CN105138034B - 一种用于电子设备中的集成电路的热量控制方法及其热量控制系统 - Google Patents

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CN105138034B CN201510340127.2A CN201510340127A CN105138034B CN 105138034 B CN105138034 B CN 105138034B CN 201510340127 A CN201510340127 A CN 201510340127A CN 105138034 B CN105138034 B CN 105138034B
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Abstract

本发明提供了一种热量控制方法和热量控制系统。所述热量控制方法包括：检测电子设备的元件的温度变化，以生成一检测结果；并根据所述检测结果判定集成电路的温度阈值，作为降频点。所述热量控制系统包括：检测单元，用于检测电子设备的元件的温度变化，以生成一检测结果；和判定单元，用于根据所述检测结果判定集成电路的温度阈值，作为降频点。本发明所公开的热量控制方法和热量控制系统具有平稳的应用性能能够提供更好的用户体验，且本发明可更好地适应环境变化并可更好地动态地管理热量。

Description

一种用于电子设备中的集成电路的热量控制方法及其热量控 制系统
技术领域
本发明涉及一种热量控制方法和热量控制系统，更具体地，涉及一种能够更好地适应环境变化并可更好地动态地管理热量的热量控制方法和热量控制系统。
背景技术
请参见图1。图1为传统的手机热量控制方法的时间图。如图1所示，传统的热量控制方法仅检测手机片上系统(system on chip，Soc)的当前温度，当片上系统的温度到达90℃(即降频点)时，传统的热量控制方法开始降频(即降低CPU的频率)。因此，在传统的热量控制方法中，降频过程迅速发生，且降频的幅度很大。例如，图1中，所述手机在全速下运行的时间仅为17秒钟，而传统的热量控制方法在17秒后才开始降频。
发明内容
根据本发明的实施例，提供了一种热量控制方法和热量控制系统，用以解决上述问题。
根据本发明的一个方面，公开了一种典型的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法。所述热量控制方法包括：连续地检测电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果；根据第一检测结果和第一函数判定集成电路当前温度阈值；并根据所检测到的元件的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使集成电路达到目标温度阈值。
根据本发明的一个方面，公开了一种典型的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统。所述热量控制系统包括：第一检测单元和判定单元。第一检测单元用于连续地检测电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果。判定单元耦接至第一检测单元，其用于根据第一检测结果和第一函数判定集成电路的当前温度阈值，并根据所检测到的元件的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使集成电路达到目标温度阈值。
简言之，本发明所公开的热量控制方法和热量控制系统具有平稳的应用性能能够提供更好的用户体验，且本发明可更好地适应环境变化并可更好地动态地管理热量。
本发明的这些及其他的目的对于本领域的技术人员来说，在阅读了下述优选实施例的详细说明以后是很容易理解和明白的，所述优选实施例通过多幅图予以揭示。
附图说明
图1为传统的手机热量控制方法的时间图。
图2为本发明的第一实施例的用于电子设备中的集成电路的一种热量控制系统的简图。
图3为图2中的热量控制系统所执行的热量控制过程的典型实施例的时间图。
图4为根据图2中的热量控制系统的操作方案的一种热量控制方法的流程图。
图5为本发明的第二实施例的用于电子设备中的集成电路的一种热量控制系统的简图。
图6为图5中的热量控制系统所执行的热量控制过程的第一典型实施例的图。
图7为图5中的热量控制系统所执行的热量控制过程的第二典型实施例的图。
图8为图5中的热量控制系统所执行的热量控制过程的第三典型实施例的图。
图9为根据图5中的热量控制系统的操作方案的一种热量控制方法的流程图。
图10为本发明的第三实施例的用于电子设备中的集成电路的一种热量控制系统的简图。
图11为图10中的热量控制系统所执行的热量控制过程的第一典型实施例的图。
