CN105070685B - 梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于印刷显示技术领域,分别提供了梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法。所述梯形像素Bank结构的制备方法包括:提供一TFT背板,在所述TFT背板的电极上制备Bank层,对所述Bank层依次进行两次曝光、显影和刻蚀处理,形成倒梯形像素区域,得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构。本发明提供的梯形像素Bank结构的制备方法,能有效补偿显影液、刻蚀液对像素Bank的横向侵蚀作用,克服了因Bank底部的过刻蚀对器件像素均匀性造成的影响;同时,采用先聚光再扫描式曝光的方式对正性Bank材料进行曝光处理,可以提高显示器件的像素精度,进而提高印刷显示器件的分辨率。
Description
技术领域
本发明属于印刷显示技术领域,尤其涉及梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法。
背景技术
OLED显示器件由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板等优点,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。目前,对于OLED显示器件的制备,通常采用真空蒸镀和印刷技术制备,这是当前国际主流的发展技术。小分子的真空蒸镀技术比较成熟,目前已经实现产业化,并有中小尺寸的全彩色显示屏批量推出,应用在MP3、MP4、手机及小尺寸电视机等电子设备领域;另外,三星、LG等显示巨头已推出大尺寸OLED电视产品,更有曲面屏OLED电视产品面世。但是,该技术设备投资和维护费用高昂、材料浪费严重,难以实现大面积,且成本居高不下,面对残酷的市场环境,难以形成竞争优势。
那么,如何解决OLED高成本问题,加速OLED的推广?
印刷技术被认为是解决OLED高成本和实现大面积的有效途径,具有广阔的发展前景,这种技术可结合液体功能性材料和先进的印刷设备来制作OLED显示屏,可提高材料的利用率和生产效率,降低制造成本,提高产能。
最常见的印刷技术有喷墨印刷(inkjet printing)和丝网印刷(screenprinting)两种。典型的喷墨印刷设备有好几个印刷头,分别用于打印不同颜色的聚合物发光材料,每一个都带有数个微型喷嘴,把红、绿、蓝发光材料溶液分别精确地沉积在ITO玻璃基板的隔离柱槽中,溶剂挥发后形成纳米薄层(厚度在100纳米左右),构成发光像素。喷嘴是用特殊的压电陶瓷做成,可以通过控制陶瓷上所加电压大小及时间长短来精确控制液滴大小,从而调控发光层厚度,由于这是一种完全的数字技术,故不需要任何加工。喷墨印刷有许多优点,比如,分辨率相当高,具有灵活性,成本较低,并与几乎所有类型的基板兼容。另一种常用的印刷技术是丝网印刷,在OLED显示屏制备工艺中,丝网印刷主要用于加工显示屏的条状阴极(传统工艺一般采用真空蒸镀沉积形成条状金属阴极),阴极材料采用可印刷的阴极浆料,如导电银胶、金胶。丝网通常由精细编织的多孔织物或在金属板架上伸展的金属网孔构成。丝网顶端有一块模板封住了阴极浆料不应穿过的网孔区域。丝网放置在基板顶端,精确对位后固定丝网,然后使用阴极浆料,采用一块橡皮刀片在丝网的网孔通透区域刮阴极浆料,然后吊离丝网,形成条状阴极,丝网印刷可与各种基板一起使用,它可以单次淀积厚膜。
虽然喷墨打印技术被许多实验室研究证明,被认作是未来制造有机发光平板显示器最具有前景的技术,然而,应用喷墨打印技术生产平板显示器还存在很多问题需要解决,如:a)开发可印刷的高质量功能材料;b)薄膜厚度均匀性及光电性能等需达到应用的要求;c)Bank技术需要进一步优化,以提高印刷器件的分辨率;d)开发性能可靠、产量高的喷墨打印设备;e)开发印刷过程是否严格符合生产要求的监控系统等。应用喷墨打印技术生产平板显示器并走向工业化生产和进入市场,还有待研究者作出不懈的努力。
