CN105225992B - 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 - Google Patents
一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105225992B CN105225992B CN201510737109.8A CN201510737109A CN105225992B CN 105225992 B CN105225992 B CN 105225992B CN 201510737109 A CN201510737109 A CN 201510737109A CN 105225992 B CN105225992 B CN 105225992B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- intermediate plate
- wafer
- plate ring
- ring
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 164
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 41
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001596 poly (chlorostyrenes) Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件领域，更具体地说，涉及一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法。
背景技术
晶圆片是制造半导体芯片的基本材料，在半导体芯片的制造过程中，需要对所述晶圆片进行单面刻蚀，而湿法刻蚀以其操作简便、对设备要求低、易于实现大批量生产以及对所述晶圆片损伤少的优点成为主流的单面刻蚀方法。现有技术中，在进行所述晶圆片的单面刻蚀之前，需要在其不需要进行刻蚀的一面涂覆或生长保护层，然后将所述具有保护层的晶圆片浸入腐蚀液体中对其待刻蚀面进行刻蚀，最后取出该晶圆片，去除所述保护层并进行清洗，完成所述晶圆片的单面刻蚀。
但是上述晶圆片单面刻蚀方法的缺点是需要增加在所述晶圆片表面涂覆或生长保护层的工序，降低了所述半导体芯片的生产效率，而且所述保护层在所述晶圆片浸入所述腐蚀液体时存在发生脱落或剥离的风险，而所述保护层一旦脱落或剥离就会使所述晶圆片报废，从而增加所述半导体芯片的生产成本。
发明内容
本发明实施例提供了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，所述刻蚀方法不需要在所述晶圆片表面涂覆或生长保护层即可完成对所述晶圆片的单面刻蚀。
一种刻蚀装置，应用于晶圆片湿法刻蚀，包括：
底座；
设置于所述底座上的多个夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，且所述夹片环呈圆环形，其侧壁包括至少一个进液槽；
设置于所述底座上的夹紧装置，所述夹紧装置用于夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片。
优选的，所述刻蚀装置还包括：位于所述夹片环外侧面的至少一个定位块，设置于所述底座内表面的定位台；
所述定位块的侧面与所述定位台的侧面接触，用于使所述夹片环稳定放置在所述定位台上。
优选的，所述定位台的内表面为圆弧面，其半径等于所述夹片环的半径。
优选的，所述定位块的数量大于或等于两个，所述定位台的内表面的弧长小于或等于所述夹片环任意相邻两个定位块之间的弧长。
优选的，所述底座内表面为圆弧面，其半径等于所述夹片环半径与所述定位台沿所述夹片环径向方向的长度之和。
优选的，所述定位块沿所述夹片环径向方向的长度大于等于5mm。
优选的，所述夹紧装置包括螺纹杆、夹持板、第一固定板和第二固定板；其中，
所述第一固定板和第二固定板相对设置于所述底座两端，所述第一固定板设置有螺纹孔；
所述夹持板设置于所述第一固定板和第二固定板之间，所述夹持板与所述第二固定板之间用于放置所述夹片环和所述晶圆片；
所述螺纹杆通过所述螺纹孔与所述第一固定板螺纹连接；
所述夹持板与所述螺纹杆抵接，当所述螺纹杆向所述第二固定板方向旋进时推动所述夹持板夹紧所述夹片环和所述晶圆片。
优选的，所述夹片环的直径的取值范围为30mm-200mm，包括端点值。
优选的，所述刻蚀装置采用的材料为耐腐蚀材料。
优选的，所述耐腐蚀材料为聚氯乙烯或聚四氟乙烯或聚丙烯。
一种晶圆片的单面刻蚀方法，应用于上述任一项权利要求所述的刻蚀装置，包括：
将多个所述夹片环放置在所述底座上；
在每两个相邻的夹片环之间放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环；
利用所述夹紧装置夹紧所述夹片环和晶圆片；
通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
优选的，将多个所述夹片环放置在所述底座上之后，在每两个相邻的夹片环之间放置至少两个紧贴的晶圆片之前还包括：
将所述晶圆片浸水，以利用水的张力使所述晶圆片贴紧。
优选的，通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀包括：
将所述夹紧装置、所述夹片环和所述晶圆片浸入腐蚀液体中；
所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入所述刻蚀装置，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
