CN105200398A - 一种热盘保护装置 - Google Patents
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Abstract
一种热盘保护装置,解决了现有设备热盘侧壁与腔内其他零部件之间产生电弧放电现象。该装置包括热盘、陶瓷环、陶瓷套。所述陶瓷环放置在热盘上,陶瓷环的内圈表面与热盘的凸台外侧表面处于同心状态,陶瓷环的下表面与热盘的外圈上表面紧密贴合。再将陶瓷套由上而下套在热盘上。所述陶瓷套与陶瓷环设计有对接接口,对正后陶瓷套与陶瓷环的上表面处于同一平面,且陶瓷套与陶瓷环处于同心状态。此时,热盘凸台外侧表面与陶瓷环内圈表面之间存在一定间隙;陶瓷套内侧表面与热盘外侧表面之间也存在一定间隙。本发明利用了陶瓷耐高温且绝缘的特性,可以在高温条件下长时间使用,并填补电弧放电现象所需空间,起到阻碍电弧放电产生的作用。可广泛应用于半导体薄膜沉积的技术领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体镀膜设备用的热盘保护装置,此装置主要应用于半导体镀膜设备反应腔内高温工艺过程中,属于半导体薄膜沉积的应用技术领域。
背景技术
半导体镀膜设备的热盘为金属材质,在高温工艺过程中,热盘周围的等离子体浓度过高时,可能在热盘侧壁与腔内其他零部件之间产生电弧放电现象,这样不仅对工艺结果产生极大的负面影响,而且对热盘本身也会造成损伤。
发明内容
本发明以解决上述问题为目的,设计了一种热盘保护装置,解决现有设备热盘侧壁与腔内其他零部件之间产生电弧放电现象。
为实现上述目的,本发明采用下述技术方案:一种热盘保护装置,包括热盘、陶瓷环、陶瓷套。所述陶瓷环放置在热盘上,陶瓷环的内圈表面与热盘的凸台外侧表面处于同心状态,陶瓷环的下表面与热盘的外圈上表面紧密贴合。再将陶瓷套由上而下套在热盘上。所述陶瓷套与陶瓷环设计有对接接口,对正后陶瓷套与陶瓷环的上表面处于同一平面,且陶瓷套与陶瓷环处于同心状态。此时,热盘凸台外侧表面与陶瓷环内圈表面之间存在一定间隙;陶瓷套内侧表面与热盘外侧表面之间也存在一定间隙。
当热盘逐渐升温时,热盘凸台外侧表面与陶瓷环内圈表面之间的间隙逐渐缩小;陶瓷套内侧表面与热盘外侧表面之间的间隙也逐渐缩小。当达到工艺温度时,上述两处间隙缩小至0.1mm以内,实现在高温状态下仍能使陶瓷环与热盘保持同心状态。陶瓷套内侧表面与热盘外侧表面之间的间隙小于电弧放电所需要的间距,因此避免电弧放电的产生,保护热盘不受损伤。
本发明的有益效果及特点在于:
本发明利用了陶瓷耐高温且绝缘的特性,可以在高温条件下长时间使用,并填补电弧放电现象所需空间,起到阻碍电弧放电产生的作用。具有结构简单合理、安装拆卸方便及性能安全可靠的特点。可广泛应用于半导体薄膜沉积的技术领域。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明的局部放大示意图。
图中零件标号分别代表:
1、热盘;2、陶瓷环;3、陶瓷套;4、热盘凸台外侧表面;5、陶瓷环内圈表面;6、热盘外圈上表面;7、陶瓷环下表面;8、陶瓷套内侧表面;9、热盘外侧表面。
具体实施方式
实施例
参照图1和2,一种热盘保护装置,包括热盘1、陶瓷环2、陶瓷套3。所述陶瓷环2放置在热盘1上,陶瓷环2的内圈表面5与热盘1的凸台外侧表面处于同心状态,陶瓷环2的下表面7与热盘1的外圈上表面6紧密贴合。再将陶瓷套3由上而下套在热盘1上。所述陶瓷套3与陶瓷环2设计有对接接口,对正后陶瓷套3与陶瓷环2的上表面处于同一平面,且陶瓷套3与陶瓷环2处于同心状态。此时,热盘凸台外侧表面4与陶瓷环内圈表面5之间存在一定间隙;陶瓷套内侧表面8与热盘外侧表面9之间也存在一定间隙。
当热盘逐渐升温时,热盘凸台外侧表面4与陶瓷环内圈表面5之间的间隙逐渐缩小;陶瓷套内侧表面8与热盘外侧表面9之间的间隙也逐渐缩小。当达到工艺温度时,上述两处间隙缩小至0.1mm以内,实现在高温状态下仍能使陶瓷环2与热盘1保持同心状态。陶瓷套内侧表面8与热盘外侧表面9之间的间隙小于电弧放电所需要的间距,因此避免电弧放电的产生,保护热盘1不受损伤。
Claims (2)
1.一种热盘保护装置,其特征在于:该保护装置包括热盘、陶瓷环、陶瓷套,所述陶瓷环放置在热盘上,陶瓷环的内圈表面与热盘的凸台外侧表面处于同心状态,陶瓷环的下表面与热盘的外圈上表面紧密贴合,再将陶瓷套由上而下套在热盘上;所述陶瓷套与陶瓷环设计有对接接口,对正后陶瓷套与陶瓷环的上表面处于同一平面,且陶瓷套与陶瓷环处于同心状态,此时,热盘凸台外侧表面与陶瓷环内圈表面之间存在一定间隙,而陶瓷套内侧表面与热盘外侧表面之间也存在一定间隙。
2.如权利要求1所述的热盘保护装置,其特征在于:当热盘逐渐升温时,热盘凸台外侧表面与陶瓷环内圈表面之间的间隙逐渐缩小;陶瓷套内侧表面与热盘外侧表面之间的间隙也逐渐缩小,当达到工艺温度时,上述两处间隙缩小至0.1mm以内,实现在高温状态下仍能使陶瓷环与热盘保持同心状态,陶瓷套内侧表面与热盘外侧表面之间的间隙小于电弧放电所需要的间距。
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2015
- 2015-08-21 CN CN201510516352.7A patent/CN105200398B/zh active Active
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