CN105174208A - 一种mems器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种MEMS器件的制造方法，首先，通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层；接着，在有机填充材料刻蚀之后、导电材料层刻蚀之前，采用氟基气体与低流量氧气的混合气体刻蚀去除了图案化的光刻胶层以及填充材料层暴露表面反应产生的聚合物残留；然后，采用各向同性的方式刻蚀导电材料层；之后，在导电材料层刻蚀之后，采用氟基气体与高量氧气的混合气体低温灰化去除图案化的光刻胶层以及有机填充材料层暴露表面再次产生的聚合物残留，保证了刻蚀导电材料层时所用掩膜的侧壁形貌，改善了导电材料层刻蚀后的形貌；抑制并去除了有机填充材料层和导电材料层刻蚀过程中产生的聚合物残留，改善了最终形成的沟槽形貌，提高了器件性能。

Description

一种MEMS器件的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种MEMS器件的制造方法。

背景技术

微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystems，简称MEMS)是指微细加工技术制作的，集微型传感器、微型构件、微型执行器、信号处理、控制电路等于一体的微型器件或系统，其制造过程是以薄膜沉积、光刻、外延、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工过程，尺寸通常在微米或纳米级。其中，磁传感器是一种MEMS器件，它可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的器件，磁传感器包括巨磁阻传感器(GiantMagnetoResistiveSensor，GMR)、各向异性磁阻传感器(AnisotropicMagnetoResistiveSensor，AMR)等。以各向异性磁阻传感器为例，镍铁合金层作为磁阻层。当外界磁场施加到磁阻层上时，磁阻层的磁畴旋转，使得磁阻层的电阻发生改变，磁阻层电阻的变化就反应在输出电压变化，实现检测外加磁场的目的。近几年，各向异性磁阻传感器技术的发展，已经历了单轴磁传感器、双轴磁传感器到三轴(3D)磁传感器。在现有技术中，三轴磁传感器以其可全面检测空间X、Y、Z三个方向上的磁信号，而得到普遍应用。

现有技术中，将集成电路技术应用于磁传感器领域，也促进了磁传感器的规模化生产和发展。

现有技术的AMR三轴磁传感器的制造过程中，需要执行一种沟槽刻蚀以及填充工艺，其中将沟槽侧壁上的磁性材料保留下来而去除其它部分上的磁性材料，请参考图1，通常包括以下步骤：首先在衬底100上形成层间介质层101，随后在层间介质层101中形成沟槽(trench)；此后在形成沟槽的层间介质层101上依次形成氮化硅层(起扩散阻挡作用，未图示)、镍铁合金层102(作为磁性材料层)和氮化钽层103(TaN，作为导电材料和掩膜材料)，从而在沟槽中也形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层的叠层；此后在氮化钽层103上形成填充材料层104(gapfillingmaterial)，使填充材料层完全填充深沟槽，为后续形成图形化的光刻胶层提供平坦表面；此后在填充材料层104上形成光刻胶，对光刻胶进行曝光及显影，形成图形化的光刻胶层105，图形化的光刻胶层定义镍铁合金层用于形成磁阻层的位置，所述磁阻层包括：所述沟槽一个侧壁上的镍铁合金层、与该侧壁接触的沟槽部分底部上的镍铁合金层、与该侧壁接触的部分层间介质层上的镍铁合金层。此后以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀填充材料层、TaN层，从而留下覆盖待形成磁阻层的位置的氮化钽部分，接着去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层。之后以剩余的TaN层为掩模刻蚀镍铁合金层，形成磁阻层，位于磁阻层上的TaN层用于保护磁阻层，避免磁阻层直接暴露在空气中而遭到氧化腐蚀。

而上述的这种AMR三轴磁传感器的制造方法造成磁传感器性能不佳，主要原因如下：

参照图1，一方面，由于沟槽深度很大，大约为3um，所以填充材料层104覆盖TaN层103并填充沟槽后，位于沟槽中的填充材料层104的厚度D1明显大于沟槽周围的绝缘层上的填充材料层的厚度D2。由于D1大于D2，在刻蚀填充材料层104时，沟槽周围上的填充材料层较快被去除，暴露下方的TaN层，之后，需要继续刻蚀去除沟槽中未被光刻胶105覆盖的填充材料层。在继续刻蚀去除沟槽中的填充材料层的过程中，刻蚀气体经等离子体化后形成的等离子体会轰击沟槽中的填充材料层，也会轰击沟槽周围的层间介质层上暴露的TaN层，造成TaN层的形貌缺陷，请参考图2所示的现有AMR三轴磁传感器刻蚀填充材料层后的SEM图谱。