本发明实施例提供了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。并且利用所述刻蚀装置对晶圆片进行刻蚀不需要对所述晶圆片进行涂覆或生长保护层的操作，从而不存在所述保护层发生脱落或剥离而导致晶圆片在刻蚀过程中报废的风险，因此提高了晶圆片的刻蚀效率，降低了所述晶圆片的刻蚀成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明的一个实施例提供的一种夹片环的示意图；
图2为本发明的一个实施例提供的一种底座的示意图；
图3为本发明的一个实施例提供的夹片环与底座位置关系的示意图；
图4为本发明的一个实施例提供的一种刻蚀装置的示意图；
图5为本发明的一个实施例提供的一种晶圆片单面刻蚀的方法流程图；
图6为本发明的一个优选实施例提供的一种晶圆片单面刻蚀的方法流程图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中采用湿法刻蚀所述晶圆片时，效率较低，成本较高。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种刻蚀装置，应用于晶圆片湿法刻蚀，包括：
底座；
设置于所述底座上的多个夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，且所述夹片环呈圆环形，其侧壁包括至少一个进液槽；
设置于所述底座上的夹紧装置，所述夹紧装置用于夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片。
相应的，本发明实施例还提供了一种晶圆片的单面刻蚀方法，应用于上述实施例所述的刻蚀装置，包括：
将多个所述夹片环放置在所述底座上；
在每两个相邻的夹片环之间放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环；
利用所述夹紧装置夹紧所述夹片环和晶圆片；
通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
综上所述，本发明实施例提供的一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。并且利用所述刻蚀装置对晶圆片进行刻蚀不需要对所述晶圆片进行涂覆或生长保护层的操作，从而不存在所述保护层发送脱落或剥离而导致晶圆片在刻蚀过程中报废的风险，因此提高了晶圆片的刻蚀效率，降低了所述晶圆片的刻蚀成本。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种刻蚀装置，应用于晶圆片湿法刻蚀，包括：
底座；
设置于所述底座上的多个夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，且所述夹片环呈圆环形，其侧壁包括至少一个进液槽；
设置于所述底座上的夹紧装置，所述夹紧装置用于夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，上述刻蚀装置还包括：位于所述夹片环外侧面的至少一个定位块，设置于所述底座内表面的定位台；
所述定位块的侧面与所述定位台的侧面接触，用于使所述夹片环稳定放置在所述定位台上。
在上述实施例的基础上，本发明的一个优选实施例提供了一种夹片环的具体结构，如图1所示，沿所述夹片环100径向方向的4个定位块101，所述定位块101均匀分布于所述夹片环100的侧壁上；4个所述进液槽102位于所述定位块101之间的所述夹片环100侧壁上，但本发明对所述定位块101和进液槽102的数量及排布方式并不做限定，具体视实际情况而定。
需要说明的是，所述定位块101的形状并不限定于图1所示的形状，在本发明的其他实施例中，所述定位块101的形状为长方体形，本发明对所述定位块101的具体形状并不做限定，具体视实际情况而定。
在上述实施例的基础上，本发明的又一个优选实施例提供了一种定位台的具体形式，如图2所示，所述定位台201的内表面为圆弧面，其半径等于所述夹片环100的半径。所述夹片环100放置在所述定位台201上时，所述定位台201的内表面与所述夹片环100的接触部分贴合。
在上述实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述定位块101的数量大于或等于两个，所述定位台201的内表面的弧长小于或等于所述夹片环100任意相邻两个定位块101之间的弧长。以便使任意两个定位块101之间的夹片环圆弧都可以放置在所述定位台201上。
在上述实施例的基础上，在本发明的又一个实施例中，所述底座200内表面为圆弧面，其半径等于所述夹片环100半径与所述定位台201沿所述夹片环100径向方向的长度之和，其目的是为了使所述夹片环100可以稳定的放置在所述底座200上，所述夹片环100与所述底座200、所述定位台201的位置关系如图3所示，但本发明对所述底座200和定位台201的具体形状不做限定，具体视实际情况而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的再一个实施例中，所述定位块101沿所述夹片环100径向方向的长度大于等于5mm。在本发明的其他实施例中，所述定位块101沿所述夹片环100径向方向的长度为20mm。但本发明对所述定位块101沿所述夹片环100径向方向的长度的取值范围和具体取值不做限定，具体视实际情况而定。
在上述实施例的基础上，本发明的另一个实施例提供了一种夹紧装置的具体结构，所述夹紧装置包括螺纹杆、夹持板、第一固定板和第二固定板；其中，
所述第一固定板和第二固定板相对设置于所述底座200两端，所述第一固定板设置有螺纹孔；
所述夹持板设置于所述第一固定板和第二固定板之间，所述夹持板与所述第二固定板之间用于放置所述夹片环100和所述晶圆片；
所述螺纹杆通过所述螺纹孔与所述第一固定板螺纹连接；
