CN105185731B - 一种半导体热处理设备的晶片调度控制方法及系统 - Google Patents

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Abstract

一种半导体热处理设备的晶圆调度控制方法及系统，该方法包括：预先或实时设置管控流程的管理配置文件；根据配置文件的配置项创建晶圆盒及晶圆工艺支撑机构间的传送映射关系，在工艺过程中，机械手根据传送映射关系创建晶圆管理控制流程，执行晶圆的装载和卸载操作将参与工艺过程的每个晶圆盒及其每个晶圆的参数与相应工艺的半导体设备中的实时参数关联到记录文件中；比较和判断更新后的所述记录文件参数是否达到或超出所述配置文件中相应的参数，如果是，输出报警。本发明通过对半导体设备进行软硬件相结合的设计，来实现未配置晶圆装载装置存储仓的半导体扩散设备的晶圆调度管理功能。

Description

一种半导体热处理设备的晶片调度控制方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体设备工厂自动化(Factory Automation)技术领域，更具体地说，涉及属于半导体设备中软件系统的调度控制管理的技术领域，特别一种半导体热处理设备的晶片调度控制方法及系统。
背景技术
半导体扩散设备是集成电路制造的重要工艺设备，是一种要求能长时间连续工作，具有优异的控温精度及良好的可靠性、稳定性的自动控制设备，适用于集成电路制造过程中各种氧化、退火和薄膜生长等工艺。
半导体设备的工厂自动化监控管理功能(Factory Automation)是半导体设备一项非常重要的功能，也是半导体设备加入工厂生产线的关键所在，尤其是半导体热处理设备晶片调度的好坏直接影响到晶片合格率的高低。
本领域技术人员清楚，在半导体制造领域，晶圆(Wafer，晶片)有四种类型，分别为陪片(Dummy)，特殊陪片(ExtraDummy)，产品片(Product)和检测片(Monitor)。Dummy和ExtraDummy有使用次数和累积膜厚的限制，Product和Monitor只能使用一次不能多次使用。
前开式晶圆盒(Foup)和晶圆盒(Cassette)为晶片(Wafer)的装载(Carrier)机构，LoadPort为半导体设备中晶片工艺支撑机构(例如，晶舟Boat)取放Wafer的接口。
通常，在工艺中，多种类型(Monitor、Product、Dummy、Extra Dummy等)的Wafer需同时进行工艺。如何根据热处理设备的结构特性，并结合实际工艺需求，去协调指定各种类型Wafer的传输顺序及各种异常状态下的处置流程，是工艺自动运行及保障设备安全的控制中枢；同时，在出现各种异常状态时，还需能够发出报警并提示用户进行选择操作，以保证设备能够按照工艺需求对多种类型的晶片状态及使用情况进行调度管理，并保障产品、设备及人身安全，是目前业界关注的焦点。
然而，由于批量及成本等原因，目前在封装产线、小规模实验线或实验室用的半导体扩散设备上，通常没有配置存储晶片装载装置的存储仓，无法满足对上述多种类型的晶片进行调度管理。因此，急需在半导体扩散设备中配置晶片调度管理方法，控制晶片的储运及晶片装载装置的调度管理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体热处理设备的晶圆调度控制方法，其通过对半导体设备进行软硬件相结合的设计，来实现未配置晶圆装载装置存储仓的半导体扩散设备的晶圆调度管理功能，以保证设备能够按照工艺需求对多种类型的状晶圆态及使用情况进行调度管理。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种半导体热处理设备的晶圆调度控制方法，所述方法包括：
步骤S1：预先或实时设置管控流程的管理配置文件，所述配置文件的配置项包括每个晶圆盒名称(ID)、每个晶圆盒中的晶圆放置位置的编号(Slot)、晶圆工艺支撑机构中的晶圆放置位置的编号(Slot)及其相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数的预设参数、装载和卸载的默认顺序管理模式、装载和卸载的逻辑管理模式、调度管理模式以及陪片和检测片的使用次数管理模式；其中，所述装载和卸载的默认顺序管理模式包括采用特殊陪片的自动填充子模式和不采用特殊陪片的自动填充子模式；所述晶圆包括陪片、产品片、检测片和/或特殊陪片；
