CN105119479A - 启动时间可调的高压启动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及启动时间可调的高压启动电路，第一NMOS晶体管漏极与第一电阻第一端、第二NMOS晶体管栅极以及二极管负向端相连，第一NMOS晶体管源极与二极管正向端连接电源地，第二NMOS晶体管漏极与第一电阻第二端连接芯片SW端口，第二NMOS晶体管源极与第二电阻第一端连接芯片供电端口VDD，第二电阻第二端连接第三电阻第一端和第一比较器第一输入端，第一比较器输出端连接第一计数器，第一计数器的输出端连接PWM控制器，第一比较器检测VDD电压水平产生控制信号Ctrl1，第一计数器对Ctrl1上升沿或下降沿进行计数，产生初启使能信号和重启使能信号，灵活调节芯片上电启动及异常状况下重新启动的时间。
Description
技术领域
本发明涉及一种启动时间可调的高压启动电路，适用于电源管理集成电路，属于功率半导体技术领域。
背景技术
传统启动电路启动方式对应的工作波形，如图1，T1时间段开始时刻，系统上电，启动开始，VDD电压持续升高，在T1时间段结束时刻VDD电压达阈值VTH1，芯片正常工作，T2时间段为正常工作阶段。在T2内某一时刻有一异常状况发生，VDD电压下降，待VDD电压下降至阈值VTH2时，欠压锁存信号UVLO有效，芯片进入异常重启阶段T3。在T3结束时VDD电压再次上升至VTH1，芯片再次正常工作并重新检测异常状况，若异常状况保持或再次出现，则前述重启过程重复进行，直至某一时刻异常状况解除，在接下来的重启过程结束后芯片进入正常工作阶段T5。
传统启动方式虽然能够保证芯片正常地启动以及异常状况下重启，但是这种启动方式芯片上电启动及异常状况下重新启动的时间是固定不可调节的，且芯片上电启动及异常状况下重新启动速度相同。例如，上电启动很快时，异常状况下重新启动时间也会很短，会导致异常状况下重新启动时输入功率较大，功率损耗较大；如果为了减少异常状况下的功耗，减慢重启速度，则上电启动速度也会减慢，有可能不能满足应用要求。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种启动时间可调的高压启动电路，有效解决芯片上电启动和异常状况下重新启动之间的矛盾，可根据应用需求调节不同的芯片上电启动和异常状况下重新启动时间，得到更佳的系统应用效果。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
启动时间可调的高压启动电路，特点是：包含第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一比较器以及第一计数器，第一NMOS晶体管的漏极与第一电阻的第一端、第二NMOS晶体管的栅极以及二极管的负向端相连，第一NMOS晶体管的源极与二极管的正向端一起连接至电源地，第二NMOS晶体管的漏极与第一电阻的第二端一同连接至芯片SW端口，第二NMOS晶体管的源极与第二电阻的第一端一同连接至芯片供电端口VDD，第二电阻的第二端连接至第三电阻的第一端和第一比较器的第一输入端，第三电阻的第二端与电源地相连，第一比较器的输出端连接第一计数器，第一计数器的第一输出端和第二输出端连接至高压启动电路外的PWM控制器，第一比较器检测芯片供电端口电压VDD电压水平并产生控制信号Ctrl1，第一计数器通过对控制信号Ctrl1的上升沿或下降沿进行计数，并产生初启使能信号1和重启使能信号1，以分别调节芯片上电启动和异常状况下重新启动的时间。
进一步地，上述的启动时间可调的高压启动电路，其中，所述第一比较器的第二输入端由第一比较器输出端信号控制选择连接至芯片内部产生阈值K*VTH1和K*VTH2，所述比例K为VDD电压分压比例，由包含第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的分压结构产生，其大小为：
所述阈值VTH1为控制信号Ctrl1翻转为高时的VDD电压阈值，所述阈值VTH2为控制信号Ctrl1翻转为低时的VDD电压阈值，且VTH1>VTH2，VTH2大于芯片内部电源掉电时的VDD电压阈值；第一比较器输出信号为高时其第二输入端连接至K*VTH2，第一比较器输出信号为低时其第二输入端连接至K*VTH1。
所述控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作或停止工作，产生VDD电压的上升及下降，进而产生控制信号Ctrl1的翻转；所述第一计数器所计控制信号Ctrl1的沿事件的类别和数目是可配置。芯片上电启动时所计数目配置为N1个控制信号Ctrl1下降沿，N1为任意正整数；异常状况下重新启动时所计数目配置则为N2个控制信号Ctrl1下降沿，N2为任意正整数。
