CN204375780U - 能够防止硅片上浮的硅片筐提手 - Google Patents
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Abstract
能够防止硅片上浮的硅片筐提手属于半导体器件芯片制造技术领域。现有技术在硅片的腐蚀、去胶过程中，硅片会随气泡上浮，边缘露出腐蚀液液面，导致腐蚀不均匀以及去胶不彻底，同时，由于上浮后的硅片脱离与滚轮的接触而停止转动，腐蚀以及去胶效果进一步变劣。本实用新型其特征在于，横挡与U形带的横梁平行；横挡的具体方案有两种：一、横挡为一个完整部件，横挡两端穿过U形带两侧下部，并与U形带两侧下部动配合，横挡的两端具有限位盖，横挡的长度比U形带两侧下部间距大10～20毫米；二、横挡由左面部分、右面部分构成，左面部分的左端与U形带左侧下部固定连接，右面部分的右端与U形带右侧下部固定连接，左面部分的右端与右面部分的左端以套管的方式连接。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种能够防止硅片上浮的硅片筐提手，能够在腐蚀及去胶操作过程中防止硅片上浮甚至漂浮，从而避免腐蚀不均、去胶不净进而返工或者报废，以及避免可能发生的碎片现象，属于半导体器件芯片制造技术领域。
背景技术
在半导体芯片制造过程中，有氧化层腐蚀工步和芯片结构制作完毕之后的金属层腐蚀工步，不论哪个工步，都有腐蚀和去胶两个步骤。在所述两个步骤中，如图1所示，硅片1都是成组地、彼此相离地、垂直插放在硅片筐2中，用硅片筐提手3将盛放有硅片1的硅片筐2放入腐蚀液4中，腐蚀液4浸没硅片1，每个硅片1底部与同一个滚轮5接触。在腐蚀过程中，滚轮5转动带动硅片1转动，实现均匀腐蚀。然而，如图2所示，在所述腐蚀过程中，因为腐蚀液4与被腐蚀物反应产生气体，这些气体以气泡的形式从腐蚀液4中上升排出，在气泡上升过程中，硅片1会随之上浮，硅片1边缘露出腐蚀液液面，导致腐蚀不均匀以及去胶不彻底，同时，由于上浮后的硅片1脱离与滚轮5的接触而停止转动，腐蚀以及去胶效果进一步变劣，对于这部分硅片1，往往需要返工甚至报废。有时由于硅片1上浮的幅度较大而漂浮在腐蚀液表面，某些操作会导致硅片1发生碎片，直接报废。
所述硅片筐提手3采用聚四氟乙烯一次注塑而成，其形状及结构如图3、4所示，下弯横撑6位于提手3中上部，并位于U形带7内侧，下弯横撑6的两端与U形带7两侧连接，U形带7两侧下部形状与结构相同，均呈展开状，在U形带7两侧下部的两端各有一个嵌销8。所述下弯横撑6为刚性件，所述U形带7为弹性件。当使用该提手3提拿硅片筐2时，操作者手握下弯横撑6及U形带7的横梁9，如图5所示，在握力的作用下，同时由于下弯横撑6的支撑作用，使得U形带7两侧下部向外张开，将该提手3移至硅片筐2上方，使U形带7两侧下部两端的嵌销8接近硅片筐2两侧上部两端的凹槽，操作者松手去除握力，在弹性的作用下，U形带7两侧下部回位，嵌销8嵌入凹槽中，完成提手3与硅片筐2的临时连接。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，通过改变提手的结构，使得提手具有阻止硅片上浮的功能，为此，我们发明了一种能够防止硅片上浮的硅片筐提手。
本实用新型之能够防止硅片上浮的硅片筐提手采用聚四氟乙烯一次注塑而成，如图3、4所示，下弯横撑6位于提手3中上部，并位于U形带7内侧，下弯横撑6的两端与U形带7两侧连接，U形带7两侧下部形状与结构相同，均呈展开状，在U形带7两侧下部的两端各有一个嵌销8；所述下弯横撑6为刚性件，所述U形带7为弹性件；其特征在于，如图6、7所示，横挡10与U形带7的横梁9平行；横挡10的具体方案有两种：一、横挡10为一个完整部件，如图6所示，横挡10两端穿过U形带7两侧下部，并与U形带7两侧下部动配合，横挡10的两端具有限位盖11，横挡10的长度比U形带7两侧下部间距大10～20毫米；二、横挡10由左面部分、右面部分构成，如图7所示，左面部分的左端与U形带7左侧下部固定连接，右面部分的右端与U形带7右侧下部固定连接，左面部分的右端与右面部分的左端以嵌套方式连接。
本实用新型其技术效果在于，当使用本实用新型之提手3提拿硅片筐2时，操作者手握下弯横撑6及U形带7的横梁9，在握力的作用下，同时由于下弯横撑6的支撑作用，并且，由于横挡10的长度比U形带7两侧下部间距大10～20毫米，或者，由于横挡10由左右两部分构成并以嵌套方式连接，所以，横挡10的存在不影响U形带7两侧下部向外正常张开。