图12为图10中的热量控制系统所执行的热量控制过程的第二典型实施例的图。
图13为图10中的热量控制系统所执行的热量控制过程的第三典型实施例的图。
图14为根据图10中的热量控制系统的操作方案的一种热量控制方法的流程图。
图15为根据图10中的热量控制系统的操作方案的一种热量控制方法的另一流程图。
具体实施方式
本说明书及权利要求书使用了某些词语代指特定的元件。本领域的技术人员可理解的是，制造商可能使用不同的名称代指同一元件。本文件不通过名字的差别，而通过功能的差别来区分元件。在以下的说明书和权利要求书中，词语“包括”是开放式的，因此其应理解为“包括，但不限于...”。
请参见图2。图2为本发明的第一实施例的用于电子设备300中的集成电路200的热量控制系统100的简图，其中电子设备300可为手机，而集成电路200可为所述手机的片上系统(system on chip，SoC)。如图2所示，热量控制系统100包括：检测单元102和判定单元104。检测单元102用于检测电子设备300的元件210的温度变化，以生成一检测结果，其中，元件210可为所述手机的印刷电路板(printed circuit board，PCB)。
第一检测单元用于连续地检测电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果。判定单元耦接至第一检测单元，其用于根据第一检测结果和第一函数判定集成电路当前温度阈值，并根据所检测到的元件的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使集成电路达到目标温度阈值。
检测单元102检测电子设备300的元件210的温度变化，以生成所述检测结果的函数包括：检测元件210的当前温度值；判定元件210的初始温度值；并将元件210的当前温度值同初始温度值进行比较，以生成所述检测结果。
判定元件210的初始温度值的函数包括：比较所检测到的当前温度值和第一温度阈值；如果所检测到的当前温度值高于第一温度阈值，则使用第一温度阈值作为元件210的初始温度值；如果所检测到的当前温度值低于第一温度阈值，即利用集成电路200的功率值、包装材料的热变电阻系数和环境温度值以计算元件210的初始温度值。第一温度阈值对应于电子设备300的外壳(即电子设备300的外皮)的预定的温度阈值。
判定单元104耦接至检测单元102，其用于根据检测结果判定集成电路200的温度阈值，作为集成电路200的降频点。
根据检测结果判定集成电路200的温度阈值的函数包括：如果检测结果显示温度变化量低于预定的温度值，则使用预定的温度阈值作为集成电路200的温度阈值；如果检测结果显示温度变化量不低于预定的温度 值，即判定第二温度阈值，作为集成电路200的温度阈值，其中，第二温度阈值低于预定的温度阈值。
判定第二温度阈值的函数包括：计算预定的温度阈值和集成电路200的温度变化之间的差值以生成一计算结果，其中，集成电路200的温度变化对应于元件210的温度变化；将计算结果同第一温度阈值进行比较；如果计算结果高于第一温度阈值，即使用所述计算结果作为第二温度阈值；如果计算结果不高于第一温度阈值，即使用第一温度阈值作为第二温度阈值。
举例如下，检测单元102检测元件210的当前温度值。然后，检测单元102对所检测到的当前温度值同第一温度阈值70℃进行比较，其中，第一温度阈值对应于电子设备300的外壳(即电子设备300的外皮)的预定的温度阈值50℃。如果所检测到的当前温度值为75℃，即高于第一温度阈值70℃，则第一温度阈值70℃将被作为元件210的初始温度值。请注意，以上实施例仅用于解释，而不应被理解为对本发明的限制。例如，第一温度阈值可根据不同的手机而改变。
如果所检测到的当前温度值为55℃，即低于第一温度阈值70℃，则利用集成电路200的功率值、包装材料的热变电阻系数和环境温度值来计算元件210的初始温度值。例如，可通过将集成电路200的功率值同包装材料的热变电阻系数相乘，再加上环境温度值(如25℃)来计算所述初始温度值为50℃。请注意，以上实施例仅用于解释，而不应被理解为对本发明的限制。例如，环境温度值可根据不同的条件改变，而初始温度值也将相应地改变。
接着，检测单元102对所检测到的元件210的当前温度值同其初始温度值进行比较，以生成检测结果，且判定单元104根据所述检测结果判定集成电路200的温度阈值，作为降频点。
例如，如果元件210的当前温度值为75℃，而元件210的初始温度值为70℃，预定的温度值为10℃，则所述检测结果显示元件210的温度变化量为5℃，即低于预定的温度值10℃，因此，预定的温度阈值90℃将被用作集成电路200的温度阈值(即降频点)。请注意，以上实施例仅用于解释，而不应被理解为对本发明的限制。例如，预定的温度值可根据不同的设计要求而改变。