芯片上电启动期间，高压启动电路于VDD上升至VTH1前工作，于下降至VTH2前停止工作。在控制信号Ctrl1经历N1(N1为任意正整数)个上升沿或下降沿后完成启动，VDD电压达到阈值VTH1大小且初启使能信号有效，此后芯片正常工作。其后若某一时刻有异常情况发生，高压启动电路屏蔽芯片开关波输出，由于能量传输中止，VDD电压下降，当下降至阈值VTH2时，控制信号Ctrl1触发为有效，高压启动电路开始工作，VDD电压在一定时间后被充至阈值VTH1，高压启动电路停止工作，而此时开关波输出仍被保护电路屏蔽，VDD电压再次下降，如此反复。期间第一计数器对控制信号下降沿或上升沿计数，计至N2(N2为任意正整数)次时重启使能信号有效，此时若异常状况已经解除，在VDD电压充至芯片阈值VTH1后，异常状况下重新启动结束，芯片开始正常工作。若异常状况仍未解除，VDD电压再次下降，芯片再一次进入异常重启状态，并在第一计数器计数至N2次后重启使能信号再次有效而后判断。由于阈值VTH2值大于内部电源掉电的VDD阈值，异常状况下重新启动期间内部电路电源一直保持不掉电，内部电路状态一直保持，以供高压启动电路定期检测。
再进一步地，上述的启动时间可调的高压启动电路，还包括第二比较器、第二计数器、二选一数据选择器以及或门，所述第二比较器的第一输入端连接第二电阻的第二端，第二比较器的输出端连接至二选一数据选择器的第二输入端和第二计数器，第二计数器的第一输出端和第二输出端分别连接至PWM控制器，所述二选一数据选择器的第一输入端与第一比较器的输出端相连，二选一数据选择器的选择端与或门的输出端相连，或门的第一输入端和第二输入端分别与第一计数器的第一输出端和第二输出端相连；第二比较器检测芯片供电端口电压VDD电压水平并产生控制信号Ctrl2，所述控制信号Ctrl2为自供电电源信号或其指示信号，第二计数器(202)通过对控制信号Ctrl2的上升沿或下降沿进行计数，并产生初启使能信号2和重启使能信号2。
再进一步地，上述的启动时间可调的高压启动电路，其中，所述二选一数据选择器的输出端与NMOS晶体管的栅极相连。所述第二比较器的第二输入端由第二比较器输出端信号控制选择连接至芯片内部产生的阈值K*VTH3和K*VTH4，所述比例K为VDD电压分压比例，由包含第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的分压结构产生，其大小为：
所述阈值VTH3为控制信号Ctrl2翻转为高时VDD电压阈值，即自供电电源建立时VDD电压阈值，所述阈值VTH4为控制信号Ctrl2翻转为低时VDD电压阈值，即自供电电源掉电时VDD电压阈值，且VTH3>VTH4，VTH1>VTH2>VTH4；第二比较器输出信号为高时其第二输入端连接至K*VTH4，第二比较器输出信号为低时其第二输入端连接至K*VTH3。
第二比较器检测芯片供电端口电压VDD电压水平产生控制信号Ctrl2和第一比较器检测芯片供电端口电压VDD电压水平产生控制信号Ctrl1被选择用以控制高压启动电路工作及停止工作，从而产生VDD电压的上升及下降，进而产生控制信号Ctrl1和控制信号Ctrl2的翻转；上电启动期间初启使能信号1无效时控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作与否，初启使能信号1有效时控制信号Ctrl2控制高压启动电路工作与否，异常状况下重新启动期间重启使能信号1无效时控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作与否，重启使能信号1有效时控制信号Ctrl2控制高压启动电路工作与否。第二计数器所计控制信号Ctrl2的沿事件的类别和数目是可配置，在芯片上电启动时所计数目配置为M1个控制信号Ctrl2下降沿，M1为任意正整数，异常状况下重新启动时所计数目配置为M2个控制信号Ctrl2下降沿，M2为任意正整数。
阈值VTH3、VTH4分别为芯片内部电源建立、掉电的VDD电压阈值，控制信号Ctrl2为芯片内部电源信号或其指示信号。芯片上电时，VDD电压持续升高，升高至阈值VTH3时，控制信号Ctrl2翻转为1，芯片内部电源建立，继续升至阈值VTH1时，控制信号Ctrl1翻转为1，高压启动电路停止工作。但此时芯片开关波受高压启动电路控制不输出，VDD电压下降，降至阈值VTH2时，控制信号Ctrl1翻转为0，高压启动电路开始工作，VDD电压再次升高，如此重复，期间第一计数器对Ctrl1的上升沿或下降沿进行计数，计至N1(N1为任意正整数)次后，产生控制信号将Ctrl2选作为高压启动电路再次工作的控制信号。