CN105139047A - 变极化的无芯片rfid系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种变极化的无芯片RFID系统，包括：双路信号源，产生两路频率相同、相位任意可控的射频信号；水平极化支路，在信号发射过程中调整第一路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号进行混频，取下变频后滤波放大；垂直极化支路，在信号发射过程中调整第二路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号进行混频，取下变频后滤波放大；双极化天线，发射两路幅值和相位可调的射频信号并激励呈一对极化方向垂直的线极化电磁波，两路线极化电磁波叠加呈任意极化的电磁波，且接收反射信号；信号处理及控制电路，用于调节双路信号源的两路射频信号的相位差及用于反射信号的编码。

Description

变极化的无芯片RFID系统

技术领域

本发明涉及射频通信与近程探测技术，特别是一种基于变极化方案的无芯片RFID系统。

背景技术

无线射频识别技术(RadioFrequencyIdentification,RFID)是一种利用射频通信实现的非接触式自动识别技术,它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据信息,能同时识别多个高速运动的目标,且识别过程无需人工干预。RFID技术在物流、航空、畜牧业、移动商务、票证管理、生产线自动化等各个行业被广泛应用，,被认为是21世纪最具发展前景的十项技术之一。随着广泛应用，RFID技术日益强大，当生产数量急剧增多时，降低RFID的成本的需求就愈加强烈，无芯片RFID在这种需求下浮出水面。

越来越多的工程师开始转向无芯片RFID标签设计，目前公开文献所涉及到的无芯片RFID技术主要分为三大类：1、基于时域反射计(TDR)的无芯片标签，如基于声表面波(SAW)的无源标签，但是SAW标签价格较高且难以弯曲。2、基于频谱特征的无芯片标签，如基于多谐振器的无源标签，一般由一个接受天线，一个谐振电路和一个发射天线组成，需要发射宽频谱的信号，编码容量有限，尺寸比较大。3、基于幅度或相位反相散射调制的无芯片标签，标签作为微带天线起作用，通过介质板上设置多个特性不同的辐射贴片或者改变天线负载，使得天线反向散射信号的幅度和相位不同。Md.AminulIslam等结合了方法2和方法3在“CompactPrintableChiplessRFIDTagsUsingPolarizationDiversity”中利用极化特性设计一种开有水平缝隙和垂直缝隙的方形无芯片RFID标签天线，同时发射宽频谱的水平极化和垂直极化的电磁波信号，通过综合反射波的频谱和幅度信息进行编码，但是宽频谱的发射信号给信号发生电路和信号处理电路增加了难度，而且提高了成本。Balbin等在“Phase-EncodedChiplessRFIDTransponderforLarge-ScaleLow-CostApplications”中提出了一种由3个带有开路短接线的贴片天线组成的电子标签，改变3个贴片天线的特性会使反射波的相位信息改变，从而形成编码，但是这种方法的编码容量有限，标签天线体积大。LiYang等在“ANovelConformalRFID-EnabledModuleUtilizingInkjet-PrintedAntennasandCarbonNanotubesforGas-DetectionApplications”中设计一种用碳纳米管开关加载的无芯片RFID标签，开关的阻抗会随空间中有毒气体的浓度变化而变化，可以用于检测有毒气体，但是应用领域有限制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种变极化的无芯片RFID系统，包括双路信号源，水平极化支路，垂直极化支路，信号处理及控制电路，本振，双极化天线，标签天线，匹配负载。双路信号源，产生两路频率相同、相位任意可控的射频信号；水平极化支路，在信号发射过程中调整第一路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号信号进行混频，取下变频后滤波放大；垂直极化支路，在信号发射过程中调整第二路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号信号进行混频，取下变频后滤波放大；双极化天线，发射两路幅值和相位可调的射频信号并激励呈一对极化方向垂直的线极化电磁波，两路线极化电磁波叠加呈任意极化的电磁波，且接收反射信号；信号处理及控制电路，用于调节双路信号源的两路射频信号的相位差及用于反射信号的编码。

采用上述变极化的无芯片RFID系统，所述水平极化支路包括第一可调衰减器、第一环形器、第一混频器、第一中频滤波放大器。第一可调衰减器，对第一路射频信号的信号大小进行调整；第一环形器，将调整好的第一路射频信号传输至双极化天线并接收双极化天线传输回的反射信号；第一混频器，将反射信号和本振信号进行混频，取下变频；第一中频滤波放大器，对混频后的信号进行滤波和放大后将信号传输至信号处理及控制电路。

