CN105196434A - 多晶硅线切割设备及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种多晶硅线切割设备及方法，所述多晶硅线切割设备包括：机座；设于机座上的物料承载装置，物料承载装置通过一转动机构而转动设置有第一工位平台与第二工位平台，第一工位平台与第二工位平台在垂直平面内沿同一圆周进行转动并位于所述圆周的同一直径的两端，第一工位平台与第二工位平台上均设有用于承载待切割的多晶硅的多个载盘；机架，设置于机座且临近于物料承载装置；设于机架上且通过一升降机构而可升降地设于物料输送装置的上方的线切割装置，线切割装置包括用于切割待切割的多晶硅的多个线切割单元。本发明公开了一种多晶硅线切割设备及方法，具有结构简单、操作便利、切割精度高及切割效率高等优点。

Description

多晶硅线切割设备及方法

技术领域

本发明涉及一种多线切割技术，特别是涉及一种多晶硅线切割设备及方法。

背景技术

线切割技术是目前世界上比较先进的开方加工技术，它的原理是通过高速运动的金刚线对待加工工件(例如：硅棒、蓝宝石、或其他半导体硬脆材料)进行摩擦，切出方锭，从而达到切割目的。在对工件的切割过程中，金刚线通过导线轮的引导，在主线辊上形成一张线网，而待加工工件通过工作台的上升下降实现工件的进给，在压力泵的作用下，装配在设备上的冷却水自动喷洒装置将冷却水喷洒至金刚线和工件的切削部位，由金刚线往复运动产生切削，以将半导体等硬脆材料一次同时切割为多块。线切割技术与传统的刀锯片、砂轮片及内圆切割相比具有效率高、产能高、精度高等优点。

但是，目前的多晶硅线切割设备仍然存在不足，例如目前的线切割设备一次只能对一个待切割物进行切割，若要加工多个工件只能反复执行多次，效率非常低下。

发明内容

有鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种可以同时将多个待切割的多晶硅的头部或尾部进行切除的多晶硅线切割设备。

为实现上述目的，本发明提供了一种多晶硅线切割设备，包括：

机座；

设于所述机座上的物料承载装置，所述物料承载装置通过一转动机构而转动设置有第一工位平台与第二工位平台，所述第一工位平台与所述第二工位平台在垂直平面内沿同一圆周进行转动并位于所述圆周的同一直径的两端，所述第一工位平台与所述第二工位平台上均设有用于承载待切割的多晶硅的多个载盘；

机架，设置于所述机座且临近于所述物料承载装置；以及

设于所述机架上且通过一升降机构而可升降地设于所述物料输送装置的上方的线切割装置，所述线切割装置包括用于切割待切割的多晶硅的多个线切割单元。

本发明的多晶硅线切割设备，通过线切割装置可以同时将多个待切割的多晶硅的头部或尾部进行切除，切割速度快，还可以保证切割面的切割质量，切割完不用剪线，在切割的过程中，通过交换第一工位平台与第二工位平台的位置，对放置于第一工位平台上以及第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，保证多批多晶硅可以有序进行头尾切除。

本发明多晶硅线切割设备的进一步改进在于：在所述载盘的上方对应所述多晶硅头部或尾部的位置设置一个所述线切割单元；以及所述载盘设有旋转机构，所述载盘在所述旋转机构的驱动下在水平面内转动180°，使得待切割的多晶硅的头尾位置调换。

本发明多晶硅线切割设备的进一步改进在于：在所述载盘的上方对应所述多晶硅头尾的位置分别设置一个所述线切割单元。

本发明多晶硅线切割设备的进一步改进在于：所述线切割单元包括传动连接于所述升降机构的切割辊架以及对称设置于所述切割辊架底部的两个切割辊，所述切割辊架为倒凹字型切割辊架，包括传动连接于所述升降机构的水平框架以及对称设置于所述水平框架底部两侧的两个竖直框架，所述切割辊设于所述竖直框架上，两个所述切割辊之间设有切割线；所述载盘上对应待切割的多晶硅头尾的两侧分别开设有与所述切割线相对应的定位槽。

本发明多晶硅线切割设备的进一步改进在于：所述机架上的相对两侧分别设有滑杆，多个所述线切割单元之间通过一连杆而相互连接，所述连杆上设有滑块，所述滑块上开设有供滑设于所述滑杆的滑槽。

本发明多晶硅线切割设备的进一步改进在于，所述转动机构包括：

两基座，分别设于所述物料承载装置的两端；

两转轴，分别枢接于两个所述基座上；

两传动连接板，分别固设于两个所述转轴上，所述转轴连接于所述传动连接板的中心位置，所述第一工位平台的两端分别固接于两个所述传动连接板的第一端，所述第二工位平台的两端分别固接于两个所述传动连接板的第二端。

本发明多晶硅线切割设备的进一步改进在于：每个所述载盘上承载有1～3个待切割的多晶硅，所述载盘上设有用于固定待切割的多晶硅的定位机构，所述定位机构包括固设于所述载盘上的支撑杆、水平连接于所述支撑杆的固定杆、以及固接于所述固定杆并位于待切割的多晶硅上方的压块，所述压块的底部抵靠于待切割的多晶硅的顶部。

本发明还提供了一种多晶硅线切割方法，包括：

提供第一工位平台与第二工位平台，在所述第一工位平台或所述第二工位平台上的待切割的多晶硅上方安装线切割装置；所述第一工位平台与所述第二工位平台上均设有用于承载待切割的多晶硅的多个载盘，所述线切割装置包括用于切割待切割的多晶硅的多个线切割单元；

将待切割的多晶硅放置于所述第一工位平台与所述第二工位平台的各个载盘上；以及

通过所述线切割装置的所述线切割单元对待切割的多晶硅的头尾部进行切割，并且在切割的过程中，通过交换所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置，对放置于所述第一工位平台上以及所述第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割。

本发明的多晶硅线切割方法，通过线切割装置可以同时将多个待切割的多晶硅的头部或尾部进行切除，切割速度快，还可以保证切割面的切割质量，切割完不用剪线，在切割的过程中，通过交换第一工位平台与第二工位平台的位置，对放置于第一工位平台上以及第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，保证多批多晶硅可以有序进行头尾切除。

本发明多晶硅线切割方法的进一步改进在于：

在所述载盘的上方对应所述多晶硅头部或尾部的位置设置一个所述线切割单元，所述载盘设有旋转机构，所述载盘在所述旋转机构的驱动下在水平面内转动180°，使得待切割的多晶硅的头尾部的位置调换；

通过交换所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置，对放置于所述第一工位平台上以及所述第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，包括：

同步下降多个所述线切割单元，将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅的头部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，同时将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅旋转180°；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅的头部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，同时将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅旋转180°；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅的尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第一工位平台上完成切割的物料并更换新一批的待切割的多晶硅；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅的尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第二工位平台上完成切割的物料并更换新一批的待切割的多晶硅。

本发明多晶硅线切割方法的进一步改进在于：

在所述多晶硅头尾的位置分别设置一个所述线切割单元；

通过交换所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置，对放置于所述第一工位平台上以及所述第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，包括：

同步下降多个所述线切割单元，将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅的头尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第一工位平台上完成切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅的头尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第二工位平台上完成切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅。

附图说明

图1是本发明多晶硅线切割设备在第一实施例中的立体图。

图2是图1的左视图。

图3是图1中载盘的放大示意图。

图4是图2中载盘以及旋转机构的放大示意图。

图5是图2的内部结构示意图。

图6是图5中线切割单元切割多晶硅时的示意图。

图7是本发明多晶硅线切割方法的流程图。

图8是本发明多晶硅线切割方法在第一实施例中的流程图。

图9是本发明多晶硅线切割方法在再一实施例中的流程图。

元件标号说明：

10机座

111基座

112转轴

113传动连接板

120机架

121滑杆

122连杆

123滑块

210第一工位平台

220第二工位平台

30载盘

310定位槽

321支撑杆

322固定杆

323压块

40升降机构

50线切割装置

510线切割单元

5111水平框架

5112竖直框架

512切割辊

513切割线

610旋转轴

620支撑盘

630轴承组件

640限位片

S101～S103方法步骤

S1011～S1018方法步骤

S1021～S1024方法步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

本发明提供一种多晶硅线切割设备，包括：机座；设于所述机座上的物料承载装置，所述物料承载装置通过一转动机构而转动设置有第一工位平台与第二工位平台，所述第一工位平台与所述第二工位平台上均设有用于承载待切割的多晶硅的多个载盘；机架，设置于所述机座且临近于所述物料承载装置；以及设于所述机架上且通过一升降机构而可升降地设于所述物料输送装置的上方的线切割装置，所述线切割装置包括用于切割待切割的多晶硅的多个线切割单元。