待VDD下降至阈值VTH4时内部电源掉电，Ctrl2翻转为0，高压启动电路工作，VDD电压再次上升，如此重复，期间第二计数器对控制信号Ctrl2的上升沿或下降沿进行计数，计至M1(M1为任意正整数)次后，产生有效的启动使能信号，在VDD电压上升至阈值VTH1时上电启动完成，芯片进入正常工作阶段。其后若有异常状况产生，芯片进入异常重启阶段。VDD电压下降，降至阈值VTH2时，控制信号Ctrl1翻转为0，高压启动电路开始工作，VDD电压再次升高，如此重复，期间第一计数器对Ctrl1的上升沿或下降沿进行计数，计至N2(N2为任意正整数)次后，产生控制信号将Ctrl2选作为高压启动电路再次工作的控制信号。待VDD下降至阈值VTH4时芯片内部电源掉电，Ctrl2翻转为0，高压启动电路工作，VDD电压再次上升，如此重复，期间第二计数器对控制信号Ctrl2的上升沿或下降沿进行计数，计至M2(M2为任意正整数)次后，产生有效的重启使能信号，重启使能信号对当前的内部电路状态进行判断。若异常状况解除，重启阶段在VDD电压上升至阈值VTH1后结束，芯片恢复正常工作。若异常状况仍然存在，则前述重启过程重复进行，直至某次异常重启期间异常状况解除，该次重启后芯片重新启动完成。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在：
①本发明启动时间可调的高压启动电路可以灵活地调节芯片上电启动以及异常状况下重新启动的时间，有效解决上电启动和异常状况下重新启动之间的矛盾，可根据应用需求灵活地调节不同的启动和重启时间，得到更佳的系统应用效果；
②高压启动电路应用于高压自供电应用场合，自供电电路内置于高压启动电路之中，高压启动电路自带计数器与自供电电路计数器嵌套计数，能够更加灵活地调整上电启动和重新启动的时间，得到更佳的系统应用效果。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
图1：传统启动电路启动方式对应的工作波形示意图；
图2：本发明启动时间可调的高压启动电路的示意图；
图3：图2高压启动电路对应的工作波形示意图；
图4：另一种方式启动时间可调的高压启动电路的示意图；
图5：图4高压启动电路对应的工作波形示意图。
具体实施方式
本发明设计一种启动时间可调的高压启动电路，可以灵活地调节芯片上电启动以及异常状况下重新启动的时间，满足不同的应用要求。
如图2所示，启动时间可调的高压启动电路，包含第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一比较器CMP101以及第一计数器102，第一NMOS晶体管M1的漏极与第一电阻R1的第一端、第二NMOS晶体管M2的栅极以及二极管D1的负向端相连，第一NMOS晶体管M1的栅极与第一比较器101的输出端、第一计数器102相连，第一NMOS晶体管M1的源极与二极管D1的正向端一起连接至电源地，第二NMOS晶体管M2的漏极与第一电阻R1的第二端一同连接至芯片SW端口，第二NMOS晶体管M2的源极与第二电阻R2的第一端一同连接至芯片供电端口VDD，第二电阻R2的第二端连接至第三电阻R3的第一端和第一比较器101的第一输入端，第三电阻R3的第二端与电源地相连，第一比较器101的输出端连接第一计数器102，第一计数器102的第一输出端和第二输出端连接至高压启动电路外的PWM控制器103，PWM控制器103内置于应用芯片中，第一比较器101检测芯片供电端口电压VDD电压水平并产生控制信号Ctrl1，第一计数器102通过对控制信号Ctrl1的上升沿或下降沿进行计数，并产生初启使能信号1和重启使能信号1，以分别调节芯片上电启动和异常状况下重新启动的时间。
第一比较器101的第二输入端由第一比较器101输出端信号控制选择连接至芯片内部产生阈值K*VTH1和K*VTH2，所述比例K为VDD电压分压比例，由包含第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的分压结构产生，其大小为：
所述阈值VTH1为控制信号Ctrl1翻转为高时的VDD电压阈值，所述阈值VTH2为控制信号Ctrl1翻转为低时的VDD电压阈值，且VTH1>VTH2，VTH2大于芯片内部电源掉电时的VDD电压阈值，第一比较器101输出信号为高时其第二输入端连接至K*VTH2，第一比较器101输出信号为低时其第二输入端连接至K*VTH1。
控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作或停止工作，产生VDD电压的上升及下降，进而产生控制信号Ctrl1的翻转；第一计数器(102)所计控制信号Ctrl1的沿事件的类别和数目是可配置。芯片上电启动时所计数目配置为N1个控制信号Ctrl1下降沿，N1为任意正整数；异常状况下重新启动时所计数目配置则为N2个控制信号Ctrl1下降沿，N2为任意正整数。