所述夹持板与所述螺纹杆抵接，当所述螺纹杆向所述第二固定板方向旋进时推动所述夹持板夹紧所述夹片环100和所述晶圆片。
需要说明的是，在本实施例中，所述夹持板的直径等于所述夹片环100的直径与所述定位块101在所述夹片环100的径向方向的长度之和。但在本发明的其他实施例中，所述夹持板的直径大于所述夹片环100的直径与所述定位块101在所述夹片环100的径向方向的长度之和。本发明对此并不做限定，只要能够实现所述夹持板的夹持功能即可，具体视实际情况而定。并且在本实施例中，所述夹紧装置与所述底座200分离设置。但在本发明的其他实施例中，所述夹紧装置与所述底座200固定连接。本发明对此并不做限定，具体视实际情况而定。
还需要说明的是，在本实施例中，所述夹片环100、定位块101、晶圆片、底座200内表面和所述定位台201内表面的圆心均位于同一条直线上。但本发明对此并不做限定，具体视实际情况而定。
相应的，本实施例还提供了一种所述刻蚀装置的具体结构，如图4所示，所述刻蚀装置包括：多个夹片环100、底座200、夹紧装置300；其中，所述夹紧装置300包括：螺纹杆301、夹持板304、第一固定板302和第二固定板303。
需要说明的是，所述夹持板304可以通过所述螺纹杆301推进，夹紧所述夹片环100和所述晶圆片，在本发明的其他实施例中，所述夹持板304还可以通过液压装置推进，夹紧所述夹片环100和所述晶圆片，本发明对所述夹紧装置300的具体结构并不做限定，只要能够实现夹紧所述夹片环100和所述晶圆片的功能即可，具体视实际情况而定。
还需要说明的是，所述螺纹杆301可以通过手动旋进的方式推动所述夹持板304，也可以采用电机带动所述螺纹杆301旋进的方式推动所述夹持板304，本发明对所述螺纹杆301旋进的动力来源并不做限定，具体视实际情况而定。
需要进一步说明的是，在本实施例中，所述定位台201的内表面在夹紧方向上的长度小于所述底座200在夹紧方向上的长度，以便于所述夹持板304在夹紧方向上运动，进而夹紧所述夹片环100和所述晶圆片。但本发明对所述定位台201的内表面在夹紧方向上的长度的具体取值并不做限定，具体视实际情况而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述夹片环100的直径的取值范围为30mm-200mm，包括端点值。需要说明的是，所述夹片环100的直径与所需单面刻蚀的晶圆片的直径保持一致，因此本发明对所述夹片环100的直径的取值范围和具体取值不做限定，具体可以根据所需单面刻蚀的晶圆片的直径而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的再一个实施例中，所述刻蚀装置采用的材料为耐腐蚀材料。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个优选实施例中，所述耐腐蚀材料为聚氯乙烯。聚氯乙烯材料具有成本低廉、不易被酸、碱腐蚀的优点，可以耐受刻蚀所述晶圆片的腐蚀液体的侵蚀。但在本发明的其他实施例中，所述耐腐蚀材料为聚四氟乙烯或聚丙烯。本发明对所述耐腐蚀材料的具体种类不做限定，所述耐腐蚀材料可以根据所述腐蚀液体种类或浓度的变化而相应变化，具体视实际情况而定。
综上所述，本发明实施例提供的所述刻蚀装置的底座200上用于放置多个所述夹片环100，相邻夹片环100之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环100，当利用所述夹紧装置300夹紧放置在所述底座200上的多个夹片环100和多个晶圆片后可以通过所述夹片环100的进液槽102注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环100，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环100的进液槽102注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。并且利用所述刻蚀装置对晶圆片进行刻蚀不需要对所述晶圆片进行涂覆或生长保护层的操作，从而不存在所述保护层发生脱落或剥离而导致晶圆片在刻蚀过程中报废的风险，因此提高了晶圆片的刻蚀效率，降低了所述晶圆片的刻蚀成本。
相应的，本发明实施例还提供了一种晶圆片的单面刻蚀方法，应用于上述任一实施例所述的刻蚀装置，如图5所示，包括：
步骤1：将多个所述夹片环100放置在所述底座200上。
需要说明的是，所述夹片环100放置时，优选从靠近所述第二固定板303的位置开始放置，以便所述夹紧装置300在夹紧所述夹片环100和晶圆片时不易将所述夹片环100或晶圆片推倒。但本发明对所述夹片环100的放置顺序并不做限定，具体视实际情况而定。
步骤2：在每两个相邻的夹片环100之间放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环100。
需要说明的是，优选在每两个相邻的夹片环100之间放置两个晶圆片。但本发明对此并不做限定，具体视实际情况而定。
步骤3：利用夹紧装置300夹紧所述夹片环100和晶圆片。
需要说明的是，所述夹紧装置300可以手动夹紧，也可以采用电机作为所述夹紧装置300的夹紧动力来源，本发明对此并不做限定，具体视实际情况而定。
步骤4：通过所述夹片环100的进液槽102注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个优选实施例中，将多个所述夹片环100放置在所述底座200上之后，在每两个相邻的夹片环100之间放置至少两个晶圆片之前还包括：
步骤12：将所述晶圆片浸水，以利用水的张力使所述晶圆片贴紧。
