CN105262057B - Pmic的保护电路、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种PMIC的保护电路，所述PMIC的保护电路包括：PMIC和保护电路；所述保护电路包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接电容的一端，电容的一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接VAA；PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管的阳极、二极管的阴极连接PMIC的GD1引脚；所述保护电路，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。本发明提供的技术方案具有安全性高的优点。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种PMIC的保护电路、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶屏(英文：panel)又称LCD(英文全称：Liquid Crystal Display，中文：液晶显示器)，其是目前常用的电子显示设备，PMIC(中文：电源管理集成电路，英文全称：PowerManagement IC)为显示设备的直流电路DC-DC(英文全称：Direct Current)中的常用电路，现有的PMIC电路如图1所示。
在实现现有技术的技术方案中，发现现有技术存在如下技术问题：
现有的PMIC由于没有保护电路，导致PMIC在进行EOS(英文全称：Electric ofsurge，中文：浪涌电)测试时，会出现大电流导致PMIC损坏。
发明内容
提供一种PMIC的保护电路，所述PMIC的保护电路增加了保护电路，使得PMIC在EOS测试时，如果出现大电流，能够得到有效的保护，不会出现PMIC的损坏。
第一方面，提供一种电源管理集成电路PMIC的保护电路，所述PMIC的保护电路包括：PMIC，所述PMIC的保护电路还包括：保护电路；
所述保护电路包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接电容的一端，电容的另一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接VAA；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管的阳极、二极管的阴极连接PMIC的GD1引脚；
所述保护电路，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
结合第一方面提供的一种电源管理集成电路PMIC的保护电路，在第一方面的第一种可选方案中，
所述保护电路，还用于在VAA电压或电流正常时，闭合3号接口和4号接口之间的连接。
结合第一方面提供的一种电源管理集成电路PMIC的保护电路或第一方面的第一种可选方案，在第一方面的第二种可选方案中，
所述保护电路包括：过流保护模块和开关模块；
所述过流保护模块包括：光电耦合器、第一比较器和或门电路；
所述开关模块包括：第一场效应管、第二场效应管和第三电阻；
所述光电耦合器的1号引脚连接电容的另一端，光电耦合器的2号引脚连接第二电阻的一端，光电耦合器的3号引脚连接第四电阻的另一端，光电耦合器的4号引脚连接第五电阻的一端，第四电阻的一端接地，第五电阻的另一端连接VCC；
第一比较器的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路的一个输入端，或门电路的输出端连接第一场效应管的G极；
第一场效应管的D极连接第二场效应管的G极，第一场效应管的S极接地；第二场效应管的D极连接PWIC的SW_2引脚和SW_1引脚，第二场效应管的S极连接二极管的阳极；第六电阻的一端连接VCC，第六电阻的另一端连接第二场效应管的G极。
结合第一方面的第二种可选方案，在第一方面的第三种可选方案中，所述保护电路还包括：过压保护模块；
所述过压保护模块包括：第二比较器、第七电阻和第八电阻；其中，
第七电阻的一端连接电容的另一端，第七电阻的另一端连接第八电阻的一端，第八电阻的另一端接地，第二比较器的正相输入端连接第八电阻的一端，第二比较器的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器的正电源端连接VCC，负电源端连接等电势点，第二比较器的输出端连接或门电路的另一个输出端。
第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括电源管理集成电路PMIC的保护电路，所述PMIC的保护电路包括：PMIC和保护电路；
所述保护电路包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接电容的一端，电容的另一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接VAA；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管的阳极、二极管的阴极连接PMIC的GD1引脚；
所述保护电路，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
结合第二方面提供的一种显示面板，在第二方面的第一种可选方案中，
所述保护电路，还用于在VAA电压或电流正常时，闭合3号接口和4号接口之间的连接。
结合第二方面提供的一种显示面板或第二方面的第一种可选方案，在第二方面的第二种可选方案中，
所述保护电路包括：过流保护模块和开关模块；
所述过流保护模块包括：光电耦合器、第一比较器和或门电路；
所述开关模块包括：第一场效应管、第二场效应管和第三电阻；
所述光电耦合器的1号引脚连接电容的另一端，光电耦合器的2号引脚连接第二电阻的一端，光电耦合器的3号引脚连接第四电阻的另一端，光电耦合器的4号引脚连接第五电阻的一端，第四电阻的一端接地，第五电阻的另一端连接VCC；