步骤S2：根据配置文件的配置项创建晶圆盒及晶圆工艺支撑机构间的传送映射关系，在工艺过程中，机械手根据传送映射关系创建晶圆管理控制流程，执行晶圆的装载和卸载操作；
步骤S3：将参与工艺过程的每个晶圆盒及其每个晶圆的参数与相应工艺的半导体设备中的实时参数关联到记录文件中，其中，所述记录文件的参数包括与每个所述晶圆盒、晶圆工艺支撑机构中相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数；
步骤S4：比较和判断更新后的所述记录文件参数是否达到或超出所述配置文件中相应的参数，如果是，输出报警；如果不是，继续执行步骤S3。
优选地，当在所述采用特殊陪片的自动填充模式运行时，晶圆的装载和卸载的默认顺序如下：
装载(Load)：陪片-产品片-检测片-特殊陪片
卸载(Unload)：特殊陪片-检测片-产品片-陪片
当在所述不采用特殊陪片的自动填充模式运行时，晶圆的装载和卸载的默认顺序如下：
装载(Load)：陪片-产品片-检测片
卸载(Unload)：检测片-产品片-陪片
优选地，所述装载和卸载的默认顺序管理模式还可以包括晶圆类型校核子模式。
优选地，所述装载和卸载的逻辑模式包括如下子模式中的一种或几种：
①、对同一个晶圆，在卸载和装载时用同一个晶圆盒；
②、当机械手同时配置多指和单指功能时，优先使用多指进行传送；
③、填充时，取自所述晶圆盒中最下端的晶圆，放入所述晶圆工艺支撑机构的最上端，取出时，取自所述晶圆工艺支撑机构最下端的晶圆，放入所述晶圆盒的最上端；
④、所述晶圆盒中取出晶圆的位置顺序，与放入所述晶圆工艺支撑机构的晶圆的位置排序相同；
⑤、所述晶圆盒中取出晶圆的位置顺序，与放入所述晶圆工艺支撑机构的晶圆的位置排序相反；
⑥、手动编辑所述晶圆盒和晶圆工艺支撑机构位置的对应关系。
优选地，所述调度管理模式包括：
①、晶圆数量核对管理子模式；
②、晶圆与晶圆盒联合管理子模式；
③、特殊陪片数量管理子模式。
优选地，所述陪片和检测片的使用次数参数管理模式中的使用次数，是通过与晶圆盒名称所对应的晶圆工艺支撑机构中放置位置的使用信息来累计。
优选地，所述采用特殊陪片的自动填充子模式在每一种类型的晶圆数量不够时还包括提醒用户处理步骤。
为实现上述目的，本发明的技术方案还包括如下：
一种半导体热处理设备的晶圆调度控制的系统，其包括机械手、晶圆工艺支撑机构和晶圆盒，还包括管控流程配置模块、工艺参数记录模块、映射关系产生模块和晶圆管理控制模块。管控流程配置模块，用于设置管控流程的管理配置文件，其中，所述配置文件的配置项包括每个晶圆盒名称(ID)、每个晶圆盒中的晶圆放置位置的编号(Slot)、晶圆工艺支撑机构中的晶圆放置位置的编号(Slot)及其相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数的预设参数、装载和卸载的默认顺序管理模式、装载和卸载的逻辑管理模式、调度管理模式以及陪片和检测片的使用次数管理模式；工艺参数记录模块，用于将参与工艺过程的每个晶圆盒及其每个晶圆的参数与所述半导体设备实时参数相关联，并记入到记录文件中，所述记录文件的参数包括与每个所述晶圆盒和晶圆工艺支撑机构中相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数；映射关系产生模块，用于根据配置文件的配置项创建晶圆盒及晶圆工艺支撑机构间的传送映射关系；晶圆管理控制模块，根据所述配置文件、传送映射关系和记录文件，对热处理设备的处理晶圆进行调度管理，即调用机械手执行晶圆的装载和卸载操作，并实时更新所述记录文件中的参数。
优选地，上述半导体热处理设备的晶圆调度控制的系统还包括报警限制模块，用于当所述记录文件的参数是否达到或超出与所述配置文件的配置项中的参数，输出报警并通知执行相应的处理。
优选地，所述管控流程配置模块、工艺参数记录模块、映射关系产生模块、晶圆管理控制模块和报警限制模块由上位机+下位机架构构成；其中，下位机为可编程控制器。
从上述技术方案可以看出，本发明一种半导体热处理设备的晶圆调度控制的方法及系统，其根据用户工艺需求和硬件配置，创建晶圆传送映射关系，还可以根据用户配置更改晶圆装载装置及晶圆工艺支撑机构间的映射关系，同时创建晶圆管理控制流程，调用的机械手实现晶圆装载和卸载，对晶圆进行工艺处理并管理晶圆使用状态，以及实现了配置晶圆状态和使用情况管理，即本发明通过对界面的配置和控制达到实时显示晶圆状态，实现了对热处理设备的处理晶圆进行调度管理，保证工艺质量，确保机台安全。
附图说明
图1为本发明半导体热处理设备的晶圆调度控制系统一较佳实施例的结构示意图
图2为本发明半导体热处理设备的晶圆调度控制方法一较佳实施例的流程示意图
图3为本发明实施例中用户配置设置界面图之一
图4为本发明实施例中配置设置界面图之二
图5为本发明实施例中装载和卸载的逻辑管理模式的示意图
图6为本发明实施例采用特殊陪片的自动填充子模式的装载流程示意图
图7为本发明实施例中不采用特殊陪片的自动填充子模式的装载流程示意图
图8为本发明实施例中采用和不采用特殊陪片的自动填充子模式的卸载流程示意图
具体实施方式
下面结合附图1-8，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
需要说明的是，由于半导体热处理设备的结构特性，结合实际工艺需求，其需要在工艺中需要使用多种类型(Monitor、Product、Dummy、Extra Dummy等)的Wafer同时进行工艺。在下述实施例中，Wafer表示晶圆，Foup和Cassette为晶圆盒，LoadPort为半导体设备上晶圆工艺支撑机构的接口，Slot为半导体设备上晶圆工艺支撑机构上的晶圆的放置位置。
本发明半导体热处理设备的晶圆调度控制系统可以用硬件实现，也可以用软件实现，较佳地，可以用软件硬件相结合的方式实现。为了与半导体设备的其它控制架构相兼容，在本发明的下述实施例中，管控流程配置模块、工艺参数记录模块、映射关系产生模块、晶圆管理控制模块和报警限制模块由上位机+下位机架构构成；其中，下位机为可编程控制器。
请参阅图1，图1为本发明半导体热处理设备的晶圆调度控制系统一较佳实施例的结构示意图。如图所示，在本发明的实施例中，该系统除包括机械手、晶圆工艺支撑机构的装载接口和晶圆盒等外，还增加了一个映射关系产生模块、晶圆管理控制模块、管控流程配置模块、工艺参数记录模块和报警限制模块。其旨在根据用户工艺需求和硬件配置，对热处理设备的处理晶圆进行调度管理，保证工艺质量，确保机台安全。
管控流程配置模块用于设置管控流程的管理配置文件，其中，该配置文件的配置项包括每个晶圆盒名称(ID)、每个晶圆盒中的晶圆放置位置的编号(Slot)、晶圆工艺支撑机构中的晶圆放置位置的编号(Slot)及其相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数的预设参数、装载和卸载的默认顺序管理模式、装载和卸载的逻辑管理模式、调度管理模式以及陪片和检测片的使用次数管理模式。
工艺参数记录模块用于将参与工艺过程的每个晶圆盒及其每个晶圆的参数与半导体设备实时参数相关联，并记入到记录文件中，该记录文件的参数包括与每个晶圆盒和晶圆工艺支撑机构中相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数。
映射关系产生模块用于根据配置文件的配置项创建晶圆盒及晶圆工艺支撑机构间的传送映射关系。
晶圆管理控制模块根据上述配置文件、传送映射关系和记录文件，对热处理设备的处理晶圆进行调度管理，即调用机械手执行晶圆的装载和卸载操作，并实时更新记录文件中的参数。
上述半导体热处理设备的晶圆调度控制的系统还包括报警限制模块，用于当记录文件的参数是否达到或超出与配置文件的配置项中的参数，输出报警并通知执行相应的处理。
下面请参阅图2，图2为本发明半导体热处理设备的晶圆调度控制方法一较佳实施例的流程示意图。如图所示，本发明的半导体热处理设备的晶圆调度控制方法包括如下步骤：
步骤S1：预先或实时设置管控流程的管理配置文件，配置文件的配置项包括每个晶圆盒名称(ID)、每个晶圆盒中的晶圆放置位置的编号(Slot)、晶圆工艺支撑机构中的晶圆放置位置的编号(Slot)及其相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数的预设参数、装载和卸载的默认顺序管理模式、装载和卸载的逻辑管理模式、调度管理模式以及陪片和检测片的使用次数管理模式；其中，装载和卸载的默认顺序管理模式包括采用特殊陪片的自动填充子模式和不采用特殊陪片的自动填充子模式；晶圆包括陪片、产品片、检测片和/或特殊陪片。
也就是说，使用者在每次工艺过程开始前，需要采用输入模块对配置文件中的配置项进行配置。在本发明的实施例中，可以采用如图3和图4的界面进行配置；图3为本发明实施例中用户配置设置界面图之一；图4为本发明实施例中配置设置界面图之二。
从上述已经知道，装载和卸载的默认顺序管理模式包括采用特殊陪片的自动填充子模式和不采用特殊陪片的自动填充子模式。用户可选Extra Dummy自动填充模式，或不用Extra Dummy自动填充模式，如果选择不用Extra Dummy自动填充模式，则后续每一种类型的Wafer数量不够时，不再做提醒用户处理。
①、当选择Extra Dummy自动填充模式时，Wafer的装载和卸载的默认顺序如下：
装载(Load)：Dummy-Product-Monitor-Extra Dummy
卸载(Unload)：Extra Dummy-Monitor-Product-Dummy
具体地，如果设备提示Dummy、Product、Monitor、Extra Dummy类型FOUP或Cassette装载时，如果用户认为该工艺不用该类型的Wafer，可以选择忽略操作则进入Dummy、Product、Monitor、Extra Dummy数量与Layout设置的核对管理步骤，核对结果正确则进入下一种类型的晶圆装载装置，核对不正确则发出报警信息并提示返回或跳过，返回操作即提示信息装载该类型FOUP或Cassette并等待，跳过操作则记录当前类型Wafer短缺的Slot信息，同时提示进入下一种类型的FOUP或Cassette装载。
在Extra Dummy Foup装载提示信息后如果点击忽略若再点击跳过则自动进入非Extra Dummy自动填充模式，并发出提示信号表示传片完成可以进行工艺。
②、当选择非Extra Dummy自动填充模式时，Wafer的装载和卸载的默认顺序如下：
装载(Load)：Dummy-Product-Monitor
卸载(Unload)：Monitor-Product-Dummy
同样，如果设备提示Dummy、Product、Monitor类型FOUP或Cassette装载时，如果用户认为该工艺不用该类型的Wafer，可以选择忽略操作则进入Dummy、Product、Monitor数量与Layout设置的核对管理步骤，核对结果正确则进入下一种类型的FOUP或Cassette装载，核对不正确则发出报警信息并提示返回或跳过，返回操作即提示信息装载该类型FOUP或Cassette并等待，跳过操作则记录当前类型Wafer短缺的Slot信息，同时提示进入下一种类型的晶圆装载装置。在Monitor Foup装载提示信息后，如果点击忽略若再点击跳过，则发出提示信号表示传片完成可以进行工艺。
装载和卸载的逻辑管理模式可以包括如下几种：
①、哪里来哪里去：
即从哪一个FOUP或Cassette ID中取出来的Wafer最后回到原来的FOUP或Cassette及原来的Slot。
②、能用多指用多指：
当机械手同时配置多指和单指功能时，在晶圆装载装置里的晶圆数量大于等于多指一次传送的晶圆数量条件下，当晶圆工艺支撑结构上的晶圆连续分布大于等于多指一次传送的晶圆数量时，优先使用多指进行传送。
③、低取高放：
如图5所示，填充(Charge)时，取自晶圆盒中最下端的晶圆，放入晶圆工艺支撑机构的最上端，取出(Discharge)时，取自晶圆工艺支撑机构最下端的晶圆，放入晶圆盒的最上端。也就是说，在Charge时，总FOUP或Cassette中最下端取放入晶圆工艺支撑机构(Boat)的最上端，Discharge时从Boat的最下端取放入FOUP或Cassette的最上端。
④、其余可参考的模式：
i.Top TopDown：
从FOUP中从上至下的取出Wafer，按照从上至下的顺序将Wafer放置到晶圆工艺支撑机构上。将源FOUP的顶端Wafer取出，然后将该Wafer放置到晶圆工艺支撑机构顶端的Slot上。
ii.Top BottomUp：
从FOUP中从上至下的取出Wafer，按照从下至上的顺序将Wafer放置到晶圆工艺支撑机构上。将源FOUP的顶端Wafer取出，然后将该Wafer放置到晶圆工艺支撑机构底端的Slot上。
iii.BottomUp Top：
从FOUP中从下至上的取出Wafer，按照从上至下的顺序将Wafer放置到晶圆工艺支撑机构上。将源FOUP的底端Wafer取出，然后将该Wafer放置到晶圆工艺支撑机构顶端的Slot上。
iv.BottomUp Bottom：
从FOUP中从下至上的取出Wafer，按照从下至上的顺序将Wafer放置到晶圆工艺支撑机构上。将源晶圆装载装置底端的Wafer取出，然后将该Wafer放置到晶圆工艺支撑机构底端的Slot上。
v.手动编辑模式：
手动编辑晶圆装载装置和晶圆工艺支撑机构位置的对应关系，即可以人工指定每一片晶圆的放置位置(晶圆装载装置和晶圆工艺支撑机构位置的对应关系)。
Wafer调度管理模式可以有如下几种：
①、Wafer数量核对管理程序(子模式)：
在传片过程中，需实时核对Dummy、Product、Monitor、Extra Dummy数量与配置文件(Layout Recipe)中设定值是否匹配，当Dummy、Product、Monitor、Extra Dummy数量匹配时，提示完成并自动进入下一种类型的FOUP或Cassette的装载提示信息。注意：如果当Extra Dummy数量匹配时，则发出提示信号表示传片完成，可以进行工艺。
②、Wafer与FOUP联合管理程序(子模式)：
当用户在每种类型FOUP或Cassette放置前设备给出操作提示信息中选择确定后，如果Dummy、Product、Monitor数量不足时用户可以选择续放、忽略或者下一步。续放即更换下一组同类型的FOUP；忽略即这些位置不再放置Wafer做空置处理；下一步即设备提示进入下一种类型的Wafer的装载，同时Boat Slot空置的位置留待最后用Extra Dummy来填充。
③、特殊陪片数量管理程序(子模式)
当Extra Dummy数量不足时，用户可以选择续放或忽略，续放及更换下一组同类型的FOUP，忽略则不再放置Wafer做空置处理，同时，发出提示信号表示传片完成可以进行工艺。
Dummy及Monitor使用次数管理模块可以配置Dummy和Monitor的工艺循环次数，在本实施例中，可配置如下：
Dummy用5次工艺循环(Recycle)，且25次工艺循环Recycle就更换，Monitor用1次Recycle且15次Recycle就更换，用户可以通过操作界面在配置文件里更改。当Dummy或Monitor的使用次数大于设定限值时，可以通过输出模块给出报警提示信息，该次数信息通过FOUP或Cassette ID对应的Slot位置的使用信息来累计，使用一次加1。
上述模块配置好之后，就可以执行步骤S2、步骤S3和步骤S4：
步骤S2：根据配置文件的配置项创建晶圆盒及晶圆工艺支撑机构间的传送映射关系，在工艺过程中，机械手根据传送映射关系创建晶圆管理控制流程，执行晶圆的装载和卸载操作；在工艺过程中，机械手根据默认顺序管理模式、装载和卸载的逻辑管理模式和调度管理模式为基准，对每个晶圆盒及位于晶圆盒中的晶圆进行工艺，并实时更新记录文件中的参数；
步骤S3：将参与工艺过程的每个晶圆盒及其每个晶圆的参数与相应工艺的半导体设备中的实时参数关联到记录文件中，其中，记录文件的参数包括与每个晶圆盒、晶圆工艺支撑机构中相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数；
步骤S4：比较和判断更新后的记录文件参数是否达到或超出配置文件中相应的参数，如果是，输出报警；如果不是，继续执行步骤S3。
具体的执行步骤可以通过图6、图7和图8得到详细说明。图6为本发明实施例采用特殊陪片的自动填充子模式的装载流程示意图；图7为本发明实施例中不采用特殊陪片的自动填充子模式的装载流程示意图；图8为本发明实施例中采用和不采用特殊陪片的自动填充子模式的卸载流程示意图。
以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种半导体热处理设备的晶圆调度控制方法，所述晶圆包括陪片、产品片、检测片和/或特殊陪片；其特征在于，所述方法包括：
步骤S1：预先或实时设置管控流程的管理配置文件，所述配置文件的配置项包括每个晶圆盒名称、每个晶圆盒中的晶圆放置位置的编号、晶圆工艺支撑机构中的晶圆放置位置的编号及其相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数的预设参数、装载和卸载的默认顺序管理模式、装载和卸载的逻辑管理模式、调度管理模式以及陪片和检测片的使用次数管理模式；其中，所述装载和卸载的默认顺序管理模式包括采用特殊陪片的自动填充子模式和不采用特殊陪片的自动填充子模式；
步骤S2：根据配置文件的配置项创建晶圆盒及晶圆工艺支撑机构间的传送映射关系，在工艺过程中，机械手根据传送映射关系创建晶圆管理控制流程，执行晶圆的装载和卸载操作；
步骤S3：将参与工艺过程的每个晶圆盒及其每个晶圆的参数与相应工艺的半导体设备中的实时参数关联到记录文件中，其中，所述记录文件的参数包括与每个所述晶圆盒和晶圆工艺支撑机构中相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数；
步骤S4：比较和判断更新后的所述记录文件参数是否达到或超出所述配置文件中相应的参数，如果是，输出报警；如果不是，继续执行步骤S3直到所有种类和数量的所述晶圆的装载和卸载操作完成。
2.根据权利要求1所述的晶圆调度控制方法，其特征在于，
当在所述采用特殊陪片的自动填充模式运行时，晶圆的装载和卸载的默认顺序如下：
装载：陪片-产品片-检测片-特殊陪片
卸载：特殊陪片-检测片-产品片-陪片
当在所述不采用特殊陪片的自动填充模式运行时，晶圆的装载和卸载的默认顺序如下：
装载：陪片-产品片-检测片
卸载：检测片-产品片-陪片。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述装载和卸载的默认顺序管理模式还包括晶圆类型校核子模式。
4.根据权利要求1所述的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述装载和卸载的逻辑模式包括如下子模式中的一种或几种：
①、对同一个晶圆，在卸载和装载时用同一个晶圆盒；
②、当机械手同时配置多指和单指功能时，优先使用多指进行传送；
③、填充时，取自所述晶圆盒中最下端的晶圆，放入所述晶圆工艺支撑机构的最上端，取出时，取自所述晶圆工艺支撑机构最下端的晶圆，放入所述晶圆盒的最上端；
④、所述晶圆盒中取出晶圆的位置顺序，与放入所述晶圆工艺支撑机构的晶圆的位置排序相同；
⑤、所述晶圆盒中取出晶圆的位置顺序，与放入所述晶圆工艺支撑机构的晶圆的位置排序相反；
⑥、手动编辑所述晶圆盒和晶圆工艺支撑机构位置的对应关系。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述调度管理模式包括：
①、晶圆数量核对管理子模式；
②、晶圆与晶圆盒联合管理子模式；
③、特殊陪片数量管理子模式。
6.根据权利要求1所述的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述陪片和检测片的使用次数参数管理模式中的使用次数，是通过与晶圆盒名称所对应的晶圆工艺支撑机构中放置位置的使用信息来累计。
7.如权利要求1所述的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述采用特殊陪片的自动填充子模式在每一种类型的晶圆数量不够时还包括提醒用户处理步骤。
8.一种实现权利要求1所述晶圆调度控制方法的系统，其包括机械手、晶圆工艺支撑机构和晶圆盒；其特征在于，还包括：
管控流程配置模块，用于设置管控流程的管理配置文件，其中，所述配置文件的配置项包括每个晶圆盒名称、每个晶圆盒中的晶圆放置位置的编号、晶圆工艺支撑机构中的晶圆放置位置的编号及其相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数的预设参数、装载和卸载的默认顺序管理模式、装载和卸载的逻辑管理模式、调度管理模式以及陪片和检测片的使用次数管理模式；
工艺参数记录模块，用于将参与工艺过程的每个晶圆盒及其每个晶圆的参数与相应工艺的半导体设备实时参数进行关联，并记入到记录文件中，所述记录文件的参数包括与每个所述晶圆盒和晶圆工艺支撑机构中相对应的晶圆名称、晶圆的类型和晶圆的使用次数；
映射关系产生模块，用于根据配置文件的配置项创建晶圆盒及晶圆工艺支撑机构间的传送映射关系；
晶圆管理控制模块，根据所述配置文件、传送映射关系和记录文件，对热处理设备的处理晶圆进行调度管理，即调用机械手执行晶圆的装载和卸载操作，并实时更新所述记录文件中的参数。
9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，还包括报警限制模块，用于当所述记录文件的参数是否达到或超出与所述配置文件的配置项中的参数，输出报警并通知执行相应的处理。
10.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述管控流程配置模块、工艺参数记录模块、映射关系产生模块、晶圆管理控制模块和报警限制模块由上位机+下位机架构构成；其中，下位机为可编程控制器。
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