CN105261345A - T-con负载变化的电压控制电路、显示面板及显示装置 - Google Patents

T-con负载变化的电压控制电路、显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种T-CON负载变化的电压控制电路、显示面板及显示装置，所述T-CON负载变化的电压控制电路包括：电源芯片和电压控制电路，所述电压控制电路包括：光电耦合器、第一比较器、第二比较器、第一场效应管和第二场效应管。本发明提供的技术方案具有Vcore将自动跟随负载的变化而变化的优点。

Description

T-CON负载变化的电压控制电路、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种T-CON负载变化的电压控制电路、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶屏(英文：panel)又称LCD(英文全称：LiquidCrystalDisplay，中文：液晶显示器)，其是目前常用的电子显示设备，时序控制器(英文全称：TimingController，英文简称：T-CON)为显示设备的直流电路DC-DC(英文全称：DirectCurrent)中的常用电路，现有的T-CON电路如图1所示。
在实现现有技术的技术方案中，发现现有技术存在如下技术问题：
现有的T-CON核心电源CorePower电压要求非常稳定，不能跟随负载变化，现有的T-CONCorePower在负载变化的时候，输出电压Vcore会跟随负载的变化有一定的变化，所以T-CON可能工作异常。
发明内容
提供一种T-CON负载变化的电压控制电路，所述T-CON负载变化的电压控制电路增加了控制电路，该控制电路能够控制电压自动跟随负载变化，提高T-CONCorePower电压的稳定性，确保T-CON不同负载下都能正常工作。
第一方面，提供一种T-CON负载变化的电压控制电路，所述T-CON负载变化的电压控制电路包括：电源芯片和电压控制电路，所述电压控制电路包括：光电耦合器、第一比较器、第二比较器、第一场效应管和第二场效应管；其中，
光电耦合器的1号引脚与电感的另一端连接，电感的一端与电源芯片的电压输出端口连接，光电耦合器的2号引脚与核心电压连接，光电耦合器的3号引脚与第一电阻的另一端连接，第一电阻的一端接地，光电耦合器的4号引脚与第一电压源连接；
第一电压比较器的正电源端连接第二电压源，负电源端连接等电势点，第一比较器的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器的反相输入端连接第一比较电压，第一比较器的输出端口连接第二场效应管的G极；第二电压比较器的正电源端连接第二电压源，负电源端连接等电势点，第二比较器的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器的反相输入端连接第二比较电压，第二比较器的输出端口连接第一场效应管的G极；
第一场效应管的D极连接核心电压，第一场效应管的S极连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接电源芯片的反馈电压端口，第二场效应管的D极连接第三电阻的另一端，第三电阻的一端连接电源芯片的FB端口，第二场效应管的S极接地。
结合第一方面提供的T-CON负载变化的电压控制电路，在第一方面的第一种可选方案中，所述电压控制电路还包括：第四电阻(R138)；
其中，第四电阻的一端连接光电耦合器的4号引脚，第四电阻(R138)的另一端连接第一电压源。
结合第一方面提供的T-CON负载变化的电压控制电路，在第一方面的第二种可选方案中，所述电压控制电路还包括：电容；其中，
电容的一端与电感的另一端连接，电容的另一端分别与第一电压比较器的输出端和第二电压比较器的输出端连接。
结合第一方面提供的T-CON负载变化的电压控制电路，在第一方面的第二种可选方案中，所述第二电压源具体为：3.3V电压源或5V电压源。
第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括：T-CON负载变化的电压控制电路，所述T-CON负载变化的电压控制电路包括：电源芯片和电压控制电路，所述电压控制电路包括：光电耦合器、第一比较器、第二比较器、第一场效应管和第二场效应管；其中，
光电耦合器的1号引脚与电感的另一端连接，电感的一端与电源芯片的电压输出端口连接，光电耦合器的2号引脚与核心电压连接，光电耦合器的3号引脚与第一电阻的另一端连接，第一电阻的一端接地，光电耦合器的4号引脚与第一电压源连接；
第一电压比较器的正电源端连接第二电压源，负电源端连接等电势点，第一比较器的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器的反相输入端连接第一比较电压，第一比较器的输出端口连接第二场效应管的G极；第二电压比较器的正电源端连接第二电压源，负电源端连接等电势点，第二比较器的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器的反相输入端连接第二比较电压，第二比较器的输出端口连接第一场效应管的G极；