采用上述变极化的无芯片RFID系统，所述垂直极化支路包括第二可调衰减器、第二环形器、第二混频器、第二中频滤波放大器。第二可调衰减器，对第一路射频信号的信号大小进行调整；第二环形器，将调整好的第一路射频信号传输至双极化天线(16)并接收双极化天线传输回的反射信号；第二混频器，将反射信号和本振信号进行进行混频，取下变频；第二中频滤波放大器，对混频后的信号进行滤波和放大后将信号传输至信号处理及控制电路。

作为本发明的一种改进，所述水平极化支路还包括第一耦合器、第一泄露对消模块。第一耦合器，用于将调整后的第一路射频信号分为两路，其中耦合后的第一路传输至第一环形器；第一泄露对消模块，用于将第一耦合器耦合后的第二路信号与第一环行器泄漏的信号进行对消。

作为本发明的一种改进，所述垂直极化支路还包括第二耦合器、第二泄露对消模块。第二耦合器，用于将调整后的第二路射频信号分为两路，其中耦合后的第二路传输至第二环形器，第二泄露对消模块，用于将第二耦合器耦合后的第二路信号与第一环行器泄漏的信号进行对消。

本发明与现有技术相比，其显著优点在于：(1)本发明采用了改变发射信号极化和标签天线极化的方式对回波信号进行编码，编码容量很大，同时还可提高系统抗干扰能力；(2)本发明采用的是点频的发射信号，简化了信号源的结构和信号处理的结构，降低了成本；(3)本发明采用了收发天线共用结构，简化了系统，降低系统成本；(4)本发明采用了无芯片标签天线，降低了制作成本；(5)本发明采用了泄露对消模块，解决了单天线系统的信号泄露问题。

下面结合说明书附图对本发明做进一步描述。

附图说明

图1是本发明总体结构示意图。

图2是本发明双路信号源的结构示意图。

图3是本发明双极化天线的结构示意图，其中(a)为下层介质板结构图，(b)为上层介质板结构图，(c)为整体结构图。

图4是本发明的一种改进结构示意图。

图5是本发明泄露对消模块的结构示意图。

图6是本发明信号处理及控制电路结构示意图。

具体实施方式

结合图1，一种变极化的无芯片RFID系统，包括双路信号源1，水平极化支路，垂直极化支路，信号处理及控制电路15，本振12，双极化天线16，标签天线17，匹配负载18。双路信号源1用于产生两路频率相同、相位任意可控的射频信号；水平极化支路在信号发射过程中调整第一路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号信号进行混频，取下变频后滤波放大；垂直极化支路在信号发射过程中调整第二路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号信号进行混频，取下变频后滤波放大；双极化天线16发射两路幅值和相位可调的射频信号并激励呈一对极化方向垂直的线极化电磁波，两路线极化电磁波叠加呈任意极化的电磁波，且接收反射信号；信号处理及控制电路15用于调节双路信号源的两路射频信号的相位差及用于反射信号的编码。

当水平极化支路调整第一路射频信号的幅值为0，在双极化天线16发射一极化方向为垂直的电磁波；同理，当垂直极化支路调整第二路射频信号的幅值为0，在双极化天线16发射一极化方向为水平的电磁波；当调整两路支路的射频信号的幅值和相位，双极化天线16可以发射任意极化方向的电磁波。

所述双极化天线采用双层叠放的介质基板组成，包括：印制于上介质基板下表面的印制频率选择表面阵列，印制于下介质基板上表面的第一辐射单元和第二辐射单元，印制于下介质基板下表面金属地板；所述第一辐射单元与水平极化支路连接，第二辐射单元与垂直极化支路连接；所述第一辐射单元和第二辐射单元相同，第二辐射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°；所述第一辐射单元和第二辐射单元采用同轴馈电的方式；所述印制频率选择表面阵列用于水平极化和垂直极化的电磁波在谐振腔内的反射。

结合图1，所述水平极化支路包括第一可调衰减器2、第一环形器6、第一混频器10、第一中频滤波放大器13。第一可调衰减器2，对第一路射频信号的信号大小进行调整；第一环形器6，将调整好的第一路射频信号传输至双极化天线并接收双极化天线传输回的反射信号；第一混频器10，将反射信号和本振信号进行混频，取下变频；第一中频滤波放大器13，对混频后的信号进行滤波和放大后将信号传输至信号处理及控制电路；

结合图1，所述垂直极化支路包括第一可调衰减器3、第一环形器7、第一混频器11、第一中频滤波放大器14。第二可调衰减器3对第一路射频信号的信号大小进行调整；第二环形器7将调整好的第一路射频信号传输至双极化天线(16)并接收双极化天线传输回的反射信号；第二混频器11将反射信号和本振信号进行进行混频，取下变频；第二中频滤波放大器14对混频后的信号进行滤波和放大后将信号传输至信号处理及控制电路。

本发明的双路信号源分别为水平和垂直极化支路提供相位可控射频信号，经过可调衰减器和环形器后由双极化天线辐射出去，可在空间形成某一极化波；标签天线接收信号，并与匹配负载相连，当其极化与发射信号一致时，标签天线不反射信号，此时回波信号最小；不同的极化方式对应于不同编码。

实施例一

一种变极化的无芯片RFID系统，包括双路信号源1，水平极化支路，垂直极化支路，信号处理及控制电路15，本振12，双极化天线16，标签天线17，匹配负载18。所述水平极化支路包括第一可调衰减器2、第一环形器6、第一混频器10、第一中频滤波放大器13。所述垂直极化支路包括第一可调衰减器3、第一环形器7、第一混频器11、第一中频滤波放大器14。双路信号源1的两个输出端分别与第一可调衰减器2和第二可调衰减器3的输入端连接。第二可调衰减器2的输出端与第一环形器6的第一端口连接，第一环形器6的第二端口与双极化天线16的第一发射单元连接，第一环形器6的第三端口与第一混频器10的第一输入端连接，第一混频器10的第二输入端与本振信号连接，第一混频器10的输出端与第一中频滤波放大器13的输入端连接，第一中频滤波放大器13的输出端与信号处理及控制电路15连接。垂直极化支路的结构与水平极化支路的结构相同。

上述可调衰减器芯片采用Mini公司的压控衰减器HVA-73+,频率范围5.5G-7GHz，衰减度1.3dB到27dB；耦合器采用微带结构的Wilkinson定向耦合器；环形器芯片采用ditommicrowave公司的D3C2060，工作频率2到6GHz：混频器芯片采用Mini公司的SIM-14H+，可用频率范围为3.7GHz到10GHz；中频滤波放大电路芯片采用ADI公司的TL084，芯片内部包括4个运算放大器，其中一个用作有源滤波器，其他三个用作放大器。

结合图2，双路信号源1包括DDS19、两个锁相环20、21，DDS19与信号处理及控制电路15相连，DDS19的两个输出端分别与锁相环20、21相连。其中DDS19芯片采用ADI公司的产品AD9958，能输出两路相互独立的信号；锁相环20、21芯片采用ADI公司的产品ADF4106，其配置单片机采用MST430；采用DDS+PLL方式输出两路相位可控的射频信号。

实施例二

一种变极化的无芯片RFID系统，包括双路信号源1，水平极化支路，垂直极化支路，信号处理及控制电路15，本振12，双极化天线16，标签天线17，匹配负载18。所述水平极化支路包括第一可调衰减器2、第一环形器6、第一混频器10、第一中频滤波放大器13。所述垂直极化支路包括第一可调衰减器3、第一环形器7、第一混频器11、第一中频滤波放大器14。双路信号源的两个输出端分别与水平极化支路第一端口和垂直极化支路第一端口相连，水平极化支路的第二端和垂直极化支路的第二端分别与双极化天线相连，水平极化支路的第三端和垂直极化支路的第三端分别与本振相连，水平极化支路的第四端和垂直极化支路的第四端分别与信号处理及控制电路相连，信号处理及控制电路与双路信号源相连，标签天线与匹配负载相连。双路信号源1的两个输出端分别与第一可调衰减器2和第二可调衰减器3的输入端连接。第二可调衰减器2的输出端与第一环形器6的第一端口连接，第一环形器6的第二端口与双极化天线16的第一发射单元连接，第一环形器6的第三端口与第一混频器10的第一输入端连接，第一混频器10的第二输入端与本振信号连接，第一混频器10的输出端与第一中频滤波放大器13的输入端连接，第一中频滤波放大器13的输出端与信号处理及控制电路15连接。垂直极化支路的结构与水平极化支路的结构相同。