请参阅图1和图2，其中，图1为本发明多晶硅线切割设备在第一实施例中的立体图，图2为图1的左视图。

如图1和图2所示，本发明的多晶硅线切割设备，包括：

机座10；

设于机座10上的物料承载装置，所述物料承载装置通过一转动机构而转动设置有第一工位平台210与第二工位平台220，第一工位平台210与第二工位平台220在垂直平面内沿同一圆周进行转动并位于所述圆周的同一直径的两端，第一工位平台210与第二工位平台220上均设有用于承载待切割的多晶硅90的多个载盘30。在本实施例中，所述转动机构包括：两基座111，分别设于机座10的两端；两转轴112，分别枢接于两个基座111上；两传动连接板113，分别固设于两个转轴112上，转轴112连接于传动连接板113的中心位置，第一工位平台210的两端分别固接于两个传动连接板113的第一端，第二工位平台220的两端分别固接于两个传动连接板113的第二端。传动连接板113为直板结构，因此，在实际应用汇总，所述转动机构的转轴112转动180°，传动连接板113带动第一工位平台210与第二工位平台220也转动180°，就可以完成第一工位平台210与第二工位平台220的位置的互换，实现对放置于第一工位平台210上的待切割的多晶硅90以及第二工位平台220上的待切割的多晶硅90进行交替切割的作用。

机架120，设置于机座10且临近于物料承载装置。

设于机架120上且通过一升降机构40而可升降地设于所述物料输送装置的上方的线切割装置50，线切割装置50包括用于切割待切割的多晶硅90的多个线切割单元510。特别地，如图2所示，在本实施例中：线切割装置50中的线切割单元510的数量与载盘30的数量一致，且，线切割单元510位于载盘30的上方且对应多晶硅90的头部的位置。为使得线切割单元510还能对载盘30上的多晶硅90进行切尾处理，载盘30上还设有旋转机构，载盘30在所述旋转机构的驱动下可以在水平面内转动180°，使得载盘30上的待切割的多晶硅90的头尾位置调换。

请参阅图4，其为图2中载盘以及旋转机构的放大示意图。如图4所示，所述旋转机构包括旋转轴610、承托于载盘30底部的支撑盘620、设于旋转轴610与支撑盘620之间的轴承组件630、以及用于对支撑盘620进行限位的限位片640。在实际应用中，旋转轴610旋转带动支撑盘620转动，由支撑盘620驱动驱动载盘30在水平面内转动180°，使得载盘30上的待切割的多晶硅90的头尾位置调换，并可再通过拨动限位片640来对支撑盘620进行限位，使得支撑盘620无法再转动。

结合图2所示，线切割单元510包括传动连接于升降机构40的切割辊架511以及对称设置于切割辊架511底部的两个切割辊512，两个切割辊512之间设有切割线513。具体地，切割辊架511包括传动连接于升降机构40的水平框架5111以及对称设置于水平框架5111底部的两个竖直框架5112，两个切割辊512分别设于两个竖直框架5112上。更优选地，两个竖直框架5112分别设于水平框架5111的底部两侧，如此，两个竖直框架5112与水平框架5111拼接形成倒凹字型切割辊架。

进一步地，机架120上的相对两侧分别设有滑杆121，线切割装置50中的多个线切割单元510之间通过一连杆122而相互连接，连杆122上设有滑块123，滑块123上开设有供滑块123滑设于滑杆121的滑槽。升降机构40可以驱动滑块123在滑杆121上做升降运动，进而使连杆122带动多个线切割单元510一同做升降运动，以完成对载盘30上待切割的多晶硅90的切割工作。

