CN105256320B - 一种多晶硅设备的化学络合清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种多晶硅储罐类设备清洗装置，络合化学清洗及设备清洗工艺是对传统“酸碱清洗”的一项绿色新技术革命；其采用的无毒无味，不挥发，排放无污染环境的络合剂进行清洗，完全解决了多晶硅清洗中的各种难题，避免了酸洗对设备材质的腐蚀损伤。本发明能够采用浸泡式循环流水线作业，使多晶硅设备的管道清洗产能提高3‑5倍，能大大缩短多晶硅设备清洗的时间。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅清洗技术领域，涉及一种多晶硅设备的化学络合清洗方。
背景技术
作为生产太阳能发电板和电子元件的基础材料多晶硅产品，近年来可谓大起大落。经过多年的发展，多晶硅产品和组件市场逐渐平稳回升。多晶硅生产过程中对设备的洁净度要求极其严格，尤其是油分子和重金属离子，太阳能级的多晶硅纯度要求9个9％，电子级更是达到11个9％，在庞大的设备系统中，哪怕几个PPM的油分子都会造成无法出产品的严重后果。因此，多晶硅设备的开车前清洗技术多年以来，代表着工业清洗行业的最高水平。
多晶硅设备投产前的清洗，不仅仅是代表清洗技术的高低，关键是对清洗企业的综合实力体现，不仅对清洗技术的苛刻要求，重要的是对清洗现场的管理能力。清洗工艺流程，清洗剂，清洗后的保护，再到安装公司对储罐和设备的安装，都对最后多晶硅产品有着很大的影响。多晶硅设备中的储罐清洗，有着非常高的洁净度要求，比如清洗脱脂后，用去离子的纯水进行冲洗储罐表面其他离子，然后需要对储罐用无油，无水，无尘的三无压缩空气进行干燥处理，最后成品保护处理。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种多晶硅设备的化学络合清洗方法，能够实现大规模作业，满足多晶硅设备清洗的高要求，有利于缩短多晶硅设备清洗的时间，缩短了电子级多晶硅的产出时间。
本发明是通过以下技术方案来实现：
一种多晶硅设备的化学络合清洗方法，包括以下操作：
1)对待清洗的多晶硅设备进行去除表面附着物或杂质的预处理，然后向 多晶硅设备中注入水进行试漏检测；
2)待多晶硅设备无漏水后，采用高效脱脂剂对设备表面进行脱脂处理，所述的脱脂清洗剂为非离子表面活性剂；脱脂处理结束后排出脱脂清洗剂；脱脂处理后的设备立即进行水冲洗，冲洗至流出水的pH值中性为准；
3)水冲洗结束后，采用络合除锈剂以浸泡清洗、循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行络合除锈清洗，所述的络合除锈为络合除锈剂溶解于35℃～45℃的水中，pH值为1～4；络合除锈清洗过程中在供给络合除锈剂的清洗循环槽中设置标准同材质标准试片进行监测，至流出液铁离子总量稳定时结束清洗；络合除锈清洗结束后排出络合除锈剂，用水冲洗至水清；
4)水冲洗结束后，采用漂洗剂以循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行漂洗，所述的漂洗剂为弱酸溶液，其pH值为3.5～4.0，温度为45～60℃，漂洗1～3h；
5)漂洗结束后排出漂洗剂，然后用温度为30～35℃、pH值为8～9的氨水进行氨塞处理，时间为0.2～1.5h；
6)氨塞处理结束立即投加钝化剂对设备表面进行钝化处理，钝化结束后排出钝化剂，用水冲洗至水清；
7)将设备用无油无尘的洁净空气强力吹干，封闭并充氮保护。
所述的预处理为拉擦或喷砂处理，清除至表面无明显附着物、杂物及锈迹；
在之后的每道工序清洗前进行正、反循环十分钟，排净空气，然后进行清洗作业。