上述可调衰减器芯片采用Mini公司的压控衰减器HVA-73+,频率范围5.5G-7GHz，衰减度1.3dB到27dB；耦合器采用微带结构的Wilkinson定向耦合器；环形器芯片采用ditommicrowave公司的D3C2060，工作频率2到6GHz：混频器芯片采用Mini公司的SIM-14H+，可用频率范围为3.7GHz到10GHz；中频滤波放大电路芯片采用ADI公司的TL084，芯片内部包括4个运算放大器，其中一个用作有源滤波器，其他三个用作放大器。

由于在实际使用过程中，环行器存在泄漏信号的现象，因此在水平极化支路和垂直极化支路中加入消除耦合器泄漏信号的元器件，包括设置于可调衰减器和环形器之间的耦合器和设置于环形器和混频器之间的泄漏对消模块。所述耦合器用于将调整幅值的射频信号分为两路，其中耦合后的第一路传输至环形器；泄露对消模块，用于将耦合器耦合后的第二路信号与环形器泄漏的信号进行对消。泄露对消模块，包括移相器22、衰减器23、功分器24，移相器22输入端与耦合器相连，输出端与衰减器23相连，功分器24一输入端与衰减器23相连，另一输入端与环形器相连，输出端与混频器相连。其中移相器22芯片采用Hittite公司的HMC247；衰减器23芯片采用Mini公司的压控衰减器HVA-73+；功分器24采用微带结构的Wilkinson功分器。

泄露对消模块具体工作过程：耦合器从发射信号中耦合过来一部分能量作为对消信号，经过移相器(22)和衰减器(23)，使其与从环形器泄露过来的泄露信号幅值相等，相位相反，二者在合路器(24)中叠加，从而达到相互抵消的效果。

结合图2，双路信号源1包括DDS19、两个锁相环20、21，DDS19与信号处理及控制电路15相连，DDS19的两个输出端分别与锁相环20、21相连。其中DDS19芯片采用ADI公司的产品AD9958，能输出两路相互独立的信号；锁相环20、21芯片采用ADI公司的产品ADF4106，其配置单片机采用MST430；采用DDS+PLL方式输出两路相位可控的射频信号。

实施例三

一种变极化的无芯片RFID系统，包括双路信号源1，水平极化支路，垂直极化支路，信号处理及控制电路15，本振12，双极化天线16，标签天线17，匹配负载18。所述水平极化支路包括第一可调衰减器2、第一环形器6、第一混频器10、第一中频滤波放大器13。所述垂直极化支路包括第一可调衰减器3、第一环形器7、第一混频器11、第一中频滤波放大器14。双路信号源1的两个输出端分别与第一可调衰减器2和第二可调衰减器3的输入端连接。第二可调衰减器2的输出端与第一环形器6的第一端口连接，第一环形器6的第二端口与双极化天线16的第一发射单元连接，第一环形器6的第三端口与第一混频器10的第一输入端连接，第一混频器10的第二输入端与本振信号连接，第一混频器10的输出端与第一中频滤波放大器13的输入端连接，第一中频滤波放大器13的输出端与信号处理及控制电路15连接。垂直极化支路的结构与水平极化支路的结构相同。

上述可调衰减器芯片采用Mini公司的压控衰减器HVA-73+,频率范围5.5G-7GHz，衰减度1.3dB到27dB；耦合器采用微带结构的Wilkinson定向耦合器；环形器芯片采用ditommicrowave公司的D3C2060，工作频率2到6GHz：混频器芯片采用Mini公司的SIM-14H+，可用频率范围为3.7GHz到10GHz；中频滤波放大电路芯片采用ADI公司的TL084，芯片内部包括4个运算放大器，其中一个用作有源滤波器，其他三个用作放大器。

结合图2，双路信号源1包括DDS19、两个锁相环20、21，DDS19与信号处理及控制电路15相连，DDS19的两个输出端分别与锁相环20、21相连。其中DDS19芯片采用ADI公司的产品AD9958，能输出两路相互独立的信号；锁相环20、21芯片采用ADI公司的产品ADF4106，其配置单片机采用MST430；采用DDS+PLL方式输出两路相位可控的射频信号。

结合图3，所述双极化天线16采用双层叠放的介质基板组成，包括：印制于上介质基板下表面的印制频率选择表面阵列，印制于下介质基板上表面的第一辐射单元和第二辐射单元，印制于下介质基板下表面金属地板；所述第一辐射单元与水平极化支路连接，第二辐射单元与垂直极化支路连接；所述第一辐射单元和第二辐射单元相同，第二辐射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°；所述第一辐射单元和第二辐射单元采用同轴馈电的方式；所述印制频率选择表面阵列用于水平极化和垂直极化的电磁波在谐振腔内的反射。