第一比较器的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路的一个输入端，或门电路的输出端连接第一场效应管的G极；
第一场效应管的D极连接第二场效应管的G极，第一场效应管的S极接地；第二场效应管的D极连接PWIC的SW_2引脚和SW_1引脚，第二场效应管的S极连接二极管的阳极；第六电阻的一端连接VCC，第六电阻的另一端连接第二场效应管的G极。
结合第二方面的第二种可选方案，在第二方面的第三种可选方案中，所述保护电路还包括：过压保护模块；
所述过压保护模块包括：第二比较器、第七电阻和第八电阻；其中，
第七电阻的一端连接电容的另一端，第七电阻的另一端连接第八电阻的一端，第八电阻的另一端接地，第二比较器的正相输入端连接第八电阻的一端，第二比较器的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器的正电源端连接VCC，负电源端连接等电势点，第二比较器的输出端连接或门电路的另一个输出端。
第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括第一方面提供的PMIC的保护电路、第一方面的第一种可选方案、第一方面的第二种可选方案或第一方面的第三种可选方案。
根据各实施方式提供的PMIC的保护电路提供了过流保护模块、过压保护模块和开关模块，这样就能够在过流或过压时对PMIC提供相应的保护，所以其具有安全性高的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的PMIC电路示意图；
图2为本发明第一较佳实施方式中PMIC的保护电路结构示意图；
图3为本发明第二较佳实施方式中PMIC的保护电路结构示意图；
图4为本发明第三较佳实施方式中PMIC的保护电路结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下述实施方式的描述中，如无额外的说明，第一电阻可以为附图中的R137，第二电阻可以为附图中的R138，第三电阻可以为附图中的R131，第四电阻可以为附图中的R167，第六电阻可以为附图中的R191，第七电阻可以为附图中的R168，第八电阻可以为附图中的R169，二极管可以为附图中的D23，电容可以为附图中的C71，第一场效应管可以为附图中的G26，第二场效应管可以为附图中的G25，SW_1具体可以为PMIC的第一开关引脚，SW_2具体可以为PMIC的第二开关引脚，GD具体可以为PMIC的一个门极信号引脚，GD1具体可以为PMIC的另一个门极信号引脚，VAA可以为输出电压。
参阅图2，图2为本发明第一较佳实施方式提供的PMIC的保护电路，该保护电路如图2所示，包括：PMIC 201和保护电路202，
其中保护电路202包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚(30号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)连接电阻R137的一端，电阻R137的另一端连接电容C71的一端，电容C71的一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接电阻R138的一端，电阻R138的另一端连接VAA端口；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管D23的阳极、二极管D23的阴极连接PMIC的GD1引脚(即29号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)；
该保护电路202，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
本发明第一较佳实施方式提供的技术方案提供了一种保护电路，该保护电路串联连接在VAA的引脚上，并且当VAA的电压或电流过高时，控制关断3号接口和4号接口之间的连接，这样就对PMIC中的SW_1和SW_1引脚断开，从而保护了PMIC，防止PMIC在过电流或过电压情况下的损坏，所以其具有保护PMIC的作用。
优选的，本发明第一较佳实施方式还可以包括如下方案：
保护电路202，用于在VAA电压或电流正常时，闭合3号接口和4号接口之间的连接。
此方式能够在电压或电流正常时，闭合3号接口和4号接口之间的连接，使得PMIC能够正常的供电工作。
参阅图3，图3为本发明第一较佳实施方式提供的PMIC保护电路，该保护电路如图3所示，包括：PMIC 301和保护电路302；
其中保护电路302包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚(30号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)连接电阻R137的一端，电阻R137的另一端连接电容C71的一端，电容C71的一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接电阻R138的一端，电阻R138的另一端连接VAA端口；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管D23的阳极、二极管D23的阴极连接PMIC的GD1引脚(即29号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)；
该保护电路302，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
该保护电路302具体可以包括：过流保护模块3021和开关模块3022；
其中，过流保护模块3021如图3所示，包括：光电耦合器30210、第一比较器OP1和或门电路30211；开关模块3022可以包括：场效应管G26、场效应管G25和电阻R191；
其中，光电耦合器30210的1号引脚连接电容C71的另一端，光电耦合器30210的2号引脚连接电阻R138的一端，光电耦合器30210的3号引脚连接电阻R167的另一端，光电耦合器30210的4号引脚连接电阻R131的一端，电阻R167的一端接地，电阻R131的另一端连接VCC(电压源)；
