CN105226130B - 成像探测器及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 218
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002194 amorphous carbon material Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- OPTOQCQBJWTWPN-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge].[Si] Chemical compound [Si].[Ge].[Si] OPTOQCQBJWTWPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种成像探测器的制造方法，包括：刻蚀基底上的牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；形成金属层；在金属层上形成第二介质层；利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的位置，连接另外对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；并且所述的干法刻蚀不含有灰化制程,在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线,对干法刻蚀进行了改造，去除了其中的灰化工艺，利用对氮化硅材料刻蚀的刻蚀工艺，在同一步骤中实现对氮化硅和金属层的刻蚀。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种成像探测器及其制造方法。
背景技术
微机电系统(Microelectro Mechanical Systems，简称MEMS)是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域，是一种采用半导体工艺制造微型机电器件的技术。与传统机电器件相比，MEMS器件在耐高温、小体积、低功耗方面具有十分明显的优势。经过几十年的发展，已成为世界瞩目的重大科技领域之一，它涉及电子、机械、材料、物理学、化学、生物学、医学等多种学科与技术，具有广阔的应用前景。
成像探测器是一种将光信号转换为电信号的换能器。现有的成像探测器的结构如图1所示：包括：基底10，其包括半导体衬底11和第一介质层12，在第一介质层12内嵌有呈阵列排布的第一互连孔13，所述基底10表面具有位于四个相邻的第一互连孔13之间的反射层14；所述基底10上具有第二介质层15、热敏电阻20和第二互连孔30，所述基底10和第二介质层15、热敏电阻20和第二互连孔30围成一个空腔35。热敏电阻20为导电材料，且位于反射层14上方，反射层14可以将入射的光信号反射到热敏电阻20上，使光信号的损失率降到最低。第二互连孔30与第一互连孔13一一贯通相连。在第二互连孔30和热敏电阻20之间形成导电互连的金属互连线50，在形成金属互连线50时，通常先形成一层金属互连层，在金属互连层上形成一层介质层，由于牺牲层的存在，不能使用带有灰化的干法刻蚀，所以采用湿法刻蚀形成金属互连线50，参见图2，使第二互连孔30阵列中相邻的四个互连孔v1，v2，v3，v4中，对角的两个互连孔v1、v3和热敏电阻20导通互连，另外两个对角的互连孔v3、v4不导电互连，但是采用湿法刻蚀横向效应严重，会使得热敏电阻和金属层断开，导致上下连通性不好，影响器件性能，并且需要采用一步干法刻蚀介质层和一步湿法刻蚀金属互连层的两步刻蚀工艺，兼容性差，工艺复杂。
发明内容
本发明解决的技术问题提供一种成像探测器及其制造方法，大大提高器件的成品率，简化了工艺。
为了解决上述技术问题，本发明提供成像探测器的制造方法，一种成像探测器的制造方法，包括步骤：提供基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔,所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层；还包括步骤：
在所述基底上形成牺牲层；
刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；
利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；
在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；
在金属层上形成第二介质层；
利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的位置，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分被暴露,其中所述干法刻蚀方法为:利用HBr气体对第二介质层和金属层同步刻蚀。
在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线；
去除牺牲层。
优选的，所述热敏电阻为非晶硅材料。
优选的，形成牺牲层步骤之前还包括在所述基底上形成覆盖所述反射层的粘附层，粘附层材料为锗硅和/或多晶锗。
优选的，所述牺牲层的材料为非晶碳和/或PI。
优选的，在刻蚀牺牲层之前还包括在牺牲层上形成粘附层，粘附层的材料为：锗硅和/或含氧氮化硅；在形成第二互连孔之后去除所述粘附层。
优选的，填充所述通孔是利用锗硅材料。
优选的，所述第一介质层和第二介质层的材料为氮化硅，厚度100至150埃。
优选的，金属层为钛或氮化钛层厚度为：80至100埃，并且在形成金属层之前包括在牺牲层上形成粘附层。
优选的，所述干法刻蚀具体参数为：压力8-10mT，功率450-500W，利用100-120sccmCL2、100-120sccm HBr和5-50sccmO2。