优选地，载盘30上对应待切割的多晶硅90头尾的两侧分别开设有与切割线513相对应的定位槽310，定位槽310具有一定的深度且槽口的宽度要大于切割线513的线径，如此，切割线513在完全切割掉多晶硅90的头尾之后可落入定位槽310内，在实现多晶硅90头尾的切断的同时，可起到保护切割线513的作用，避免切割线513与载盘30产生摩擦而损伤。

进一步地，参阅图3所示，图3是图1中载盘的放大示意图。每个载盘30上承载有1～3个待切割的多晶硅90(在图3中，所示的载盘30上承载有2个多晶硅90)，载盘30上设有用于固定待切割的多晶硅90的定位机构，所述定位机构包括固设于载盘30上的支撑杆321、水平连接于支撑杆321的固定杆322、以及固接于固定杆322并位于待切割的多晶硅90上方的压块323，压块322的底部抵靠于待切割的多晶硅90的顶部。所述定位机构可以对待切割的多晶硅90进行定位，保证在切割的过程中，待切割的多晶硅90的位置不会发生移动，确保切割的精度。

参阅图5与图6所示，图5是图2的内部结构示意图，图6是图5中线切割单元切割多晶硅时的示意图。结合图1至图6，本发明的多晶硅线切割设备，在对待切割的多晶硅90进行头尾切除时：通过升降机构40同步下降多个线切割单元510，将位于线切割单元510下方的第一工位平台210上的待切割的多晶硅90的头部切除；将多个线切割单元510复位；利用所述转动机构转动第一工位平台210与第二工位平台220，将第一工位平台210与第二工位平台220的位置进行交换，同时，利用所述旋转机构将第一工位平台210上的载盘30及其上的待切割的多晶硅90旋转180°，使得第一工位平台210上的待切割的多晶硅90头尾位置调换；通过升降机构40同步下降多个线切割单元510，将第二工位平台220上的待切割的多晶硅90的头部切除，将多个线切割单元510复位；通过一转动机构转动第一工位平台210与第二工位平台220，将第二工位平台220与第一工位平台210的位置进行交换，同时，利用所述旋转机构将第二工位平台220上的载盘30及其上的待切割的多晶硅90旋转180°，使得第二工位平台220上的待切割的多晶硅90头尾位置调换；利用升降机构40同步下降多个线切割单元510，将第一工位平台210上的待切割的多晶硅90的尾部切除，将多个线切割单元510复位；利用所述转动机构转动第一工位平台210与第二工位平台220，将第一工位平台210与第二工位平台220的位置进行交换，卸载第一工位平台210上完成首尾切割的多晶硅90并更换新一批的待切割的多晶硅；利用升降机构40同步下降多个线切割单元510，将第二工位平台220上的待切割的多晶硅的尾部切除，将多个线切割单元510复位；利用所述转动机构转动第一工位平台210与第二工位平台220，将第二工位平台220与第一工位平台210的位置进行交换，卸载第二工位平台220上完成首尾切割的多晶硅90并更换新一批的待切割的多晶硅。

需补充说明的是：上述所描述的多晶硅线切割设备仅为一优选实施例，但并不以此为限，本发明多晶硅线切割设备仍可作其他变动。例如：在另一实施例中，线切割装置50中的线切割单元510的数量与载盘30的数量一致，且，线切割单元510位于载盘30的上方且对应多晶硅90的尾部的位置。为使得线切割单元510还能对载盘30上的多晶硅90进行切尾处理，载盘30上还设有旋转机构，载盘30在所述旋转机构的驱动下可以在水平面内转动180°，使得载盘30上的待切割的多晶硅90的头尾位置调换。由此可见，在该另一实施例中，在线切割单元切割多晶硅的应用中，是先切割载盘30的上待切割多晶硅90的尾部，再切割待切割多晶硅90的头部。而在再一实施例中，线切割装置50中的线切割单元510的数量是载盘30的数量的两倍，即，针对每一个载盘30，均配置了两个线切割单元510，两个线切割单元510位于载盘30的上方且分别对应多晶硅90的头部的位置和尾部的位置。如此，在该再一实施例中，在线切割单元切割多晶硅的应用中，仅需执行下降多个线切割单元并切割的一次作业即可完成对多晶硅90的头部和尾部同时进行切除，明显地提升切割效率的效果。