喷墨打印技术中,传统地,采用垂直曝光方法制作像素Bank,经过显影、刻蚀等步骤后形成像素Bank。但是由于刻蚀液横向侵蚀的影响,导致Bank底部过刻蚀而形成倒梯形结构(如图1a所示),从而影响器件像素的均匀性,甚至导致器件开路,减小器件的开口率。通过选择电子束刻蚀方法或者各项异性刻蚀液等途径,能一定程度抑制倒梯形Bank结构的形成,得到垂直Bank结构(如图1b所示)。然而,由于OLED器件的溶液法制程中,要求Bank的顶部进行疏水处理,而其侧面要求亲水处理,这样有利于有机材料的墨水在像素Bank内的均匀分布。而垂直的结构给Bank的表面亲疏水处理带来了难度,不利于溶液法制作OLED器件。因此,获得一种既能避免Bank底部过刻蚀造成器件开路、同时又能进行表面亲疏水处理的梯形像素Bank结构(如图1c所示),有利于溶液法制备像素均匀的OLED器件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种梯形像素Bank结构的制备方法,旨在解决现有垂直曝光方法制作的梯形像素Bank结构导致的器件像素均匀性差、甚至导致器件开路、减小器件开口率,或垂直像素Bank结构难于进行表面亲疏水处理、不利于溶液法制作OLED器件的问题。
本发明的另一目的在于提供了一种OLED器件的制备方法,该柔性OLED器件中含有上述梯形像素Bank结构。
本发明是这样实现的,一种梯形像素Bank结构的制备方法,包括以下步骤:
提供一TFT背板,在所述TFT背板的电极上涂覆一层Bank材料,对所述Bank材料进行烘烤处理,以形成与所述电极具有粘性的Bank层,其中,所述Bank材料为正性Bank材料;
将图形化的掩膜板平行置于所述Bank层的上方,在所述掩膜板的上方设置光源,在所述光源与所述掩膜板之间、所述掩膜板与所述Bank层之间,分别设置与所述Bank层平行的第一光学棱镜和第二光学棱镜,所述光源发出的光线经聚光装置进行聚光处理后,透过所述第一光学棱镜照射所述掩膜板,经所述第二光学棱镜对所述Bank层进行两次曝光处理,对经两次曝光处理后的所述Bank层依次进行显影和刻蚀处理,形成倒梯形像素区域,得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构,
其中,所述倒梯形像素区域中,倒梯形的顶边和底边分别以d、l表示,d>l,所述Bank层的高度以h表示,所述梯形Bank的底边与所述倒梯形像素区域的的侧边形成的夹角以α表示,所述两次曝光处理的方法为:
第一次曝光处理:调节光学棱镜使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第一次曝光;
第二次曝光处理:与第一次曝光处理反方向调整两个光学棱镜(180°-2α),使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第二次曝光;
所述d、h、α之间满足ctgα<d/2h。
以及,一种OLED器件的制备方法,包括以下步骤:
提供上述梯形像素Bank结构;
在所述梯形像素Bank结构的倒梯形像素区域中,喷墨印刷有机功能层,对形成的所述有机功能层进行退火处理;
在所述梯形Bank和所述有机功能层上,蒸镀阴极层,形成柔性OLED元件;
对所述柔性OLED元件进行封装处理。
本发明提供的梯形像素Bank结构的制备方法,首先,通过采用两次曝光的方法制作印刷器件的像素Bank,降低了刻蚀液横向侵蚀的影响,形成了梯形像素Bank结构(如图1c所示),避免了Bank底部过刻蚀造成器件开路;同时容易对梯形像素Bank表面进行亲疏水处理,使得倒梯形像素区域形成的溶液表面张力更有利于控制像素的均匀性。
其次,采用先聚光再扫描式曝光的方式对正性Bank材料进行曝光处理,一方面,由于正性Bank材料本身具有较高的刻蚀精度;另一方面,先聚光再扫描式曝光的方式具有更高的曝光精度,由此,使得本发明制备的梯形像素Bank结构具有精确的像素bank结构,从而提高了显示器件的像素精度,进而提高印刷显示器件的分辨率。
再次,先聚光再扫描式曝光的处理方式,可以使得bank材料的曝光处理不受载体基板尺寸的限制,有利于实现梯形像素Bank结构的大面积生产。
本发明提供的柔性OLED器件的制备方法,首先,所述柔性OLED器件含有上述梯形像素Bank结构,因此,可以缓解刻蚀液横向侵蚀对像素Bank的影响,提高印刷OLED器件像素的均匀性;其次,在此基础上,利用喷墨印刷方式制备柔性OLED器件,提高了生产效率,降低了器件制作成本。
附图说明
图1是提供了三种像素Bank结构的示意图,其中,a为现有技术提供的倒梯形像素Bank结构示意图,b为现有技术提供的垂直像素Bank结构示意图,c为本发明提供的梯形像素Bank结构示意图;
图2是本发明实施例提供的在硬质载体衬底上制备离型层后的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的采用狭缝涂布法在离型层上制备柔性基板层的示意图;
图4是本发明实施例提供的在柔性基板层上制备TFT阵列后的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的在缓冲层上制备TFT阵列后的结构示意图;
图6是现有技术提供的一次曝光制备得到的像素Bank结构示意图;
图7是本发明实施例提供的两次曝光处理制备梯形像素Bank结构的示意图;
图8是本发明实施例提供的依次在所述梯形像素Bank结构的倒梯形像素区域中喷墨印刷制备有机功能层、蒸镀阴极层的示意图;
图9是本发明实施例提供的剥离离型层和柔性基板层、获得柔性OLED器件的示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
结合附图2-7,本发明实施例提供了一种梯形像素Bank结构的制备方法,包括以下步骤:
S01.提供一TFT背板,在所述TFT背板的电极上涂覆一层Bank材料,对所述Bank材料进行烘烤处理,以形成与所述电极具有粘性的Bank层,其中,所述Bank材料为正性Bank材料;
上述步骤S01中,本实施例中,所述TFT背板包括在硬质载体衬底上依次层叠设置的TFT阵列和电极。作为优选实施例,所述TFT背板为柔性TFT背板。所述柔性TFT背板包括在硬质载体衬底上依次形成复合膜柔性基板、TFT阵列和电极,其中,所述复合膜柔性基板包括依次层叠设置在所述硬质载体衬底上的离型层和柔性基板层,所述TFT阵列设置在所述柔性基板层上。
具体的,所述硬质载体衬底选用刚性载体衬底,具体可为硅片载体衬底、玻璃载体衬底或金属载体衬底。本发明实施例中,在对所述硬质载体衬底上制备其它层结构前,对所述硬质载体衬底以电子级的清洗工艺进行洁净处理。所述洁净处理可以选择氮气、氩气等惰性气体对所述硬质载体衬底进行等离子处理,提高所述硬质载体衬底的表面能。
作为优选实施例,如附图2和附图3所示,本发明实施例中,所述柔性基板层2包括依次层叠设置在所述硬质载体衬底1上的离型层21和柔性基板层22。作为一个优选实施例,所述离型层21为有机超薄聚酰亚胺膜和无机氧化物薄膜中的一种。作为另一个优选实施例,所述柔性基板层22采用聚酰亚胺类材料制作。由此得到的所述复合膜柔性基板2,一方面具有很高的透明度、且耐温性能好;另一方面,述复合膜柔性基板2经过后续光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀、去胶等工艺步骤,不会脱落、剥离;经过蒸镀电极、沉积各层TFT材料、及退火处理后,所述复合膜柔性基板2不会发生皱缩、翘曲、剥落等问题,从而保证了在所述复合膜柔性基板2上制备的TFT阵列的性能。
本发明实施例制备梯形像素Bank结构的方法中,由于所述离型层21与所述硬质载体衬底1之间的粘接力增强,而所述离型层21和所述柔性基板层22之间容易剥离,因此,在所述柔性基板层2制备柔性器件时,所述离型层21最终作为舍弃层,在后续步骤中与所述硬质载体衬底1一同剥离除去。作为优选实施例,所述离型层21的厚度为1-5μm,和/或所述柔性基板层22的厚度为10-20μm。
作为一个具体优选实施例,在所述硬质载体衬底1上制备离型层21,当所述离型层21为无机氧化物薄膜时,优选采用PECVD、PVD、ALD方式沉积实现;当所述离型层21为有机超薄聚酰亚胺膜时,可用旋转涂布的方式实现,对形成的所述离型层21固化成膜。作为另一个具体优选实施例,为了获得厚度均匀可控的所述柔性基板层22,采用狭缝涂布法在所述离型层21上制备所述柔性基板层22,如附图3所示。对形成的所述柔性基板层22固化成膜。
本发明实施例所述TFT背板中,所述TFT阵列可直接设置在所述硬质载体衬底上。当所述TFT背板为柔性TFT背板时,所述TFT阵列设置在所述复合膜柔性基板上。如附图4所示,在所述复合膜柔性基板2上制备TFT阵列4。作为优选实施例,所述TFT阵列选用高迁移率和透过率的氧化物TFT阵列。由于所述氧化物TFT阵列为水性敏感材料,因此,为了保证所述氧化物TFT阵列的性能,需在所述硬质载体衬底和所述氧化物TFT阵列之间、或所述复合膜柔性基板和所述氧化物TFT阵列之间设置有缓冲层。如附图5所示,在所述复合膜柔性基板2和所述氧化物TFT阵列4之间设置有缓冲层3,所述缓冲层3能隔绝水份、氧份进入所述氧化物TFT阵列。作为进一步优选实施例,在所述复合膜柔性基板上制作所述氧化物TFT阵列后,对所述氧化物TFT阵列进行退火处理,所述退火处理的温度为330-365℃。
进一步的,在所述TFT阵列上沉积电极,所述电极可为ITO电极。当然,不排除采用其他电极用于本发明实施例。
本发明实施例在所述电极上涂覆Bank材料的方式不受限制,本领域常用的涂覆方式均可实现。作为具体优选实施例,采用旋涂工艺将所述Bank材料涂覆于所述电极上。所述旋涂工艺中,高速旋转基板带来的离心力,能有效控制Bank材料的厚度和均匀性,并将多余的溶剂除掉。
本发明实施例中,所述Bank材料为正性Bank材料。本发明实施例所述正性Bank材料具有很好的对比度,用其制备的柔性显示具有更好的分辨率。所述正性Bank材料包括树脂、感光剂、溶剂和添加剂等,类似正性光刻胶组分。其中,所述树脂为具有良好的粘附性和化学抗蚀性,所述感光剂为光敏化合物,遇光能发生光化学反应,所述溶剂用于保持所述Bank材料的液体状态,使之具有良好的流动性;所述添加剂用以改变所述Bank材料的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。作为具体优选实施例,所述树脂可具体选用线性酚醛树脂,所述感光剂可具体选用重氮萘醌(DNQ)。其中,所述重氮萘醌是一种强烈的溶解抑制剂。在曝光前,能有效降低所述树脂的溶解速度;在紫外曝光后,所述重氮萘醌发生化学反应,分解产生羧酸,成为溶解度增强剂,可将显影液中的溶解度因子提高100倍甚至更高。
进一步地,将涂覆的所述Bank材料进行烘烤处理,以形成与所述电极具有粘性的Bank层。作为具体优选实施例,对所述Bank材料进行烘烤处理的方法为,在温度为80-100℃条件下烘烤25-30s后,在温度为180-200℃条件下烘烤10-30min。其中,在温度为80-100℃条件下烘烤25-30s,可快速地去除所述Bank材料中的大部分溶剂;在温度为180-200℃条件下烘烤10-30min,目的是增强所述Bank材料的粘附性,去除Bank材料中残余的溶剂,促进材料的均匀性和稳定性。
S02.将图形化的掩膜板平行置于所述Bank层的上方,在所述掩膜板的上方设置光源,在所述光源与所述掩膜板之间、所述掩膜板与所述Bank层之间,分别设置与所述Bank层平行的第一光学棱镜和第二光学棱镜,所述光源发出的光线经聚光装置进行聚光处理后,透过所述第一光学棱镜照射所述掩膜板,经所述第二光学棱镜对所述Bank层进行两次曝光处理,对经两次曝光处理后的所述Bank层依次进行显影和刻蚀,形成倒梯形像素区域,得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构,
其中,所述倒梯形像素区域中,倒梯形的顶边和底边分别以d、l表示,d>l,所述Bank层的高度以h表示,所述梯形Bank的底边与所述倒梯形像素区域的倒梯形的侧边形成的夹角以α表示,所述两次曝光处理的方法为:
S021.第一次曝光处理:调节光学棱镜使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第一次曝光;
S022.第二次曝光处理:与第一次曝光处理反方向调整两个光学棱镜(180°-2α),使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第二次曝光;