另一方面，由于沟槽周围层间介质层上的填充材料层被去除后，需要继续刻蚀沟槽中的填充材料层104，填充材料层104多为有机聚合物且在刻蚀过程中涂布仍有光刻胶，刻蚀用等离子体会轰击暴露出的TaN层103表面，造成部分Ta脱离出来并与填充材料层104暴露表面以及光刻胶反应生成Ta基聚合物，因此在去除图形化的光刻胶层时，填充材料层表面的Ta基聚合物不会被去除，使得填充材料层103侧壁粗糙并呈现弯弯曲曲的形貌，请参考图3所示的现有AMR三轴磁传感器刻蚀填充材料层后沟槽周围的SEM图谱以及图4所示的现有AMR三轴磁传感器刻蚀填充材料层后沟槽侧壁的SEM图谱。以填充材料层103为掩膜而刻蚀获得的TaN层的形貌均一性较差，严重的甚至导致沟槽侧壁的氮化钽出现剥离现象，从而造成TaN层表面电阻增大，在后续TaN层表面与其他器件连接时，在TaN层表面的连接处的电阻增大，造成信号传递的可靠性降低，造成3D磁传感器的性能不佳。

此外，在以填充材料层103为掩膜，刻蚀TaN层的过程中，刻蚀气体直接轰击TaN层，容易造成部分Ta脱离出来并与填充材料层104暴露表面反应生成Ta基聚合物，该Ta基聚合物由于含有碳、氢、钽等元素，很难通过常规的刻蚀或者剥离工艺去除，因此在填充材料层去除的过程中出现含钽类聚合物在沟槽表面再沉积问题，最终造成沟槽表面的缺陷。

因此需要一种新的MEMS器件的制造方法，能够解决现有的MEMS器件的沟槽内的填充材料刻蚀过程中产生TaN层形貌缺陷、含钽类聚合物残留的问题以及后续TaN层刻蚀过程中的含钽类聚合物残留问题，提高器件性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MEMS器件的制造方法，能够解决现有的MEMS器件的沟槽内的填充材料刻蚀过程中产生导电材料层形貌缺陷、聚合物残留的问题以及后续导电材料层刻蚀过程中的聚合物残留问题，提高器件性能。

为解决上述问题，本发明提出一种MEMS器件的制造方法，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽；

在形成沟槽的半导体衬底表面形成导电材料层，所述导电材料层未填满所述沟槽；

在所述导电材料层表面形成具有平坦顶部表面的有机填充材料层，所述填充材料层完全填充所述沟槽；

在所述有机填充材料层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层定义下方要保留的导电材料层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，并通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层，至所述导电材料层表面停止；

采用氟基气体与具有第一流量的氧气的混合气体刻蚀去除所述有机填充材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留；

以图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层为掩模，各向同性刻蚀所述导电材料层；

采用氟基气体与具有第二流量的氧气的混合气体进行低温灰化工艺，去除所述导电材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留，所述第二流量大于第一流量；

去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层。

进一步的，所述氟基气体为CF₄、C₄F₈、CHF₃中的一种或多种。

进一步的，所述低温灰化工艺中的氟基气体为氟等离子体。

进一步的，所述低温灰化工艺的工艺温度低于200℃。

进一步的，所述低温灰化工艺的工艺温度为85℃或80℃～150℃。

进一步的，采用工艺温度高于200℃的高温灰化工艺去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层。

进一步的，所述第一流量为5sccm～20sccm，所述第二流量为所述氧气的流量为500sccm～2500sccm。

进一步的，提供一半导体衬底的步骤包括：

提供一基底，在所述基底上形成层间介质层；

刻蚀所述层间介质层以在层间介质层中形成沟槽；

在形成所述沟槽的层间介质层表面依次形成扩散阻挡层和磁性材料层。

进一步的，所述磁性材料层为镍铁合金层，所述导电材料层为氮化钽。

进一步的，在去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层之前或之后，刻蚀所述磁性材料层形成磁阻层。

与现有技术相比，本发明提供的MEMS器件的制造方法，具有以下有益效果：

1、通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层，以抑制聚合物残留产生以及等离子体刻蚀时对导电材料层的破坏，保护了暴露出的导电材料层的形貌；

2、在有机填充材料刻蚀之后、导电材料层刻蚀之前，采用氟基气体与低流量氧气的混合气体刻蚀去除了图案化的光刻胶层以及填充材料层暴露表面反应产生的聚合物残留，保证了刻蚀导电材料层时所用掩膜的侧壁形貌，进而改善了导电材料层刻蚀后的形貌；

3、采用各向同性的方式刻蚀导电材料层，可以抑制图案化的光刻胶层以及填充材料层暴露表面的聚合物残留的产生，同时可以去除图案化的光刻胶层以及填充材料层的侧壁产生的聚合物残留；

4、在导电材料层刻蚀之后，采用氟基气体与高量氧气的混合气体低温灰化去除图案化的光刻胶层以及有机填充材料层暴露表面再次产生的聚合物残留，同时避免了对导电材料层的破坏，防止光刻胶层以及有机填充材料层的硬化，有利于后续光刻胶层以及有机填充材料层的去除，改善了最终形成的沟槽形貌，提高了器件性能。

附图说明

图1是现有的AMR三轴磁传感器制造过程中的器件剖面结构示意图；

图2是现有的AMR三轴磁传感器刻蚀填充材料层后的SEM图谱；

图3是现有AMR三轴磁传感器刻蚀填充材料层后沟槽周围的SEM图谱；

图4是现有AMR三轴磁传感器刻蚀填充材料层后沟槽侧壁的SEM图谱；

图5是本发明的MEMS器件的制造方法流程图；

图6A至图6F是本发明的MEMS器件制造过程中的器件结构剖面图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。

请参考图5所示，本发明提出一种MEMS器件的制造方法，包括以下步骤：

S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽；

S2，在形成沟槽的半导体衬底表面形成导电材料层，所述导电材料层未填满所述沟槽；

S3，在所述导电材料层表面形成具有平坦顶部表面的有机填充材料层，所述填充材料层完全填充所述沟槽；

S4，在所述有机填充材料层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层定义下方要保留的导电材料层；

S5，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，并通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层，至所述导电材料层表面停止；

S6，采用氟基气体与具有第一流量的氧气的混合气体刻蚀去除所述有机填充材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留；

S7，以图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层为掩模，各向同性刻蚀所述导电材料层；

S8，采用氟基气体与具有第二流量的氧气的混合气体进行低温灰化工艺，去除所述导电材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留，所述第二流量大于第一流量；

S9，去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层。

请参考图6A，本实施例的步骤S1中，提供具有沟槽的半导体衬底的过程包括：

首先，提供一基底600，在具体实施例中，基底600可以为硅衬底、锗衬底或者绝缘体上硅衬底等，或者还可以包括其它的材料，例如砷化镓等III-Ⅴ族化合物，然后在所述基底600上形成层间介质层601，层间介质层601的材料可以为氧化硅、氮氧化硅、TEOS或低K介质，形成方法为热氧化生长或化学气相沉积工艺，层间介质层601起到后续形成的磁性材料层与基底600之间的绝缘隔离作用；

接着，各向异性刻蚀所述层间介质层601以在层间介质层601中形成沟槽，具体地，先生长一层氮化硅等硬掩膜，然后在硬掩膜上涂布一层光刻胶，并图形化光刻胶以形成深沟槽光刻窗口，然后，以图形化光刻胶为掩膜，刻蚀硬掩膜层以及层间介质层601形成具有一定倾斜角度的深沟槽，深沟槽的角度需要与后续的有机填充材料的厚度和淀积的角度做综合考量并匹配，典型值是85度，然后步通过湿法刻蚀去除硬掩膜，湿法刻蚀液是氢氟酸和硫酸的混合物，沟槽的深度一般不小于3微米但小于层间介质层601的厚度，也就是沟槽的底部不为基底600的上表面；

最后，在形成所述沟槽的层间介质层601表面依次形成扩散阻挡层(未图示)和磁性材料层602，扩散阻挡层的材料可以为氮化硅、氮氧化硅或二氧化硅，形成扩散阻挡层的方法可以为化学气相沉积，扩散阻挡层覆盖层间介质层601、沟槽的底部和侧壁，用于阻挡后续磁性材料向层间介质层601中扩散，确保层间介质层601的绝缘隔离作用；磁性材料层602的材料为镍铁合金或其他可行的磁性材料，形成磁性材料层602的方法为溅射镀膜工艺，在其他实施例中还可使用其他物理气相沉积工艺，在形成过程中，扩散阻挡层阻挡磁性材料向层间介质层601中扩散，磁性材料层602用来形成磁阻层。

请继续参考图6A，本实施例的步骤S2中，通过溅射镀膜工艺或其他物理气相沉积工艺，在磁性材料层602的表面上形成导电材料层603。在3D磁传感器中，导电材料层603为氮化钽TaN层，作为磁阻层的保护层，避免磁阻层暴露在空气中而遭到氧化腐蚀。

请继续参考图6A，本实施例的步骤S3中，在导电材料层603表面上形成有机填充材料层604，有机填充材料层604填充满沟槽并覆盖沟槽周围的导电材料层603，有机填充材料层604为后续形成光刻胶提供平坦表面，便于后续光刻胶图案的形成，确保光刻胶的图案精细，有机填充材料层604的材料可以为东京应化的GF系列，例如GF43、GF70等，可以通过多次旋涂及烘烤形成，具体地，在导电材料层603表面上旋涂上一层有机填充材料层，静止15秒钟后进行烘烤，然后继续重复旋涂、静止、烘烤过程，直至有机填充材料填满沟槽，且在沟槽周围的导电材料层603表面上具有一定厚度，其中涂胶过程后的静止过程，可以让有机填充材料从沟槽上方附近流入到沟槽中，利用填充材料的随型性保护沟槽的侧壁和圆角部分，并保持和沟槽相近的图形，同时可以保持该工艺的稳定性，保证表面的平坦性，为后续的涂胶曝光打下基础。

请继续参考图6A，本实施例的步骤S4中，使用旋涂工艺再在有机填充材料层604的表面均匀地涂上一层平坦化效果比较好而且厚度比较厚的光刻胶，通过曝光和显影等一系列工艺形成图案化的光刻胶层605，图案化的光刻胶层605定义了要保留的导电材料层及其以下层的位置，即磁阻层的位置。

请参考图6B，本实施例的步骤S5中，以图案化的光刻胶层605为掩模，采用氯气与氧气的混合气体形成的等离子体来刻蚀有机填充材料层604。由于沟槽中的有机填充材料层的厚度明显大于沟槽周围的有机填充材料层，这样，沟槽周围的填充材料层先遭到去除。之后，继续刻蚀沟槽中有机填充材料层，在该过程中，刻蚀气体经等离子体化后的等离子体也轰击沟槽周围暴露出的导电材料层603，脱离的导电离子与表面暴露出的光刻胶和有机填充材料反应生成聚合物残留606a，例如导电材料层603为TaN时，其表面脱离的Ta与光刻胶和有机填充材料反应生成Ta基聚合物。由于采用了氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层604，与现有技术中的普通干法刻蚀相比，一方面对沟槽周围暴露出的导电材料层603轰击力量减弱，导电材料层603的表面损伤较小，另一方面，可以抑制脱离出来的Ta等导电离子与光刻胶和有机填充材料的化学反应，从而减少了产生的聚合物残留。

请参考图6C，本实施例的步骤S6中，使用氟基气体与低流量氧气的混合气体干法刻蚀去除在图案化的光刻胶层605上表面和侧面以及有机填充材料层604侧面的聚合物残留。具体地，所述氟基气体为CF₄、C₄F₈、CHF₃中的一种或多种。刻蚀反应腔中的压强范围为6mtorr～8mtorr，向刻蚀反应腔中通入的刻蚀气体流量(即第一流量)范围为5sccm～20sccm，刻蚀时间范围为：20～40s，这样可以确保聚合物残留可以得到彻底去除，从而保证了后续刻蚀导电材料层603时所用掩膜的侧壁形貌，进而改善了导电材料层603刻蚀后的形貌。

请参考图6D，本实施例的步骤S7中，在去除聚合物残留后，以图案化的光刻胶层605以及有机填充材料层604为掩模，各向同性刻蚀导电材料层604至磁性材料层603上表面停止。采用各向同性的方式刻蚀导电材料层，可以抑制图案化的光刻胶层605以及有机填充材料层604暴露表面的聚合物残留的产生，同时可以去除图案化的光刻胶层605以及填充材料层604的侧壁产生的聚合物残留。但图案化的光刻胶层605上表面仍残留有再次产生的聚合物残留606b。

请参考图6E，本实施例的步骤S8中，采用氟基气体与高流量氧气的混合气体低温灰化去除图案化的光刻胶层605上表面再次产生的聚合物残留，同时避免了对导电材料层603的破坏，防止图案化的光刻胶层605以及有机填充材料层604的硬化，有利于后续图案化的光刻胶层605以及有机填充材料层604的去除。进一步的，所述低温灰化工艺中的氟基气体为氟等离子体，所述低温灰化工艺的工艺温度低于200℃，例如85℃或者80℃～150℃中的其他温度，氧气流量(即第二流量)远远高于步骤S6中的氧气流量，高出几十倍甚至几百倍，第二流量具体范围可以为500sccm～2500sccm。经验证，85℃下低温灰化工艺后聚合物残留的去除较为彻底，且导电材料层的表面性能以及光刻胶层、有机填充材料层的硬度最佳。

请参考图6F，在步骤S9中，由于有机填充材料和图案化的光刻胶层均为有机物，所以可以同时通过高温灰化工艺去除，该过程处于工艺温度高于200℃的高温氧气气氛中，有机填充材料和图案化的光刻胶层均与氧气反应生成挥发性气体被排出，然后再使用湿法刻蚀清除灰化过程中产生的聚合物。

在去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层后，请继续参考图6F，以剩余的导电材料层603为掩模，刻蚀磁性材料层602形成磁阻层。磁阻层包括位于沟槽一个侧壁上的磁性材料层、与该侧壁接触的沟槽部分底部上的磁性材料层、与该侧壁接触的部分层间介质层601上的磁性材料层，由此可以分别感应X、Y、Z三个方向的磁场信号。在具体实施例中，刻蚀磁性材料层的方法为等离子体干法刻蚀。刻蚀气体等离子体化形成等离子体，在高速等离子体的轰击下，暴露出的磁性材料层遭到去除。位于磁阻层上的导电材料层603作为磁阻层的保护层，防止磁阻层直接暴露在空气中而遭到氧化腐蚀。

在其他实施例中，还可以是：在刻蚀导电材料层603后，即在步骤S7之后、步骤S8之前，以图案化的光刻胶层、有机填充材料层、导电材料层为掩模，刻蚀磁性材料层形成磁阻层；在刻蚀磁性材料层后，在执行步骤S8至去除图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层。

综上所述，本发明提供的MEMS器件的制造方法，首先，通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层；接着，在有机填充材料刻蚀之后、导电材料层刻蚀之前，采用氟基气体与低流量氧气的混合气体刻蚀去除了图案化的光刻胶层以及填充材料层暴露表面反应产生的聚合物残留；然后，采用各向同性的方式刻蚀导电材料层；之后，在导电材料层刻蚀之后，采用氟基气体与高量氧气的混合气体低温灰化去除图案化的光刻胶层以及有机填充材料层暴露表面再次产生的聚合物残留，保证了刻蚀导电材料层时所用掩膜的侧壁形貌，改善了导电材料层刻蚀后的形貌；抑制并去除了有机填充材料层和导电材料层刻蚀过程中产生的聚合物残留，改善了最终形成的沟槽形貌，提高了器件性能，适用于各种MEMS器件的制造，特别是三轴磁传感器的制造。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽；

在形成沟槽的半导体衬底表面形成导电材料层，所述导电材料层未填满所述沟槽；

在所述导电材料层表面形成具有平坦顶部表面的有机填充材料层，所述填充材料层完全填充所述沟槽；

在所述有机填充材料层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层定义下方要保留的导电材料层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，并通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层，至所述导电材料层表面停止；

采用氟基气体与具有第一流量的氧气的混合气体刻蚀去除所述有机填充材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留；

以图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层为掩模，各向同性刻蚀所述导电材料层；

采用氟基气体与具有第二流量的氧气的混合气体进行低温灰化工艺，去除所述导电材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留，所述第二流量大于第一流量；

去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层。

2.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述氟基气体为CF₄、C₄F₈、CHF₃中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述低温灰化工艺中的氟基气体为氟等离子体。

4.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述低温灰化工艺的工艺温度低于200℃。

5.如权利要求1或4所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述低温灰化工艺的工艺温度为85℃或80℃～150℃。

6.如权利要求5所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，采用工艺温度高于200℃的高温灰化工艺去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层。

7.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述第一流量为5sccm～20sccm，所述第二流量为所述氧气的流量为500sccm～2500sccm。

8.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，提供一半导体衬底的步骤包括：

提供一基底，在所述基底上形成层间介质层；

刻蚀所述层间介质层以在层间介质层中形成沟槽；

在形成所述沟槽的层间介质层表面依次形成扩散阻挡层和磁性材料层。

9.如权利要求6所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述磁性材料层为镍铁合金层，所述导电材料层为氮化钽。

10.如权利要求7所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，在去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层之前或之后，刻蚀所述磁性材料层形成磁阻层。