需要说明的是，将所述晶圆片浸水的目的是利用水的张力使所述晶圆片紧贴在一起，并起到对所述晶圆片不需刻蚀一面的保护作用，避免所述腐蚀液体腐蚀所述晶圆片不需刻蚀的一面。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个具体实施例中，通过所述夹片环100的进液槽102注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀包括：
步骤41：将所述夹紧装置、所述夹片环和所述晶圆片浸入腐蚀液体中；
步骤42：所述腐蚀液体通过所述夹片环100的进液槽102注入所述刻蚀装置，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
在上述实施例的基础上，在本发明的另一个具体实施例中，通过所述夹片环100的进液槽102注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀包括：
步骤411：利用注射装置吸取腐蚀液体；
步骤421：将注射装置中的腐蚀液体通过所述夹片环100的进液槽102注射进所述刻蚀装置中，所述腐蚀液体对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
需要说明的是，本发明对通过所述夹片环100的进液槽102注入腐蚀液体的具体方式不做限定，具体视实际情况而定。
在上述实施例的基础上，本发明的一个具体优选实施例提供了一种晶圆片的单面刻蚀的具体流程，如图6所示，包括：
S01：将多个所述夹片环100放置在所述底座200上；
S02：将所述晶圆片浸水；
S03：在每两个相邻的夹片环100之间放置两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环100；
S04：手动旋进所述螺纹杆301，推动所述夹持板304夹紧所述夹片环100和晶圆片；
S05：将所述夹紧装置、所述夹片环100和所述晶圆片浸入腐蚀液体中；
S06：所述腐蚀液体通过所述夹片环100的进液槽102注入所述夹片环100，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
综上所述，本发明实施例提供的一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座200上用于放置多个所述夹片环100，相邻夹片环100之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环100，当利用所述夹紧装置300夹紧放置在所述底座200上的多个夹片环100和多个晶圆片后可以通过所述夹片环100的进液槽102注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环100，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环100的进液槽102注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。并且利用所述刻蚀装置对晶圆片进行刻蚀不需要对所述晶圆片进行涂覆或生长保护层的操作，从而不存在所述保护层发生脱落或剥离而导致晶圆片在刻蚀过程中报废的风险，因此提高了晶圆片的刻蚀效率，降低了所述晶圆片的刻蚀成本。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (13)
1.一种刻蚀装置，应用于晶圆片湿法刻蚀，其特征在于，包括：
底座；
设置于所述底座上的多个夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，且所述夹片环呈圆环形，其侧壁包括至少一个进液槽；
设置于所述底座上的夹紧装置，所述夹紧装置用于夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括：位于所述夹片环外侧面的至少一个定位块，设置于所述底座内表面的定位台；
所述定位块的侧面与所述定位台的侧面接触，用于使所述夹片环稳定放置在所述定位台上。
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述定位台的内表面为圆弧面，其半径等于所述夹片环的半径。
4.根据权利要求3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述定位块的数量大于或等于两个，所述定位台的内表面的弧长小于或等于所述夹片环任意相邻两个定位块之间的弧长。
5.根据权利要求3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述底座内表面为圆弧面，其半径等于所述夹片环半径与所述定位台沿所述夹片环径向方向的长度之和。
6.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述定位块沿所述夹片环径向方向的长度大于等于5mm。
7.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述夹紧装置包括螺纹杆、夹持板、第一固定板和第二固定板；其中，
所述第一固定板和第二固定板相对设置于所述底座两端，所述第一固定板设置有螺纹孔；
所述夹持板设置于所述第一固定板和第二固定板之间，所述夹持板与所述第二固定板之间用于放置所述夹片环和所述晶圆片；
所述螺纹杆通过所述螺纹孔与所述第一固定板螺纹连接；
所述夹持板与所述螺纹杆抵接，当所述螺纹杆向所述第二固定板方向旋进时推动所述夹持板夹紧所述夹片环和所述晶圆片。
8.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述夹片环的直径的取值范围为30mm-200mm，包括端点值。