所述d、h、α之间满足ctgα<d/2h。
由于采用一传统步曝光的方法无法形成梯形像素Bank结构,获得的像素Bank结构不利于后续的喷墨印刷工艺制作OLED器件,影响像素的均匀性,如图6所示。
如图7所示,本发明实施例上述步骤S02中,采用分步曝光的方法制作梯形像素Bank结构,形成倒梯形像素区域。具体的,将图形化的掩膜板7平行置于所述Bank层6的上方,在所述光源9与所述掩膜板7之间、所述掩膜板7与所述Bank层6之间,分别设置与所述Bank层6平行的第一光学棱镜81和第二光学棱镜82,所述光源9发出的光线经聚光装置10进行聚光处理后,透过所述第一光学棱镜81照射所述掩膜板7,经所述第二光学棱镜82对所述Bank层6进行两次曝光处理后,依次进行显影和刻蚀。其中,所述聚光装置10可采用光栏。
所述倒梯形像素区域中,倒梯形的顶边和底边分别以d、l表示,d>l,所述Bank层的高度以h表示,所述底边与倒梯形的侧边形成的夹角以α表示,所述两次曝光处理时,分别逆时针(或顺时针)调节所述光学棱镜8,将光源方向调整为与所述Bank层6之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第一次曝光,如图7A所示;接着与第一次曝光处理反方向调整即顺时针(或逆时针)调节所述光学棱镜8,将光源方向调整为与所述Bank层6之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第二次曝光,如图7B所示。为了避免曝光区域过大-即所述α过小导致的倒三角像素区域的出现,所述d、l、α之间满足ctgα<d/2h。
如图7C所示,经过两次曝光后,依次进行显影和刻蚀处理,形成倒梯形像素区域62,得到具有梯形Bank61的梯形像素Bank结构。
本发明实施例提供的梯形像素Bank结构的制备方法,首先,通过采用两次曝光的方法制作印刷器件的像素Bank,形成了梯形像素Bank结构,可以有效补偿显影液、刻蚀液对像素Bank造成的横向侵蚀作用,避免了Bank底部过刻蚀造成的器件开路;同时,倒梯形像素区域的形成,有利于对梯形像素Bank顶部和侧边表面进行亲疏水处理,使得倒梯形像素区域形成的溶液表面张力均匀分布,仅为提高整体像素的均匀性。
其次,采用先聚光再扫描式曝光的方式对正性Bank材料进行曝光处理,一方面,由于正性Bank材料本身具有较高的刻蚀精度;另一方面,先聚光再扫描式曝光的方式具有更高的曝光精度,由此,使得本发明制备的梯形像素Bank结构具有精确的像素bank结构,从而提高了显示器件的像素精度,进而提高印刷显示器件的分辨率。
再次,先聚光再扫描式曝光的处理方式,可以使得bank材料的曝光处理不受载体基板尺寸的限制,有利于实现梯形像素Bank结构的大面积生产。
相应的,本发明实施例还提供了一种OLED器件的制备方法,包括以下步骤:
Q01.提供梯形像素Bank结构;
本发明实施例所述步骤Q01中,所述梯形像素Bank结构即为上述提及的形成倒梯形像素区域的梯形像素Bank结构,其制备方法可通过本发明实施例提供的上述梯形像素Bank结构的制备方法制备获得。
Q02.在所述梯形像素Bank结构的倒梯形像素区域中,喷墨印刷有机功能层,对形成的所述有机功能层进行退火处理;
如图8A所示,采用喷墨印刷的方式制备各有机功能层12。作为优选实施例,所述有机功能层包括依次制备的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
作为另一个优选实施例,在所述喷墨印刷制备有机功能层步骤前,还包括对所述梯形Bank的上表面进行疏水处理,对所述梯形Bank的侧边表面进行亲水处理。经过亲疏水处理后的所述梯形Bank,进行喷墨印刷制备所述有机功能层时,喷出的有机墨水材料滴落到所述梯形Bank上表面即顶部,因为上表面疏水的原因而滑落到所述倒梯形像素区域内,不容易造成像素串扰;同时所述梯形Bank的侧边亲水的原因,有机墨水材料在倒梯形像素区域受到的液体张力更加均衡,液体张力沿上表面均匀分布。将有机材料墨水中残余的溶剂烘干,退火处理后形成了匀的OLED像素。