第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路30211的一个输入端，或门电路30211的输出端连接场效应管G26的G极；
场效应管G26的D极连接场效应管G25的G极，场效应管G26的S极接地；场效应管G25的D极连接PWIC的SW_2引脚和SW_1引脚，场效应管G25的S极连接二极管D23的阳极；电阻R191的一端连接VCC(电压源)，电阻R191的另一端连接场效应管G25的G极。
上述光电耦合器30210的1号引脚和2号引脚即为保护电路的1号接口和2号接口，上述场效应管G25的D极即为保护电路的3号接口，场效应管G25的S极即为保护电路的4号接口。
参阅图3，下面结合附图3中电路图中的原理来说明本发明第二较佳实施方式的技术效果，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电流过大，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定增大，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流增加必将增加3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流增加，光电耦合器的3号引脚的电压增加，当光电耦合器的3号引脚的电压大于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出高电平，与门电路30211的输出端output输出高电平给场效应管G26的G极，场效应管G26导通，使得场效应管G25的G极电压下降，场效应管G25关断，从而关断PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在过电流的情况下保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚不受过电流冲击的优点，保护了PWIC，具有安全性高的优点。
相反，当PMIC出现电流正常时，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定减小，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流减小必将减小3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流减小，光电耦合器的3号引脚的电压减小，当光电耦合器的3号引脚的电压小于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出低电平，与门电路30211的输出端output输出低电平给场效应管G26的G极，场效应管G26关闭，使得场效应管G25的G极电压上升，场效应管G25导通，从而连接PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在电流正常的情况下能使得保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚返回正常工作状态，所以其具有不影响PMIC正常工作的优点。
参阅图4，图4为本发明第三较佳实施方式提供的PMIC保护电路，该保护电路如图4所示，包括：PMIC 301和保护电路302；
其中保护电路302包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚(30号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)连接电阻R137的一端，电阻R137的另一端连接电容C71的一端，电容C71的一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接电阻R138的一端，电阻R138的另一端连接VAA端口；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管D23的阳极、二极管D23的阴极连接PMIC的GD1引脚(即29号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)；
该保护电路302，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
该保护电路302具体可以包括：过流保护模块3021、开关模块3022和过电压保护模块401；
其中，过流保护模块3021如图3所示，包括：光电耦合器30210、第一比较器OP1和或门电路30211；开关模块3022可以包括：场效应管G26、场效应管G25和电阻R191；过电压保护模块401可以包括：第二比较器OP2、电阻R168和电阻R169；
其中，光电耦合器30210的1号引脚连接电容C71的另一端，光电耦合器30210的2号引脚连接电阻R138的一端，光电耦合器30210的3号引脚连接电阻R167的另一端，光电耦合器30210的4号引脚连接电阻R131的一端，电阻R167的一端接地，电阻R131的另一端连接VCC(电压源)；
第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路30211的一个输入端，或门电路30211的输出端连接场效应管G26的G极；
场效应管G26的D极连接场效应管G25的G极，场效应管G26的S极接地；场效应管G25的D极连接PWIC的SW_2引脚和SW_1引脚，场效应管G25的S极连接二极管D23的阳极；电阻R191的一端连接VCC(电压源)，电阻R191的另一端连接场效应管G25的G极。
电阻R168的一端连接电容C71的另一端，电阻R168的另一端连接电阻R169的一端，电阻R169的另一端接地，第二比较器OP2的正相输入端连接电阻R169的一端，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器的正电源端连接VCC，负电源端连接等电势点，第二比较器的输出端output2连接或门电路的另一个输出端。
上述光电耦合器30210的1号引脚和2号引脚即为保护电路的1号接口和2号接口，上述场效应管G25的D极即为保护电路的3号接口，S极即为保护电路的4号接口。
