CN105161481A - 一种熔丝以及存储装置 - Google Patents
一种熔丝以及存储装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105161481A CN105161481A CN201510639575.2A CN201510639575A CN105161481A CN 105161481 A CN105161481 A CN 105161481A CN 201510639575 A CN201510639575 A CN 201510639575A CN 105161481 A CN105161481 A CN 105161481A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fuse
- termination portion
- fusing
- part fusing
- external circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
本发明涉及一种熔丝以及存储装置，该熔丝包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分，第一端接部分和第二端接部分分别连接外部电路，其中，第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分采用单质硅材料或金属材料制成，外部电路通过短时间内产生导通电流在所述中部熔断通路上产生大量热量以熔断所述中部熔断通路，以实现所述熔丝的熔断。具体而言在于基于单质硅作为熔丝材料，通过内凹弧形实现熔丝第一端接部分和第二端接部分至熔丝中部熔断通路之间的过渡，进而实现高烧写可靠性的熔丝设计。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种熔丝以及存储装置。
背景技术
模拟集成电路芯片的性能是由一系列生产流程的工艺步骤决定的，继而导致成品芯片与芯片之间的性能会存在一定的偏差。为了减小该偏差对芯片的性能及一致性产生影响，在电路设计中通常引入单次烧写存储装置与可调整冗余设计以应对生产工艺中的偏差。通过性能测试可得到配置可调整冗余设计的控制字，该值可能会随芯片的不同而变化。之后通过对单次烧写存储装置的烧写以实现保存该控制字。
单次烧写存储装置的核心之一就是熔丝，熔丝的烧写与状态保持的可靠性直接影响着整颗芯片的可靠性与稳定性。
发明内容
本发明整体涉及包括熔丝元件的半导体集成电路领域，特别涉及熔丝元件的物理结构及形状的设计。具体而言在于基于多晶硅作为熔丝材料，通过内凹弧形实现熔丝两端较宽端接部分至熔丝中部较窄熔断通路之间的过渡，进而实现高烧写可靠性的熔丝设计。
本发明为了解决现有技术中应用熔丝的存储装置所存在的一些不足：熔丝的烧写与状态保持的可靠性直接影响整个芯片的可靠性和稳定性，从而采用一种用熔丝以及存储装置，其中熔丝采用的材料为单质硅或者金属，熔丝结构为内凹形的结构设计。进而实现高烧写可靠性的熔丝设计。
为了达到上述目的，本发明提供了一种熔丝，该熔丝包括：第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分，第一端接部分和第二端接部分分别连接外部电路，其中，第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分采用单质硅材料或金属材料制成，外部电路通过短时间内产生导通电流在中部熔断通路上产生大量热量以熔断中部熔断通路，以实现熔丝的熔断。
优选地，第一端接部分和第二端接部分采用低导通阻抗设计。
优选地，熔断通路部分采用高导通阻抗设计。
优选地，第一端接部分和第二端接部分的宽度大于中部熔断通路部分的宽度。
优选地，中部熔断通路部分采用内凹弧形物理结构设计，第一端接部分和第二端接部分通过内凹弧形过渡的中部熔断通路，在其中间形成高阻熔断点。
另一方面，本发明提供了一种存储装置，该存储装置包括上述熔丝和外部电路，所述电路通过短时间内产生导通电流在中部熔断通路上产生大量热量以熔断中部熔断通路，以实现熔丝的熔断。
本发明通过采用单质硅或者金属为材料，结构为内凹形的结构设计的熔丝，进而实现高烧写可靠性的熔丝设计和芯片的可靠性和稳定性。
附图说明
通过以下参照附图对优选实施例进行描述，本发明的优点将会变得更加明显和易于理解。
图1是本发明实施例提供的一种熔丝以及存储装置的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种熔丝的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加明显，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
图1为本发明实施例提供的一种熔丝以及存储装置的结构示意图。如图1所示，该存储装置包括熔丝和外部电路，外部电路通过短时间内产生导通电流在熔丝上产生大量热量以熔断熔丝。
具体地，熔丝包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分，第一端接部分和第二端接部分分别连接外部电路；外部电路通过短时间内产生导通电流在中部熔断通路上产生大量热量以熔断中部熔断通路，以实现熔丝的熔断。
图2为本发明实施例提供的一种熔丝的结构示意图。如图2所述，该熔丝包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分。
具体地，第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分采用单质硅材料制成，也可以是金属材料制成；第一端接部分和第二端接部分采用低导通阻抗设计；熔断通路部分采用高导通阻抗设计；第一端接部分和第二端接部分的宽度大于中部熔断通路部分的宽度；中部熔断通路部分采用内凹弧形物理结构设计，第一端接部分和第二端接部分通过内凹弧形过渡的中部熔断通路，在其中间形成高阻熔断点。
本发明实施例通过采用单质硅或者金属为材料，结构为内凹形的结构设计的熔丝，进而实现高烧写可靠性的熔丝设计和芯片的可靠性和稳定性。
最后所以说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行修改或者等同替换都不脱离办发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (6)
