CN105204258A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，其中的阵列基板包括衬底、阵列电路结构和遮光层；所述阵列电路结构位于所述衬底的一侧，并在所述阵列基板的显示区内预设的若干个像素开口区域内透明；在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，所述遮光层覆盖所述阵列电路结构。基于此，本发明可以解决现有技术中彩膜基板与阵列基板对位偏差会导致漏光不良的产生或者像素开口率下降的问题，扩大彩膜基板与阵列基板对位偏差的容许范围，有利于提升良率、降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
然而，现有的液晶显示面板制程中存在着诸多不稳定因素。例如，现有工艺中阵列基板与彩膜基板的对合偏差有时会在数值上超出最大允许值。其主要原因在于，彩膜基板与阵列基板的热膨胀系数不同，而使得基板之间的对准动作很难精准的匹配。该问题会使得遮光层不能覆盖所有应当遮光的区域而产生像素开口边缘漏光等不良，而生产成本亦会随之提高。
为解决该问题，现有技术通常会将遮光层的尺寸加大，以减少因对位偏差造成的漏光。但是，该方式会造成液晶显示器的像素开口率(ApertureRatio)下降。由此，为达到要求的画面显示亮度，需要增加背光源的亮度。但这样会增加产品的电力消耗，不利于实现液晶显示装置的高亮度、低功耗的设计目标。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，可以解决现有技术中彩膜基板与阵列基板对位偏差会导致漏光不良的产生或者像素开口率下降的问题。
第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底、阵列电路结构和遮光层；
所述阵列电路结构位于所述衬底的一侧，并在所述阵列基板的显示区内预设的若干个像素开口区域内透明；
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，所述遮光层覆盖所述阵列电路结构。
可选地，所述阵列电路结构在所述像素开口区域内设有由第一绝缘层间隔开的条状电极与板状电极。
可选地，所述阵列电路结构包括依次形成的晶体管器件层、第一透明导电层、所述第一绝缘层和第二透明导电层；
所述第一透明导电层包括所述板状电极的图形；所述第二透明导电层包括所述条状电极的图形。
可选地，所述晶体管器件层包括依次形成的第一导电层、第二绝缘层、半导体层和第二导电层；其中，
所述第一导电层包括多条扫描线的图形；所述第二导电层包括多条数据线的图形；任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个第一晶体管的源电极和漏电极与一条所述数据线相连，该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连；
所述第一导电层还包括所述第一晶体管的栅电极的图形；所述半导体层包括所述第一晶体管的有源区的图形；所述第二导电层还包括所述第一晶体管的源电极和漏电极的图形。
可选地，所述阵列基板还包括在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内覆盖所述遮光层的第三透明导电层。
可选地，所述衬底与所述阵列电路结构之间还设有彩色滤光层；
所述彩色滤光层在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。
可选地，所述彩色滤光层与所述阵列电路结构之间还设有平坦化层。
第二方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底的一侧形成阵列电路结构；所述阵列电路结构在显示区内预设的若干个像素开口区域内透明；
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述阵列电路结构的遮光区。
可选地，所述阵列电路结构在所述像素开口区域内设有由第一绝缘层间隔开的条状电极与板状电极。
可选地，所述在衬底的一侧形成阵列电路结构，包括：
在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层；
在所述晶体管器件层上形成第一透明导电层；所述第一透明导电层包括所述板状电极的图形；
在所述晶体管器件层和所述第一透明导电层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二透明导电层；所述第二透明导电层包括所述条状电极的图形。
可选地，所述在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层，包括：
在所述衬底的第一侧形成第一导电层；所述第一导电层包括多条扫描线的图形，以及第一晶体管的栅电极的图形；