第一场效应管的D极连接核心电压，第一场效应管的S极连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接电源芯片的反馈电压端口，第二场效应管的D极连接第三电阻的另一端，第三电阻的一端连接电源芯片的FB端口，第二场效应管的S极接地。
结合第二方面提供的显示面板，在第一方面的第一种可选方案中，所述电压控制电路还包括：第四电阻；
其中，第四电阻的一端连接光电耦合器的4号引脚，第四电阻的另一端连接第一电压源。
结合第二方面提供的显示面板，在第一方面的第二种可选方案中，所述电压控制电路还包括：电容；其中，
电容的一端与电感的另一端连接，电容的另一端分别与第一电压比较器的输出端和第二电压比较器的输出端连接。
结合第二方面提供的显示面板，在第一方面的第三种可选方案中，所述第二电压源具体为：3.3V电压源或5V电压源。
第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面提供的显示面板、第二方面的第一可选方案、第二方面的第二可选方案或第二方面的第三可选方案。
根据各实施方式提供的T-CON负载变化的电压控制电路、该电路包括电源芯片和电压控制电路，该电压控制电路能够根据负载的变化调整核心电压，所以其具有控制核心电压随负载变化的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的T-CON电路示意图；
图2为本发明第一较佳实施方式中T-CON负载变化的电压控制电路的结构示意图；
图3为本发明第二较佳实施方式中T-CON负载变化的电压控制电路的结构示意图；
图4为本发明第三较佳实施方式中T-CON负载变化的电压控制电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下述实施方式的描述中，如无额外的说明，第一电阻可以为附图中的R172，第二电阻可以为附图中的R620，第三电阻可以为附图中的R622，第四电阻可以为附图中的R138，电容可以为附图中的C413，第一场效应管可以为附图中的G38，第二场效应管可以为附图中的G36，FB具体可以为电源IC的反馈电压引脚，LX具体可以为电源IC的输出电压引脚，第一电压源可以为附图中的VCC1，第二电压源可以为附图中的VCC2，电感可以为附图中的L8，第一比较器可以为附图中的OP1，第二比较器可以为附图中的OP2，
参阅图2，图2为本发明第一较佳实施方式提供的T-CON负载变化的电压控制电路，该控制电路如图2所示，可以包括：电源芯片(IC)和电压控制电路，如图2所示，电压控制电路20可以包括：光电耦合器201、第一比较器OP1、第二比较器OP2、场效应管G38和场效应管G36；其中，
光电耦合器201的1号引脚与电感L8的另一端连接，电感L8的一端与电源IC的LX端口连接，光电耦合器201的2号引脚与核心电压Vcore输出口连接，光电耦合器201的3号引脚与电阻R172的另一端连接，电阻R172的一端接地，光电耦合器201的4号引脚与电压源VCC1连接；
第一电压比较器OP1的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一比较电压Vref1，第一比较器OP1的输出端口output1连接场效应管G36的G极；第二电压比较器OP2的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第二比较器OP2的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器OP2的输出端口output2连接场效应管G38的G极；
场效应管G38的D极连接Vcore，场效应管G38的S极连接电阻R620的一端，电阻R620的另一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的D极连接电阻R622的另一端，电阻R622的一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的S极接地。
需要说明的是，上述电源IC的具体型号可以为：SY8113，当然在实际应用中，也可以更换成其他型号的芯片，本发明第一较佳实施方式对电源IC的芯片型号并不限定。
上述LX端口具体可以为，电源芯片的电压输出端口，在本发明第一较佳实施方式将该电压输出端口定义为LX端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将电压输出端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该电压输出端口的名称并没有相关的限定。
上述FB端口具体可以为，电源芯片的反馈电压端口，在本发明第一较佳实施方式中将该反馈电压端口定义为FB端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将反馈电压端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该反馈电压端口的名称并没有相关的限定。
下面通过本发明第一较佳实施方式的电路原理来说明本发明第一较佳实施方式所达到的技术效果。
正常负载条件下，即IM<IVcore<IN，此时Vref2<VA<Vref1，此时第一比较器OP1的Output1输出低电平和第二比较器OP2的Output2输出低电平，此时场效应管Q36及场效应管Q38都截止，此时相当于电压控制电路不工作，Vcore的电压不变，且Vcore＝VFB+VFB*R196/R197；