9.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置采用的材料为耐腐蚀材料。
10.根据权利要求9所述的刻蚀装置，其特征在于，所述耐腐蚀材料为聚氯乙烯或聚四氟乙烯或聚丙烯。
11.一种晶圆片的单面刻蚀方法，应用于权利要求1-10任一项所述的刻蚀装置，其特征在于，包括：
将多个所述夹片环放置在所述底座上；
在每两个相邻的夹片环之间放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环；
利用所述夹紧装置夹紧所述夹片环和晶圆片；
通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
12.根据权利要求11所述的刻蚀方法，其特征在于，将多个所述夹片环放置在所述底座上之后，在每两个相邻的夹片环之间放置至少两个紧贴的晶圆片之前还包括：
将所述晶圆片浸水，以利用水的张力使所述晶圆片贴紧。
13.根据权利要求11所述的刻蚀方法，其特征在于，通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀包括：
将所述夹紧装置、所述夹片环和所述晶圆片浸入腐蚀液体中；
所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入所述刻蚀装置，对所述晶圆片的待刻蚀面进行刻蚀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510737109.8A CN105225992B (zh) | 2015-11-03 | 2015-11-03 | 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510737109.8A CN105225992B (zh) | 2015-11-03 | 2015-11-03 | 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105225992A CN105225992A (zh) | 2016-01-06 |
| CN105225992B true CN105225992B (zh) | 2018-08-24 |
Family
ID=54994857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510737109.8A Active CN105225992B (zh) | 2015-11-03 | 2015-11-03 | 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105225992B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105845607B (zh) * | 2016-04-18 | 2018-08-31 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种衬底腐蚀夹具 |
| CN109427581B (zh) * | 2017-08-30 | 2021-05-14 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种大功率整流管芯的制造方法 |
| CN110491824B (zh) * | 2019-08-07 | 2021-10-19 | 东南大学 | 一种可在湿法腐蚀下实现样片单面保护的夹具及其加工装配方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217108A (zh) * | 2008-01-02 | 2008-07-09 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种芯片台面腐蚀装置 |
| CN101403118A (zh) * | 2008-11-13 | 2009-04-08 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 硅片腐蚀单面保护夹具 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10223585A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Canon Inc | ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法 |
| JP2001023947A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Canon Inc | 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 |
| KR20070105699A (ko) * | 2006-04-27 | 2007-10-31 | 삼성전자주식회사 | 기판 식각 장치 및 이를 이용한 기판 식각 방법 |
-
2015
- 2015-11-03 CN CN201510737109.8A patent/CN105225992B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101217108A (zh) * | 2008-01-02 | 2008-07-09 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种芯片台面腐蚀装置 |