另外还提供了一种成像探测器，包括：基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔,所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层，反射层上方具有一空腔；还包括位于空腔内的：和第一互孔贯通的第二互连孔，第二互连孔的材料为：锗硅；所示反射层上方具有热敏电阻，相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的热敏电阻，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分和热敏电阻互连。
与现有技术相比，本发明主要具有以下优点：
本发明的成像探测器的制造方法相比于现有技术：改进了互连层的刻蚀技术，摒弃了现有的湿法刻蚀，并且对干法刻蚀进行了改造，去除了其中的灰化工艺，利用对氮化硅材料刻蚀的刻蚀工艺，在同一步骤中实现对氮化硅和金属层的刻蚀，节省了刻蚀步骤，保证了互连层的质量。
附图说明
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是现有的一种成像探测器的结构示意图；
图2是图1所示的成像探测器的俯视图；
图3-图12是本发明一实施例的成像探测器的制造方法示意图。
具体实施方式
参考图2，在传统的成像探测器的制造方法中，以一个探测单元为例，包括排列在矩形的四个角上的四个互连孔v1、v2、v3、v4，以及位于四个互连孔中间的热敏电阻20，其中对角的两个互连孔v1、v3通过金属互连线50和热敏电阻20相连，另外两个对角的互连孔v2、v4通过覆盖有介质层的金属互连线和热敏电阻相连，起到支撑平衡的作用。在探测器工作的时候热敏电阻可以将光信号转换为电信号，从而通过一个输入和一个输出的金属互连线将探测到的光信号进行输出。但是在传统技术中，通常采用湿法刻蚀，也就是用掩膜遮盖不需要去除的位置，然后将其浸入刻蚀液中，但是这种方法会造成横向刻蚀严重，造成器件上下连通性不好，性能变差，而且通常金属互连层上会有一层介质层，如果刻蚀金属互连层还需要先把介质层去除，额外增加一道刻蚀工艺。因此，在本发明中发明人首先想到干法刻蚀工艺可以避免横向刻蚀，但是传统的干法刻蚀工艺刻蚀金属的工艺中的灰化步骤会严重损坏牺牲层非晶碳完整性，甚至会把非晶碳全部灰化掉，造成整个器件坍塌；另外，直接利用传统干法刻蚀工艺，在该方案中同样需要先刻蚀介质，再刻蚀金属的两道刻蚀工艺，因此，发明人对现有的干法刻蚀工艺进行了改进，利用一道工艺刻蚀步骤对介质层和金属层。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实现方式做详细的说明。为了便于理解本发明以一具体的成像探测器为例进行详细的说明，但本发明并不一定局限于实施例中的结构，任何本领域技术人员可以根据现有技术进行替换的部分，都属于本发明公开和要求保护的范围。
如图3所示，本发明的成像探测器的制造方法包括下面步骤：
S10：提供基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔,所述基底表面具有位于相邻的四个第一互连孔之间的反射层；
S20：在所述基底上形成牺牲层；
S30：刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；
S40：利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；
S50：在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；
S60：在金属层上形成第二介质层；
S70:利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使金属层和上面的热敏电阻形成互连；
S80:在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻；
S90：去除牺牲层。
在本发明的一具体实施例中，参考图4，结合步骤S10，首先提供基底110，其可以包括半导体衬底102，其可以为单晶的硅基底、锗硅基底，锗基底，并且在半导体衬底上外延生长有多晶硅、锗或者锗硅材料，也可以外延生长有氧化硅等材料，半导体衬底内形成有CMOS电路。在半导体衬底102上具有第一介质层104，第一介质层的材料为氮化硅或者氧化硅，厚度可以为100-200埃，例如150埃。在第一介质层104内嵌有互连电路，互连电路包括呈阵列排布的第一互连孔116。结合图5所示，相邻的四个第一互连孔v11、v12、v13、v14，分布在矩形的四个角上，在相邻的四个第一互连孔之间具有反射层118。
在本实施例中，优选的在所述第一互连孔116表面具有电极120，所述电极120和反射层118材料相同，且在同一工艺中形成。
接着，参考图6，结合步骤S20，在所述基底110上形成牺牲层610。牺牲层610的材料可以为非晶碳，但不限于非晶碳,也可以为本领域人员熟知的其它材料，例如二氧化硅、非晶硅、非晶锗、光阻材料、PI(聚酰亚胺薄膜PolyimideFilm)等。在本实施例中利用非晶碳的优点在于淀积速度快，而且可以精确控制牺牲层的厚度；与PI或者其他光阻材料相比其形成的牺牲层较薄，稳定性好，采用PI等材料有机无法做的很薄，工艺相对复杂。在本实施例中，形成牺牲层610的方法为：低压等离子体化学气相沉积(LPCVD)工艺沉积非晶碳，其厚度可以做的很薄，例如在本实施例中，厚度为1.8-2.6um，例如2.0um。所述LPCVD的参数为：温度范围为250℃-500℃，气压范围为1mtorr-20mtorr，RF功率范围为800W-2000W，反应气体包括：C3H6和HE，反应气体流量为1000sccm-5000sccm，其中C3H6：HE的体积比例范围为2：1-10：1。除此之外，也可以采用增强等离子体化学气相沉积(PECVD)，但是优选的采用LPCVD可以和后面的制程兼容，简化工艺。