当负载变大时，即IVcore>IN，因为负载变大，Vcore电压往下降，IVcore电流增加，IVcore电流增加导致光电耦合器201的1号到2号电流增加，光电耦合器1号引脚到2号引脚电流增加导致3号引脚到4号引脚电流增加，从而导致VA增大，所以此时VA>Vref1>Vref2，从而Output1为高电平，Output2为低电平，此时Q36导通，Q38截止，这样Vcore＝VFB+VFB*R196/(R197//R622)，从而Vcore随着负载的增加电压上升；
当负载变小时，即IVcore<IM，因为负载变小，Vcore电压往上升，IVcore电流减少，所以导致VA电压降低，此时VA<Vref1<Vref2，从而Output1为低电平，Output2为高电平，此时Q36截止，Q38导通，这样Vcore＝VFB+VFB*(R196//R620)/R197，从而Vcore随着负载的降低而降低；
上述IM可以为正常负载条件下IVcore的最小电流值，IN可以为正常负载条件下IVcore的最大电流值。
所以本发明第一较佳实施方式的技术方案具有T-CONCorePower电压Vcore将自动跟随负载的变化而变化，提高T-CONCorePower电压的稳定性，确保T-CON不管什么条件都能够正常工作的优点。
参阅图3，图3为本发明第二较佳实施方式提供的T-CON负载变化的电压控制电路，该控制电路如图3所示，可以包括：电源芯片(IC)和电压控制电路，如图3所示，电压控制电路30可以包括：光电耦合器301、第一比较器OP1、第二比较器OP2、场效应管G38和场效应管G36；其中，
光电耦合器301的1号引脚与电感L8的另一端连接，电感L8的一端与电源IC的LX端口连接，光电耦合器201的2号引脚与核心电压Vcore输出口连接，光电耦合器301的3号引脚与电阻R172的另一端连接，电阻R172的一端接地，光电耦合器301的4号引脚与电阻R138的一端连接，电阻R138的另一端连接电压源VCC1连接；
第一电压比较器OP1的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一比较电压Vref1，第一比较器OP1的输出端口output1连接场效应管G36的G极；第二电压比较器OP2的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第二比较器OP2的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器OP2的输出端口output2连接场效应管G38的G极；
场效应管G38的D极连接Vcore，场效应管G38的S极连接电阻R620的一端，电阻R620的另一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的D极连接电阻R622的另一端，电阻R622的一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的S极接地。
需要说明的是，上述电源IC的具体型号可以为：SY8113，当然在实际应用中，也可以更换成其他型号的芯片，本发明第一较佳实施方式对电源IC的芯片型号并不限定。
上述LX端口具体可以为，电源芯片的电压输出端口，在本发明第二较佳实施方式将该电压输出端口定义为LX端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将电压输出端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该电压输出端口的名称并没有相关的限定。
上述第二电压源VCC2的值在本发明第二较佳实施方式的一个实施例中，可以为5V电压源，当然在本发明第二较佳实施方式的另一个实施例中，可以为3.3V电压源，另外电压源VCC1的电压取值可以与电压源VCC2的值一样，当然也可以取不同的值，本发明对电压源VCC1和电压源VCC2的取值并不限定。
上述FB端口具体可以为，电源芯片的反馈电压端口，在本发明第二较佳实施方式中将该反馈电压端口定义为FB端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将反馈电压端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该反馈电压端口的名称并没有相关的限定。
下面通过本发明第二较佳实施方式的电路原理来说明本发明第二较佳实施方式所达到的技术效果。
正常负载条件下，即IM<IVcore<IN，此时Vref2<VA<Vref1，此时第一比较器OP1的Output1输出低电平和第二比较器OP2的Output2输出低电平，此时场效应管Q36及场效应管Q38都截止，此时相当于电压控制电路不工作，Vcore的电压不变，且Vcore＝VFB+VFB*R196/R197；
当负载变大时，即IVcore>IN，因为负载变大，Vcore电压往下降，IVcore电流增加，IVcore电流增加导致光电耦合器201的1号到2号电流增加，光电耦合器1号引脚到2号引脚电流增加导致3号引脚到4号引脚电流增加，从而导致VA增大，所以此时VA>Vref1>Vref2，从而Output1为高电平，Output2为低电平，此时Q36导通，Q38截止，这样Vcore＝VFB+VFB*R196/(R197//R622)，从而Vcore随着负载的增加电压上升；其中，(R197//R622)表示电阻R197与电阻R622的并联电阻；