如图3，上述启动时间可调的高压启动电路对应的示例工作波形，T1时间段内芯片上电启动，期间高压启动电路于VDD上升至VTH1前工作，于下降至VTH2前停止工作。在控制信号Ctrl1经历N1个上升沿或下降沿(示例波形为下降沿，N1为正整数)后于T1时间段结束时刻完成启动，此时VDD电压达到阈值VTH1大小且初启使能信号有效，此后芯片进入正常工作阶段T2。其后某一时刻异常情况发生，高压启动电路屏蔽芯片开关波输出，由于能量传输中止，VDD电压下降，当下降至阈值VTH2时，控制信号Ctrl1触发为有效，高压启动电路开始工作，VDD电压在一定时间后被充至阈值VTH1，高压启动电路停止工作，而此时开关波输出仍被保护电路屏蔽，VDD电压再次下降，如此反复直至T3时间段结束时刻。T3期间计数器对控制信号Ctrl1下降沿或上升沿(示例波形为下降沿)计数，计至N2次异常使能信号有效，而异常状况未解除，VDD电压再次下降，芯片再一次进入异常重启状态，并在计数器计数至N2(N2为正整数)次后异常使能信号再次有效，此时异常状况解除，在VDD电压充至芯片阈值VTH1后，异常状况下重新启动结束，如图时间段T4，芯片进入正常工作阶段T5。由于阈值VTH2值大于内部电源掉电的VDD阈值，异常状况下重新启动期间内部电路电源一直保持不掉电，内部电路状态一直保持，以供高压启动电路定期检测。
如图4，在上述图2电路基础上，还包括第二比较器201、第二计数器202、二选一数据选择器203以及或门OR，第二比较器201的第一输入端连接第二电阻R2的第二端，第二比较器201的输出端连接至二选一数据选择器203的第二输入端和第二计数器202，第二计数器202的第一输出端和第二输出端分别连接至PWM控制器103，二选一数据选择器203的第一输入端与第一比较器101的输出端相连，二选一数据选择器203的选择端Sel与或门OR的输出端相连，或门OR的第一输入端和第二输入端分别与第一计数器102的第一输出端和第二输出端相连，二选一数据选择器203的输出端与NMOS晶体管M1的栅极相连；第二比较器201检测芯片供电端口电压VDD电压水平并产生控制信号Ctrl2，所述控制信号Ctrl2为自供电电源信号或其指示信号，第二计数器202通过对控制信号Ctrl2的上升沿或下降沿进行计数，并产生初启使能信号2和重启使能信号2。高压启动电路嵌套配合利用两组使能信号，更加精确地调节芯片上电启动异常状况下重新启动的时间。
第二比较器201的第二输入端由第二比较器201输出端信号控制选择连接至芯片内部产生的阈值K*VTH3和K*VTH4，所述比例K为VDD电压分压比例，由包含第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的分压结构产生，其大小为：
所述阈值VTH3为控制信号Ctrl2翻转为高时VDD电压阈值，即自供电电源建立时VDD电压阈值，所述阈值VTH4为控制信号Ctrl2翻转为低时VDD电压阈值，即自供电电源掉电时VDD电压阈值，且VTH3>VTH4，VTH1>VTH2>VTH4，所述阈值VTH1为控制信号Ctrl1翻转为高时的VDD电压阈值，所述阈值VTH2为控制信号Ctrl1翻转为低时的VDD电压阈值；第二比较器201输出信号为高时其第二输入端连接至K*VTH4，第二比较器201输出信号为低时其第二输入端连接至K*VTH3。
第二比较器201检测芯片供电端口电压VDD电压水平产生控制信号Ctrl2和第一比较器101检测芯片供电端口电压VDD电压水平产生控制信号Ctrl1被选择用以控制高压启动电路工作及停止工作，从而产生VDD电压的上升及下降，进而产生控制信号Ctrl1和控制信号Ctrl2的翻转；上电启动期间初启使能信号1无效时控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作与否，初启使能信号1有效时控制信号Ctrl2控制高压启动电路工作与否，异常状况下重新启动期间重启使能信号1无效时控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作与否，重启使能信号1有效时控制信号Ctrl2控制高压启动电路工作与否。第二计数器202所计控制信号Ctrl2的沿事件的类别和数目是可配置，在芯片上电启动时所计数目配置为M1个控制信号Ctrl2下降沿，M1为任意正整数，异常状况下重新启动时所计数目配置为M2个控制信号Ctrl2下降沿，M2为任意正整数。