本发明的多晶硅线切割设备，通过线切割装置可以同时将多个待切割的多晶硅的头部和/或尾部进行切除，切割速度快，还可以保证切割面的切割质量，切割完不用剪线，在切割的过程中，通过交换第一工位平台与第二工位平台的位置，对放置于第一工位平台上以及第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，保证多批多晶硅可以有序进行头尾切除。

请参阅图7，图7是本发明多晶硅线切割方法的流程图。如图7所示，所述多晶硅线切割方法包括：

步骤S101：提供第一工位平台与第二工位平台，在第一工位平台或第二工位平台上的待切割的多晶硅上方安装线切割装置。在步骤S101中，所述第一工位平台与所述第二工位平台上均设有用于承载待切割的多晶硅的多个载盘，所述第一工位平台与所述第二工位平台通过转动机构可在垂直平面内沿同一圆周进行转动并位于所述圆周的同一直径的两端。所述线切割装置可通过一升降机构而进行升降活动。所述线切割装置包括用于切割待切割的多晶硅的多个线切割单元，所述线切割单元包括传动连接于所述升降机构的切割辊架以及对称设置于所述切割辊架底部的两个切割辊，所述切割辊架为倒凹字型切割辊架，包括传动连接于所述升降机构的水平框架以及对称设置于所述水平框架底部两侧的两个竖直框架，所述切割辊设于所述竖直框架上，两个所述切割辊之间设有切割线。

步骤S103：将待切割的多晶硅放置于第一工位平台与第二工位平台的各个载盘上。每个所述载盘上可承载有1～3个待切割的多晶硅，所述载盘上设有用于固定待切割的多晶硅的定位机构，可以对待切割的多晶硅进行定位，保证在切割的过程中，待切割的多晶硅的位置不会发生移动，确保切割的精度。

步骤S105：通过线切割装置的线切割单元对待切割的多晶硅的头尾部进行切割，并且在切割的过程中，通过交换第一工位平台与第二工位平台的位置，对放置于第一工位平台上以及第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割。在步骤S103中，利用所述线切割装置轮流对所述第一工位平台与所述第二工位平台上的待切割的多晶硅进行切割作业，具体地，当利用所述切割装置对其中的一个工位平台上的多晶硅进行切割作业后，将这一个工位平台与另一个工位平台通过转动机构转动后实现位置互换，如此，利用所述切割装置可对位置互换后的另一个工位平台上的多晶硅进行切割作业。

参阅图8，图8是本发明多晶硅线切割方法在第一种实施例中的流程图。在该第一种实施例中，与该多晶硅切割方法对应的是上述第一实施例中的多晶硅线切割设备，主要的是，在所述载盘的上方对应所述多晶硅头部的位置设置一个线切割单元，所述载盘设有旋转机构，所述载盘在所述旋转机构的驱动下在水平面内转动180°，使得待切割的多晶硅的头尾部的位置调换。

结合图1至如图8，本发明多晶硅线切割方法在第一种实施例中的流程包括：

步骤S1011：将待切割的多晶硅放置于第一工位平台与第二工位平台的各个载盘上。在这里，将待切割的多晶硅90放置于载盘30上还包括利用定位机构固定待切割的多晶硅90，即，将定位机构中的压块323抵压于待切割的多晶硅90的顶部。在步骤S1011之后，我们假定第一工位平台210是作为当前工位平台而位于线切割装置50中线切割单元510的正下方。

步骤S1012：通过升降机构同步下降多个线切割单元，将第一工位平台上的待切割的多晶硅的头部切除，将多个线切割单元复位。

步骤S1013：通过转动机构转动第一工位平台与第二工位平台，将第一工位平台与第二工位平台的位置进行交换，并通过旋转机构将第一工位平台上的待切割的多晶硅旋转180°。

步骤S1014：通过升降机构同步下降多个线切割单元，将第二工位平台上的待切割的多晶硅的头部切除，将多个线切割单元复位。

步骤S1015：通过转动机构转动第一工位平台与第二工位平台，将第一工位平台与第二工位平台的位置进行交换，并通过旋转机构将第二工位平台上的待切割的多晶硅旋转180°。