当负载变小时，即IVcore<IM，因为负载变小，Vcore电压往上升，IVcore电流减少，所以导致VA电压降低，此时VA<Vref1<Vref2，从而Output1为低电平，Output2为高电平，此时Q36截止，Q38导通，这样Vcore＝VFB+VFB*(R196//R620)/R197，从而Vcore随着负载的降低而降低；(R196//R620)表示电阻R197与电阻R622的并联电阻。
上述IM可以为正常负载条件下IVcore的最小电流值，IN可以为正常负载条件下IVcore的最大电流值。另外，增加了电阻R138以后，可以限制光电耦合器301的电流大小，对光电耦合器有一定的保护作用，所以其具有提高安全性的优点。
所以本发明第二较佳实施方式的技术方案具有T-CONCorePower电压Vcore将自动跟随负载的变化而变化，提高T-CONCorePower电压的稳定性，确保T-CON不管什么条件都能够正常工作的优点。
参阅图4，图4为本发明第三较佳实施方式提供的T-CON负载变化的电压控制电路，该控制电路如图4所示，可以包括：电源芯片(IC)和电压控制电路，如图4所示，电压控制电路40可以包括：光电耦合器401、第一比较器OP1、第二比较器OP2、场效应管G38和场效应管G36；其中，
光电耦合器401的1号引脚与电感L8的另一端连接，电感L8的一端与电源IC的LX端口连接，光电耦合器201的2号引脚与核心电压Vcore输出口连接，光电耦合器401的3号引脚与电阻R172的另一端连接，电阻R172的一端接地，光电耦合器401的4号引脚与电阻R138的一端连接，电阻R138的另一端连接电压源VCC1连接；
第一电压比较器OP1的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一比较电压Vref1，第一比较器OP1的输出端口output1连接场效应管G36的G极；第二电压比较器OP2的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第二比较器OP2的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器OP2的输出端口output2连接场效应管G38的G极；
场效应管G38的D极连接Vcore，场效应管G38的S极连接电阻R620的一端，电阻R620的另一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的D极连接电阻R622的另一端，电阻R622的一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的S极接地；电容C413的一端与电感L8的另一端连接，电容C413的另一端分别与第一电压比较器OP1的输出端和第二电压比较器OP2的输出端连接。
需要说明的是，上述电源IC的具体型号可以为：SY8113，当然在实际应用中，也可以更换成其他型号的芯片，本发明第三较佳实施方式对电源IC的芯片型号并不限定。
上述LX端口具体可以为，电源芯片的电压输出端口，在本发明第三较佳实施方式将该电压输出端口定义为LX端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将电压输出端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该电压输出端口的名称并没有相关的限定。
上述第二电压源VCC2的值在本发明第三较佳实施方式的一个实施例中，可以为5V电压源，当然在本发明第三较佳实施方式的另一个实施例中，可以为3.3V电压源，另外电压源VCC1的电压取值可以与电压源VCC2的值一样，当然也可以取不同的值，本发明对电压源VCC1和电压源VCC2的取值并不限定。
上述FB端口具体可以为，电源芯片的反馈电压端口，在本发明第三较佳实施方式中将该反馈电压端口定义为FB端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将反馈电压端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该反馈电压端口的名称并没有相关的限定。
下面通过本发明第三较佳实施方式的电路原理来说明本发明第三较佳实施方式所达到的技术效果。
正常负载条件下，即IM<IVcore<IN，此时Vref2<VA<Vref1，此时第一比较器OP1的Output1输出低电平和第二比较器OP2的Output2输出低电平，此时场效应管Q36及场效应管Q38都截止，此时相当于电压控制电路不工作，Vcore的电压不变，且Vcore＝VFB+VFB*R196/R197；
当负载变大时，即IVcore>IN，因为负载变大，Vcore电压往下降，IVcore电流增加，IVcore电流增加导致光电耦合器201的1号到2号电流增加，光电耦合器1号引脚到2号引脚电流增加导致3号引脚到4号引脚电流增加，从而导致VA增大，所以此时VA>Vref1>Vref2，从而Output1为高电平，Output2为低电平，此时Q36导通，Q38截止，这样Vcore＝VFB+VFB*R196/(R197//R622)，从而Vcore随着负载的增加电压上升；