形成覆盖所述第一导电层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成半导体层；所述半导体层包括所述第一晶体管的有源区的图形；
在所述第二绝缘层和所述半导体层上形成第二导电层；所述第二导电层包括所述第一晶体管的源电极和漏电极的图形，以及多条数据线的图形；
其中，任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个所述第一晶体管的源电极与漏电极与一条所述数据线相连，该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连。
可选地，在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述阵列电路结构的遮光区之后，还包括：
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述遮光层的第三透明导电层。
可选地，所述在衬底的第一侧形成阵列电路结构之前，还包括：
在所述衬底的第一侧形成彩色滤光层；
其中，所述彩色滤光层在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。
可选地，所述在衬底的第一侧形成彩色滤光层之后，还包括：
在所述衬底的第一侧形成平坦化层。
第三方面，本发明提供了一种显示装置，包括上述任意一种阵列基板。
由上述技术方案可知，本发明通过将遮光层设置于阵列基板中的阵列电路结构上，使得彩膜基板与阵列基板对位偏差不会对遮光层的遮光区域产生影响，因而不会产生像素开口边缘漏光的不良，也不需要加大遮光层的尺寸来消除漏光，从而也避免了由此而导致的像素开口率的下降。因此，本发明可以解决现有技术中彩膜基板与阵列基板对位偏差会导致漏光不良的产生或者像素开口率下降的问题。
相对于现有技术来说，本发明可以扩大彩膜基板与阵列基板对位偏差的容许范围，因而有利于提升良率、降低生产成本。而且相比于现有技术中遮光层设置在彩膜基板上的方式，遮光层距离需要被遮光的结构更近，因而本发明可以提升总体的光线透过率。另外，本发明中的阵列电路结构被遮光层直接遮盖，因而本发明还可以改善阵列电路结构中薄膜晶体管的光生漏电流现象。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中一种阵列基板的俯视局部结构示意图；
图2是本发明一实施例中图1所示的阵列基板的A-A’剖面示意图；
图3是本发明一实施例中图1所示的阵列基板的B-B’剖面示意图；
图4是本发明另一实施例中一种阵列基板的俯视局部结构示意图；
图5是本发明一实施例中一种阵列基板在图4所示的C-C’位置处的剖面示意图；
图6是本发明又一实施例中一种阵列基板的剖面示意图；
图7是本发明又一实施例中一种阵列基板的剖面示意图；
图8是本发明又一实施例中一种阵列基板的剖面示意图；
图9是图8所示的阵列基板的局部剖面图；
图10是本发明一实施例中一种阵列基板的制作方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1是本发明一实施例中一种阵列基板的俯视局部结构示意图，图2是图1所示的阵列基板的A-A’剖面示意图。参见图2，该阵列基板包括：图1未示出的衬底LS、阵列电路结构EA和图1示出了设置区域的遮光层BM。其中，如图1和图2所示，阵列电路结构EA位于衬底LS的一侧，并在该阵列基板的显示区100内预设的若干个像素开口区域101内透明。在除了若干个像素开口区域101之外的显示区100内，遮光层BM覆盖阵列电路结构EA。
需要说明的是，本发明实施例中的阵列电路结构指的是形成在阵列基板上的，出于显示需要而至少部分的表面区域需要被遮光的结构，可以包括在显示区内呈阵列状排列的像素电路及其彼此间的连接线(比如薄膜晶体管和金属连接线)，还可以包括设置在显示区内用以保持导体之间彼此电性绝缘的绝缘层。可以理解的是，上述若干个像素开口区域101内的阵列电路结构应具有满足显示要求的透光度，因此该阵列电路结构在任一像素开口区域101内包括的材料以及材料界面均应满足相应的透光度要求。
具体来说，像素开口区域101之外的显示区100可以包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)电路、扫描线、数据线等等。如此，遮光层BM可以覆盖在这些结构之上。而由于遮光层BM是绝缘的，因此不会对阵列电路结构的导电性造成影响。
可以理解的是，本发明实施例通过将遮光层设置于阵列基板中的阵列电路结构上，使得彩膜基板与阵列基板对位偏差不会对遮光层的遮光区域产生影响，因而不会产生像素开口边缘漏光的不良，也不需要加大遮光层的尺寸来消除漏光，从而也避免了由此而导致的像素开口率的下降。因此，本发明实施例可以解决现有技术中彩膜基板与阵列基板对位偏差会导致漏光不良的产生或者像素开口率下降的问题。