所述的非离子表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚与与螯合剂、分散剂的混合物的溶液，其中脂肪醇聚氧乙烯醚所占的质量分数为0.3～0.6％，所述的分散剂为脂肪酸类的分散剂，所述的螯合剂为有机膦，脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的质量比为(2～8)：(0.5～1)：(0.5～1)；非离子表面活性 剂于35～45℃、pH值9～11的条件下进行脱脂。
所述的络合除锈剂包括EDTA钠盐、有机酸并添加保护剂，其中EDTA钠盐所占的质量分数为60～80％，EDTA钠盐：有机酸：保护剂的质量比为(8～10)：(2～4)：(0.2～1)；所述的有机酸为柠檬酸或氨基磺酸，所述的保护剂为有机胺盐化合物；络合除锈剂添加的质量分数为1～5％。
所述的漂洗剂为柠檬酸溶液，用氨水调pH值为3.5～4。
氨塞处理结束后用钝化剂对设备表面进行钝化处理，所述的钝化剂采用金属表面钝化剂，在温度为60～70℃、pH值为10～11的条件下钝化，钝化处理时间为8～16h；或者钝化剂采用表面成膜剂，在常温下、pH值为9～11的条件下钝化；
或者，漂洗处理结束后再加氨水使pH值为9.5～9.8，然后以氧化剂作为钝化剂进行钝化，在温度38～42℃下处理6～8h，所述的氧化剂为过氧化物或高锰酸钾。
所述的多晶硅设备为管材、阀门时，所述的预处理清除至表面无锈迹；所述的脱脂处理分为粗脱脂处理和精脱脂处理来进行，其中粗脱脂处理采用有机溶剂进行处理，精脱脂处理采用非离子表面活性剂进行处理；所述的络合除锈清洗时，碳钢腐蚀率K≤5g/㎡·h，腐蚀总量＜60g/㎡；所述的漂洗时要求冲洗后铁离子含量为300mg/L，不锈钢≤2g/㎡·h，腐蚀总量＜20g/㎡。
所述的多晶硅设备为换热器、塔类或罐类时，所述的预处理清除至表面无锈迹、杂物及重油；所述的脱脂处理分为粗脱脂处理和精脱脂处理来进行，其中粗脱脂处理采用有机溶剂进行处理，精脱脂处理采用非离子表面活性剂进行处理；所述的络合除锈清洗时，每小时检测一次铁离子和pH值，控制腐蚀速率；所述的漂洗结束后检测温度、pH值和总Fe量。
所述的多晶硅设备为塔类或罐类时，还在设备内设置喷淋装置；所述的络合除锈剂、漂洗剂、钝化液等通过喷淋装置喷淋至设备表面。
所述的清洗液通过清洗换向平台实行正反交替循环清洗方式，避免清洗死角漏洗。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明提供的多晶硅设备的化学络合清洗方法，络合化学清洗及设备清洗工艺是对传统“酸碱清洗”的一项绿色新技术革命；其采用的无毒无味，不挥发，排放无污染环境的络合除锈剂进行清洗，所排除的废液均为环保、无害化废液，完全解决了多晶硅清洗中的各种难题，避免了酸洗对设备材质的腐蚀损伤，废液完全达到环保要求，而清洗后的清洗液可反复使用。
本发明提供的多晶硅设备的化学络合清洗方法，采用了多种的清洗工序的结合，首先排除化学清洗难去除的附作物杂物，再经过络合除锈清洗、漂洗、氨塞、钝化、吹干、充氮保护的工艺，而且各工艺之间用水清洗，在不伤害设备的情况下能够达到高洁净度的清洗，而且清洗过后设备持续运行时间长。
本发明提供的多晶硅设备的化学络合清洗方法，能够采用循环清洗、喷淋清洗、浸泡清洗多种方式，便于搭建清洗平台，清洗液可采用循环管路输送，而温度及pH的检测都可以从测试管路中获取，方便了操作而且便于精细化的调节，采用正、反循环方式进行清洗，可以将清洗不到的死角彻底清洗干净并能够实现流量的准确调控可以适应不同的清洗要求。
本发明提供的多晶硅设备的化学络合清洗方法，能够采用浸泡式循环流水线作业，使多晶硅设备的管道清洗产能提高3～5倍，能大大缩短多晶硅设备清洗的时间。
具体实施方式
下面对本发明做进一步详细描述，所述是对本发明的解释而不是限定。
一种多晶硅设备的化学络合清洗方法，包括以下操作：