1.一种熔丝，包括第一端接部分、第二端接部分和中部熔断通路部分，所述第一端接部分和所述第二端接部分分别连接外部电路，其特征在于，所述第一端接部分、所述第二端接部分和所述中部熔断通路部分采用单质硅材料或金属材料制成，所述外部电路通过短时间内产生导通电流在所述中部熔断通路上产生大量热量以熔断所述中部熔断通路，以实现所述熔丝的熔断。
2.根据权利要求1所述的熔丝，其特征在于，所述第一端接部分和所述第二端接部分采用低导通阻抗设计。
3.根据权利要求1-2任一项权利要求所述的熔丝，其特征在于，所述熔断通路部分采用高导通阻抗设计。
4.根据权利要求1所述的熔丝，其特征在于，所述第一端接部分和所述第二端接部分的宽度大于所述中部熔断通路部分的宽度。
5.根据权利要求1或5所述的熔丝，其特征在于，所述中部熔断通路部分采用内凹弧形物理结构设计，所述第一端接部分和所述第二端接部分通过所述内凹弧形过渡的中部熔断通路，在其中间形成高阻熔断点。
6.一种存储装置，其特征在于，包括：如权利要求1-5任一项权利要求所述的熔丝和外部电路，所述外部电路通过短时间内产生导通电流在所述中部熔断通路上产生大量热量以熔断所述中部熔断通路，以实现所述熔丝的熔断。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510639575.2A CN105161481A (zh) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 一种熔丝以及存储装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510639575.2A CN105161481A (zh) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 一种熔丝以及存储装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105161481A true CN105161481A (zh) | 2015-12-16 |
Family
ID=54802295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510639575.2A Pending CN105161481A (zh) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 一种熔丝以及存储装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105161481A (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1606157A (zh) * | 2003-10-10 | 2005-04-13 | 松下电器产业株式会社 | 具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法 |
-
2015
- 2015-09-30 CN CN201510639575.2A patent/CN105161481A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1606157A (zh) * | 2003-10-10 | 2005-04-13 | 松下电器产业株式会社 | 具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103825601B (zh) | 一种熔丝修调电路 | |
| TWI313008B (en) | Integrated circuit chip having non-volatile on-chip memories for providing programmable function and features | |
| CN104900262A (zh) | 使用电阻式存储器件的物理防克隆功能电路 | |
| JP2019109956A (ja) | 人工知能集積回路のワンタイム・プログラマブルメモリ内で基準抵抗を使用するための方法及び装置 | |
| CN107994894B (zh) | 多晶熔丝预修调电路 | |
| CN108736875A (zh) | 一种修调码值产生电路 | |
| CN109712663A (zh) | 熔丝编程单元、熔丝电路及其编程过程 | |
| CN103440943A (zh) | 绕线型温度保险丝电阻器 | |
| CN204946891U (zh) | 一种熔丝以及存储装置 | |
| CN105161481A (zh) | 一种熔丝以及存储装置 | |
| US9059172B2 (en) | Fuse circuit | |
| CN205406097U (zh) | 可编程控制多晶熔丝电路及包含该电路的集成电路 | |
| CN103117080A (zh) | 读出电路 | |
| CN105259969A (zh) | 一种温度系数小的带隙基准电路 | |
| CN109166841B (zh) | 电可编程的多晶硅熔丝器件结构 | |
| CN102760720B (zh) | 电子可编程熔丝空置有源区添加方法以及电子可编程熔丝 | |
| CN108039255A (zh) | 一种保险丝电阻器及其制作方法 | |
| Cisco | ||
| CN103700405A (zh) | 可模拟熔断的熔丝电路 | |
| CN103515246A (zh) | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 | |
| CN106033107B (zh) | 熔丝的熔断电流的校准方法与电路 | |
| CN203367198U (zh) | 分数安培的保险丝桥元件组件 | |
| KR102422886B1 (ko) | 반도체 장치의 이-퓨즈 | |
| EP3640966A3 (en) | Coiled fusible element for high reliability fuse | |
| CN104786440A (zh) | 一种带梅花状螺旋式冷却结构的浇口套 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Chen Xiaolong Inventor after: Xu Yin Inventor after: Shen Yu Inventor before: Chen Xiaolong |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151216 |