如果元件210的当前温度值为85℃，而元件210的初始温度值为70℃，预定的温度值为10℃，则所述检测结果显示元件210的温度变化量为15℃，即不低于预定的温度值10℃，因此，第二温度阈值将被判定为集成电路200的温度阈值。
判定第二温度阈值的函数包括：计算预定的温度阈值和集成电路200的温度变化之间的差值，以生成一计算结果，其中，集成电路200的温度变化对应于元件210的温度变化；将计算结果同第一温度阈值70℃进行比较；如果计算结果高于第一温度阈值70℃，则使用所述计算结果作为第二温度阈值；如果计算结果不高于第一温度阈值70℃，则使用第一温度阈值70℃作为第二温度阈值。集成电路200的温度变化量通过将手机参数同元件210的温度变化量相乘而生成。
例如，如果预定的温度阈值为90℃，手机参数为1，元件210的当前温度值为85℃且元件210的初始温度值为70℃(即元件210的温度变化量为15℃)，则计算过程为90℃-(85℃-70℃)×1，计算结果为75℃，高于第一温度阈值70℃，因此，所述计算结果75℃将被用作第二温度阈值。
如果预定的温度阈值为90℃，手机参数为2，元件210的当前温度值为85℃且元件210的初始温度值为70℃(即元件210的温度变化量为15℃)，则计算过程为90℃-(85℃-70℃)×2，计算结果为60℃，不高 于第一温度阈值70℃，因此，第一温度阈值70℃将被用作第二温度阈值。
换言之，假定集成电路的温度阈值为Tj_limit，元件210的当前温度值为T_PCB_now，元件210的初始温度值为T_PCB_ini，预定的温度值为T_pcb_hot，预定的温度阈值为Tj_high，第一温度阈值为Tj_lowbound，第二温度阈值为Tj_low，第一函数的参数为A，则上述热量控制系统100的热量控制过程可通过以下算法总结如下：
If(T_PCB_now-T_PCB_ini)＜T_pcb_hot
Then Tj_limit＝Tj_high
Else Tj_limit＝Tj_low＝Max(Tj_high-(T_PCB_now-T_PCB_ini)×A；Tj_lowbound)
请参见图3。图3为上述热量控制过程的一典型实施例的时间图。如图3所示，可在电子设备300的外皮不过热的情况下实现更优的CPU性能，且本发明可更好地适应环境变化，并可更好地动态地管理热量。例如，图3中，手机的全速运行时间约为300秒钟，而所述热量控制方法在300秒后开始降频。此外，本发明的热量控制方法不仅检测手机的SoC的当前温度值，而且不单单仅根据手机的SoC的当前温度值决定执行所述动态热量管理。相反，本发明在执行所述动态热量管理时，综合考虑手机的片上系统的当前温度值、手机的印刷电路板的温度变化以及环境温度。因此，本发明可更好地适应环境变化，并可更好地动态地管理热量。
请参见图4。图4为根据上述实施例中的热量控制系统100的操作方案的一种热量控制方法的流程图。假如结果实质上相同的话，图4中的步骤不必按照图4所示的确切顺序执行。依照本发明的热量控制系统100的上述实施例的热量控制方法包括以下步骤：
步骤400：开始。
步骤402：检测元件的当前温度值。
步骤404：判定元件的初始温度值。
步骤406：将元件的当前温度值同其初始温度值进行比较，以生成一温度变化量；如果温度变化量低于预定的温度值，则执行步骤408；如果温度变化量不低于预定的温度值，则执行步骤410。
步骤408：使用预定的温度阈值作为集成电路的温度阈值。
步骤410：判定第二温度阈值作为集成电路的温度阈值，其中，第二温度阈值低于预定的温度阈值。
此外，步骤404判定元件的初始温度值，包括：比较所检测到的当前温度值和第一温度阈值；如果所检测到的当前温度值高于第一温度阈值，则使用第一温度阈值作为元件的初始温度值；如果所检测到的当前温度值低于第一温度阈值，即利用集成电路的功率值、包装材料的热变电阻系数和环境温度值来计算元件的初始温度值。
步骤410判定第二温度阈值，包括：计算预定的温度阈值和集成电路的温度变化之间的差值，以生成一计算结果，其中，集成电路的温度变化对应于元件的温度变化；将计算结果同第一温度阈值进行比较；如果计算结果高于第一温度阈值，则使用所述计算结果作为第二温度阈值；如果计算结果不高于第一温度阈值，则使用第一温度阈值作为第二温度阈值。
图5为本发明的第二实施例的用于电子设备700的集成电路600的热量控制系统500的简图。电子设备700可为手机，而集成电路600可为手机的片上系统(system on chip，SoC)。热量控制系统500包括第一检测单元502和判定单元504，其中，判定单元504可设置于集成电路600中。第一检测单元502用于连续地检测电子设备700的元件610的当前 温度值，以生成第一检测结果，其中，元件610可为所述手机的印刷电路板(printed circuitboard，PCB)。请注意，以上实施例仅用于解释，而不应被理解为对本发明的限制。例如，电子设备700可为任意种类的移动设备，元件610可为电子设备700的外皮或外壳，而集成电路600可包括CPU、GPU、DSP或MCU。