当负载变小时，即IVcore<IM，因为负载变小，Vcore电压往上升，IVcore电流减少，所以导致VA电压降低，此时VA<Vref1<Vref2，从而Output1为低电平，Output2为高电平，此时Q36截止，Q38导通，这样Vcore＝VFB+VFB*(R196//R620)/R197，从而Vcore随着负载的降低而降低；
上述IM可以为正常负载条件下IVcore的最小电流值，IN可以为正常负载条件下IVcore的最大电流值。另外，增加了电阻R138以后，可以限制光电耦合器301的电流大小，对光电耦合器有一定的保护作用，所以其具有提高安全性的优点。
本发明第三较佳实施方式增加了电容C413，并且将其设置在比较器的输出口与L8之间，设置该电容可以降低场效应管G38和场效应管G36的导通速度，这样可以避免由于场效应管导通速度太快，易出现浪涌电流，从而对电源IC造成冲击。
所以本发明第三较佳实施方式的技术方案具有T-CONCorePower电压Vcore将自动跟随负载的变化而变化，提高T-CONCorePower电压的稳定性，确保T-CON不管什么条件都能够正常工作的优点。
本发明具体实施方式还提供一种显示面板，该显示面板包括：T-CON负载变化的电压控制电路，参阅图2，图2为本发明第一较佳实施方式提供的T-CON负载变化的电压控制电路，该控制电路如图2所示，可以包括：电源芯片(IC)和电压控制电路，如图2所示，电压控制电路20可以包括：光电耦合器201、第一比较器OP1、第二比较器OP2、场效应管G38和场效应管G36；其中，
光电耦合器201的1号引脚与电感L8的另一端连接，电感L8的一端与电源IC的LX端口连接，光电耦合器201的2号引脚与核心电压Vcore输出口连接，光电耦合器201的3号引脚与电阻R172的另一端连接，电阻R172的一端接地，光电耦合器201的4号引脚与电压源VCC1连接；
第一电压比较器OP1的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一比较电压Vref1，第一比较器OP1的输出端口output1连接场效应管G36的G极；第二电压比较器OP2的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第二比较器OP2的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器OP2的输出端口output2连接场效应管G38的G极；
场效应管G38的D极连接Vcore，场效应管G38的S极连接电阻R620的一端，电阻R620的另一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的D极连接电阻R622的另一端，电阻R622的一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的S极接地。
需要说明的是，上述电源IC的具体型号可以为：SY8113，当然在实际应用中，也可以更换成其他型号的芯片，本发明第一较佳实施方式对电源IC的芯片型号并不限定。
上述LX端口具体可以为，电源芯片的电压输出端口，在本发明第一较佳实施方式将该电压输出端口定义为LX端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将电压输出端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该电压输出端口的名称并没有相关的限定。
上述FB端口具体可以为，电源芯片的反馈电压端口，在本发明第一较佳实施方式中将该反馈电压端口定义为FB端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将反馈电压端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该反馈电压端口的名称并没有相关的限定。
下面通过本发明第一较佳实施方式的电路原理来说明本发明第一较佳实施方式所达到的技术效果。
正常负载条件下，即IM<IVcore<IN，此时Vref2<VA<Vref1，此时第一比较器OP1的Output1输出低电平和第二比较器OP2的Output2输出低电平，此时场效应管Q36及场效应管Q38都截止，此时相当于电压控制电路不工作，Vcore的电压不变，且Vcore＝VFB+VFB*R196/R197；
当负载变大时，即IVcore>IN，因为负载变大，Vcore电压往下降，IVcore电流增加，IVcore电流增加导致光电耦合器201的1号到2号电流增加，光电耦合器1号引脚到2号引脚电流增加导致3号引脚到4号引脚电流增加，从而导致VA增大，所以此时VA>Vref1>Vref2，从而Output1为高电平，Output2为低电平，此时Q36导通，Q38截止，这样Vcore＝VFB+VFB*R196/(R197//R622)，从而Vcore随着负载的增加电压上升；
当负载变小时，即IVcore<IM，因为负载变小，Vcore电压往上升，IVcore电流减少，所以导致VA电压降低，此时VA<Vref1<Vref2，从而Output1为低电平，Output2为高电平，此时Q36截止，Q38导通，这样Vcore＝VFB+VFB*(R196//R620)/R197，从而Vcore随着负载的降低而降低；
上述IM可以为正常负载条件下IVcore的最小电流值，IN可以为正常负载条件下IVcore的最大电流值。