步骤S1016：通过升降机构同步下降多个线切割单元，将第一工位平台上的待切割的多晶硅的尾部切除，将多个线切割单元复位。

步骤S1017：通过转动机构转动第一工位平台与第二工位平台，将第一工位平台与第二工位平台的位置进行交换，卸载第一工位平台上完成头尾切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅。

步骤S1018：通过升降机构同步下降多个线切割单元，将第二工位平台上的待切割的多晶硅的尾部切除，将多个线切割单元复位。

步骤S1019：通过转动机构转动第一工位平台与第二工位平台，将第一工位平台与第二工位平台的位置进行交换，卸载第二工位平台上完成头尾切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅。

另外，在前述中，我们提到，在本发明多晶硅线切割设备在另一实施例中，线切割装置中的线切割单元的数量与载盘的数量一致，且，线切割单元位于载盘的上方且对应多晶硅的尾部的位置。因此，针对该另一实施例中多晶硅线切割设备的多晶硅切割方法的步骤流程与图8中的步骤流程基本一致，其区别仅在于在切割过程中，是先切割载盘的上待切割多晶硅的尾部，再切割待切割多晶硅的头部。

再有，在本发明多晶硅线切割设备在再一实施例中，线切割装置中的线切割单元的数量是载盘的数量的两倍，即，针对每一个载盘，均配置了两个线切割单元，两个线切割单元位于载盘的上方且分别对应多晶硅的头部的位置和尾部的位置。

参阅图9，图9是本发明多晶硅线切割方法在再一实施例中的流程图。如图9所示，本发明多晶硅线切割方法在再一实施例中的流程包括：

步骤S1021：将待切割的多晶硅放置于第一工位平台与第二工位平台的各个载盘上。在这里，将待切割的多晶硅放置于载盘上还包括利用定位机构固定待切割的多晶硅，即，将定位机构中的压块抵压于待切割的多晶硅的顶部。在步骤S1021之后，我们假定第一工位平台是作为当前工位平台而位于线切割装置中线切割单元的正下方。

步骤S1022：通过升降机构同步下降多个线切割单元，将第一工位平台上的待切割的多晶硅的头尾部同时切除，将多个线切割单元复位。

步骤S1023：通过转动机构转动第一工位平台与第二工位平台，将第一工位平台与第二工位平台的位置进行交换，卸载第一工位平台上完成头尾切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅。

步骤S1024：通过升降机构同步下降多个线切割单元，将第二工位平台上的待切割的多晶硅的头尾部同时切除，将多个线切割单元复位。

步骤S1025：通过转动机构转动第一工位平台与第二工位平台，将第一工位平台与第二工位平台的位置进行交换，卸载第二工位平台上完成头尾切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅。

综上所述，本发明的多晶硅线切割方法，通过线切割装置可以同时将多个待切割的多晶硅的头部或尾部进行切除，切割速度快，还可以保证切割面的切割质量，切割完不用剪线，在切割的过程中，通过交换第一工位平台与第二工位平台的位置，对放置于第一工位平台上以及第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，保证多批多晶硅可以有序进行头尾切除。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种多晶硅线切割设备，其特征在于，包括：

机座；

设于所述机座上的物料承载装置，所述物料承载装置通过一转动机构而转动设置有第一工位平台与第二工位平台，所述第一工位平台与所述第二工位平台在垂直平面内沿同一圆周进行转动并位于所述圆周的同一直径的两端，所述第一工位平台与所述第二工位平台上均设有用于承载待切割的多晶硅的多个载盘；