参阅图3，下面结合附图3中电路图中的原理来说明本发明第三较佳实施方式的技术效果，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电流过大，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定增大，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流增加必将增加3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流增加，光电耦合器的3号引脚的电压增加，当光电耦合器的3号引脚的电压大于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出高电平，与门电路30211的输出端output输出高电平给场效应管G26的G极，场效应管G26导通，使得场效应管G25的G极电压下降，场效应管G25关断，从而关断PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在过电流的情况下保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚不受过电流冲击的优点，保护了PWIC，具有安全性高的优点。
相反，当PMIC出现电流正常时，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定减小，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流减小必将减小3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流减小，光电耦合器的3号引脚的电压减小，当光电耦合器的3号引脚的电压小于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出低电平，与门电路30211的输出端output输出低电平给场效应管G26的G极，场效应管G26关闭，使得场效应管G25的G极电压上升，场效应管G25导通，从而连接PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在电流正常的情况下能使得保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚返回正常工作状态，所以其具有不影响PMIC正常工作的优点。
参阅图4，下面结合附图3、图4中电路图中的原理来说明本发明第三较佳实施方式的技术效果，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电压过大，则必然引起如图4所示的B点的电压升高，当VB大于第二参考电压Vref2时，第二比较器OP2的输出端output2高电平，此时或门电路输出端output输出高电平，场效应管G26导通，使得场效应管G25的G极电压下降，场效应管G25关断，从而关断PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在过电压的情况下保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚不受过电压冲击的优点，保护了PWIC，具有安全性高的优点。
相反，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电压正常，则必然引起如图4所示的B点的电压降低，当VB小于第二参考电压Vref2时，第二比较器OP2的输出端output2低电平，此时或门电路输出端output输出低电平，场效应管G26关断，使得场效应管G25的G极电压上升，场效应管G25导通，从而连通PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在电压正常的情况下能使得保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚返回正常工作状态，所以其具有不影响PMIC正常工作的优点。
另一方面，本发明具体实施方式还提供一种显示面板，该显示面板包括：PMIC的保护电路。参阅图2，图2为本发明第一较佳实施方式提供的PMIC的保护电路，该保护电路如图2所示，包括：PMIC 201和保护电路202，
其中保护电路202包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚(30号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)连接电阻R137的一端，电阻R137的另一端连接电容C71的一端，电容C71的一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接电阻R138的一端，电阻R138的另一端连接VAA端口；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管D23的阳极、二极管D23的阴极连接PMIC的GD1引脚(即29号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)；
该保护电路202，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
本发明第一较佳实施方式提供的技术方案提供了一种保护电路，该保护电路串联连接在VAA的引脚上，并且当VAA的电压或电流过高时，控制关断3号接口和4号接口之间的连接，这样就对PMIC中的SW_1和SW_1引脚断开，从而保护了PMIC，防止PMIC在过电流或过电压情况下的损坏，所以其具有保护PMIC的作用。
优选的，本发明第一较佳实施方式还可以包括如下方案：
保护电路202，用于在VAA电压或电流正常时，闭合3号接口和4号接口之间的连接。
此方式能够在电压或电流正常时，闭合3号接口和4号接口之间的连接，使得PMIC能够正常的供电工作。
参阅图3，图3为本发明第一较佳实施方式提供的PMIC保护电路，该保护电路如图3所示，包括：PMIC 301和保护电路302；