所以本发明第一较佳实施方式的技术方案具有T-CONCorePower电压Vcore将自动跟随负载的变化而变化，提高T-CONCorePower电压的稳定性，确保T-CON不管什么条件都能够正常工作的优点。
参阅图3，图3为本发明第二较佳实施方式提供的T-CON负载变化的电压控制电路，该控制电路如图3所示，可以包括：电源芯片(IC)和电压控制电路，如图3所示，电压控制电路30可以包括：光电耦合器301、第一比较器OP1、第二比较器OP2、场效应管G38和场效应管G36；其中，
光电耦合器301的1号引脚与电感L8的另一端连接，电感L8的一端与电源IC的LX端口连接，光电耦合器201的2号引脚与核心电压Vcore输出口连接，光电耦合器301的3号引脚与电阻R172的另一端连接，电阻R172的一端接地，光电耦合器301的4号引脚与电阻R138的一端连接，电阻R138的另一端连接电压源VCC1连接；
第一电压比较器OP1的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一比较电压Vref1，第一比较器OP1的输出端口output1连接场效应管G36的G极；第二电压比较器OP2的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第二比较器OP2的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器OP2的输出端口output2连接场效应管G38的G极；
场效应管G38的D极连接Vcore，场效应管G38的S极连接电阻R620的一端，电阻R620的另一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的D极连接电阻R622的另一端，电阻R622的一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的S极接地。
需要说明的是，上述电源IC的具体型号可以为：SY8113，当然在实际应用中，也可以更换成其他型号的芯片，本发明第一较佳实施方式对电源IC的芯片型号并不限定。
上述LX端口具体可以为，电源芯片的电压输出端口，在本发明第二较佳实施方式将该电压输出端口定义为LX端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将电压输出端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该电压输出端口的名称并没有相关的限定。
上述第二电压源VCC2的值在本发明第二较佳实施方式的一个实施例中，可以为5V电压源，当然在本发明第二较佳实施方式的另一个实施例中，可以为3.3V电压源，另外电压源VCC1的电压取值可以与电压源VCC2的值一样，当然也可以取不同的值，本发明对电压源VCC1和电压源VCC2的取值并不限定。
上述FB端口具体可以为，电源芯片的反馈电压端口，在本发明第二较佳实施方式中将该反馈电压端口定义为FB端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将反馈电压端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该反馈电压端口的名称并没有相关的限定。
下面通过本发明第二较佳实施方式的电路原理来说明本发明第二较佳实施方式所达到的技术效果。
正常负载条件下，即IM<IVcore<IN，此时Vref2<VA<Vref1，此时第一比较器OP1的Output1输出低电平和第二比较器OP2的Output2输出低电平，此时场效应管Q36及场效应管Q38都截止，此时相当于电压控制电路不工作，Vcore的电压不变，且Vcore＝VFB+VFB*R196/R197；
当负载变大时，即IVcore>IN，因为负载变大，Vcore电压往下降，IVcore电流增加，IVcore电流增加导致光电耦合器201的1号到2号电流增加，光电耦合器1号引脚到2号引脚电流增加导致3号引脚到4号引脚电流增加，从而导致VA增大，所以此时VA>Vref1>Vref2，从而Output1为高电平，Output2为低电平，此时Q36导通，Q38截止，这样Vcore＝VFB+VFB*R196/(R197//R622)，从而Vcore随着负载的增加电压上升；
当负载变小时，即IVcore<IM，因为负载变小，Vcore电压往上升，IVcore电流减少，所以导致VA电压降低，此时VA<Vref1<Vref2，从而Output1为低电平，Output2为高电平，此时Q36截止，Q38导通，这样Vcore＝VFB+VFB*(R196//R620)/R197，从而Vcore随着负载的降低而降低；
上述IM可以为正常负载条件下IVcore的最小电流值，IN可以为正常负载条件下IVcore的最大电流值。另外，增加了电阻R138以后，可以限制光电耦合器301的电流大小，对光电耦合器有一定的保护作用，所以其具有提高安全性的优点。
所以本发明第二较佳实施方式的技术方案具有T-CONCorePower电压Vcore将自动跟随负载的变化而变化，提高T-CONCorePower电压的稳定性，确保T-CON不管什么条件都能够正常工作的优点。
参阅图4，图4为本发明第三较佳实施方式提供的T-CON负载变化的电压控制电路，该控制电路如图4所示，可以包括：电源芯片(IC)和电压控制电路，如图4所示，电压控制电路40可以包括：光电耦合器401、第一比较器OP1、第二比较器OP2、场效应管G38和场效应管G36；其中，