| CN101403118A (zh) * | 2008-11-13 | 2009-04-08 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 硅片腐蚀单面保护夹具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105225992A (zh) | 2016-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105225992B (zh) | 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 | |
| Zhang et al. | Bamboo shoot nanotubes with diameters increasing from top to bottom: evidence against the field-assisted dissolution equilibrium theory | |
| MX2018014328A (es) | Metodo para preparar estructura texturizada de celda solar de silicio cristalino. | |
| CN103985664B (zh) | 硅基氮化镓外延层剥离转移的方法 | |
| JP2011511473A5 (zh) | ||
| CN104888607B (zh) | 一种帘式膜组件及其浇铸方法 | |
| TW200737345A (en) | Method and system for selectively etching a dielectric material relative to silicon | |
| WO2019060184A3 (en) | IMPROVED FILLING MATERIAL TO MITIGATE A PATTERN COLLAPSE | |
| CN105632912A (zh) | 一种硅片刻蚀方法 | |
| JP2010508145A5 (zh) | ||
| US20160027669A1 (en) | Wet Etching Apparatus and the Etching Method Thereof | |
| CN102418138B (zh) | 一种用于全面积器件转移的制备多孔硅的装置 | |
| CN105336824A (zh) | 一种图形化衬底的制备方法及图形化衬底 | |
| CN103681306B (zh) | 一种平缓光滑侧壁形貌的氮氧硅刻蚀方法 | |
| WO1999045583A1 (en) | Method for electrochemically etching a p-type semiconducting material, and a substrate of at least partly porous semiconducting material | |
| CN108447899A (zh) | 一种垂直结构GaN功率器件的制备方法 | |
| CN104388934B (zh) | 一种用于化学气相沉积方法转移石墨烯薄膜的工装装置 | |
| CN204474755U (zh) | 一种用于化学气相沉积方法转移石墨烯薄膜的工装装置 | |
| CN107342221A (zh) | 一种SiC基GaN晶体的深孔刻蚀方法 | |
| CN102810594B (zh) | 类单晶硅片的制绒方法 | |
| WO2020018924A1 (en) | Etching of silicon nitride and silica deposition control in 3d nand structures | |
| CN205797288U (zh) | 试管架玻璃试管固定扣 | |
| CN204375780U (zh) | 能够防止硅片上浮的硅片筐提手 | |
| CN203510127U (zh) | 一种控制阀阀芯拆装装置 | |
| CN103295881A (zh) | 去除硅片表面低介电材料的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: The age of 412001 in Hunan Province, Zhuzhou Shifeng District Road No. 169 Patentee after: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC Co.,Ltd. Address before: The age of 412001 in Hunan Province, Zhuzhou Shifeng District Road No. 169 Patentee before: ZHUZHOU CSR TIMES ELECTRIC Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201012 Address after: 412001 Room 309, floor 3, semiconductor third line office building, Tianxin hi tech park, Shifeng District, Zhuzhou City, Hunan Province Patentee after: Zhuzhou CRRC times Semiconductor Co.,Ltd. Address before: The age of 412001 in Hunan Province, Zhuzhou Shifeng District Road No. 169 Patentee before: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |