CN105187748B - 待机控制电路及显示装置 - Google Patents

待机控制电路及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105187748B
CN105187748B CN201510461141.8A CN201510461141A CN105187748B CN 105187748 B CN105187748 B CN 105187748B CN 201510461141 A CN201510461141 A CN 201510461141A CN 105187748 B CN105187748 B CN 105187748B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
silicon
controlled device
pole
transistor switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510461141.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105187748A (zh
Inventor
张佳健
王建亭
苏俊宁
郭乃嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
BOE Intelligent loT Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Multimedia Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Multimedia Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510461141.8A priority Critical patent/CN105187748B/zh
Publication of CN105187748A publication Critical patent/CN105187748A/zh
Priority to US15/104,760 priority patent/US10212383B2/en
Priority to PCT/CN2016/070860 priority patent/WO2017016200A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105187748B publication Critical patent/CN105187748B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/63—Generation or supply of power specially adapted for television receivers
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J9/00—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting
    • H02J9/005—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting using a power saving mode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/722—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
    • H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0016—Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Emergency Management (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明公开了一种待机控制电路及显示装置，所述待机控制电路包括待机模块和至少一块电源板，还包括晶体管开关控制模块，所述晶体管开关控制模块包括至少一个晶体管开关，且所述晶体管开关的数量与所述电源板的数量相一致，每个所述晶体管开关均连接在一个所述电源板与市电输入端之间，所述晶体管开关能够在接收到所述待机模块发出的触发信号后导通，以使与该晶体管开关相连的所述电源板的输入端与所述市电输入端导通。本发明将待机模块单独做出，与电源板分开，通过晶体管开关来控制电源板与市电的导通或关断状态，能够有效降低电路的待机功耗。

Description

待机控制电路及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种待机控制电路及显示装置。
背景技术
在大尺寸显示产品(如电视机)的设计过程中，电源功率往往很大，输出电压组数增加，且线路设计相对复杂。大功率电源板结构复杂、取样信号多、保护功能多，造成较大的待机损耗；而由多块电源板组成的拼接板电源除线路复杂外，还具有较单块电源板成倍的待机损耗问题。
为解决大功率电源板、拼接板待机功耗超标的问题，现有的一种解决方案是增加触点开关(如继电器)来控制各路供电开关。但是继电器线路在使用上存在一定缺陷，系统从待机进入工作时，继电器会有很大声音，触点接触时易产生电火花，造成安全隐患；同时开机瞬间具有较大的冲击电流，容易误触发保护装置，影响用户的操作体验。
发明内容
本发明的目的在于提供一种待机控制电路及显示装置，以解决大尺寸显示产品使用大功率电源板或多块电源板拼接时，待机功耗过高的技术问题。
为解决上述技术问题，作为本发明的第一个方面，提供一种待机控制电路，所述待机控制电路包括待机模块和至少一块电源板，所述待机控制电路还包括晶体管开关控制模块，所述晶体管开关控制模块包括至少一个晶体管开关，且所述晶体管开关的数量与所述电源板的数量相一致，每个所述晶体管开关均连接在一个所述电源板与市电输入端之间，所述晶体管开关能够在接收到所述待机模块发出的触发信号后导通，以使与该晶体管开关相连的所述电源板的输入端与所述市电输入端导通。
优选地，所述晶体管开关为可控硅器件，所述可控硅器件的第一极与所述市电输入端相连，所述可控硅器件的第二极与所述电源板的输入端的相连，所述可控硅器件的控制极用于接收所述触发信号。
优选地，所述可控硅器件为双向可控硅器件，当所述市电输入端输入正向电压信号且所述可控硅器件的控制极接收到所述触发信号时，所述可控硅器件导通；当所述市电输入端输入反向电压信号时，所述可控硅器件自行关闭。
优选地，所述待机模块能够接收使能信号，并利用所述使能信号产生使所述晶体管开关导通的触发信号。
优选地，所述待机模块包括光电耦合器和第一晶体管，所述光电耦合器包括发光器和受光器，所述发光器的第一端与高电平信号端相连，所述发光器的第二端与所述第一晶体管的第一极相连，所述第一晶体管的控制极用于接收所述使能信号，所述第一晶体管的第二极与低电平信号端相连，所述发光器能够将所述高电平信号端输入的电信号转换成光信号，所述受光器能够接收所述发光器产生的光信号，并将其再次转换为电信号后输出到所述晶体管开关控制模块。
优选地，所述发光器为光电二极管，所述光电二极管的阳极与所述高电平信号端相连，所述光电二极管的阴极与所述第一晶体管的第一极相连，所述受光器为光敏三极管，所述光敏三极管的基极用于接收所述发光器产生的光信号，所述光敏三极管的集电极与所述市电输入端相连，所述光敏三极管的发射极用于输出转换后的电信号。
优选地，所述高电平信号端的电压在5-10v之间，所述低电平信号端为接地端。
优选地，所述待机控制电路包括两块所述电源板，两块所述电源板分别为第一电源板和第二电源板，所述晶体管开关控制模块包括两个晶体管开关，两个所述晶体管开关分别为第一可控硅器件和第二可控硅器件，所述第一可控硅器件连接在所述市电输入端和所述第一电源板的输入端之间，所述第二可控硅器件连接在所述市电输入端和所述第二电源板的输入端之间；
所述晶体管开关控制模块还包括延时单元，所述延时单元与所述第一可控硅器件的控制极及所述第二可控硅器件的控制极相连，用于控制所述第一可控硅器件及所述第二可控硅器件的导通时序。
优选地，所述晶体管开关控制模块还包括第二晶体管，所述延时单元包括第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；
所述第二晶体管的控制极与所述受光器的用于输出转换后的电信号的输出端相连，所述第二晶体管的第一极与所述市电输入端相连，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管及所述第四晶体管的控制极相连，所述第三晶体管的第一极与所述第一可控硅器件的控制极相连，所述第三晶体管的第二极与所述低电平信号端相连，所述第四晶体管的第一极与所述第二可控硅器件的控制极相连，所述第四晶体管的第二极与所述低电平信号端相连；
所述第一电阻的一端与所述第二晶体管的第二极相连，所述第一电阻的另一端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述低电平信号端相连，所述第二电阻的一端与所述第二晶体管的第二极相连，所述第二电阻的另一端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述低电平信号端相连。
作为本发明的第二个方面，还提供一种显示装置，所述显示装置包括本发明所提供的上述待机控制电路。
本发明将待机模块单独做出，与电源板分开，通过晶体管开关来控制电源板与市电的导通或关断状态，能够有效降低电路的待机功耗，解决大功率电源板或多块电源板拼接造成的待机功耗过高的问题。此外，本发明可实现对各个电源板进行分时序控制，从而解决开机时冲击电流过大的问题。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。
图1是本发明实施例所提供的待机控制电路的模块示意图；
图2是本发明实施例所提供的待机控制电路的详细电路图；
在附图中，1-待机模块；2-电源板；21-第一电源板；22-第二电源板；3-晶体管开关控制模块；31-晶体管开关；32-延时单元。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明首先提供了一种待机控制电路，如图1所示，所述待机控制电路包括待机模块1、至少一块电源板2、以及晶体管开关控制模块3。晶体管开关控制模块3包括至少一个晶体管开关31，且晶体管开关31的数量与电源板2的数量相一致，每个晶体管开关31均连接在一个电源板2与市电输入端之间。晶体管开关31能够在接收到待机模块1发出的触发信号后导通，以使与该晶体管开关31相连的电源板2的输入端与所述市电输入端导通。
这里的市电输入端是指市电中的火线端。
本发明将待机模块1单独做出，与电源板2分开，通过晶体管开关31来控制电源板2与市电的导通或关断状态，能够有效降低电路的待机功耗，解决大功率电源板或多块电源板拼接造成的待机功耗过高的问题。
并且，本发明中的晶体管开关31具有工作噪音小、瞬态冲击电流小的优点，因此能够有效降低安全隐患，提升用户操作体验。
优选地，晶体管开关31为可控硅器件，所述可控硅器件的第一极与所述市电输入端相连，所述可控硅器件的第二极与电源板2的输入端的相连，所述可控硅器件的控制极用于接收所述触发信号。
以可控硅器件的第一极为阳极，第二极为阴极为例，可控硅器件的工作原理为：当在可控硅器件的阳极与阴极之间外加正向电压，并且在可控硅器件的控制极与阴极之间输入一个正向触发电压，可控硅器件即可导通；去掉触发电压之后，当在可控硅器件的阳极与阴极之间外加负向电压，则可控硅器件关断。
在本发明中，晶体管开关31可以采用双向可控硅器件，双向可控硅器件的第一极和第二极均可以是阳极或者阴极，当所述市电输入端向所述第一极输入正向电压信号且所述可控硅器件的控制极接收到所述触发信号时，所述双向可控硅器件导通；当所述市电输入端向所述第一极输入反向电压信号时，所述双向可控硅器件自行关闭。也就是说，当市电提供的交流电压进入负半周期时，双向可控硅会自行关断，此时电源板2无输出，解决了待机功耗超标的技术问题。
进一步地，待机模块1能够接收使能信号，并利用所述使能信号产生使晶体管开关31导通的触发信号。以电视机为例，这里的使能信号可以是来自遥控器的遥控信号，或者是来自机壳按键的按键信号等。
以图2为例，待机模块1包括光电耦合器和第一晶体管T1，所述光电耦合器包括发光器PC2B和受光器PC2A，发光器PC2B的第一端与高电平信号端V+相连，发光器PC2B的第二端与第一晶体管T1的第一极相连，第一晶体管T1的控制极用于接收使能信号Von，第一晶体管T1的第二极与低电平信号端相连。
发光器PC2B能够将高电平信号端V+输入的电信号转换成光信号，受光器PC2A能够接收发光器PC2B产生的光信号，并将其再次转换为电信号后输出到晶体管开关控制模块3。
进一步地，发光器PC2B为光电二极管，所述光电二极管的阳极与高电平信号端V+相连，所述光电二极管的阴极与第一晶体管T1的第一极相连，受光器PC2A为光敏三极管，所述光敏三极管的基极用于接收发光器PC2B产生的光信号，所述光敏三极管的集电极与所述市电输入端(即图2中火线L)相连，所述光敏三极管的发射极用于输出转换后的电信号。
可以理解的是，在图2所示的实施例中，发光器PC2B的阳极相当于所述光电耦合器的输入端，受光器PC2A的发射极相当于所述光电耦合器的输出端。并且，该输出端与晶体管开关控制模块3相连，受光器PC2A的发射极输出的电信号为使能信号Von所产生的中间信号，该中间信号用于进一步产生使可控硅器件导通的触发信号。
优选地，高电平信号端V+的电压在5-10v之间，所述低电平信号端为接地端。
进一步地，以图2为例，所述待机控制电路包括两块电源板，两块电源板分别为第一电源板21和第二电源板22，晶体管开关控制模块3包括两个晶体管开关，两个晶体管开关分别为第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2。其中，第一可控硅器件TR1连接在市电输入端和第一电源板21的输入端之间，第二可控硅器件TR2连接在市电输入端和第二电源板22的输入端之间。
通常，市电包括火线端L和零线端N，这里的市电输入端指火线端L。
晶体管开关控制模块3还包括延时单元32，延时单元32与第一可控硅器件TR1的控制极及第二可控硅器件TR2的控制极相连，用于控制第一可控硅器件TR1及第二可控硅器件TR2的导通时序。
也就是说，在本发明中，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2可以通过延时单元32控制导通的时序，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2可以同时导通，也可以分别延时预定的时间段后导通。因此，本发明可实现对各个电源板进行分时控制，从而避免由于多个电源板同时接入市电而导致的开机时冲击电流过大的问题。
具体地，参考图2，晶体管开关控制模块3还包括第二晶体管T2，延时单元32包括第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1和第二电容C2。
其中，第二晶体管T2的控制极与受光器PC2A的用于输出转换后的电信号的输出端相连，第二晶体管T2的第一极与市电输入端L相连，第二晶体管T2的第二极与第三晶体管T3及第四晶体管T4的控制极相连；第三晶体管T3的第一极与第一可控硅器件TR1的控制极相连，第三晶体管T3的第二极与所述低电平信号端相连；第四晶体管T4的第一极与第二可控硅器件TR2的控制极相连，第四晶体管T4的第二极与所述低电平信号端相连。这里的低电平信号端可以是接地端或者零线端N。
第一电阻R1的一端与第二晶体管T2的第二极相连，第一电阻R1的另一端与第一电容C1的第一端相连，第一电容C1的第二端与所述低电平信号端相连；第二电阻R2的一端与第二晶体管T2的第二极相连，第二电阻R2的另一端与第二电容C2的第一端相连，第二电容C2的第二端与所述低电平信号端相连。