Q03.在所述梯形Bank和所述有机功能层上,蒸镀阴极层13,形成OLED元件,如图8B所示;
Q04.对所述OLED元件进行封装处理。
具体的,由于水氧进入所述柔性OLED元件后,会影响所述柔性OLED元件的性能,因此,本发明实施例需要对所述柔性OLED元件进行封装处理。作为优选实施例,所述封装处理包括在所述柔性OLED元件表面依次制备水氧隔离层、保护层和封装保护膜。具体的,所述柔性OLED元件的封装采用原子层沉积(ALD)方式制备致密的无机薄膜作为水氧阻隔层,在所述水氧隔离层上制作保护层,防止外力对水氧阻隔层的损伤。在所述保护层上,采用层压机贴覆带有除湿剂的封装保护膜,进一步阻隔水汽、氧气的渗透,完成OLED器件的封装。进一步的,作为优选实施例,所述无机薄膜为硅氮化合物、二氧化硅等无机薄膜。
进一步的,本发明实施例还包括对封装后的OLED元件进行剥离处理,所述玻璃方式可采用常规方式实现。作为优选实施例,所述TFT背板为柔性TFT背板,所述柔性TFT背板包括在硬质载体衬底上依次形成的复合膜柔性基板、TFT阵列和电极,其中,所述复合膜柔性基板包括依次层叠设置在所述硬质载体衬底上的离型层和柔性基板层,所述TFT阵列设置在所述柔性基板层上,所述制备方法还包括在所述超薄层和所述柔性基板层之间施加机械力,使所述超薄层和所述柔性基板层剥离,得到OLED器件。所述离型层和所述柔性基板层的剥离,具体可采用下述方法实现,如附图9所述:沿切割线将所述复合膜柔性基板2切割至所述离型层21位置,施加机械力将所述柔性OLED器件从所述硬质载体衬底1上剥离下来。本发明实施例中,所述复合膜柔性基板1的离型层21与柔性基板层22之间的粘附特性,使得外力很容易将柔性OLED器件从所述硬质载体衬底1上完全剥离,而所述离型层21留在玻璃载体上。其中,所述机械力可为提拉、牵引、刀切等手段。
本发明实施例提供的OLED器件的制备方法,首先,所述OLED器件含有上述梯形像素Bank结构,因此,可以有效补偿显影液、刻蚀液对像素Bank造成的横向侵蚀作用,提高印刷OLED器件像素的均匀性;其次,倒梯形Bank区域的形成,有利于对梯形像素Bank顶部和侧边表面进行亲疏水处理,使得倒梯形像素区域形成的溶液表面张力均匀分布,仅为提高整体像素的均匀性;再次,利用喷墨印刷方式制备OLED器件,提高了生产效率,节省了材料,降低了器件制作成本,有利于印刷显示技术的推广,特别是印刷OLED显示、印刷QD量子点显示的生产应用。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种梯形像素Bank结构的制备方法,包括以下步骤:
提供一TFT背板,在所述TFT背板的电极上涂覆一层Bank材料,对所述Bank材料进行烘烤处理,以形成与所述电极具有粘性的Bank层,其中,所述Bank材料为正性Bank材料;
将图形化的掩膜板平行置于所述Bank层的上方,在所述掩膜板的上方设置光源,在所述光源与所述掩膜板之间、所述掩膜板与所述Bank层之间,分别设置与所述Bank层平行的第一光学棱镜和第二光学棱镜,所述光源发出的光线经聚光装置进行聚光处理后,透过所述第一光学棱镜照射所述掩膜板,经所述第二光学棱镜对所述Bank层进行两次曝光处理,对经两次曝光处理后的所述Bank层依次进行显影,形成倒梯形像素区域,得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构,
其中,所述倒梯形像素区域中,倒梯形的顶边和底边分别以d、l表示,d>l,所述Bank层的高度以h表示,所述梯形Bank的底边与所述倒梯形像素区域的侧边形成的夹角以α表示,所述两次曝光处理的方法为:
第一次曝光处理:调节两个光学棱镜使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第一次曝光;
第二次曝光处理:与第一次曝光处理反方向调整两个光学棱镜(180°-2α),使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第二次曝光;
所述d、h、α之间满足ctgα<d/2h。