相对于现有技术来说，本发明实施例可以扩大彩膜基板与阵列基板对位偏差的容许范围，因而有利于提升良率、降低生产成本。而且相比于现有技术中遮光层设置在彩膜基板上的方式，遮光层距离需要被遮光的结构更近，因而本发明实施例可以提升总体的光线透过率。另外，本发明实施例中的阵列电路结构被遮光层直接遮盖，因而本发明实施例还可以改善阵列电路结构中薄膜晶体管的光生漏电流现象。
作为一种示例，图3是图1所示的阵列基板的B-B’剖面示意图。参见图3，阵列电路结构在像素开口区域101内设有由第一绝缘层L1间隔开的条状电极E2与板状电极E1。可以看出，若将上述条状电极E2和上述板状电极E1分别作为阵列基板的像素电极和公共电极中的一个，则该阵列基板即可用于实现ADS(AdvancedsuperDimensionSwitch，高级超维场转换)显示模式，从而提高液晶工作效率并增大透光效率。
本实施例中，如图3所示，上述阵列电路结构EA包括依次形成的晶体管器件层TL、第一透明导电层、第一绝缘层L1和第二透明导电层。其中，该第一透明导电层为包括上述板状电极E1的图形的透明导电材料形成的层状结构；该第二透明导电层为包括所述条状电极E2的图形的透明导电材料形成的层状结构。其中，晶体管器件层TL为主要包括由晶体管所组成的电路结构的层状结构。可以理解的是，晶体管器件层TL可以通过晶体管电路为每一像素开口区域101所对应的像素电极写入数据电压，以形成LCD式的发光显示。
举例来说，上述阵列基板中的晶体管器件层TL可以具体包括依次形成的第一导电层、第二绝缘层、半导体层和第二导电层。其中，第一导电层包括多条扫描线的图形；第二导电层包括多条数据线的图形；任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个第一晶体管的源电极与漏电极与一条所述数据线相连，该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连。作为一种示例，图4所示的本发明一实施例中一种阵列基板的俯视局部结构示意图。参见图4，第一导电层包括多条扫描线的图形，如图4中的G1、G2、G3、G4所示的四条扫描线。第二导电层包括多条数据线的图形，如图4中的D1、D2、D3、D4、D5所示的五条数据线。在任一上述像素开口区域101内的板状电极E1(作为像素电极)经过一个第一晶体管T0的源电极和漏电极(如图4中第一晶体T0管的左右两端所示)与一条数据线连接，而该第一晶体管T0的栅极(如图4中第一晶体T0管的下端所示)则与一条扫描线连接。
进一步地，图5是本发明一实施例中一种阵列基板在图4所示的C-C’位置处的剖面示意图。如图5所示，上述第一导电层除了包括上述多条扫描线的图形之外，还包括第一晶体管T0的栅电极Eg的图形；上述半导体层包括所述第一晶体管T0的有源区La的图形；上述第二导电层除了包括上述多条数据线的图形之外，还包括所述第一晶体管T0的源电极Es和漏电极Ed的图形。另外，设置在第一导体层与半导体层之间，以及第一导体层与第二导体层之间的第二绝缘层L2可以作为第一晶体管T0的栅绝缘层。可以看出的是，有源区La分别在不同位置处与源电极Es和漏电极Ed接触，以在源电极Es与漏电极Ed之间形成第一晶体管T0的沟道。而且，该沟道在阵列基板俯视平面上的设置区域包含在栅电极Eg的设置区域之内，从而上述结构可以用以形成底栅式的薄膜晶体管的结构。
更具体地，如图5所示，该阵列基板在厚度方向上依次包括：衬底Ls；形成于衬底上的栅电极Eg；形成并覆盖在栅电极Eg上的第二绝缘层L2(栅绝缘层)；形成在第二绝缘层L2上并与栅电极Eg所在区域对应的有源区La；分别与有源区La在不同位置处接触的源电极Es和漏电极Ed；与漏电极Ed相连的板状电极E1；形成在有源层La、源电极Es、漏电极Ed和板状电极E1上的第一绝缘层L1；在每一像素开口区域101之外，形成于第一绝缘层L1上的遮光层BM；以及形成于第一绝缘层L1上并位于每一像素开口区域101之内的条状电极E2。
可以看出，除了上文已经述及的效果之外，图5所示的阵列基板内，像素开口区域101中的板状电极E1可以作为像素电极直接与第二导电层中的源电极Es或漏电极Ed连接，从而避免了像素电极与源电极或漏电极之间的过孔的制作，可以进一步提升制作良率和像素开口率。其中需要说明的是，本文所描述的实施例中的晶体管均可以为薄膜晶体管或者其他类型的场效应晶体管，而在采用的晶体管具有源极与漏极对称的结构时，其源电极和漏电极可以视为不作特别区分的两个电极。此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型晶体管和P型晶体管，而N型晶体管和P型晶体管在源电极和漏电极的连接方式上有所不同。例如，在上述第一晶体管T0为N型晶体管时，与数据线相连的一电极为漏电极，与板状电极E1相连的一极为源极。
进一步地，在图5所示结构的基础上，图6是本发明又一实施例中一种阵列基板的剖面示意图。参见图6，除了图5中已经示出的结构之外，本发明实施例中的阵列基板还包括在除了上述若干个像素开口区域101之外的显示区100内覆盖遮光层BM的第三透明导电层E3。需要说明的是，第三透明导电层E3与第二透明导电层可采用相同的材料形成，且第三透明导电层E3与第二透明导电层可在制备过程中同时形成，能够节省制造工艺的步骤。基于该第三透明导电层E3的设置，当第三透明导电层E3加载公共电压时可以保持对应区域内的液晶取向的稳定。而且，由于遮光层BM介于第三透明导电层E3与第二导电层之间，因此可以用于减小数据线与公共电极之间的寄生电容。
更进一步地，在图6所示结构的基础上，图7是本发明又一实施例中一种阵列基板的剖面示意图。参见图7，除了图6中已经示出的结构之外，该阵列基板还包括衬底Ls与阵列电路结构EA之间的彩色滤光层CF，该彩色滤光层可以参照现有技术中的彩色滤光片(ColorFilter)进行设置。其中，彩色滤光层CF在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。举例来说，若多种预定颜色包括红色、绿色、蓝色和白色，则每一个像素开口区域内具有红色、绿色、蓝色和白色中的一种。可以理解的是，若将彩色滤光层CF制作在晶体管器件层TL与板状电极E1之间，那么就需要在彩色滤光层CF中制作晶体管器件层TL与板状电极E1之间的连接过孔。然而由于一般情况下彩色滤光层CF的厚度会过大，因而沉积在过孔内的氧化铟锡(ITO)很容易发生断裂，而造成像素电极的连接端处断路的不良。相对于该方式而言，本发明实施例将彩色滤光层CF制作在衬底Ls与阵列电路结构EA之间，则可以解决该问题。
更进一步地，在图7所示结构的基础上，图8是本发明又一实施例中一种阵列基板的剖面示意图。参见图8，除了图7中已经示出的结构之外，在彩色滤光层CF与上述阵列电路结构之间还设有平坦化层PL。可以理解的是，现有的彩色滤光片(ColorFilter)结构中，不同颜色的膜层均具有各自的厚度，而不同膜层之间以及膜层与衬底之间均可能存在大幅度的段差。然而若在有段差的彩色滤光层CF上制作上述阵列电路结构EA，那么例如透明导电材料中的氧化铟锡(ITO)则很容易发生断裂而产生不良。由此，本发明实施例中的平坦化层PL可以补齐彩色滤光层CF不同位置处的段差，从而解决上述问题。
作为一种具体的示例，图9是图8所示的阵列基板的局部剖面图。参见图9，在衬底Ls上，彩色滤光层CF包括重复排列的红色膜层F1、绿色膜层F2和蓝色膜层F3，其各自具有不同的厚度。而平坦化层PL覆盖在彩色滤光层CF上，可以对具有段差的彩色滤光层CF起到平坦化的作用。
基于同样的发明构思，本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，与上述任意一种阵列基板相同，该阵列基板包括衬底、阵列电路结构和遮光层BM。参见图10所示出的一种阵列基板的制作方法的步骤流程示意图，该方法包括：
步骤S1：在衬底的一侧形成阵列电路结构；所述阵列电路结构在显示区内预设的若干个像素开口区域内透明。
步骤S2：在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述阵列电路结构的遮光区。
本发明实施例通过将遮光层设置于阵列基板中的阵列电路结构上，使得彩膜基板与阵列基板对位偏差不会对遮光层的遮光区域产生影响，因而不会产生像素开口边缘漏光的不良，也不需要加大遮光层的尺寸来消除漏光，从而也避免了由此而导致的像素开口率的下降。因此，本发明实施例可以解决现有技术中彩膜基板与阵列基板对位偏差会导致漏光不良的产生或者像素开口率下降的问题。
相对于现有技术来说，本发明实施例可以扩大彩膜基板与阵列基板对位偏差的容许范围，因而有利于提升良率、降低生产成本。而且相比于现有技术中遮光层设置在彩膜基板上的方式，遮光层距离需要被遮光的结构更近，因而本发明实施例可以提升总体的光线透过率。另外，本发明实施例中的阵列电路结构被遮光层直接遮盖，因而本发明实施例还可以改善阵列电路结构中薄膜晶体管的光生漏电流现象。另外，上述的阵列电路结构在所述像素开口区域内设有由第一绝缘层间隔开的条状电极与板状电极。可以看出，将上述条状电极和上述板状电极分别作为阵列基板的像素电极和公共电极中的一个，该阵列基板即可用于实现ADS显示模式，从而提高液晶工作效率并增大透光效率。
进一步地，上述步骤S1：在衬底的一侧形成阵列电路结构，可以具体包括图10未示出的下述步骤流程：
S11：在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层；
S12：在所述晶体管器件层上形成第一透明导电层；所述第一透明导电层包括所述板状电极的图形；
举例来说，步骤S12可以具体包括在所述晶体管器件层上形成一层ITO层，采用掩膜对该ITO层进行刻蚀，形成第一透明导电层，而该第一透明导电层包括板状电极的图形。