1)对待清洗的多晶硅设备进行去除表面附着物或杂质的预处理，然后向 多晶硅设备中注入水进行试漏检测；
2)待多晶硅设备无漏水后，采用脱脂清洗剂对设备表面进行脱脂处理，所述的脱脂清洗剂为非离子表面活性剂；脱脂处理结束后排出脱脂清洗剂；脱脂处理后的设备立即进行水冲洗，冲洗至流出水的pH值中性为准；
3)水冲洗结束后，采用络合除锈剂以浸泡清洗、循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行络合除锈清洗，所述的络合除锈为络合除锈剂和络合除垢剂溶解于35℃～45℃的水中，pH值为1～4；络合除锈清洗过程中在供给络合除锈剂的管路中设置标准同材质标准试片进行监测，至流出液铁离子总量稳定时结束清洗；络合除锈清洗结束后排出络合除锈剂，用水冲洗至水清；
4)水冲洗结束后，采用漂洗剂以循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行漂洗，所述的漂洗剂为弱酸溶液，其pH值为3.5～4.0，温度为45～65℃，漂洗1～3h；
5)漂洗结束后排出漂洗剂，然后用温度为30～35℃、pH值为8～9的氨水进行氨塞处理，时间为0.2～1.5h；
6)氨塞处理结束后再用钝化剂对设备表面进行钝化处理，钝化结束后排出钝化剂，用水冲洗至水清；
7)将设备用无油无尘的洁净空气强力吹干，封闭并充氮保护。
所述的预处理为拉擦或喷砂处理，清除至表面无明显附着物、杂物及锈迹；
在之后的每道工序清洗前进行正、反循环十分钟，排净空气，然后进行清洗作业。
进一步的，所述的非离子表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的混合物的溶液，其中脂肪醇聚氧乙烯醚所占的质量分数为0.3～0.6％，所述的分散剂为脂肪酸类的分散剂，所述的螯合剂为有机膦，脂肪醇聚氧乙烯醚与与螯合剂、分散剂的质量比为(2～8)：(0.5～1)：(0.5～1)；非离子 表面活性剂于35～45℃、pH值9～11的条件下进行脱脂。
所述的络合除锈剂包括EDTA钠盐、有机酸并添加保护剂，EDTA钠盐所占的质量分数为60～80％，EDTA钠盐：有机酸：保护剂的质量比为(8～10)：(2～4)：(0.2～1)；所述的保护剂为有机胺盐化合物；络合除锈剂添加的质量分数为1～5％。
氨塞处理结束后用钝化剂对设备表面进行钝化处理，所述的钝化剂采用金属表面钝化剂，在温度为60～70℃、pH值为9～11的条件下钝化，钝化处理时间为8～16h；或者钝化剂采用表面成膜剂，在常温下、pH值为9～11的条件下钝化；
或者，漂洗处理结束后再加氨水使pH值为9.5～9.8，然后以氧化剂作为钝化剂进行钝化，在温度38～42℃下进行钝化处理6～8h。所述的氧化剂为过氧化物或高锰酸钾。所涉及的金属表面钝化剂、表面成膜剂可以采用市售的同类型产品或者自行配置。所述的金属表面钝化剂包括氧化剂和调节剂，氧化剂和调节剂的质量比为(5～10)：(1～3)；所述的氧化剂为高锰酸钾或过氧化物。
所述的多晶硅设备指装置中的换热器、精馏塔、储罐、阀门、管线等。
本发明的清洗方法不仅限于多晶硅装置，对于各种石化装置，锅炉及超洁净系统清洗均适用。所述的清洗包括循环清洗、喷淋清洗、浸泡清洗均可。
本发明提供的多晶硅设备的化学络合清洗方法，络合化学清洗及设备清洗工艺是对传统“酸碱清洗”的一项绿色新技术革命；其采用的无毒无味，不挥发，排放无污染环境的络合除锈剂进行清洗，完全解决了多晶硅清洗中的各种难题，避免了酸洗对设备材质的腐蚀损伤。
络合清洗和常规清洗的对比
下面给出具体的实施例
实施例1对管道、管材类的清洗
1)对碳钢管材清洗前的预处理：
严重锈蚀的碳钢管道及焊渣、飞溅物、油漆要先进行人工处理，达到精脱脂程度，用目测检测。轻微锈蚀碳钢管道直接进行精脱脂。