2.如权利要求1所述梯形像素Bank结构的制备方法,其特征在于,所述TFT背板为柔性TFT背板,所述柔性TFT背板包括在硬质载体衬底上依次形成的复合膜柔性基板、TFT阵列和电极,其中,所述复合膜柔性基板包括依次层叠设置在所述硬质载体衬底上的离型层和柔性基板层,所述TFT阵列设置在所述柔性基板层上。
3.如权利要求2所述梯形像素Bank结构的制备方法,其特征在于,所述离型层为有机超薄聚酰亚胺膜和无机氧化物薄膜中的一种;和/或
所述柔性基板层采用聚酰亚胺类材料制作。
4.如权利要求2所述梯形像素Bank结构的制备方法,其特征在于,所述离型层的厚度为1-5μm,和/或
所述柔性基板层的厚度为10-20μm。
5.如权利要求2或3所述梯形像素Bank结构的制备方法,其特征在于,所述TFT阵列为氧化物TFT阵列,且在所述硬质载体衬底和所述氧化物TFT阵列之间、或所述复合膜柔性基板和所述氧化物TFT阵列之间设置有缓冲层。
6.如权利要求5所述梯形像素Bank结构的制备方法,其特征在于,还包括对所述氧化物TFT阵列进行退火处理,所述退火处理的温度为330-365℃。
7.如权利要求1-3任一所述梯形像素Bank结构的制备方法,其特征在于,对所述Bank材料进行烘烤处理的方法为,在温度为80-100℃条件下烘烤25-30s后,在温度为180-200℃条件下烘烤10-30min。
8.一种OLED器件的制备方法,包括以下步骤:
提供如权利要求1-7任一所述方法制备的梯形像素Bank结构;
在所述梯形像素Bank结构的倒梯形像素区域中,喷墨印刷有机功能层,对形成的所述有机功能层进行退火处理;
在所述梯形Bank和所述有机功能层上,蒸镀阴极层,形成OLED元件;
对所述OLED元件进行封装处理。
9.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法,其特征在于:所述TFT背板为柔性TFT背板,所述柔性TFT背板包括在硬质载体衬底上依次形成的复合膜柔性基板、TFT阵列和电极,其中,所述复合膜柔性基板包括依次层叠设置在所述硬质载体衬底上的离型层和柔性基板层,所述TFT阵列设置在所述柔性基板层上,所述制备方法还包括在所述离型层和所述柔性基板层之间施加机械力,使所述离型层和所述柔性基板层剥离,得到OLED器件。
10.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法,其特征在于:还包括在所述喷墨印刷制备有机功能层步骤前,对所述梯形Bank的上表面进行疏水处理,对所述梯形Bank的侧边表面进行亲水处理。
11.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法,其特征在于:所述有机功能层包括依次制备的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
12.如权利要求8-11任一所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述封装处理的方法为:在所述OLED元件表面依次制备水氧隔离层、保护层和封装保护膜。
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Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province Patentee after: TCL Technology Group Co.,Ltd. Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District Patentee before: TCL Corp. |
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CP03 | Change of name, title or address | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190524 |
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