S13：在所述晶体管器件层和所述第一透明导电层上形成第一绝缘层；
S14：在所述第一绝缘层上形成第二透明导电层；所述第二透明导电层包括所述条状电极的图形。
举例来说，步骤S14可以具体包括在第一绝缘层上形成一ITO层，采用掩膜对该ITO层进行刻蚀，形成第二透明导电层，而该第二透明导电层包括条状电极的图形。
其中，步骤S11：在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层，可以具体包括图10未示出的如下步骤流程：
S111：在所述衬底的第一侧形成第一导电层；所述第一导电层包括多条扫描线的图形，以及第一晶体管的栅电极的图形；
举例来说，步骤S111可以具体包括在衬底上形成第一金属层，并对第一金属层进行刻蚀，以形成第一导电层。该第一导电层包括多条扫描线及栅电极的图形。
S112：形成覆盖所述第一导电层的第二绝缘层；
S113：在所述第二绝缘层上形成半导体层；所述半导体层包括所述第一晶体管的有源区的图形；
举例来说，步骤S113可以具体包括在第二绝缘层上形成半导体材料层，并对该有机膜层进行刻蚀和离子注入工艺，以形成包括有源区的图形的上述半导体层。
S114：在所述第二绝缘层和所述半导体层上形成第二导电层；所述第二导电层包括所述第一晶体管的源电极和漏电极的图形，以及多条数据线的图形；
举例来说，步骤S114可以具体包括形成第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀，形成第二导电层。该第二导电层包括多条数据线、源电极及漏电极的图形。
其中，任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个所述第一晶体管的源电极与漏电极与一条所述数据线相连，该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连。
进一步地，在步骤S2之后，该方法还可包括图10未示出的如下步骤：
S3：在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述遮光层的第三透明导电层。
举例来说，步骤S3可以具体包括在遮光层上方形成一ITO层，采用掩膜对该ITO层进行刻蚀，形成第三透明导电层。
另外，上述第三透明导电层和上述第二透明导电层可以在一道掩膜工艺中形成、具体来说，可以通过掩膜板来进行分区域的构图工艺，从而同时以相同材料形成上述第三透明导电层与上述第二透明导电层，从而节省步骤流程，降低成本。
可以看出，本实施例中遮光层BM位于第一绝缘层L1与第三透明导电层E3之间，可以降低数据线与公共电极之间的寄生电容。
另外，在步骤S1之前，该方法还可包括图10未示出的如下步骤：
在所述衬底的第一侧形成彩色滤光层；
其中，所述彩色滤光层在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。举例来说，若多种预定颜色包括红色、绿色、蓝色和白色，则每一个像素开口区域内具有红色、绿色、蓝色和白色中的一种。可以理解的是，若将彩色滤光层制作在晶体管器件层与板状电极之间，那么就需要在彩色滤光层中制作晶体管器件层与板状电极之间的连接过孔。然而由于一般情况下彩色滤光层的厚度会过大，因而沉积在过孔内的氧化铟锡(ITO)很容易发生断裂，而造成像素电极的连接端处断路的不良。相对于该方式而言，本发明实施例将彩色滤光层制作在衬底与阵列电路结构之间，则可以解决该问题。
进一步地，上述在衬底的第一侧形成彩色滤光层的步骤之后，还可包括如下步骤：
在所述衬底的第一侧形成平坦化层。
可见，由于形成后的彩色滤光层表面不平整，则可以通过平坦话层的设置补齐段差。
另外，本发明实施例所提供的方法可以制作上述任意一种阵列基板，在此不再详述。
基于同样的发明构思，本发明实施例提供一种包括上述任意一种阵列基板的显示装置，该显示装置可以为：液晶显示面板、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置由于包括上述任意一种阵列基板的显示装置，因而可以解决同样的技术问题，并取得相同的技术效果。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (15)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、阵列电路结构和遮光层；
所述阵列电路结构位于所述衬底的一侧，并在所述阵列基板的显示区内预设的若干个像素开口区域内透明；
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，所述遮光层覆盖所述阵列电路结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列电路结构在所述像素开口区域内设有由第一绝缘层间隔开的条状电极与板状电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列电路结构包括依次形成的晶体管器件层、第一透明导电层、所述第一绝缘层和第二透明导电层；