在本实施例中优选的，在牺牲层610和反射层118中间需要添加一层粘附层，即第一粘附层620，第一粘附层620材料为锗硅和/或多晶锗，在本实施例中优选的为锗硅，优点是工艺兼容性好，锗硅粘附非晶碳材质的牺牲层的效果更好，厚度可以为300-700埃，例如400埃、600埃。第一粘附层620可以防止反射层118上形成牺牲层的过程中出现滑动或者均匀性不好的问题。
接着，结合图7，执行步骤S30，刻蚀牺牲层610。在本实施例中优选的，在刻蚀牺牲层之前还包括在牺牲层上形成一层刻蚀停止层710，材料为锗硅和/或多晶锗/或氮化硅/氧化硅层，在本实施例中优选的为锗硅和含氮氧化硅层的叠层结构，优点是工艺兼容性好，粘附非晶碳材质的牺牲层的效果更好，其中锗硅层厚度可以为300-700埃，例如400埃、600埃，含氧氮化硅层的厚度可以为800-1100埃，例如900埃。由于非晶碳上形成其它膜层的时候容易出现粘附性不好而滑动的现象，因此所述的锗硅层和氮化硅层可以起到粘附的作用，而且在后续的刻蚀过程中充当了牺牲层刻蚀的停止层。
然后在牺牲层610中刻蚀形成暴露所述第一互连孔116的通孔720，具体的刻蚀方法可以利用掩膜之后刻蚀刻蚀停止层形成开口，再刻蚀牺牲层的方法。
接着，结合图8，执行步骤S40，利用导电材料填充所述通孔，例如利用金属材料或者锗硅材料填充，形成第二互连孔810，第二互连孔810和第一互连孔116导电互连。在本实施例中，优选的利用锗硅材料，工艺参数为：等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或者低压化学气相沉积(LPCVD)工艺，在本实施例中采用LPCVD，其参数为：温度范围为400℃-430℃，气压范围为150mtorr-200mtorr。形成的锗硅层的材料为Si1-xGex，X的值在0.5到0.8之间，也可以采用增强等离子体化学气相沉积(PECVD)。相比于利用金属材质填充，利用锗硅填充锗硅材料可以在通孔侧壁上均匀生长，台阶覆盖性好，用相对较薄的材料就可以把通孔填满。从而形成的第二互连孔810的均匀性更好。
然后再去除刻蚀停止层710上的填充第二互连孔残留的导电材料，接着去除刻蚀停止层，具体可以使用干法刻蚀，或者化学机械研磨的方法。
接着，结合图9，执行步骤S50，在所述牺牲层610和第二互连孔810上形成金属层910，该金属层的材质可以为铝，铜、钛或者其氧化物，以及其他导电金属材料或者金属化合物，在本实施例中采用钛材料，因为钛导热率较小，能透红外光，便于更精确的探测入射光。在本实施例中可以采用形成80至100埃的钛层，具体的可以利用化学气相沉积(CVD)工艺，工艺参数为：温度：180-200℃，压力1-2mtorr，N2流量30-35sccm，Ar流量10-18sccm，偏置功率300-400W。
为了保证形成的金属层可以在牺牲层上生长的更均匀，粘附性更好，优选的在牺牲层上先生长一层第二粘附层905，其优选氮化硅，起到一定支撑作用；在第二粘附层905暴露互连孔。
接着，执行步骤S60，在金属层910上形成第二介质层920，在本实施例中第二介质层920的材料为氮化硅，厚度可以为100埃-150埃。用于隔离金属层和其他导电层，具体的工艺为本领域技术人员所熟知，不再赘述。
接着，结合图10，执行步骤S70，利用HBr气体干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层920和金属层910，结合图5所示的俯视图，以一个探测单元为例，包括排列在矩形的四个角上的四个互连孔v11、v12、v13、v14，以及位于四个互连孔中间的热敏电阻510，其中对角的两个互连孔v11、v13需要通过金属互连线520和热敏电阻210相连，另外两个对角的互连孔v12、v14通过覆盖有介质层的金属互连线和热敏电阻相连起到支撑平衡的作用。因此在该步骤中需要刻蚀第二介质层920和金属层910。
其中一个方案：保留四个互连孔上的第二介质层920和金属互连线520，以及对应反射层118位置的矩形区域的第二介质层920和金属层910，以及保留从四个互连孔连接所述矩形区域的四条金属互连线520及其上的第二介质层920，但是其中连接对角的两个互连孔v11、v13和所述矩形区域的两条金属互连线520延伸到反射层118上方的部分刻蚀去除第二介质层920，使得暴露金属互连线520，位于连接另外两个对角的互连孔v12、v14的两条金属互连线520在和所述矩形区域的连接部分刻蚀去除第二介质层920和金属层910，即刻蚀使的互连孔和矩形区域断开连接。
在另一个方案中：保留四个互连孔上的第二介质层920和金属层910，以及对应反射层118位置的矩形区域的第二介质层920和金属层910，以及保留从四个互连孔连接所述矩形区域的四条金属互连线520及其上的第二介质层920，但是其中连接对角的两个互连孔v11、v13和所述矩形区域的两条金属互连线520延伸到反射层118上方的部分刻蚀去除第二介质层920，暴露金属互连线520。
在另一个方案中：保留四个互连孔上的第二介质层920和金属层910，以及保留从四个互连孔连接所述矩形区域的四条金属互连线520及其上的第二介质层920，但是所述矩形区域的第二介质层920和金属层910刻蚀去除，其中连接对角的两个互连孔v11、v13和所述矩形区域的两条金属互连线520延伸到反射层118上方的被部分刻蚀去除第二介质层920，暴露金属互连线520。
在现有技术中，通常是采用湿法刻蚀，先刻蚀去除第二介质层，在放到溶液中刻蚀去除金属互连层，但是湿法刻蚀由于横向刻蚀严重，因此造成器件连通性差，影响性能，并且一步干法刻蚀第二介质层的工艺加上一部湿法刻蚀金属层的工艺，制造工艺复杂。
但是在本申请中，采用了一步干法刻蚀，就可以去除第二介质层和金属层，保留想要的图形，因此大大简化了工艺，干法刻蚀横向效应小，提高了器件性能。