光电耦合器401的1号引脚与电感L8的另一端连接，电感L8的一端与电源IC的LX端口连接，光电耦合器201的2号引脚与核心电压Vcore输出口连接，光电耦合器401的3号引脚与电阻R172的另一端连接，电阻R172的一端接地，光电耦合器401的4号引脚与电阻R138的一端连接，电阻R138的另一端连接电压源VCC1连接；
第一电压比较器OP1的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一比较电压Vref1，第一比较器OP1的输出端口output1连接场效应管G36的G极；第二电压比较器OP2的正电源端连接电压源VCC2，负电源端连接等电势点，第二比较器OP2的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器OP2的输出端口output2连接场效应管G38的G极；
场效应管G38的D极连接Vcore，场效应管G38的S极连接电阻R620的一端，电阻R620的另一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的D极连接电阻R622的另一端，电阻R622的一端连接电源芯片的FB端口，场效应管G36的S极接地；电容C413的一端与电感L8的另一端连接，电容C413的另一端分别与第一电压比较器OP1的输出端和第二电压比较器OP2的输出端连接。
需要说明的是，上述电源IC的具体型号可以为：SY8113，当然在实际应用中，也可以更换成其他型号的芯片，本发明第三较佳实施方式对电源IC的芯片型号并不限定。
上述LX端口具体可以为，电源芯片的电压输出端口，在本发明第三较佳实施方式将该电压输出端口定义为LX端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将电压输出端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该电压输出端口的名称并没有相关的限定。
上述第二电压源VCC2的值在本发明第三较佳实施方式的一个实施例中，可以为5V电压源，当然在本发明第三较佳实施方式的另一个实施例中，可以为3.3V电压源，另外电压源VCC1的电压取值可以与电压源VCC2的值一样，当然也可以取不同的值，本发明对电压源VCC1和电压源VCC2的取值并不限定。
上述FB端口具体可以为，电源芯片的反馈电压端口，在本发明第三较佳实施方式中将该反馈电压端口定义为FB端口，当然在本发明其他较佳实施方式中也可以将反馈电压端口定义成其他的名称。本发明具体实施方式对该反馈电压端口的名称并没有相关的限定。
下面通过本发明第三较佳实施方式的电路原理来说明本发明第三较佳实施方式所达到的技术效果。
正常负载条件下，即IM<IVcore<IN，此时Vref2<VA<Vref1，此时第一比较器OP1的Output1输出低电平和第二比较器OP2的Output2输出低电平，此时场效应管Q36及场效应管Q38都截止，此时相当于电压控制电路不工作，Vcore的电压不变，且Vcore＝VFB+VFB*R196/R197；
当负载变大时，即IVcore>IN，因为负载变大，Vcore电压往下降，IVcore电流增加，IVcore电流增加导致光电耦合器201的1号到2号电流增加，光电耦合器1号引脚到2号引脚电流增加导致3号引脚到4号引脚电流增加，从而导致VA增大，所以此时VA>Vref1>Vref2，从而Output1为高电平，Output2为低电平，此时Q36导通，Q38截止，这样Vcore＝VFB+VFB*R196/(R197//R622)，从而Vcore随着负载的增加电压上升；
当负载变小时，即IVcore<IM，因为负载变小，Vcore电压往上升，IVcore电流减少，所以导致VA电压降低，此时VA<Vref1<Vref2，从而Output1为低电平，Output2为高电平，此时Q36截止，Q38导通，这样Vcore＝VFB+VFB*(R196//R620)/R197，从而Vcore随着负载的降低而降低；
上述IM可以为正常负载条件下IVcore的最小电流值，IN可以为正常负载条件下IVcore的最大电流值。另外，增加了电阻R138以后，可以限制光电耦合器301的电流大小，对光电耦合器有一定的保护作用，所以其具有提高安全性的优点。
本发明第三较佳实施方式增加了电容C413，并且将其设置在比较器的输出口与电感L8之间，设置该电容可以降低场效应管G38和场效应管G36的导通速度，这样可以避免由于场效应管导通速度太快，易出现浪涌电流，从而对电源IC造成冲击。
所以本发明第三较佳实施方式的技术方案具有T-CONCorePower电压Vcore将自动跟随负载的变化而变化，提高T-CONCorePower电压的稳定性，确保T-CON不管什么条件都能够正常工作的优点。
另外，本发明具体实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板，该显示面板包括T-CON负载变化的电压控制电路，该T-CON负载变化的电压控制电路的具体结构可以参见本发明第一、第二、第三较佳实施方式的描述，这里不在赘述。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (9)