其中保护电路302包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚(30号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)连接电阻R137的一端，电阻R137的另一端连接电容C71的一端，电容C71的一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接电阻R138的一端，电阻R138的另一端连接VAA端口；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管D23的阳极、二极管D23的阴极连接PMIC的GD1引脚(即29号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)；
该保护电路302，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
该保护电路302具体可以包括：过流保护模块3021和开关模块3022；
其中，过流保护模块3021如图3所示，包括：光电耦合器30210、第一比较器OP1和或门电路30211；开关模块3022可以包括：场效应管G26、场效应管G25和电阻R191；
其中，光电耦合器30210的1号引脚连接电容C71的另一端，光电耦合器30210的2号引脚连接电阻R138的一端，光电耦合器30210的3号引脚连接电阻R167的另一端，光电耦合器30210的4号引脚连接电阻R131的一端，电阻R167的一端接地，电阻R131的另一端连接VCC(电压源)；
第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路30211的一个输入端，或门电路30211的输出端连接场效应管G26的G极；
场效应管G26的D极连接场效应管G25的G极，场效应管G26的S极接地；场效应管G25的D极连接PWIC的SW_2引脚和SW_1引脚，场效应管G25的S极连接二极管D23的阳极；电阻R191的一端连接VCC(电压源)，电阻R191的另一端连接场效应管G25的G极。
上述光电耦合器30210的1号引脚和2号引脚即为保护电路的1号接口和2号接口，上述场效应管G25的D极即为保护电路的3号接口，S极即为保护电路的4号接口。
参阅图3，下面结合附图3中电路图中的原理来说明本发明第二较佳实施方式的技术效果，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电流过大，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定增大，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流增加必将增加3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流增加，光电耦合器的3号引脚的电压增加，当光电耦合器的3号引脚的电压大于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出高电平，与门电路30211的输出端output输出高电平给场效应管G26的G极，场效应管G26导通，使得场效应管G25的G极电压下降，场效应管G25关断，从而关断PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在过电流的情况下保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚不受过电流冲击的优点，保护了PWIC，具有安全性高的优点。
相反，当PMIC出现电流正常时，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定减小，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流减小必将减小3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流减小，光电耦合器的3号引脚的电压减小，当光电耦合器的3号引脚的电压小于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出低电平，与门电路30211的输出端output输出低电平给场效应管G26的G极，场效应管G26关闭，使得场效应管G25的G极电压上升，场效应管G25导通，从而连接PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在电流正常的情况下能使得保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚返回正常工作状态，所以其具有不影响PMIC正常工作的优点。
参阅图4，图4为本发明第一较佳实施方式提供的PMIC保护电路，该保护电路如图4所示，包括：PMIC 301和保护电路302；
其中保护电路302包括：1号接口、2号接口、3号接口和4号接口；其中，PMIC的GD引脚(30号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)连接电阻R137的一端，电阻R137的另一端连接电容C71的一端，电容C71的一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接电阻R138的一端，电阻R138的另一端连接VAA端口；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管D23的阳极、二极管D23的阴极连接PMIC的GD1引脚(即29号引脚，当然在不同的型号的芯片，该引脚的编号可能不同，本发明第一较佳实施方式提供的技术方案以HX5562R11U型号的PMIC为例，在本发明第一较佳实施方式也可以采用其他型号的PMIC，本发明第一较佳实施方式并PMIC的型号并不限定)；
该保护电路302，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号接口和4号接口之间的连接。
该保护电路302具体可以包括：过流保护模块3021、开关模块3022和过电压保护模块401；