接着，结合图11，执行步骤S80:在反射层118所对应的矩形区域上形成热敏电阻510。在本实施例中以上述步骤中的第一个实施方式为例。在该实施方式中，所述矩形区域保留有金属层和第二介质层的叠层结构，因此热敏电阻510覆盖所述叠层，并覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属互连线，从而实现热敏电阻和金属互连线的互连。在本实施例中，优选的热敏电阻930为非晶硅层，其形成方法可以为LPCVD或者PECVD，由于采用LPCVD可以和后面的制程兼容，简化工艺，因此在本实施例中优选的采用：LPCVD，参数为：反应气体为：SiH4和H2，温范围为400℃-430℃，气压范围为150mtorr-300mtorr，形成的非晶硅层的厚度为：10埃-100埃，例如50埃。所述热敏电阻510的面积大于所述矩形区域，可以和所述反射层的面积和位置对应，即覆盖所述矩形区域。由于在上面一个步骤中，连接对角的两个互连孔的两条金属互连线520在和所述矩形区域的连接位置暴露，因此热敏电阻510覆盖所述暴露的金属互连线520，即和金属互连线520导电互连，这样位于对角的两个互连孔v11、v13就通过金属互连线520和所述热敏电阻导电互连，一个作为输入，一个作为输出，连接另外两个互连孔v12、v14的金属互连线520由于在和矩形区域相连的区域被切断，因此不传输电信号，但是剩余的部分可以起到支撑热敏电阻的作用，保持平衡。
如果采用上述步骤中的其他实施方式，同样可以使得位于对角的两个互连孔v11、v13就通过金属互连线520和所述热敏电阻导电互连，一个作为输入，一个作为输出，连接另外两个互连孔v12、v14的金属互连线520被切断或者被第二介质层覆盖，因此不传输电信号，但是剩余的部分可以起到支撑热敏电阻的作用，保持平衡。
接着，结合图12，执行步骤S90：去除牺牲层。
在本实施例中，先刻蚀第二介质层920、金属层910和第二粘附层905，形成暴露牺牲层的孔洞，然后采用灰化的方法，去除牺牲层。灰化利用氧气，加热温度为350℃-450℃，在此温度下，致密活性炭并不会发生剧烈燃烧，而可以被氧化成二氧化碳气体，并通过通孔排出，牺牲层610能够彻底地去除，而器件的其余部分并不会受到影响。
除此之外,本发明还提供了一种成像探测器，包括：基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔,所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层，反射层上方具有一腔；还包括位于空腔内的：和第一互孔贯通的第二互连孔，第二互连孔的材料为：锗硅；
所示反射层上方具有热敏电阻，相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的热敏电阻，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分和热敏电阻互连。
器件进行图像探测的工作原理为：热敏电阻非晶硅是一种热敏材料，当被探测的物体向外辐射热量，红外波段的辐射被热敏电阻吸收，使热敏电阻温度升高，薄膜电阻改变，CMOS电路将热敏电阻电阻的变化转化为差分电流并积分放大，通过后续采样得到被探测物体的灰度值，最后通过处理成像。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种成像探测器的制造方法，包括步骤：
提供基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔,所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层；
其特征在于，还包括步骤：
在所述基底上形成牺牲层；
刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；
利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；
在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；
在金属层上形成第二介质层；
利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的位置，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分被暴露,其中所述干法刻蚀方法为:利用HBr气体对第二介质层和金属层同步刻蚀；
在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线；
去除牺牲层。
2.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述热敏电阻为非晶硅材料。
3.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，形成牺牲层步骤之前还包括在所述基底上形成覆盖所述反射层的粘附层，粘附层材料为锗硅和/或多晶锗。
4.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为非晶碳和/或聚酰亚胺。
5.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，在刻蚀牺牲层之前还包括在牺牲层上形成粘附层，粘附层的材料为：锗硅和/或含氧氮化硅；
在形成第二互连孔之后去除所述粘附层。
6.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，填充所述通孔是利用锗硅材料。
7.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材料为氮化硅，厚度100至150埃。