1.一种T-CON负载变化的电压控制电路，其特征在于，所述T-CON负载变化的电压控制电路包括：电源芯片和电压控制电路，所述电压控制电路包括：光电耦合器、第一比较器(OP1)、第二比较器(OP2)、第一场效应管(G38)和第二场效应管(G36)；其中，
光电耦合器的1号引脚与电感(L8)的另一端连接，电感(L8)的一端与电源芯片的电压输出端口连接，光电耦合器的2号引脚与核心电压(Vcore)连接，光电耦合器的3号引脚与第一电阻(R172)的另一端连接，第一电阻(R172)的一端接地，光电耦合器的4号引脚与第一电压源(VCC1)连接；
第一电压比较器(OP1)的正电源端连接第二电压源(VCC2)，负电源端连接等电势点，第一比较器(OP1)的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器(OP1)的反相输入端连接第一比较电压(Vref1)，第一比较器(OP1)的输出端口(output1)连接第二场效应管(G36)的G极；第二电压比较器(OP2)的正电源端连接第二电压源(VCC2)，负电源端连接等电势点，第二比较器(OP2)的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器(OP2)的反相输入端连接第二比较电压(Vref2)，第二比较器(OP2)的输出端口(output2)连接第一场效应管(G38)的G极；
第一场效应管(G38)的D极连接核心电压(Vcore)，第一场效应管(G38)的S极连接第二电阻(R620)的一端，第二电阻(R620)的另一端连接电源芯片的反馈电压端口，第二场效应管(G36)的D极连接第三电阻(R622)的另一端，第三电阻(R622)的一端连接电源芯片的FB端口，第二场效应管(G36)的S极接地。
2.根据权利要求1所述的T-CON负载变化的电压控制电路，其特征在于，所述电压控制电路还包括：第四电阻(R138)；
其中，第四电阻(R138)的一端连接光电耦合器的4号引脚，第四电阻(R138)的另一端连接第一电压源(VCC1)。
3.根据权利要求1所述的T-CON负载变化的电压控制电路，其特征在于，所述电压控制电路还包括：电容(C413)；其中，
电容(C413)的一端与电感(L8)的另一端连接，电容(C413)的另一端分别与第一电压比较器(OP1)的输出端和第二电压比较器(OP2)的输出端连接。
4.根据权利要求1所述的T-CON负载变化的电压控制电路，其特征在于，所述第二电压源(VCC2)具体为：3.3V电压源或5V电压源。
5.一种显示面板，其特征在于是，所述显示面板包括：T-CON负载变化的电压控制电路，所述T-CON负载变化的电压控制电路包括：电源芯片和电压控制电路，所述电压控制电路包括：光电耦合器、第一比较器(OP1)、第二比较器(OP2)、第一场效应管(G38)和第二场效应管(G36)；其中，
光电耦合器的1号引脚与电感(L8)的另一端连接，电感(L8)的一端与电源芯片的电压输出端口连接，光电耦合器的2号引脚与核心电压(Vcore)连接，光电耦合器的3号引脚与第一电阻(R172)的另一端连接，第一电阻(R172)的一端接地，光电耦合器的4号引脚与第一电压源(VCC1)连接；
第一电压比较器(OP1)的正电源端连接第二电压源(VCC2)，负电源端连接等电势点，第一比较器(OP1)的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第一比较器(OP1)的反相输入端连接第一比较电压(Vref1)，第一比较器(OP1)的输出端口(output1)连接第二场效应管(G36)的G极；第二电压比较器(OP2)的正电源端连接第二电压源(VCC2)，负电源端连接等电势点，第二比较器(OP2)的正相输入端连接光电耦合器的4号引脚，第二比较器(OP2)的反相输入端连接第二比较电压(Vref2)，第二比较器(OP2)的输出端口(output2)连接第一场效应管(G38)的G极；
第一场效应管(G38)的D极连接核心电压(Vcore)，第一场效应管(G38)的S极连接第二电阻(R620)的一端，第二电阻(R620)的另一端连接电源芯片的反馈电压端口，第二场效应管(G36)的D极连接第三电阻(R622)的另一端，第三电阻(R622)的一端连接电源芯片的FB端口，第二场效应管(G36)的S极接地。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述电压控制电路还包括：第四电阻(R138)；
其中，第四电阻(R138)的一端连接光电耦合器的4号引脚，第四电阻(R138)的另一端连接第一电压源(VCC1)。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述电压控制电路还包括：电容(C413)；其中，
电容(C413)的一端与电感(L8)的另一端连接，电容(C413)的另一端分别与第一电压比较器(OP1)的输出端和第二电压比较器(OP2)的输出端连接。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二电压源(VCC2)具体为：3.3V电压源或5V电压源。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利5—8任一所述的显示面板。
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