所述频率选择表面阵列由矩形金属贴片组成，矩形金属贴片共30个，分为5行6列，且均匀分布。在实际情况中并非一定采用该种结构，只要能够满足使水平极化和垂直极化的电磁波在谐振腔内经过多次反射后，都可以透射过FSS盖板，透射的电磁波实现同相叠加，从而有效提高增益即可。

所述第一发射单元和第二发射单元为相同结构的矩形金属贴片，采用同轴馈电的方式馈电(如图3中的白色圆点为馈电轴的接触点)。所述第二发射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°印制于下层介质基板上。实际应用中并非只能选取矩形金属贴片，只要可以满足第二发射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°，根据计算和反震确定馈电轴接触点即可。

实施例四

一种变极化的无芯片RFID系统，包括双路信号源1，水平极化支路，垂直极化支路，信号处理及控制电路15，本振12，双极化天线16，标签天线17，匹配负载18。所述水平极化支路包括第一可调衰减器2、第一环形器6、第一混频器10、第一中频滤波放大器13。所述垂直极化支路包括第一可调衰减器3、第一环形器7、第一混频器11、第一中频滤波放大器14。双路信号源1的两个输出端分别与第一可调衰减器2和第二可调衰减器3的输入端连接。第二可调衰减器2的输出端与第一环形器6的第一端口连接，第一环形器6的第二端口与双极化天线16的第一发射单元连接，第一环形器6的第三端口与第一混频器10的第一输入端连接，第一混频器10的第二输入端与本振信号连接，第一混频器10的输出端与第一中频滤波放大器13的输入端连接，第一中频滤波放大器13的输出端与信号处理及控制电路15连接。垂直极化支路的结构与水平极化支路的结构相同。

上述可调衰减器芯片采用Mini公司的压控衰减器HVA-73+,频率范围5.5G-7GHz，衰减度1.3dB到27dB；耦合器采用微带结构的Wilkinson定向耦合器；环形器芯片采用ditommicrowave公司的D3C2060，工作频率2到6GHz：混频器芯片采用Mini公司的SIM-14H+，可用频率范围为3.7GHz到10GHz；中频滤波放大电路芯片采用ADI公司的TL084，芯片内部包括4个运算放大器，其中一个用作有源滤波器，其他三个用作放大器。

结合图2，双路信号源1包括DDS19、两个锁相环20、21，DDS19与信号处理及控制电路15相连，DDS19的两个输出端分别与锁相环20、21相连。其中DDS19芯片采用ADI公司的产品AD9958，能输出两路相互独立的信号；锁相环20、21芯片采用ADI公司的产品ADF4106，其配置单片机采用MST430；采用DDS+PLL方式输出两路相位可控的射频信号。

结合图3，所述双极化天线16采用双层叠放的介质基板组成，包括：印制于上介质基板下表面的印制频率选择表面阵列，印制于下介质基板上表面的第一辐射单元和第二辐射单元，印制于下介质基板下表面金属地板；所述第一辐射单元与水平极化支路连接，第二辐射单元与垂直极化支路连接；所述第一辐射单元和第二辐射单元相同，第二辐射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°；所述第一辐射单元和第二辐射单元采用同轴馈电的方式；所述印制频率选择表面阵列用于水平极化和垂直极化的电磁波在谐振腔内的反射。

所述频率选择表面阵列由矩形金属贴片组成，矩形金属贴片共30个，分为5行6列，且均匀分布。在实际情况中并非一定采用该种结构，只要能够满足使水平极化和垂直极化的电磁波在谐振腔内经过多次反射后，都可以透射过FSS盖板，透射的电磁波实现同相叠加，从而有效提高增益即可。

所述第一发射单元和第二发射单元为相同结构的矩形金属贴片，采用同轴馈电的方式馈电(如图3中的白色圆点为馈电轴的接触点)。所述第二发射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°印制于下层介质基板上。实际应用中并非只能选取矩形金属贴片，只要可以满足第二发射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°，根据计算和反震确定馈电轴接触点即可。

结合图6，信号处理电路15包括A/D转换电路25、FPGA26、系统配置电路27、数据存储28、JTAG和AS接口29、显示模块30。A/D转换电路25采用ADI公司产品AD7322配合外围电路构成。FPGA26采用的是Xilinx公司产品XC6SLX100-2FGG676C。数据存储28采用numonyx公司产品M25PX64配合外围电路构成。