判定单元504耦接至第一检测单元502，其用于根据第一检测结果和第一函数判定集成电路600的当前温度阈值，并根据所检测到的元件610的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使集成电路600达到目标温度阈值，其中，第一函数可为连续函数。此外，判定单元504可进一步包括用于加载固件的函数，所述固件包括第一函数的参数。
图6为上述热量控制过程的第一实施例的图。第一检测单元502检测电子设备700的元件610的当前温度值，以生成第一检测结果。例如，如果所检测到的元件610的当前温度值T_pcb为42.1℃，高于元件610的第一温度阈值42℃，则判定单元504根据上述检测结果和第一函数判定集成电路600的当前温度阈值Tj_limit为84.6℃。接下来，如果所检测到的元件610的当前温度值T_pcb为42.2℃，高于元件610的第一温度阈值42℃，则判定单元504根据上述检测结果和第一函数判定集成电路600的当前温度阈值Tj_limit为84.2℃。也就是说，如图6所示，当所检测到的元件610的当前温度值T_pcb为46℃时(其等于元件610的第二温度阈值46℃)，判定单元504根据所检测到的元件610的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使集成电路600达到目标温度阈值Tj_limit即69℃。请注意，以上实施例仅用于解释，而不应被理解为对本发明的限制。例如，元件610的第一温度阈值和第二温度阈值可根据不同的设计要求而改变，而第一函数的参数或坡度同样可根据不同的设计要求而改变。例如，请参见图7。图7为上述热量控制过程的第二实施 例的图。如图7所示，由于更平稳的热量控制可增大元件610的发热极限，因此，元件610的第一温度阈值增加到44℃，元件610的第二温度阈值增加到48℃。此外，图7中的本发明的第二实施例比图6中的本发明的第一实施例具有更大的性能增益。另外，请参见图8。图8为上述热量控制过程的第三实施例的图。如图8所示，第一函数的参数被改变，以使得第一函数从直线变成曲线。
同图3所示的实施例进行对比，在这些实施例中的不同的内核加速模式下的温度阈值Tj_limit是连续的。换言之，当前温度阈值是根据所检测到的元件的当前温度值来逐渐进行调节的，以使得集成电路达到目标温度阈值。由于温度阈值Tj_limit不会在短时间内大幅度改变，因此，本发明的这些实施例中的热量控制方法和热量控制系统具有平稳的应用性能能够提供更好的用户体验。
请参见图9。图9为根据图9中的第二实施例的热量控制系统500的操作方案的一种热量控制方法的流程图。假如结果实质上相同的话，图9中的步骤不必按照图9所示的确切顺序执行。依照本发明的热量控制系统500的上述实施例的热量控制方法包括以下步骤：
步骤800：开始。
步骤810：检测电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果。
步骤820：根据第一检测结果和第一函数，如连续函数，判定集成电路的当前温度阈值。
步骤830：根据所检测到的元件的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使得集成电路达到目标温度阈值。
步骤840：执行动态管理(dynamic thermal management，DTM)操作。
此外，在执行步骤810之前，上述热量控制方法可进一步包括用于加载固件的步骤，所述固件包括第一函数的参数。
图10为本发明的第三实施例的用于电子设备700中的集成电路600的热量控制系统900的简图，其中，电子设备700可为手机，而集成电路600可为所述手机的片上系统(system on chip，SoC)。热量控制系统900包括第一检测单元902、第二检测单元904和判定单元906，其中，判定单元906可设置于集成电路600中。第一检测单元902用于检测电子设备700的元件610的当前温度值，以生成第一检测结果，其中，元件610可为所述手机的印刷电路板(printed circuit board，PCB)。第二检测单元904用于连续地检测集成电路600的当前温度值，以生成第二检测结果。请注意，以上实施例仅用于解释，而不应被理解为对本发明的限制。例如，电子设备700可为任意种类的移动设备，元件610可为电子设备700的外皮或外壳，而集成电路600可包括CPU、GPU、DSP或MCU。此外，在另一实施例中，第二检测单元904可被集成入集成电路600中。