如图5，图4高压启动电路对应的示例工作波形，T1时间段内，芯片上电启动时，VDD电压持续升高，升高至阈值VTH3时，控制信号Ctrl2翻转为1，芯片内部电源建立，继续升至阈值VTH1时，控制信号Ctrl1翻转为1，高压启动电路停止工作。但此时芯片开关波受高压启动电路控制不输出，VDD电压下降，降至阈值VTH2时，控制信号Ctrl1翻转为0，高压启动电路开始工作，VDD电压再次升高，如此重复，期间第一计数器对Ctrl1的上升沿或下降沿(示例波形为下降沿)进行计数，计至N1(N1为任意正整数)次后，产生控制信号将Ctrl2选作为高压启动电路再次工作的控制信号。待VDD下降至阈值VTH4时内部电源掉电，Ctrl2翻转为0，高压启动电路工作，VDD电压再次上升，如此重复，期间第二计数器对控制信号Ctrl2的上升沿或下降沿进行计数，计至M1(M1为任意正整数)次后，产生有效的启动使能信号，在VDD电压上升至阈值VTH1时上电启动完成，芯片进入正常工作阶段T2。其后有某一异常状况产生，芯片进入异常重启阶段T3。VDD电压下降，降至阈值VTH2时，控制信号Ctrl1翻转为0，高压启动电路开始工作，VDD电压再次升高，如此重复，期间第一计数器对Ctrl1的上升沿或下降沿进行计数，计至N2(N2为任意正整数)次后，产生控制信号将Ctrl2选作为高压启动电路再次工作的控制信号。待VDD下降至阈值VTH4时芯片内部电源掉电，Ctrl2翻转为0，高压启动电路工作，VDD电压再次上升，如此重复，期间第二计数器对控制信号Ctrl2的上升沿或下降沿进行计数，计至M2(M2为任意正整数)次后，产生有效的重启使能信号，重启使能信号对当前的内部电路状态进行判断，此时异常状况解除，重启阶段在VDD电压上升至阈值VTH1后结束，芯片重启完成，恢复正常工作T4。
综上所述，本发明高压启动电路可以灵活地调节芯片上电启动以及异常状况下重新启动的时间，有效解决上电启动和异常状况下重新启动之间的矛盾，可根据应用需求调节不同的上电启动和异常状况下重新启动的时间，得到更佳的系统应用效果。
需要理解到的是：以上所述仅是本发明的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：包含第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、二极管(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一比较器(101)以及第一计数器(102)，第一NMOS晶体管(M1)的漏极与第一电阻(R1)的第一端、第二NMOS晶体管(M2)的栅极以及二极管(D1)的负向端相连，第一NMOS晶体管(M1)的源极与二极管(D1)的正向端一起连接至电源地，第二NMOS晶体管(M2)的漏极与第一电阻(R1)的第二端一同连接至芯片SW端口，第二NMOS晶体管(M2)的源极与第二电阻(R2)的第一端一同连接至芯片供电端口VDD，第二电阻(R2)的第二端连接至第三电阻(R3)的第一端和第一比较器(101)的第一输入端，第三电阻(R3)的第二端与电源地相连，第一比较器(101)的输出端连接第一计数器(102)，第一计数器(102)的第一输出端和第二输出端连接至高压启动电路外的PWM控制器(103)，第一比较器(101)检测芯片供电端口电压VDD电压水平并产生控制信号Ctrl1，第一计数器(102)通过对控制信号Ctrl1的上升沿或下降沿进行计数，并产生初启使能信号1和重启使能信号1，以分别调节芯片上电启动以及异常状况下重新启动的时间。
2.根据权利要求1所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：所述第一比较器(101)的第二输入端由第一比较器(101)输出端信号控制选择连接至芯片内部产生阈值K*VTH1和K*VTH2，所述比例K为VDD电压分压比例，由包含第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的分压结构产生，其大小为：
所述阈值VTH1为控制信号Ctrl1翻转为高时的VDD电压阈值，所述阈值VTH2为控制信号Ctrl1翻转为低时的VDD电压阈值，且VTH1>VTH2；第一比较器(101)输出信号为高时其第二输入端连接至K*VTH2，第一比较器(101)输出信号为低时其第二输入端连接至K*VTH1。
3.根据权利要求2所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：所述阈值VTH2大于芯片内部电源掉电时的VDD电压阈值。
4.根据权利要求1所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：所述控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作或停止工作，产生VDD电压的上升及下降，进而产生控制信号Ctrl1的翻转；所述第一计数器(102)所计控制信号Ctrl1的沿事件的类别和数目是可配置。