2)脱脂工艺处理：
⒈粗脱脂工艺：油污严重的管道首先进行粗脱脂，采用有机溶剂三氯乙烯等作粗脱脂剂。
⒉精脱脂工艺：用非离子表面活性剂清洗，脱脂后采用无油热风工艺干燥。
水冲洗：脱脂后立即进行水冲洗，常温30分钟。
所述的非离子表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的混合物的溶液，其中脂肪醇聚氧乙烯醚所占的质量分数为0.3～0.6％，所述的螯 合剂为有机膦，所述的分散剂为脂肪酸类的分散剂，脂肪醇聚氧乙烯醚与与螯合剂、分散剂的质量比为4：1：0.5；将非离子表面活性剂溶解于35～45℃的水中；脱脂清洗剂的PH值9～11。所述的螯合剂、分散剂也可以采用其他同类型试剂替代。
3)络合除锈：
水冲洗结束后，采用络合除锈剂以浸泡清洗、循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行络合除锈清洗，所述的络合除锈为络合除锈剂溶解于35℃～45℃的水中，pH值为1～4；络合除锈清洗过程中在供给络合除锈剂的清洗循环槽中设置标准同材质试片进行监测，至流出液铁离子总量稳定时结束清洗；络合除锈清洗结束后排出络合除锈剂，用水冲洗至水清；
具体的，所述的络合除锈剂包括EDTA钠盐、有机酸并添加保护剂；EDTA钠盐所占的质量分数为60～68％，EDTA钠盐：有机酸：保护剂的质量比为8：3.2：0.8；所述的有机酸为柠檬酸或氨基磺酸，所述的保护剂为有机胺盐化合物(比如咪唑啉)；络合除锈剂添加的质量分数为1％；同时，用标准挂片检测设备清洗的腐蚀率和腐蚀量。碳钢腐蚀率K≤5g/㎡·h，腐蚀总量＜60g/㎡，不锈钢≤2g/㎡·h，腐蚀总量＜20g/㎡。
4)漂洗：
采用漂洗剂以循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行漂洗，所述的漂洗剂为柠檬酸，其pH值为3.5～4.0，温度为45～65℃，漂洗1～3h；
漂洗终点为设备经冲洗后无浮绣(目测)，铁离子含量为300mg/L停止漂洗。
5)氨塞处理：
漂洗结束后排出漂洗剂，然后用温度为35℃、pH值为8.5的氨水进行氨塞处理，时间为1h；
6)钝化处理：
氨塞处理结束后再用钝化剂对设备表面进行钝化处理，所述的钝化剂是温度为60～70℃、pH值为10～11的金属表面钝化剂的溶液，钝化处理时间为8～16h；钝化结束后排出钝化液(从管道钝化膜均匀牢固为准)，用水冲洗至水清；
7)水冲洗：用高压水枪对钝化后的管道逐根进行内外冲洗，管内冲洗两遍。
8)脱氧超纯水冲洗：脱氧超纯水冲洗至出口电导率稳定或进出口电导率基本一致即可。
9)干燥处理：将设备用无油无尘的洁净空气强力吹干，干燥终点以现场干燥槽尾端硅胶检验合格为准。
10)包封处理：干燥处理合格管线用滤纸检验无水分，用紫外灯照金属表面无残油并抽样做超纯水滴定，紫外灯检测，确保无油，后立即进行包封。
实施例2塔类、罐类的清洗
1、工艺的制定：
根据设备种类，材质，技术要求的不同，清洗质量的要求，建设方的要求来制定设备的清洗方案。设备清洗可以分为喷淋清洗和循环清洗两部分。大容积设备如精馏塔、储罐(反应罐)根据锈蚀程度，还在设备内设置喷淋装置，采取喷淋和循环清洗，其他设备全部采用循环清洗。循环清洗通过清洗换向平台实行正反交替循环清洗方式，避免清洗死角漏洗，具体分类设备连接安装清洗工艺见分类清洗工艺操作规程及附表。
2、设备清洗工艺：
预处理(拉擦或喷砂处理)→注水→试漏→脱脂→水冲洗→络合除锈→水冲洗→漂洗→氨塞→钝化→RO水冲洗→脱氧纯水冲洗→干燥处理→氮封
3、清洗方法：
3.1)预处理：设备清洗前必须经几方共同检验，对设备存在的化学清洗 所无法解决的问题先行进行处理。如：油漆、压制和焊接碴皮、杂物及重油。
3.2注水试漏：设备出厂前均做过压力试验，但在清洗前，临时清洗系统安装后，必须进行水压试验，检查临时系统和设备，确保无泄漏，方可进行化学清洗。
3.3脱脂：油污严重的碳钢设备首先进行粗脱脂或人工拉擦；轻油污的碳钢设备和不锈钢设备直接进行精脱脂，脱脂剂采用非离子表面活性剂，清洗用水为过滤自来水，清洗温度35-45℃，PH值9-11，清洗时间以现场检测为准；脱脂结束后排出清洗剂。
所述的非离子表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的混合物的溶液，其中脂肪醇聚氧乙烯醚所占的质量分数为60～80％，所述的螯合剂为有机膦，所述的分散剂为脂肪酸类的分散剂，脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的质量比为6：0.8：0.5；非离子表面活性剂于35～45℃、脱脂清洗剂的pH 9～11的环境下进行脱脂。
3.4水冲洗：脱脂后的设备立即进行水冲洗，冲洗水为自来水常温，冲洗时间以PH值中性为准。结束冲洗立即加温进行除锈工序。
3.5络合除锈：采用络合除锈剂进行循环清洗除锈，清洗温度35-45℃，PH值1-4，清洗过程中在循环槽内挂标准同材质试片，每小时检测一次铁离子和PH值，控制腐蚀速率，清洗时间相临近2小时铁离子总量稳定为终点判定。
所述的络合除锈剂包括EDTA钠盐、有机酸并添加保护剂，EDTA钠盐所占的质量分数为60～80％，EDTA钠盐：有机酸：保护剂的质量比为10：1.5：0.5；所述的有机酸为柠檬酸或氨基磺酸，所述的保护剂为有机胺盐化合物；络合除锈剂添加的质量分数为3.5％。
3.6水冲洗：除锈结束立即排出清洗剂，用自来水常温冲洗，冲洗时间以水清为止。
3.7漂洗：漂洗剂采用柠檬酸，用氨水调pH值3.5-4，温度为45-65℃，漂洗时间2小时。漂洗中要检测温度、pH值和总Fe量。
3.8氨塞：漂洗后排出药液，立即用水顶冲并投加氨水调PH值8-9，温度30-35℃，时间30分钟。
3.9钝化：氨塞结束后立即加钝化剂对设备表面进行钝化处理，温度60-70℃，PH值10-11，钝化时间8-16小时。
或者漂洗处理结束后再加氨水使pH值为9.5～9.8，然后以氧化剂作为钝化剂进行钝化，在温度38～42℃下处理6～8h，所述的氧化剂为过氧化物或高锰酸钾。
3.10 RO水冲洗:钝化结束后排出钝化液，用RO水冲洗至水清。
3.11超纯水冲洗：超纯水冲洗出口电导率稳定即可。
3.12干燥处理：清洗合格的设备，立即用无油无尘的冷风吹干，干燥终点以冷风出口硅胶检验合格为准。
3.13氮封：清洗干燥后的设备，立即进行封闭。并充氮保护，在正压以上。
以上给出的实施例是实现本发明较优的例子，本发明不限于上述实施例。本领域的技术人员根据本发明技术方案的技术特征所做出的任何非本质的添加、替换，均属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，采用浸泡式循环流水线作业，包括以下操作：
1)对待清洗的多晶硅设备进行去除表面附着物或杂质的预处理，然后向多晶硅设备中注入水进行试漏检测；
2)待多晶硅设备无漏水后，采用高效脱脂剂对设备表面进行脱脂处理，所述的高效脱脂剂为非离子表面活性剂；脱脂处理结束后排出高效脱脂剂；脱脂处理后的设备立即进行水冲洗，冲洗至流出水的pH值为中性；采用正、反循环方式进行清洗；
所述的非离子表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的混合物的溶液，其中脂肪醇聚氧乙烯醚所占的质量分数为0.3～0.6％，所述的分散剂为脂肪酸类的分散剂，所述的螯合剂为有机膦，脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的质量比为(2～8)∶(0.5～1)∶(0.5～1)；非离子表面活性剂于35～45℃、pH值9～11的条件下进行脱脂；