其中，过流保护模块3021如图3所示，包括：光电耦合器30210、第一比较器OP1和或门电路30211；开关模块3022可以包括：场效应管G26、场效应管G25和电阻R191；过电压保护模块401可以包括：第二比较器OP2、电阻R168和电阻R169；
其中，光电耦合器30210的1号引脚连接电容C71的另一端，光电耦合器30210的2号引脚连接电阻R138的一端，光电耦合器30210的3号引脚连接电阻R167的另一端，光电耦合器30210的4号引脚连接电阻R131的一端，电阻R167的一端接地，电阻R131的另一端连接VCC(电压源)；
第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路30211的一个输入端，或门电路30211的输出端连接场效应管G26的G极；
场效应管G26的D极连接场效应管G25的G极，场效应管G26的S极接地；场效应管G25的D极连接PWIC的SW_2引脚和SW_1引脚，场效应管G25的S极连接二极管D23的阳极；电阻R191的一端连接VCC(电压源)，电阻R191的另一端连接场效应管G25的G极。
电阻R168的一端连接电容C71的另一端，电阻R168的另一端连接电阻R169的一端，电阻R169的另一端接地，第二比较器OP2的正相输入端连接电阻R169的一端，第二比较器OP2的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器的正电源端连接VCC，负电源端连接等电势点，第二比较器的输出端output2连接或门电路的另一个输出端。
上述光电耦合器30210的1号引脚和2号引脚即为保护电路的1号接口和2号接口，上述场效应管G25的D极即为保护电路的3号接口，S极即为保护电路的4号接口。
参阅图3，下面结合附图3中电路图中的原理来说明本发明第三较佳实施方式的技术效果，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电流过大，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定增大，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流增加必将增加3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流增加，光电耦合器的3号引脚的电压增加，当光电耦合器的3号引脚的电压大于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出高电平，与门电路30211的输出端output输出高电平给场效应管G26的G极，场效应管G26导通，使得场效应管G25的G极电压下降，场效应管G25关断，从而关断PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在过电流的情况下保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚不受过电流冲击的优点，保护了PWIC，具有安全性高的优点。
相反，当PMIC出现电流正常时，则流过光电耦合器1号引脚到2号引脚的电流也必定减小，根据光电耦合器的工作原理，1号引脚到2号引脚的电流减小必将减小3号引脚到4号引脚的电流，从而流过电阻R167的电流减小，光电耦合器的3号引脚的电压减小，当光电耦合器的3号引脚的电压小于第一参考电压Vref1时，第一比较器OP1的输出端output1输出低电平，与门电路30211的输出端output输出低电平给场效应管G26的G极，场效应管G26关闭，使得场效应管G25的G极电压上升，场效应管G25导通，从而连接PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在电流正常的情况下能使得保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚返回正常工作状态，所以其具有不影响PMIC正常工作的优点。
参阅图4，下面结合附图3、图4中电路图中的原理来说明本发明第三较佳实施方式的技术效果，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电压过大，则必然引起如图4所示的B点的电压升高，当VB大于第二参考电压Vref2时，第二比较器OP2的输出端output2高电平，此时或门电路输出端output输出高电平，场效应管G26导通，使得场效应管G25的G极电压下降，场效应管G25关断，从而关断PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在过电压的情况下保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚不受过电压冲击的优点，保护了PWIC，具有安全性高的优点。
相反，当PMIC在进行EOS Test时，如果出现电压正常，则必然引起如图4所示的B点的电压降低，当VB小于第二参考电压Vref2时，第二比较器OP2的输出端output2低电平，此时或门电路输出端output输出低电平，场效应管G26关断，使得场效应管G25的G极电压上升，场效应管G25导通，从而连通PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，所以其具有在电压正常的情况下能使得保护PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚返回正常工作状态，所以其具有不影响PMIC正常工作的优点。
本发明具体实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板，该显示面板包括上述PMIC的保护电路，该PMIC的保护电路的具体结构可以参见本发明第一、二、三较佳实施方式的描述。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种电源管理集成电路PMIC的保护电路，所述PMIC的保护电路包括：PMIC，其特征在于，所述PMIC的保护电路还包括：保护电路；