受光器PC2A输出作为中间信号的电信号至晶体管开关控制模块3之后，第二晶体管T2导通，接着第三晶体管T3和第四晶体管T4分别导通，使得第一可控硅器件TR1的控制端和第二可控硅器件TR2的控制端分别接收到触发信号。
在本发明中，通过合理设置第一电阻R1和第二电阻R2的电阻值、以及第一电容C1和第二电容C2的电容值，即可分别设置第三晶体管T3和第四晶体管T4导通的时序，从而实现对第一电源板21和第二电源板22的分时序控制，解决现有技术中电源板同步导通所导致的开机瞬态电流过大的技术问题。
下面对图2中所示待机控制电路的工作过程进行详细的阐述。在图2中，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2均为P型双向可控硅器件，即控制极为低电平时导通。
待机时第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2为关断状态，第一电源板21和第二电源板22无电压输入、无能量损耗。
当使能信号Von为高电平信号输入时，第一晶体管T1导通，光电耦合器中的发光器PC2B导通发光，受光器PC2A接收到发光器PC2B产生的光信号后导通，从而使第二晶体管T2导通。
第二晶体管T2导通后，第三晶体管T3和第四晶体管T4也分别导通，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2的第一极相对于第二极为高电位，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2的控制极被拉低至低电位，由于第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2均为P型双向可控硅器件，此时，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2导通，第一电源板21和第二电源板22开始工作。
并且，第二晶体管T2导通后，其输出的信号经过第一电阻R1对第一电容C1充电，经过第二电阻R2对第二电容C2充电，根据第一电阻R1和第二电阻R2的电阻值情况、以及第一电容C1和第二电容C2的电容值情况，还可以实现对第三晶体管T3和第四晶体管T4的导通进行延时，以解决开机时冲击电流过大的问题，并可防止误触发保护装置，从而避免影响用户的操作体验。
关断时，设置使能信号Von为低电平信号输入，此时第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4均关断，当市电输入端L进入负半周期时，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2的第一极相对于第二极为低电位，第一可控硅器件TR1和第二可控硅器件TR2关断，第一电源板21和第二电源板22无电压输入。
本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本发明所提供的上述待机控制电路。如上所述，本发明所提供的显示装置能够有效降低电路的待机功耗，解决大功率电源板或多块电源板拼接造成的待机功耗过高的问题。并且，所述显示装置可实现对各个电源板进行分时序控制，从而解决开机时冲击电流过大的问题，改善用户的操作体验。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种待机控制电路，包括待机模块和多块电源板，其特征在于，所述待机控制电路还包括晶体管开关控制模块，所述晶体管开关控制模块包括多个晶体管开关，且所述晶体管开关的数量与所述电源板的数量相一致，每个所述晶体管开关均连接在一个所述电源板与市电输入端之间，所述晶体管开关能够在接收到所述待机模块发出的触发信号后导通，以使与该晶体管开关相连的所述电源板的输入端与所述市电输入端导通；
所述待机模块能够接收使能信号，并利用所述使能信号产生使所述晶体管开关导通的触发信号；
所述待机模块包括光电耦合器和第一晶体管，所述光电耦合器包括发光器和受光器，所述发光器的第一端与高电平信号端相连，所述发光器的第二端与所述第一晶体管的第一极相连，所述第一晶体管的控制极用于接收所述使能信号，所述第一晶体管的第二极与低电平信号端相连，所述发光器能够将所述高电平信号端输入的电信号转换成光信号，所述受光器能够接收所述发光器产生的光信号，并将其再次转换为电信号后输出到所述晶体管开关控制模块；
当所述待机控制电路包括两块所述电源板时，两块所述电源板分别为第一电源板和第二电源板，所述晶体管开关控制模块包括两个晶体管开关，两个所述晶体管开关分别为第一可控硅器件和第二可控硅器件，所述第一可控硅器件连接在所述市电输入端和所述第一电源板的输入端之间，所述第二可控硅器件连接在所述市电输入端和所述第二电源板的输入端之间；
所述晶体管开关控制模块还包括延时单元，所述延时单元与所述第一可控硅器件的控制极及所述第二可控硅器件的控制极相连，用于控制所述第一可控硅器件及所述第二可控硅器件的导通时序；
所述晶体管开关控制模块还包括第二晶体管，所述延时单元包括第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；