具体工作过程为：系统配置电路27保证FPGA26实现正常工作，JTAG和AS接口29为FPGA69提供程序的下载和在线仿真调试功能，A/D转换电路25将输入的模拟信号数字化后输出至FPGA69，显示模块30将FPGA26对回波的编码显示出来。

Claims (6)

1.一种变极化的无芯片RFID系统，包括反射发射电磁波的标签天线，其特征在于，还包括：

双路信号源，产生两路频率相同、相位任意可控的射频信号，

水平极化支路，在信号发射过程中调整第一路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号信号进行混频，取下变频后滤波放大，

垂直极化支路，在信号发射过程中调整第二路射频信号幅值，在接收反射信号时对反射信号与本振信号信号进行混频，取下变频后滤波放大，

双极化天线，发射两路幅值和相位可调的射频信号并激励呈一对极化方向垂直的线极化电磁波，两路线极化电磁波叠加呈任意极化的电磁波，且接收反射信号，

信号处理及控制电路，用于调节双路信号源的两路射频信号的相位差及用于反射信号的编码。

2.根据权利要求1所述的变极化的无芯片RFID系统，其特征在于，所述双极化天线采用双层叠放的介质基板组成，包括：

印制于上介质基板下表面的印制频率选择表面阵列，

印制于下介质基板上表面的第一辐射单元和第二辐射单元，

印制于下介质基板下表面金属地板；

所述第一辐射单元与水平极化支路连接，第二辐射单元与垂直极化支路连接；

所述第一辐射单元和第二辐射单元相同，第二辐射单元按照第一辐射单元辐射方向旋转90°；

所述第一辐射单元和第二辐射单元采用同轴馈电的方式；

所述印制频率选择表面用于提高水平极化和垂直极化的电磁波在辐射方向的增益。

3.根据权利要求1或2所述的变极化的无芯片RFID系统，其特征在于，

所述水平极化支路包括：

第一可调衰减器，对第一路射频信号的信号大小进行调整，

第一环形器，将调整好的第一路射频信号传输至双极化天线并接收双极化天线传输回的反射信号，

第一混频器，将反射信号和本振信号进行混频，取下变频，

第一中频滤波放大器，对混频后的信号进行滤波和放大后将信号传输至信号处理及控制电路；

所述垂直极化支路包括：

第二可调衰减器，对第一路射频信号的信号大小进行调整，

第二环形器，将调整好的第一路射频信号传输至双极化天线(16)并接收双极化天线传输回的反射信号，

第二混频器，将反射信号和本振信号进行进行混频，取下变频，

第二中频滤波放大器，对混频后的信号进行滤波和放大后将信号传输至信号处理及控制电路。

4.根据权利要求3所述的变极化的无芯片RFID系统，其特征在于，

所述水平极化支路还包括：

第一耦合器，用于将调整后的第一路射频信号分为两路，其中耦合后的第一路传输至第一环形器，

第一泄露对消模块，用于将第一耦合器耦合后的第二路信号与第一环行器泄漏的信号进行对消；

所述垂直极化支路还包括：

第二耦合器，用于将调整后的第二路射频信号分为两路，其中耦合后的第二路传输至第二环形器，

第二泄露对消模块，用于将第二耦合器耦合后的第二路信号与第一环行器泄漏的信号进行对消。

5.根据权利要求4所述的变极化的无芯片RFID系统，其特征在于，

所述第一泄露对消模块包括依次连接的第一移相器、第一衰减器和第一功分器，其中第一移相器与第一耦合器连接，所述第一功分器输入端与第一环形器连接，输出端与第一混频器连接；

所述第二泄露对消模块包括依次连接的第二移相器、第二衰减器和第二功分器，其中第二移相器与第二耦合器连接，所述第二功分器输入端与第二环形器连接，输出端与第二混频器连接。

6.根据权利要求3所述的变极化的无芯片RFID系统，其特征在于，所述双路信号源包括：

数字频率合成器，产生两路独立的中频信号，

第一锁相环，利用数字频率合成器产生的第一路中频信号作参考信号，进行倍频，生成第一路射频信号，

第二锁相环，利用数字频率合成器产生的第二路中频信号作参考信号，进行倍频，生成第二路射频信号；

所述数字频率合成器与信号处理及控制电路连接。