述OLED像素层上形成消光层包括：
在所述OLED像素层上形成二硫化钼层或二硫化钨层。
16.根据权利要求15所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于：所述二硫化钼层或二硫化钨层为单分子二硫化钼层或单分子二硫化钨层。
17.根据权利要求15所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述OLED像素层上形成二硫化钼层包括：
使用以下溶剂中的一种：N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N-基2-吡咯烷酮(NVP)、异丙醇(IPA)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基甲酰胺(DMF)，采用液相超声法制作二硫化钼。
18.根据权利要求17所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述OLED像素层上形成消光层包括：
将超声溶解后的二硫化钼使用涂膜机进行凃覆形成二硫化钼。
19.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成OLED像素层之后，还包括：
在所述OLED像素层远离基板的一侧形成透明封装层，所述透明封装层形成于所述圆偏光层和所述消光层之间。
20.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述OLED像素层上形成消光层之后，还包括：
在所述消光层远离基板的一侧形成透明封装层，所述透明封装层形成于所述OLED像素层和所述消光层之间。
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