5.根据权利要求4所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：芯片上电启动时所计数目配置为N1个控制信号Ctrl1下降沿，N1为任意正整数；异常状况下重新启动时所计数目配置则为N2个控制信号Ctrl1下降沿，N2为任意正整数。
6.根据权利要求1所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：还包括第二比较器(201)、第二计数器(202)、二选一数据选择器(203)以及或门(OR)，所述第二比较器(201)的第一输入端连接第二电阻(R2)的第二端，第二比较器(201)的输出端连接至二选一数据选择器(203)的第二输入端和第二计数器(202)，第二计数器(202)的第一输出端和第二输出端分别连接至PWM控制器(103)，所述二选一数据选择器(203)的第一输入端与第一比较器(101)的输出端相连，二选一数据选择器(203)的选择端(Sel)与或门(OR)的输出端相连，或门(OR)的第一输入端和第二输入端分别与第一计数器(102)的第一输出端和第二输出端相连；第二比较器(201)检测芯片供电端口电压VDD电压水平并产生控制信号Ctrl2，所述控制信号Ctrl2为自供电电源信号或其指示信号，第二计数器(202)通过对控制信号Ctrl2的上升沿或下降沿进行计数，并产生初启使能信号2和重启使能信号2。
7.根据权利要求6所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：所述二选一数据选择器(203)的输出端与NMOS晶体管(M1)的栅极相连。
8.根据权利要求6所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：所述第二比较器(201)的第二输入端由第二比较器(201)输出端信号控制选择连接至芯片内部产生的阈值K*VTH3和K*VTH4，所述比例K为VDD电压分压比例，由包含第二电阻(R2)、第三电阻(R3)的分压结构产生，其大小为：
所述阈值VTH3为控制信号Ctrl2翻转为高时VDD电压阈值，即自供电电源建立时VDD电压阈值，所述阈值VTH4为控制信号Ctrl2翻转为低时VDD电压阈值，即自供电电源掉电时VDD电压阈值，且VTH3>VTH4，VTH1>VTH2>VTH4；第二比较器(201)输出信号为高时其第二输入端连接至K*VTH4，第二比较器(201)输出信号为低时其第二输入端连接至K*VTH3。
9.根据权利要求6所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：第二比较器(201)检测芯片供电端口电压VDD电压水平产生控制信号Ctrl2和第一比较器(101)检测芯片供电端口电压VDD电压水平产生控制信号Ctrl1被选择用以控制高压启动电路工作及停止工作，从而产生VDD电压的上升及下降，进而产生控制信号Ctrl1和控制信号Ctrl2的翻转；芯片上电启动期间初启使能信号1无效时控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作与否，初启使能信号1有效时控制信号Ctrl2控制高压启动电路工作与否，异常状况下重新启动期间重启使能信号1无效时控制信号Ctrl1控制高压启动电路工作与否，重启使能信号1有效时控制信号Ctrl2控制高压启动电路工作与否。
10.根据权利要求9所述的启动时间可调的高压启动电路，其特征在于：第二计数器(202)所计控制信号Ctrl2的沿事件的类别和数目是可配置，在芯片上电启动时所计数目配置为M1个控制信号Ctrl2下降沿，M1为任意正整数，异常状况下重新启动时所计数目配置为M2个控制信号Ctrl2下降沿，M2为任意正整数。
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Application publication date: 20151202 Assignee: Wuxi Chipown Microelectronics Co., Ltd. Assignor: Suzhou Poweron IC Design Co., Ltd. Contract record no.: 2019320010002 Denomination of invention: High voltage starting circuit with adjustable starting time Granted publication date: 20170801 License type: Exclusive License Record date: 20190121 |
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