所述第一透明导电层包括所述板状电极的图形；所述第二透明导电层包括所述条状电极的图形。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管器件层包括依次形成的第一导电层、第二绝缘层、半导体层和第二导电层；其中，
所述第一导电层包括多条扫描线的图形；所述第二导电层包括多条数据线的图形；任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个第一晶体管的源电极和漏电极与一条所述数据线相连，该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连；
所述第一导电层还包括所述第一晶体管的栅电极的图形；所述半导体层包括所述第一晶体管的有源区的图形；所述第二导电层还包括所述第一晶体管的源电极和漏电极的图形。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内覆盖所述遮光层的第三透明导电层。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底与所述阵列电路结构之间还设有彩色滤光层；
所述彩色滤光层在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述彩色滤光层与所述阵列电路结构之间还设有平坦化层。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底的一侧形成阵列电路结构；所述阵列电路结构在显示区内预设的若干个像素开口区域内透明；
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述阵列电路结构的遮光区。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述阵列电路结构在所述像素开口区域内设有由第一绝缘层间隔开的条状电极与板状电极。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底的一侧形成阵列电路结构，包括：
在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层；
在所述晶体管器件层上形成第一透明导电层；所述第一透明导电层包括所述板状电极的图形；
在所述晶体管器件层和所述第一透明导电层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二透明导电层；所述第二透明导电层包括所述条状电极的图形。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层，包括：
在所述衬底的第一侧形成第一导电层；所述第一导电层包括多条扫描线的图形，以及第一晶体管的栅电极的图形；
形成覆盖所述第一导电层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成半导体层；所述半导体层包括所述第一晶体管的有源区的图形；
在所述第二绝缘层和所述半导体层上形成第二导电层；所述第二导电层包括所述第一晶体管的源电极和漏电极的图形，以及多条数据线的图形；
其中，任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个所述第一晶体管的源电极与漏电极与一条所述数据线相连，该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连。
12.根据权利要求8至11中任意一项所述的制作方法，其特征在于，在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述阵列电路结构的遮光区之后，还包括：
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内，形成覆盖所述遮光层的第三透明导电层。
13.根据权利要求8至11中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底的第一侧形成阵列电路结构之前，还包括：
在所述衬底的第一侧形成彩色滤光层；
其中，所述彩色滤光层在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底的第一侧形成彩色滤光层之后，还包括：
在所述衬底的第一侧形成平坦化层。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板。
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