所述保护电路包括：1号引脚、2号引脚、3号引脚和4号引脚；其中，PMIC的GD引脚连接第一电阻(R137)的一端，第一电阻(R137)的另一端连接电容(C71)的一端，电容(C71)的另一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接第二电阻(R138)的一端，第二电阻(R138)的另一端连接VAA；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管(D23)的阳极、二极管(D23)的阴极连接PMIC的GD1引脚；
所述保护电路，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号引脚和4号引脚之间的连接；
所述保护电路包括：过流保护模块和开关模块；
所述过流保护模块包括：光电耦合器、第一比较器(OP1)和或门电路；
所述开关模块包括：第一场效应管(G26)、第二场效应管(G25)和第六电阻(R191)；
所述光电耦合器的1号引脚连接电容(C71)的另一端，光电耦合器的2号引脚连接第二电阻(R138)的一端，光电耦合器的3号引脚连接第四电阻(R167)的另一端，光电耦合器的4号引脚连接第三电阻(R131)的一端，第四电阻(R167)的一端接地，第三电阻(R131)的另一端连接VCC；
第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路的一个输入端，或门电路的输出端连接第一场效应管(G26)的G极；
第一场效应管(G26)的D极连接第二场效应管(G25)的G极，第一场效应管(G26)的S极接地；第二场效应管(G25)的D极连接PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，第二场效应管(G25)的S极连接二极管(D23)的阳极；第六电阻(R191)的一端连接VCC，第六电阻(R191)的另一端连接第二场效应管(G25)的G极。
2.根据权利要求1所述的PMIC的保护电路，其特征在于，
所述保护电路，还用于在VAA电压或电流正常时，闭合3号引脚和4号引脚之间的连接。
3.根据权利要求1所述的PMIC的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：过压保护模块；
所述过压保护模块包括：第二比较器(OP2)、第七电阻(R168)和第八电阻(R169)；其中，
第七电阻(R168)的一端连接电容(C71)的另一端，第七电阻(R168)的另一端连接第八电阻(R169)的一端，第八电阻(R169)的另一端接地，第二比较器(OP2)的正相输入端连接第八电阻(R169)的一端，第二比较器(OP2)的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器(OP2)的正电源端连接VCC，负电源端连接等电势点，第二比较器(OP2)的输出端连接或门电路的另一个输入端。
4.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括电源管理集成电路PMIC的保护电路，所述PMIC的保护电路包括：PMIC和保护电路；
所述保护电路包括：1号引脚、2号引脚、3号引脚和4号引脚；其中，PMIC的GD引脚连接第一电阻(R137)的一端，第一电阻(R137)的另一端连接电容(C71)的一端，电容(C71)的另一端连接保护电路的1号引脚，保护电路的2号引脚连接第二电阻(R138)的一端，第二电阻(R138)的另一端连接VAA；
PMCI的SW_1和SW_2引脚均连接保护电路的3号引脚，保护电路的4号引脚连接二极管(D23)的阳极、二极管(D23)的阴极连接PMIC的GD1引脚；
所述保护电路，用于在VAA电压或电流过高时，断开3号引脚和4号引脚之间的连接；
所述保护电路包括：过流保护模块和开关模块；
所述过流保护模块包括：光电耦合器、第一比较器(OP1)和或门电路；
所述开关模块包括：第一场效应管(G26)、第二场效应管(G25)和第六电阻(R191)；
所述光电耦合器的1号引脚连接电容(C71)的另一端，光电耦合器的2号引脚连接第二电阻(R138)的一端，光电耦合器的3号引脚连接第四电阻(R167)的另一端，光电耦合器的4号引脚连接第三电阻(R131)的一端，第四电阻(R167)的一端接地，第三电阻(R131)的另一端连接VCC；
第一比较器OP1的正相输入端连接光电耦合器的3号引脚，第一比较器OP1的反相输入端连接第一参考电压Vref1，第一比较器OP1的正电源端连接5V电压，第一比较器OP1的负电源端接地，第一比较器OP1的输出端连接或门电路的一个输入端，或门电路的输出端连接第一场效应管(G26)的G极；
第一场效应管(G26)的D极连接第二场效应管(G25)的G极，第一场效应管(G26)的S极接地；第二场效应管(G25)的D极连接PMIC的SW_2引脚和SW_1引脚，第二场效应管(G25)的S极连接二极管(D23)的阳极；第六电阻(R191)的一端连接VCC，第六电阻(R191)的另一端连接第二场效应管(G25)的G极。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述保护电路，还用于在VAA电压或电流正常时，闭合3号引脚和4号引脚之间的连接。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述保护电路还包括：过压保护模块；
所述过压保护模块包括：第二比较器(OP2)、第七电阻(R168)和第八电阻(R169)；其中，
第七电阻(R168)的一端连接电容(C71)的另一端，第七电阻(R168)的另一端连接第八电阻(R169)的一端，第八电阻(R169)的另一端接地，第二比较器(OP2)的正相输入端连接第八电阻(R169)的一端，第二比较器(OP2)的反相输入端连接第二比较电压Vref2，第二比较器(OP2)的正电源端连接VCC，负电源端连接等电势点，第二比较器(OP2)的输出端连接或门电路的另一个输入端。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括如权利要求1-3任一所述的PMIC的保护电路。
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