将硅片1成组地、彼此相离地、垂直插放在硅片筐2中。将本实用新型之提手3移至硅片筐2上方，使U形带7两侧下部两端的嵌销8接近硅片筐2两侧上部两端的凹槽，操作者松手去除握力，在弹性的作用下，U形带7两侧下部回位，嵌销8嵌入凹槽中，完成提手3与硅片筐2的临时连接。此时横挡10位于硅片筐2中的硅片1边缘最高点的上方，如图8所示，横挡10的下边缘与硅片1边缘最高点相距5～10毫米。将盛放有硅片1的硅片筐2放入腐蚀液4中，腐蚀液4浸没硅片1，每个硅片1底部与同一个滚轮5接触。在腐蚀过程中，滚轮5转动带动硅片1转动，实现均匀腐蚀。
尽管在所述腐蚀过程中，因为腐蚀液4与被腐蚀物反应产生气体，这些气体以气泡的形式从腐蚀液中上升排出，但是，由于横挡10的存在，硅片1也不会随气泡的上升而上浮，从而防止硅片1边缘露出腐蚀液4液面而导致腐蚀不均匀以及去胶不彻底，同时，也防止硅片1上浮后脱离与滚轮5的接触而停止转动，从而避免腐蚀以及去胶效果的进一步变劣，不再需要返工，不会发生报废，更谈不上硅片1碎片的发生。
附图说明
图1是采用现有硅片筐提手时对硅片进行腐蚀和去胶工况示意图。图2是采用现有硅片筐提手、对硅片进行腐蚀和去胶时硅片发生上浮情况示意图。图3是现有硅片筐提手形状及结构立体示意图。图4是现有硅片筐提手形状及结构主视示意简图。图5是现有硅片筐提手在握力作用下U形带两侧下部向外张开形态主视示意简图。图6是本实用新型之能够防止硅片上浮的硅片筐提手形状及结构立体示意图，该图同时表示横挡的加长方案。图7是本实用新型之能够防止硅片上浮的硅片筐提手形状及结构立体示意图，该图同时表示横挡的嵌套方案，该图同时作为摘要附图。图8是采用本实用新型之能够防止硅片上浮的硅片筐提手时对硅片进行腐蚀和去胶工况示意图。
具体实施方式
本实用新型之能够防止硅片上浮的硅片筐提手采用聚四氟乙烯一次注塑而成，如图6、7所示，下弯横撑6位于提手3中上部，并位于U形带7内侧，下弯横撑6的两端与U形带7两侧连接，U形带7两侧下部形状与结构相同，均呈展开状，在U形带7两侧下部的两端各有一个嵌销8；所述下弯横撑6为刚性件，所述U形带7为弹性件。横挡10与U形带7的横梁9平行。横挡10呈细长圆形条状，直径为8～15毫米。横挡10的材质为聚四氟乙烯。横挡10的具体方案有两种：一、横挡10为一个完整部件，横挡10两端穿过U形带7两侧下部，并与U形带7两侧下部动配合，横挡10的两端具有限位盖11，横挡10的长度比U形带7两侧下部间距大10～20毫米；二、横挡10由左面部分、右面部分构成，左面部分的左端与U形带7左侧下部固定连接，右面部分的右端与U形带7右侧下部固定连接，左面部分的右端与右面部分的左端以嵌套方式连接。所述的嵌套方式为横挡10左面部分、右面部分的连接部分分为内部分、外部分，外部分为管状，外径为8～15毫米；内部分的外径等于外部分内径；所述横挡10左面部分、右面部分的连接部分的长度为10～20毫米。
Claims (4)
1.一种能够防止硅片上浮的硅片筐提手，采用聚四氟乙烯一次注塑而成，下弯横撑(6)位于提手(3)中上部，并位于U形带(7)内侧，下弯横撑(6)的两端与U形带(7)两侧连接，U形带(7)两侧下部形状与结构相同，均呈展开状，在U形带(7)两侧下部的两端各有一个嵌销(8)；所述下弯横撑(6)为刚性件，所述U形带(7)为弹性件；其特征在于，横挡(10)与U形带(7)的横梁(9)平行；横挡(10)的具体方案有两种：一、横挡(10)为一个完整部件，横挡(10)两端穿过U形带(7)两侧下部，并与U形带(7)两侧下部动配合，横挡(10)的两端具有限位盖(11)，横挡(10)的长度比U形带(7)两侧下部间距大10～20毫米；二、横挡(10)由左面部分、右面部分构成，左面部分的左端与U形带(7)左侧下部固定连接，右面部分的右端与U形带(7)右侧下部固定连接，左面部分的右端与右面部分的左端以嵌套方式连接。
2.根据权利要求1所述的能够防止硅片上浮的硅片筐提手，其特征在于，横挡(10)呈细长圆形条状，直径为8～15毫米。
3.根据权利要求1所述的能够防止硅片上浮的硅片筐提手，其特征在于，横挡(10)的材质为聚四氟乙烯。
4.根据权利要求1所述的能够防止硅片上浮的硅片筐提手，其特征在于，所述的嵌套方式为横挡(10)左面部分、右面部分的连接部分分为内部分、外部分，外部分为管状，外径为8～15毫米；内部分的外径等于外部分内径；所述横挡(10)左面部分、右面部分的连接部分的长度为10～20毫米。
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