CN105227165A - Igbt门极驱动电路、igbt装置以及电动汽车 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车，包括：驱动芯片21、第一MOS推挽电路22和第二MOS推挽电路23，其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子221与所述驱动芯片的输出端子211连接；所述第一MOS推挽电路的输出端子222与所述第二MOS推挽电路的输入端子231连接；以及所述第二MOS推挽电路的输出端子232与IGBT的门极连接。通过本发明提供的IGBT门极驱动电路及IGBT装置，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

Description

IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车

技术领域

本发明涉及涉及电动汽车领域，尤其是用于电动车驱动系统的IGBT，特别地涉及IGBT门极驱动电路及IGBT装置。

背景技术

在大功率电力驱动系统中，由于驱动芯片的电流输出能力有限，导致其驱动能力不足，若用驱动芯片直接驱动大功率IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)将容易导致IGBT开关损耗增加，造成IGBT过早损坏。因此，增加电流输出能力成为解决驱动芯片驱动能力不足的有效途径，目前，大部分驱动芯片通过外接电流放大电路来提升电流输出能力，以达到安全可靠的开通和关断IGBT。

对此，现有的IGBT门极驱动电路中，一般采用三极管推挽电路作为电流放大电路。具体的，图1为依据现有技术的一种IGBT门极驱动电路的结构示意图，如图1所示，所述IGBT驱动电路中的驱动芯片11的输出端口与所述三极管推挽电路12的输入端口连接，所述三极管推挽电路12的输出端口与IGBT的门极连接。但是，对于该IGBT驱动电路，由于三极管的输出能力依赖于其前一级驱动器的输出能力，对于不同规格的IGBT需要更换不同的驱动芯片以及相应的三极管推挽电路来满足IGBT门级驱动尖峰电流的要求，因此，兼容性比较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提出了一种IGBT门极驱动电路及IGBT装置，用于解决现有的IGBT门极驱动电路兼容性较差的问题。

一方面，依据本发明的一种实施例提出了一种IGBT门极驱动电路，包括：

驱动芯片、第一MOS推挽电路和第二MOS推挽电路，其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子与所述驱动芯片的输出端子连接；所述第一MOS推挽电路的输出端子与所述第二MOS推挽电路的输入端子连接；以及所述第二MOS推挽电路的输出端子与IGBT的门极连接。

本发明提供的IGBT门极驱动电路，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，有效提高IGBT驱动电路的兼容性，且两级推挽电路的电路结构比较简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述第二MOS推挽电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一PMOS管和第一NMOS管，其中，所述第一电阻的一端连接至高电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子以及所述第一PMOS管的栅极连接；所述第二电阻的一端连接至低电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子以及所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的源极连接至所述高电平，所述第一PMOS管的漏极与所述第三电阻的一端连接；以及所述第一NMOS管的源极连接至所述低电平，所述第一NMOS管的漏极与所述第四电阻的一端连接，其中所述第三电阻的另一端和所述第四电阻的另一端均连接至所述第二MOS推挽电路的输出端口。该电路的电路结构简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述第二MOS推挽电路还包括：并联的第一稳压二极管和第一电容，以及并联的第二稳压二极管和第二电容；其中，所述第一稳压二极管的正极与所述第一MOS推挽电路的输出端子连接，所述第一稳压二极管的负极与所述第一PMOS管的栅极连接；以及所述第二稳压二极管的负极与所述第一MOS推挽电路的输出端子连接，所述第二稳压二极管的正极与所述第一NMOS管的栅极连接。通过上述并联电路的设置，对MOS管的栅极电压采用负压关断，从而使得电路的抗干扰能力更强，更安全可靠。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述第一MOS推挽电路包括：第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第二PMOS管和第二NMOS管，其中所述第五电阻的一端连接至高电平；所述第五电阻的另一端与所述第一MOS推挽电路的输入端子以及所述第二PMOS管的栅极连接；所述第六电阻的一端连接至低电平，所述第六电阻的另一端与所述第一MOS推挽电路的输入端子以及所述第二NMOS管的栅极连接；所述第二PMOS管的源极连接至所述高电平，所述第二PMOS管的漏极与所述第七电阻的一端连接；所述第二NMOS管的源极连接至所述低电平，所述第二NMOS管的漏极与所述第八电阻的一端连接；其中，所述第七电阻的另一端和所述第八电阻的另一端均连接至所述第二MOS推挽电路的输入端子。该电路的电路结构简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述第一MOS推挽电路还包括：并联的第三稳压二极管和第三电容，以及并联的第四稳压二极管和第四电容，其中所述第三稳压二极管的正极与所述第一MOS推挽电路的输入端子连接，所述第三稳压二极管的负极与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第四稳压二极管的负极与所述第一MOS推挽电路的输入端子连接，所述第四稳压二极管的正极与所述第二NMOS管的栅极连接。通过上述并联电路的设置，对MOS管的栅极电压采用负压关断，从而使得电路的抗干扰能力更强，更安全可靠。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述第一稳压二极管、所述第二稳压二极管、所述第三稳压二极管和所述第四稳压二极管的稳定电压相同，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容和所述第四电容的容值相同。从而能够使MOS管在开通和关断时的开关延迟时间和电平相同，以更加精确可靠地驱动IGBT。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极连接。从而实现简化电路结构。

有利的是，所述高电平为15伏，所述低电平为-8伏。

根据本发明的一种有利的实施方式，所述驱动芯片为光耦驱动芯片。

本发明的另一方面还提供了一种IGBT装置，包括：前述各实施方式的IGBT门极驱动电路，以及IGBT，其中，所述IGBT的门极与所述IGBT门极驱动电路中的第二MOS推挽电路的输出端子连接。

本发明的又一方面还提供了一种电动汽车，所述电动汽车包括电机，其中所述电机通过如上所述的IGBT装置进行驱动及控制。

本发明提供的IGBT门极驱动电路及IGBT装置，包括驱动芯片、第一MOS推挽电路和第二MOS推挽电路，所述第一MOS推挽电路的输入端口与所述驱动芯片的输出端口连接，其输出端口与所述第二MOS推挽电路的输入端口连接，且所述第二MOS推挽电路的输出端子与IGBT的门极连接，从而通过只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，有效提高IGBT驱动电路的兼容性，且两级推挽电路的电路结构比较简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

附图说明

下面将参照附图详细描述本发明的实施例，附图中：

图1为依据现有技术的一种IGBT门极驱动电路的结构示意图；

图2为本发明的一实施例的IGBT门极驱动电路的结构示意图；

图3为本发明的另一实施例的IGBT门极驱动电路的结构示意图；

图4为本发明的又一实施例的IGBT门极驱动电路的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下通过实施例对本发明进一步详细说明。

图2为本发明的一实施例的IGBT门极驱动电路的结构示意图，如图2所示，所述IGBT门极驱动电路包括：驱动芯片21、第一MOS推挽电路22和第二MOS推挽电路23，其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子221与所述驱动芯片的输出端子211连接；所述第一MOS推挽电路的输出端子222与所述第二MOS推挽电路的输入端子231连接；以及所述第二MOS推挽电路的输出端子232与IGBT的门极连接。

实际应用中，在现有的IGBT驱动电路中，通常采用三极管推挽放大电路作为电流放大电路，其兼容性差、驱动电流能力小、瞬间大电流时三极管上的压降较大、三极管推挽电路的输入端口需要大电流进行驱动、并且三极管推挽的功率损耗大，温升高，导致该IGBT驱动电路在汽车发动机舱内的高温环境，例如某些情况下，汽车发动机舱内温度可高达105度，无法稳定可靠地对IGBT进行驱动。相对于上述现有方案，本方案中采用基于MOS管的推挽放大电路驱动IGBT，能有效避免上述问题，并且，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，能够有效提高IGBT驱动电路的兼容性。

在实际应用中，所述驱动芯片21具体可以为光耦驱动芯片。

本实施例提供的IGBT门极驱动电路，包括驱动芯片、第一MOS推挽电路和第二MOS推挽电路，所述第一MOS推挽电路的输入端口与所述驱动芯片的输出端口连接，其输出端口与所述第二MOS推挽电路的输入端口连接，且所述第二MOS推挽电路的输出端子与IGBT的门极连接，从而通过只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，有效提高IGBT驱动电路的兼容性，且两级推挽电路的电路结构比较简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

还需要说明的是，通过本实施例中的两级MOS推挽结构的方案，能够解决驱动芯片的输出与IGBT的门极驱动的电平逻辑的匹配问题，具体的，驱动芯片输出的信号，经过所述第一MOS推挽电路22后，信号发生翻转，进一步的，经过所述第二MOS推挽电路23，能够使得翻转后的信号再次翻转，从而保证最后向IGBT输出的信号与驱动芯片输出的信号的信号逻辑一致，同时，实现对电流信号的放大，保证IGBT驱动的可靠性。

另外，在IGBT驱动电路中，为了保证IGBT能够可靠的关断，各规格的IGBT适用的电压范围可以包括以下几种情况：0伏特(V)～+15V(适用35A以下/600V～1200V的IGBT)；-8V～+15V(适用50A～400A/600V～1200V的IGBT)；-15V～+15V(适用1000A以上/1700V以上的IGBT)。具体的，本实施例中所述IGBT的功率等级，大多需要采用-8V～+15V的电压范围，通过两级MOS推挽结构，能够有效匹配驱动芯片输出的-8v～+15的电平范围。

此外，通过采用MOS管，能够有效有效减小开关时间，降低延迟，从而更加准确的对IGBT进行驱动，并且各级推挽电路中的MOS管在开关转换时，不会发生短时间的直通电流，有效降低损耗。

图3为本发明的另一实施例的IGBT门极驱动电路的结构示意图，如图3所示，在前述实施例所述的IGBT门极驱动电路的基础上，所述第二MOS推挽电路23具体可以包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一PMOS管Q1和第一NMOS管Q2，

其中，所述第一电阻R1的一端连接至高电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子222以及所述第一PMOS管Q1的栅极连接；

所述第二电阻R2的一端连接至低电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子222以及所述第一NMOS管Q2的栅极连接；

所述第一PMOS管Q1的源极连接至所述高电平，所述第一PMOS管Q1的漏极与所述第三电阻R3的一端连接；以及所述第一NMOS管Q2的源极连接至所述低电平，所述第一NMOS管Q2的漏极与所述第四电阻R4的一端连接，其中所述第三电阻R3的另一端和所述第四电阻R4的另一端均连接至所述第二MOS推挽电路的输出端口232。

其中，图中的Vcc和Vee分别为高电平和低电平，进一步的，所述低电平可以为接地或者为负电平。例如，所述高电平Vcc具体可以为15V，所述低电平Vee具体可以为-8V。

具体的，通过设置所述第一电阻R1和所述第二电阻R2，能够在初始上电时获得一个确定的初始电平。具体的，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的参数，即阻值，可以根据具体使用的MOS管的规格来确定，例如，可以为10千欧姆(KΩ)，本实施例在此不对其进行限制。

其中，所述第三电阻R3和所述第四电阻R4用作为待驱动的所述IGBT的门极电阻，其具体参数可以根据IGBT的规格及实际应用情况进行选择，本实施例在此不对其进行限制。

再具体的，所述第一MOS推挽电路22可以包括：第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第二PMOS管Q3和第二NMOS管Q4；其中，

所述第五电阻R5的一端连接至高电平；所述第五电阻R5的另一端与所述第一MOS推挽电路的输入端子221以及所述第二PMOS管Q3的栅极连接；所述第六电阻R6的一端连接至低电平，所述第六电阻R6的另一端与所述第一MOS推挽电路的输入端子221以及所述第二NMOS管Q4的栅极连接；所述第二PMOS管Q3的源极连接至所述高电平，所述第二PMOS管Q3的漏极与所述第七电阻R7的一端连接；所述第二NMOS管Q4的源极连接至所述低电平，所述第二NMOS管Q4的漏极与所述第八电阻R8的一端连接；其中，所述第七电阻R7的另一端和所述第八电阻R8的另一端均连接至所述第二MOS推挽电路的输入端子231。

本实施例提供的IGBT门极驱动电路，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，有效提高IGBT驱动电路的兼容性，且电路结构简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

图4为本发明的又一实施例的IGBT门极驱动电路的结构示意图，如图4所示，在前述实施例所述的IGBT门极驱动电路的基础上，可选的，所述第二MOS推挽电路23还可以包括：并联的第一稳压二极管Z1和第一电容C1，以及并联的第二稳压二极管Z2和第二电容C2；其中，

所述第一稳压二极管Z1的正极与所述第一MOS推挽电路的输出端子222连接，所述第一稳压二极管Z1的负极与所述第一PMOS管Q1的栅极连接；

以及所述第二稳压二极管Z2的负极与所述第一MOS推挽电路的输出端子222连接，所述第二稳压二极管Z2的正极与所述第一NMOS管Q2的栅极连接。

通过上述并联电路的设置，对MOS管的栅极电压采用负压关断，从而使得电路的抗干扰能力更强，更安全可靠。

可选的，所述第一MOS推挽电路22还可以包括：并联的第三稳压二极管Z3和第三电容C3，以及并联的第四稳压二极管Z4和第四电容C4；其中，

所述第三稳压二极管Z3的正极与所述第一MOS推挽电路的输入端子221连接，所述第三稳压二极管Z3的负极与所述第二PMOS管Q3的栅极连接；

所述第四稳压二极管Z4的负极与所述第一MOS推挽电路的输入端子221连接，所述第四稳压二极管Z4的正极与所述第二NMOS管Q4的栅极连接。

同样的，通过上述并联电路的设置，能够对MOS管的栅极电压采用负压关断，从而使得电路的抗干扰能力更强，更安全可靠。

具体的，所述第一稳压二极管Z1、所述第二稳压二极管Z2、所述第三稳压二极管Z3和所述第四稳压二极管Z4的参数，例如稳定电压，可以相同，所述第一电容C1、所述第二电容C2、所述第三电容C3和所述第四电容C4的参数，例如容值，也可以相同。通过本实施方式能够使MOS管在开通和关断时的开关延迟时间和电平相同，从而更加精确可靠地驱动IGBT。

在实际应用中，为了简化电路结构，所述第一PMOS管Q1和所述第二PMOS管Q3可以共用高电平，所述第一NMOS管Q2和所述第二NMOS管Q4可以共用低电平。则相应的，所述第一PMOS管Q1的源极与所述第二PMOS管Q3的源极连接；所述第一NMOS管Q2的源极和所述第二NMOS管Q4的源极连接。

为了更好的理解本方案，基于图4所示的电路图，进行原理说明。

初始上电后，驱动芯片21输出低电平，第三稳压二极管Z3处于反向钳位状态，第三电容C3被充电，第二PMOS管Q3的栅源电压V_GS为－(Vcc－Vee－U_Z3)，其中，U_Z3为所述第三稳压二极管Z3在反向击穿状态下的稳定电压，则相应的，第二PMOS管Q3导通，通过第七电阻R7，所述第一MOS推挽电路的输出端子222位置和所述第二MOS推挽电路的输入端子231位置的电压为高电平；第四稳压二极管Z4没有电流，第二NMOS管Q4的栅源电压V_GS为0V，则第二NMOS管Q4关断；则相应的，第一稳压二极管Z1没有电流，第一PMOS管Q1的栅源电压V_GS为0V，则第一PMOS管Q1关断；第二稳压二极管Z2处于反向钳位状态，第二电容C2被充电，第一NMOS管Q2的栅源电压V_GS为Vcc－Vee－U_Z2，其中，U_Z2为所述第二稳压二极管Z2在反向击穿状态下的稳定电压，则第一NMOS管Q2导通，通过第四电阻R4，所述第二MOS推挽电路的输出端口232位置，即IGBT的门极位置的电压约为Vee，则相应的，此时，IGBT将处于关断状态。

当驱动芯片21输出的电压由低电平变为高电平时，即驱动芯片的输出端子211位置的电压约为Vcc，由于之前第三电容C3的电压已经被充满，且压值为U_Z3，且C3尚未来及放电，第二PMOS管Q3此时的栅源电压V_GS为Vcc+U_Z3－Vcc，因此第二PMOS管Q3将被可靠关断。第四稳压二极管Z4处于反向钳位状态，第四电容C4被充电，第二NMOS管Q4的栅源电压V_GS为Vcc－U_Z4－Vee，其中，U_Z4为所述第四稳压二极管Z4在反向击穿状态下的稳定电压，则第二NMOS管Q4导通，通过第八电阻R8，所述第一MOS推挽电路的输出端子222位置和第二MOS推挽电路的输入端口231位置的电压约为Vee；第一稳压二级管Z1处于反向钳位状态，第一电容C1被充电，第一PMOS管Q1的栅源电压V_GS为－(Vcc－U_Z1－Vee)，其中，U_Z1为所述第一稳压二极管Z1在反向击穿状态下的稳定电压，则第一PMOS管Q1导通；如前所述，此时第二MOS推挽电路的输入端口231位置的电压约为Vee，且由于之前第二电容C2的电压已经被充满，且压值为U_Z2，且第二电容C2此时尚未放电，第一NMOS管Q2的栅源电压V_GS为Vee－U_Z2－Vee，则第一NMOS管Q2被可靠关断。可知，第一PMOS管Q1导通，则通过第三电阻R3，所述第二MOS推挽电路的输出端子232位置的电压约为Vcc，则相应的，此时，IGBT被导通。

当驱动芯片21输出的电压由高电平变为低电平时，所述第一MOS推挽电路的输入端子221位置的电压约为Vee，第三稳压二级管Z3处于反向钳位状态，第三电容C3被充电；第二PMOS管Q3此时的栅源电压V_GS为－(Vcc－Vee－U_Z3)，则第二PMOS管Q3导通；由于之前第四电容C4的电压已经被充满，且压值为U_Z4，且C4尚未放电，第二NMOS管Q4此时的栅源电压V_GS为Vee－U_Z4－Vee,因此第二NMOS管Q4被可靠关断；所述第二MOS推挽电路的输入端子231位置的电压约为Vcc，由于之前第一电容C1的电压已经被充满，且压值为U_Z1，且第一电容C1尚未放电，第一PMOS管Q1此时的栅源电压V_GS为－(Vcc－U_Z1－Vcc)，因此第一PMOS管Q1被可靠关断；第二稳压二极管Z2处于反向钳位状态，第二电容C2被充电，第一NMOS管Q2此时的栅源电压V_GS为Vcc－Vee－Uz2，则第一NMOS管Q2导通，通过第四电阻R4，所述第二MOS推挽电路的输出端子232位置的电压，即IGBT的门极电压约为Vee，IGBT处于关断状态。

之后则依次重复进行上述过程中，驱动芯片21输出的电压由低电平变为高电平和驱动芯片21输出的电压由高电平变为低电平的相应过程，从而实现对IGBT的驱动。

本实施例提供的IGBT驱动电路，通过设置并联的稳压二极管和电容，实现稳压保护的作用，并且能够为电路中的各MOS管提供可靠的开通电压和关断电压，增强电路的抗干扰能力。

本发明的又一实施例还提供一种IGBT装置，包括：如上述任一实施例中所述的IGBT门极驱动电路，以及IGBT；

其中，所述IGBT的门极与所述IGBT门极驱动电路中的第二MOS推挽电路的输出端子232连接。

本实施例提供的IGBT装置，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，有效提高IGBT驱动电路的兼容性，且两级推挽电路的电路结构比较简便，从而能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种IGBT门极驱动电路，其特征在于，包括：驱动芯片(21)、第一MOS推挽电路(22)和第二MOS推挽电路(23)，

其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子(221)与所述驱动芯片的输出端子(211)连接；

所述第一MOS推挽电路的输出端子(222)与所述第二MOS推挽电路的输入端子(231)连接；以及

所述第二MOS推挽电路的输出端子(232)与IGBT的门极连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述第二MOS推挽电路(23)包括：第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一PMOS管(Q1)和第一NMOS管(Q2)，

其中，所述第一电阻(R1)的一端连接至高电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子(222)以及所述第一PMOS管(Q1)的栅极连接；

所述第二电阻(R2)的一端连接至低电平，另一端与所述第一MOS推挽电路的输出端子(222)以及所述第一NMOS管(Q2)的栅极连接；

所述第一PMOS管(Q1)的源极连接至所述高电平，所述第一PMOS管(Q1)的漏极与所述第三电阻(R3)的一端连接；以及

所述第一NMOS管(Q2)的源极连接至所述低电平，所述第一NMOS管(Q2)的漏极与所述第四电阻(R4)的一端连接，其中所述第三电阻(R3)的另一端和所述第四电阻(R4)的另一端均连接至所述第二MOS推挽电路的输出端口(232)。

3.根据权利要求2所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述第二MOS推挽电路(23)还包括：并联的第一稳压二极管(Z1)和第一电容(C1)，以及并联的第二稳压二极管(Z2)和第二电容(C2)；

其中，所述第一稳压二极管(Z1)的正极与所述第一MOS推挽电路的输出端子(222)连接，所述第一稳压二极管(Z1)的负极与所述第一PMOS管(Q1)的栅极连接；以及

所述第二稳压二极管(Z2)的负极与所述第一MOS推挽电路的输出端子(222)连接，所述第二稳压二极管(Z2)的正极与所述第一NMOS管(Q2)的栅极连接。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述第一MOS推挽电路(22)包括：第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第二PMOS管(Q3)和第二NMOS管(Q4)，其中

所述第五电阻(R5)的一端连接至高电平；所述第五电阻(R5)的另一端与所述第一MOS推挽电路的输入端子(221)以及所述第二PMOS管(Q3)的栅极连接；

所述第六电阻(R6)的一端连接至低电平，所述第六电阻(R6)的另一端与所述第一MOS推挽电路的输入端子(221)以及所述第二NMOS管(Q4)的栅极连接；

所述第二PMOS管(Q3)的源极连接至所述高电平，所述第二PMOS管(Q3)的漏极与所述第七电阻(R7)的一端连接；

所述第二NMOS管(Q4)的源极连接至所述低电平，所述第二NMOS管(Q4)的漏极与所述第八电阻(R8)的一端连接；其中，所述第七电阻(R7)的另一端和所述第八电阻(R8)的另一端均连接至所述第二MOS推挽电路的输入端子(231)。

5.根据权利要求4所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述第一MOS推挽电路(22)还包括：并联的第三稳压二极管(Z3)和第三电容(C3)，以及并联的第四稳压二极管(Z4)和第四电容(C4)，其中

所述第三稳压二极管(Z3)的正极与所述第一MOS推挽电路的输入端子(221)连接，所述第三稳压二极管(Z3)的负极与所述第二PMOS管(Q3)的栅极连接；

所述第四稳压二极管(Z4)的负极与所述第一MOS推挽电路的输入端子(221)连接，所述第四稳压二极管(Z4)的正极与所述第二NMOS管(Q4)的栅极连接。

6.根据权利要求5所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述第一稳压二极管(Z1)、所述第二稳压二极管(Z2)、所述第三稳压二极管(Z3)和所述第四稳压二极管(Z4)的稳定电压相同，所述第一电容(C1)、所述第二电容(C2)、所述第三电容(C3)和所述第四电容(C4)的容值相同。

7.根据权利要求4所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述第一PMOS管(Q1)的源极与所述第二PMOS管(Q3)的源极连接；以及所述第一NMOS管(Q2)的源极和所述第二NMOS管(Q4)的源极连接。

8.根据权利要求1所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片(21)为光耦驱动芯片。

9.一种IGBT装置，其特征在于，包括：如权利要求1-8中任一项所述的IGBT门极驱动电路，以及IGBT,

其中，所述IGBT的门极与所述IGBT门极驱动电路中的第二MOS推挽电路的输出端子(232)连接。

10.一种电动汽车，所述电动汽车包括电机，其特征在于，所述电机通过如权利要求9所述的IGBT装置进行驱动及控制。