所述第二晶体管的控制极与所述受光器的用于输出转换后的电信号的输出端相连，所述第二晶体管的第一极与所述市电输入端相连，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管及所述第四晶体管的控制极相连，所述第三晶体管的第一极与所述第一可控硅器件的控制极相连，所述第三晶体管的第二极与所述低电平信号端相连，所述第四晶体管的第一极与所述第二可控硅器件的控制极相连，所述第四晶体管的第二极与所述低电平信号端相连；
所述第一电阻的一端与所述第二晶体管的第二极相连，所述第一电阻的另一端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述低电平信号端相连，所述第二电阻的一端与所述第二晶体管的第二极相连，所述第二电阻的另一端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述低电平信号端相连。
2.根据权利要求1所述的待机控制电路，其特征在于，所述晶体管开关为可控硅器件，所述可控硅器件的第一极与所述市电输入端相连，所述可控硅器件的第二极与所述电源板的输入端的相连，所述可控硅器件的控制极用于接收所述触发信号。
3.根据权利要求2所述的待机控制电路，其特征在于，所述可控硅器件为双向可控硅器件，当所述市电输入端输入正向电压信号且所述可控硅器件的控制极接收到所述触发信号时，所述可控硅器件导通；当所述市电输入端输入反向电压信号时，所述可控硅器件自行关闭。
4.根据权利要求1所述的待机控制电路，其特征在于，所述发光器为光电二极管，所述光电二极管的阳极与所述高电平信号端相连，所述光电二极管的阴极与所述第一晶体管的第一极相连，所述受光器为光敏三极管，所述光敏三极管的基极用于接收所述发光器产生的光信号，所述光敏三极管的集电极与所述市电输入端相连，所述光敏三极管的发射极用于输出转换后的电信号。
5.根据权利要求1所述的待机控制电路，其特征在于，所述高电平信号端的电压在5-10v之间，所述低电平信号端为接地端。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任意一项所述的待机控制电路。
CN201510461141.8A 2015-07-30 2015-07-30 待机控制电路及显示装置 Active CN105187748B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510461141.8A CN105187748B (zh) 2015-07-30 2015-07-30 待机控制电路及显示装置
US15/104,760 US10212383B2 (en) 2015-07-30 2016-01-14 Standby control circuit and display device
PCT/CN2016/070860 WO2017016200A1 (zh) 2015-07-30 2016-01-14 待机控制电路及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510461141.8A CN105187748B (zh) 2015-07-30 2015-07-30 待机控制电路及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105187748A CN105187748A (zh) 2015-12-23
CN105187748B true CN105187748B (zh) 2019-04-26

Family

ID=54909571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510461141.8A Active CN105187748B (zh) 2015-07-30 2015-07-30 待机控制电路及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10212383B2 (zh)
CN (1) CN105187748B (zh)
WO (1) WO2017016200A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105187748B (zh) * 2015-07-30 2019-04-26 北京京东方多媒体科技有限公司 待机控制电路及显示装置
CN206807282U (zh) * 2017-03-17 2017-12-26 京东方科技集团股份有限公司 一种控制电路及显示设备
CN110349545B (zh) * 2019-08-05 2023-11-10 珠海格力电器股份有限公司 一种功率可调的显示装置、功率调节方法及电子设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0666592B2 (ja) * 1989-11-30 1994-08-24 株式会社東芝 電力増幅装置
US6292233B1 (en) 1998-12-31 2001-09-18 Stmicroelectronics S.R.L. Device controller with low power standby mode
US20030011247A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power supply device
CN101419434B (zh) 2007-10-26 2012-08-29 王海 具有微功耗待机功能的容开电源