判定单元904耦接至第一检测单元902，其用于根据第一检测结果和第一函数判定集成电路600的当前温度阈值，并根据所检测到的元件610的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使集成电路600达到目标温度阈值，其中，第一函数可为连续函数。
判定单元906进一步根据第一检测结果和第二检测结果判定是否进入/退出动态热量管理(dynamic thermal management，DTM)操作，其中，判定单元906根据检测结果判定是否进入/退出DTM操作的函数包括：根据第一检测结果和第二函数判定DTM温度阈值；将集成电路600的当前温度同DTM温度阈值进行比较；如果集成电路600的当前温度高于DTM温度阈值，则进行DTM操作；如果计算结果不高于DTM温度阈值，则退出DTM操作，其中，第二函数可为连续函数。
此外，判定单元906可进一步包括用于加载固件的函数，所述固件包括第一函数和第二函数的参数，其中，第一函数和第二函数可为连续函 数。
图11为上述热量控制过程的第四实施例的图。第一检测单元902检测电子设备700的元件610的当前温度值，以生成第一检测结果，第二检测单元904检测集成电路600的当前温度值，以生成第二检测结果。
如果所检测到的元件610的当前温度值T_pcb为42.1℃，高于元件610的第一温度阈值42℃，则判定单元504根据上述检测结果和第一函数判定集成电路600的当前温度阈值Tj_limit为84.6℃，并根据上述检测结果和第二函数判定DTM温度阈值为74.6℃。然后，判定单元504对集成电路的当前温度同DTM温度阈值Tj_DTM即74.6℃进行比较，如果集成电路600的当前温度Tj为75.6℃，高于DTM温度阈值74.6℃，则进入DTM操作；如果集成电路600的当前温度不高于DTM温度阈值Tj_DTM即74.6℃，则退出DTM操作，其中，第二函数可为连续函数。
接下来，如果所检测到的元件610的当前温度值T_pcb为42.2℃，高于元件610的第一温度阈值42℃，则判定单元504根据上述检测结果和第一函数判定集成电路600的当前温度阈值Tj_limit为84.2℃，并根据上述检测结果和第二函数判定DTM温度阈值为74.2℃。然后，判定单元504对集成电路的当前温度同DTM温度阈值Tj_DTM即74.2℃进行比较，如果集成电路600的当前温度Tj为75.2℃，高于DTM温度阈值74.2℃，则进入DTM操作；如果集成电路600的当前温度Tj不高于DTM温度阈值Tj_DTM即74.2℃，则退出DTM操作，其中，第二函数可为连续函数。
也就是说，如图11所示，当所检测到的元件610的当前温度值为46℃时(其等于元件610的第二温度阈值46℃)，判定单元504根据所检测到的元件610的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使集成电路600达到目标温度阈值Tj_limit即69℃。请注意，以上实施例仅用于解释， 而不应被理解为对本发明的限制。例如，元件610的第一温度阈值和第二温度阈值可根据不同的设计要求而改变，而第一函数的参数或坡度同样可根据不同的设计要求而改变。例如，请参见图12。图12为上述热量控制过程的第五实施例的图。如图13所示，由于更平稳的热量控制可放大元件610的发热极限，因此，元件610的第一温度阈值增加到44℃，元件610的第二温度阈值增加到48℃。此外，图12中的本发明的第五实施例比图11中的本发明的第四实施例具有更大的性能增益。另外，请参见图13。图13为揭示上述热量控制过程的第六实施例的图解。如图13所示，第一函数的参数被改变，以使得第一函数从直线变成曲线。
同图3所示的实施例进行对比，在这些实施例中的不同的内核加速模式下的温度阈值Tj_limit是连续的。换言之，当前温度阈值是根据所检测到的元件的当前温度值逐渐地来进行调节的，以使得集成电路达到目标温度阈值。由于温度阈值Tj_limit不会在短时间内大幅度改变，因此，本发明的这些实施例中的热量控制方法和热量控制系统具有平稳的应用性能能够提供更好的用户体验。
图14为根据图10中的第三实施例中的热量控制系统900的操作方案的一种热量控制方法的流程图。假如结果实质上相同的话，图14中的步骤不必按照图14所示的确切顺序执行。依照本发明的热量控制系统900的上述实施例的热量控制方法包括以下步骤：
步骤1000：开始。
步骤1010：检测电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果。
步骤1020：检测集成电路的当前温度值，以生成第二检测结果。
步骤1030：根据第一检测结果和第一函数判定集成电路的当前温度阈值。
步骤1040：根据第一检测结果和第二函数判定DTM温度阈值。
步骤1050：对集成电路的当前温度同DTM温度阈值进行比较；如果集成电路的当前温度高于DTM温度阈值，则执行步骤1060；如果集成电路的当前温度不高于DTM温度阈值，则执行步骤1010(或退出DTM操作)。
步骤1060：根据所检测到的元件的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使得集成电路达到目标温度阈值。
步骤1070：执行DTM操作。
此外，在执行步骤1010之前，上述热量控制方法可进一步包括用于加载固件的步骤，所述固件包括第一函数和第二函数的参数。
图15为根据图10中的第三实施例中的热量控制系统900的操作方案的一种热量控制方法的另一流程图。假如结果实质上相同的话，图15中的步骤不必按照图15所示的确切顺序执行。依照本发明的热量控制系统900的上述实施例的热量控制方法包括以下步骤：
步骤1100：开始。
步骤1110：检测电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果。
步骤1120：检测集成电路的当前温度值，以生成第二检测结果。
步骤1130：根据第一检测结果和第二函数判定DTM温度阈值。
步骤1140：对集成电路的当前温度同DTM温度阈值进行比较；如果集成电路的当前温度高于DTM温度阈值，则执行步骤1150；如果集成电路的当前温度不高于DTM温度阈值，则执行步骤1110(或退出DTM操作)。
步骤1150：根据第一检测结果和第一函数判定集成电路的当前温度阈值。
步骤1160：根据所检测到的元件的当前温度值逐渐地调节当前温度阈值，以使得集成电路达到目标温度阈值。
步骤1170：执行DTM操作。
此外，在执行步骤1110之前，上述热量控制方法可进一步包括用于加载固件的步骤，所述固件包括第一函数的参数。
本发明所公开的热量控制方法和热量控制系统具有平稳的应用性能能够提供更好的用户体验，且本发明可更好地适应环境变化并可更好地动态地管理热量。
本领域的技术人员将注意到，在获得本发明的指导之后，可对所述装置和方法进行大量的修改和变换。相应地，上述公开内容应该理解为，仅通过所附加的权利要求的界限来限定。

Claims (23)

1.一种用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，包括：
检测所述电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果；
根据所述第一检测结果和第一函数判定所述集成电路的当前温度阈值；并
根据所检测到的所述元件的所述当前温度值逐渐地调节所述当前温度阈值，以使得所述集成电路达到目标温度阈值。
2.如权利要求1所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，
其特征在于，进一步包括：
检测所述集成电路的当前温度值，以生成第二检测结果；并
根据所述第一检测结果和所述第二检测结果判定是否进入/退出动态热量管理操作。
3.如权利要求2所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，根据所述检测结果判定是否进入/退出所述动态热量管理操作的步骤包括：
根据所述第一检测结果和第二函数判定动态热量管理温度阈值；
将所述集成电路的所述当前温度与所述动态热量管理温度阈值进行比较；
如果所述集成电路的所述当前温度高于所述动态热量管理温度阈值，则进入所述动态热量管理操作；而
如果所述比较结果不高于所述动态热量管理温度阈值，则退出所述动态热量管理操作。
4.如权利要求3所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，进一步包括：
加载固件，所述固件包括所述第一函数和所述第二函数的参数。
5.如权利要求3所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，所述第一函数和所述第二函数均为连续函数。
6.如权利要求1所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，进一步包括：
连续地检测所述集成电路的当前温度值，以生成第二检测结果；
在根据所述检测结果判定所述集成电路的所述当前温度阈值之后，根据所述第一检测结果和所述第二检测结果判定是否进入/退出动态热量管理操作。
7.如权利要求6所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，根据所述检测结果判定是否进入/退出所述动态热量管理操作的步骤包括：
根据所述第一检测结果和第二函数判定动态热量管理温度阈值；
将所述集成电路的所述当前温度与所述动态热量管理温度阈值进行比较；
如果所述集成电路的所述当前温度高于所述动态热量管理温度阈值，则进入所述动态热量管理操作；而
如果所述比较结果不高于所述动态热量管理温度阈值，则退出所述动态热量管理操作。