机架，设置于所述机座且临近于所述物料承载装置；以及

设于所述机架上且通过一升降机构而可升降地设于所述物料输送装置的上方的线切割装置，所述线切割装置包括用于切割待切割的多晶硅的多个线切割单元。

2.根据权利要求1所述的多晶硅线切割设备，其特征在于：

在所述载盘的上方对应所述多晶硅头部或尾部的位置设置一个所述线切割单元；以及

所述载盘设有旋转机构，所述载盘在所述旋转机构的驱动下在水平面内转动180°，使得待切割的多晶硅的头尾位置调换。

3.根据权利要求1所述的多晶硅线切割设备，其特征在于，在所述载盘的上方对应所述多晶硅头尾的位置分别设置一个所述线切割单元。

4.根据权利要求2或3所述的多晶硅线切割设备，其特征在于，所述线切割单元包括传动连接于所述升降机构的切割辊架以及对称设置于所述切割辊架底部的两个切割辊，所述切割辊架为倒凹字型切割辊架，包括传动连接于所述升降机构的水平框架以及对称设置于所述水平框架底部两侧的两个竖直框架，所述切割辊设于所述竖直框架上，两个所述切割辊之间设有切割线；所述载盘上对应待切割的多晶硅头尾的两侧分别开设有与所述切割线相对应的定位槽。

5.根据权利要求1所述的多晶硅线切割设备，其特征在于，所述机架上的相对两侧分别设有滑杆，多个所述线切割单元之间通过一连杆而相互连接，所述连杆上设有滑块，所述滑块上开设有供滑设于所述滑杆的滑槽。

6.根据权利要求1所述的多晶硅线切割设备，其特征在于，所述转动机构包括：

两基座，分别设于所述物料承载装置的两端；

两转轴，分别枢接于两个所述基座上；

两传动连接板，分别固设于两个所述转轴上，所述转轴连接于所述传动连接板的中心位置，所述第一工位平台的两端分别固接于两个所述传动连接板的第一端，所述第二工位平台的两端分别固接于两个所述传动连接板的第二端。

7.根据权利要求1所述的多晶硅线切割设备，其特征在于，每个所述载盘上承载有1～3个待切割的多晶硅，所述载盘上设有用于固定待切割的多晶硅的定位机构，所述定位机构包括固设于所述载盘上的支撑杆、水平连接于所述支撑杆的固定杆、以及固接于所述固定杆并位于待切割的多晶硅上方的压块，所述压块的底部抵靠于待切割的多晶硅的顶部。

8.一种基于如权利要求1所述的多晶硅线切割设备的多晶硅线切割方法，其特征在于，包括：

提供第一工位平台与第二工位平台，在所述第一工位平台或所述第二工位平台上的待切割的多晶硅上方安装线切割装置；所述第一工位平台与所述第二工位平台上均设有用于承载待切割的多晶硅的多个载盘，所述线切割装置包括用于切割待切割的多晶硅的多个线切割单元；

将待切割的多晶硅放置于所述第一工位平台与所述第二工位平台的各个载盘上；以及

通过所述线切割装置的所述线切割单元对待切割的多晶硅的头尾部进行切割，并且在切割的过程中，通过交换所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置，对放置于所述第一工位平台上以及所述第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割。

9.根据权利要求8所述的多晶硅线切割方法，其特征在于，在所述载盘的上方对应所述多晶硅头部或尾部的位置设置一个所述线切割单元，所述载盘设有旋转机构，所述载盘在所述旋转机构的驱动下在水平面内转动180°，使得待切割的多晶硅的头尾部的位置调换；

通过交换所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置，对放置于所述第一工位平台上以及所述第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，包括：

同步下降多个所述线切割单元，将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅的头部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，同时将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅旋转180°；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅的头部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，同时将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅旋转180°；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅的尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第一工位平台上完成切割的物料并更换新一批的待切割的多晶硅；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅的尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第二工位平台上完成切割的物料并更换新一批的待切割的多晶硅。

10.根据权利要求8所述的多晶硅线切割方法，其特征在于，在所述多晶硅头尾的位置分别设置一个所述线切割单元；

通过交换所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置，对放置于所述第一工位平台上以及所述第二工位平台上的待切割的多晶硅实现交替切割，包括：

同步下降多个所述线切割单元，将所述第一工位平台上的待切割的多晶硅的头尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第一工位平台上完成切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅；

同步下降多个所述线切割单元，将所述第二工位平台上的待切割的多晶硅的头尾部切除，将多个所述线切割单元复位；

转动所述第一工位平台与所述第二工位平台，将所述第一工位平台与所述第二工位平台的位置进行交换，卸载所述第二工位平台上完成切割的多晶硅并更换新一批的待切割的多晶硅。