TWI389422B (zh) * 2008-10-16 2013-03-11 Delta Electronics Inc 自動啟動電路及具自動啟動電路之不斷電電源供應器
CN201307902Y (zh) * 2008-12-05 2009-09-09 深圳创维－Rgb电子有限公司 零功耗待机的电视机
CN201319643Y (zh) * 2008-12-12 2009-09-30 深圳创维－Rgb电子有限公司 液晶电视电源控制电路
TW201109908A (en) * 2009-09-04 2011-03-16 Leadtrend Tech Corp Power management integrated circuit and power management method
CN201623782U (zh) * 2010-02-04 2010-11-03 青岛海信电器股份有限公司 待机控制电路及具有该电路的显示装置
CN103516234A (zh) * 2012-08-15 2014-01-15 深圳市倍轻松科技股份有限公司 一种电源电路
CN103888697B (zh) * 2014-02-28 2017-10-20 六安市同心畅能电子科技有限公司 电视机待机零功耗固态继电器
CN105187748B (zh) * 2015-07-30 2019-04-26 北京京东方多媒体科技有限公司 待机控制电路及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10212383B2 (en) 2019-02-19
CN105187748A (zh) 2015-12-23
WO2017016200A1 (zh) 2017-02-02
US20170201712A1 (en) 2017-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210249867A1 (en) Photovoltaic Module
CN105187748B (zh) 待机控制电路及显示装置
CN109638786B (zh) 一种光伏组件关断保护电路及组件关断器
CN101252309A (zh) 一种直流电源缓启动控制电路
CN109100971B (zh) 一种带互锁功能的开关机时序控制电路
CN201117987Y (zh) 智能插座
WO2023159687A1 (zh) 一种关断器控制方法、系统、装置及关断控制器
CN102594129A (zh) 一种变频器直流母线电容的充电控制方法及其实现电路
CN102332898A (zh) 零待机功耗开关机电路
CN109980690B (zh) 一种组件关断器的控制方法及组件关断器
CN103064376A (zh) 集中供电机架式设备功能模块热插拔控制系统
US11128142B2 (en) Photovoltaic power generation system and method for controlling the same
CN102064047A (zh) 适用于高压直流场合的继电器和开关管并联电路
CN104635569B (zh) 一种多模块时序控制电路
CN109818569B (zh) 用于光伏组件的并联式关断系统及关断后重新启动的方法
CN104122803A (zh) 一种太阳能待机供电装置
CN106647918B (zh) 电器设备及其控制电路
CN210608534U (zh) 光伏逆变器系统及pid控制电路
KR102044787B1 (ko) 태양광 온수기의 전원 공급 제어장치
CN103676674A (zh) 时序控制电路及使用其的电子装置
CN203813452U (zh) 户用分布式并网光伏发电顺序启停控制电路
CN216016740U (zh) 一种启动控制电路与逆变器
CN206442174U (zh) 一种仿生树太阳能发电系统电路
CN211352504U (zh) 一种切断输出电流的快速关机led灯控制电路
CN114243892A (zh) 一种自动电源切换装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210709

Address after: 100176 no.3-057, 3rd floor, building 1, No.12, xihuanzhong Road, Beijing Economic and Technological Development Zone, Daxing District, Beijing

Patentee after: Beijing Oriental Wisdom Material Union Technology Co.,Ltd.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Address before: 100015 No. 6, 1st Floor, No. 10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District, Beijing

Patentee before: BEIJING BOE MULTIMEDIA TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.