8.如权利要求7所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，进一步包括：
加载固件，所述固件包括所述第一函数和所述第二函数的参数。
9.如权利要求7所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，所述第一函数和所述第二函数均为连续函数。
10.如权利要求1所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制方法，其特征在于，所述第一函数为连续函数。
11.一种用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，包括：
第一检测单元，其用于检测所述电子设备的元件的当前温度值，以生成第一检测结果；和
判定单元，其耦接至所述第一检测单元，用于根据所述第一检测结果和第一函数判定所述集成电路的当前温度阈值，并根据所检测到的所述元件的所述当前温度值逐渐地调节所述当前温度阈值，以使所述集成电路达到目标温度阈值。
12.如权利要求11所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，进一步包括：
第二检测单元，其用于连续地检测所述集成电路的当前温度值，以生成第二检测结果；
其中，所述判定单元进一步根据所述第一检测结果和所述第二检测结果进一步判定是否进入/退出动态热量管理操作。
13.如权利要求12所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述判定单元根据所述检测结果判定是否进入/退出所述动态热量管理操作的函数包括：
根据所述第一检测结果和第二函数判定动态热量管理温度阈值；
对所述集成电路的所述当前温度同所述动态热量管理温度阈值进行比较；
如果所述集成电路的所述当前温度高于所述动态热量管理温度阈值，则进入所述动态热量管理操作；而
如果所述比较结果不高于所述动态热量管理温度阈值，则退出所述动态热量管理操作。
14.如权利要求13所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述判定单元进一步包括用于加载固件的函数，所述固件包括所述第一函数和所述第二函数的参数。
15.如权利要求13所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述第一函数和所述第二函数均为连续函数。
16.如权利要求11所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，进一步包括：
第二检测单元，其用于连续地检测所述集成电路的当前温度值，以生成第二检测结果；
其中，所述判定单元在根据所述检测结果判定所述集成电路的所述当前温度阈值之后，进一步根据所述第一检测结果和所述第二检测结果判定是否进入/退出动态热量管理操作。
17.如权利要求16所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述判定单元根据所述检测结果判定是否进入/退出所述动态热量管理操作的函数包括：
根据所述第一检测结果和第二函数判定动态热量管理温度阈值；
将所述集成电路的所述当前温度与所述动态热量管理温度阈值进行比较；
如果所述集成电路的所述当前温度高于所述动态热量管理温度阈值，则进入所述动态热量管理操作；而
如果所述比较结果不高于所述动态热量管理温度阈值，则退出所述动态热量管理操作。
18.如权利要求17所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述判定单元进一步包括用于加载固件的函数，所述固件包括所述第一函数和所述第二函数的参数。
19.如权利要求17所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述第一函数和所述第二函数均为连续函数。
20.如权利要求11所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述第一函数为连续函数。
21.如权利要求11所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述电子设备为手机。
22.如权利要求21所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述元件为所述手机的印刷电路板。
23.如权利要求21所述的用于电子设备中的集成电路的热量控制系统，其特征在于，所述集成电路为所述手机的片上系统。
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