8.如权利要求1所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，金属层为钛或氮化钛层厚度为：80至100埃，并且在形成金属层之前包括在牺牲层上形成粘附层。
9.如权利要求8所述的成像探测器的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀具体参数为：压力8-10mT，功率450-500W，利用100-120sccm CL2、100-120sccm HBr和5-50sccmO2。
10.一种成像探测器，包括：
基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔,所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层，反射层上方具有一空腔；
其特征在于，还包括位于空腔内的：
和第一互孔贯通的第二互连孔，第二互连孔的材料为：锗硅；
所示反射层上方具有热敏电阻，相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的热敏电阻，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分和热敏电阻互连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410243348.3A CN105226130B (zh) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | 成像探测器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410243348.3A CN105226130B (zh) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | 成像探测器及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105226130A CN105226130A (zh) | 2016-01-06 |
| CN105226130B true CN105226130B (zh) | 2017-03-29 |
Family
ID=54994964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410243348.3A Active CN105226130B (zh) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | 成像探测器及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105226130B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109132994A (zh) * | 2018-07-11 | 2019-01-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mems电极微桥形成方法 |
| CN111106205A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-05-05 | 中国科学院微电子研究所 | 硅基光子器件及其制造方法 |
| CN113031250B (zh) * | 2019-12-09 | 2022-12-30 | 觉芯电子(无锡)有限公司 | 一种具有创新电互连结构的微镜装置及制作方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1405892A (zh) * | 2002-11-15 | 2003-03-26 | 清华大学 | 硅基薄膜晶体管室温红外探测器 |
| CN101713688A (zh) * | 2009-12-11 | 2010-05-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种mems非制冷双波段红外探测器及其制备方法 |
| CN202453088U (zh) * | 2011-11-03 | 2012-09-26 | 无锡萌涉传感技术有限公司 | 一种光谱微测辐射热计 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070831A1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method |
-
2014
- 2014-06-03 CN CN201410243348.3A patent/CN105226130B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1405892A (zh) * | 2002-11-15 | 2003-03-26 | 清华大学 | 硅基薄膜晶体管室温红外探测器 |
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| CN202453088U (zh) * | 2011-11-03 | 2012-09-26 | 无锡萌涉传感技术有限公司 | 一种光谱微测辐射热计 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105226130A (zh) | 2016-01-06 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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