3)水冲洗结束后，采用络合除锈剂以浸泡清洗、循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行络合除锈清洗，所述的络合除锈剂溶解于35℃～45℃的水中，pH值为1～4；络合除锈清洗过程中在供给络合除锈剂的清洗循环槽中设置同材质标准试片进行监测，至流出液铁离子总量稳定时结束清洗；络合除锈清洗结束后排出络合除锈剂，用水冲洗至水清；
所述的络合除锈剂包括EDTA钠盐、有机酸并添加保护剂，其中EDTA钠盐所占的质量分数为60～80％，EDTA钠盐：有机酸：保护剂的质量比为(8～10)∶(2～4)∶(0.2～1)；所述的有机酸为柠檬酸或氨基磺酸，所述的保护剂为有机胺盐化合物；络合除锈剂添加的质量分数为1～5％；
4)水冲洗结束后，采用漂洗剂以循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行漂洗，所述的漂洗剂为柠檬酸溶液，用氨水调pH值为3.5～4.0，温度为45～60℃，漂洗1～3h；
5)漂洗结束后排出漂洗剂，然后用温度为30～35℃、pH值为8～9的氨水进行氨塞处理，时间为0.2～1.5h；
6)氨塞处理结束立即投加钝化剂对设备表面进行钝化处理，钝化结束后排出钝化剂，用水冲洗至水清；
7)将设备用无油无尘的洁净空气强力吹干，封闭并充氮保护。
2.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的预处理为拉擦或喷砂处理，清除至表面无明显附着物、杂物及锈迹；
在之后的每道工序清洗前进行正、反循环十分钟，排净空气，然后进行清洗作业。
3.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，氨塞处理结束后用钝化剂对设备表面进行钝化处理，所述的钝化剂采用金属表面钝化剂，在温度为60～70℃、pH值为10～11的条件下钝化，钝化处理时间为8～16h；或者钝化剂采用表面成膜剂，在常温下、pH值为9～11的条件下钝化；
或者，漂洗处理结束后再加氨水使pH值为9.5～9.8，然后以氧化剂作为钝化剂进行钝化，在温度38～42℃下处理6～8h，所述的氧化剂为过氧化物或高锰酸钾。
4.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的多晶硅设备为管材、阀门时，所述的预处理清除至表面无锈迹；所述的脱脂处理分为粗脱脂处理和精脱脂处理来进行，其中粗脱脂处理采用有机溶剂进行处理，精脱脂处理采用非离子表面活性剂进行处理；所述的络合除锈清洗时，碳钢腐蚀率K≤5g/m2·h，腐蚀总量＜60g/m2；所述的漂洗时要求冲洗后铁离子含量不超过300mg/L，不锈钢≤2g/m2·h，腐蚀总量＜20g/m2。
5.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的多晶硅设备为换热器、塔类或罐类时，所述的预处理清除至表面无锈迹、杂物及重油；所述的脱脂处理分为粗脱脂处理和精脱脂处理来进行，其中粗脱脂处理采用有机溶剂进行处理，精脱脂处理采用非离子表面活性剂进行处理；所述的络合除锈清洗时，每小时检测一次铁离子和pH值，控制腐蚀速率；所述的漂洗结束后检测温度、pH值和总Fe量。
6.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的多晶硅设备为塔类或罐类时，还在设备内设置喷淋装置；所述的络合除锈剂、漂洗剂通过喷淋装置喷淋至设备表面。
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